DE2405587A1 - Sonnenzelle und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Sonnenzelle und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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Description
Dip!,-!:- ν-.; ' V.Mssner
Dip;.-!. '"-. ·>■■· :u
Dip;.-!. '"-. ·>■■· :u
SlevogU.i-aiiciV,.. :ϊ ,,. 34 2010
Anmelder: Bremen, den 5.2.1974
Communications Satellite Corporation
Washington USA
Washington USA
Sonnenzelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
Die Erfindung betrifft eine Sonnenzelle aus Halbleitermaterial mit einem pn-übergang, einer Elektrode, die einen Teil der
oberen Oberfläche der Zelle bedeckt, und einem Stegteil zur Befestigung an ein Verbindungsstück, sowie einer antireflektierenden
Beschichtung, die mindestens jene Teile der oberen Oberfläche bedeckt, welche nicht von der Elektrode abgedeckt
sind. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Sonnenzelle.
Die Erfindung ist besonders auf den Schutz des pn-Überganges einer Sonnenzelle gerichtet, wenn zwischen den einzelnen
Sonnenzellen Verbindungen angebracht werden, um eine Batterie von Sonnenzellen herzustellen.
409833/0804 "2"
Eine Sonnenzelle ist ein anderer Name für eine fotoelektrische Zelle, die eine Einrichtung darstellt, welche auf Licht
anspricht und zwischen den zwei Klemmen dieser Einrichtung eine Potentialdifferenz erzeugt. Die bekanntesten und heutzutage
verwendeten Sonnenzellen bestehen aus Silicium, jedoch sind auch andere Halbleitermaterialien bekannt, die sich
für Sonnenzellen eignen.
Die Hauptbestandteile einer Zelle sind ein Halbleitermaterial mit einem pn-übergang unter der oberen Oberfläche der Zelle,
sowie einer hinteren und einer vorderen Elektrode. Die vordere oder Frontelektrode ist stets so ausgebildet, daß sie einen
Lichteinfall in die Zelle durch die obere Oberfläche derselben gestattet. Die Front- oder die obere Elektrode weist üblicherweise
eine Anzahl dünner metallischer Finger auf, die mit einem größeren metallischen Stegteil verbunden sind. Das Stegteil
ist gemäß einer hier gegebenen Definition das Teil der oberen Elektrode, an das ein äußeres Zwischenverbindungsstück
befestigt ist. Eine äußere Zwischenverbindung ist notwendig, um eine vollständige Sonnenbatterie herzustellen.
Die meisten Sonnenzellen besitzen auch eine antireflektierende Beschichtung, die mindestens so viel von der oberen Oberfläche
bedeckt, wie von der oberen Elektrode nicht bedeckt ist. Die antireflektierende Beschichtung dient dazu zu verhindern, daß
eine nützliche Strahlung von der Oberfläche der Zelle reflektiert wird. Aus dem US-Patent Nr. 3 533 85o sind eine Reihe
antireflektierender Beschichtungen und entsprechende Verfahren zur Herstellung von Zellen mit einer antireflektierenden Beschichtung
ersichtlich. Aus den im folgenden aufgeführten US-Patentanmeldungen lassen sich besondere antireflektierende
Beschichtungen und Verfahren zur Herstellung von Sonnenzellen mit antireflektierenden Beschichtungen entnehmen.
I."Tantalum Pentoxide Anti-Reflective Coating", Aktz. 249 o24,
eingereicht am 1. Mai 1972.
409833/08CU
II. "Niobium Pentoxide Anti-Reflective Coating", Aktz. 331 741,
eingereicht am 13. Februar 1973 und
III. " Method of Applying Anti-Reflective Coating to a Solar
Cell", Aktz. 331 739, eingereicht am 13. Februar 1973.
Die meisten bekannten Sonnenzellen weisen ferner eine Quarzabdeckung
auf, die sich über der antireflektierenden Beschichtung und der "oberen Elektrode befindet. Die Quarzabdeckung
schützt die Zelle vor schädlicher Strahlung.
Bisher waren die Sonnenzellenbatterien, welche bei außerterrestrischen
Arbeiten verwendet wurden, wie beispielsweise bei Erdsatelliten, am Gehäuse des Raumfahrzeuges befestigt.
Obgleich die am Gehäuse befestigten Batterien in die Sonnenstrahlung hinein und aus ihr heraus wandert, verhinderte das
Gehäuse des Raumfahrzeuges, daß der thermische Zyklus der Batterien so groß wird, daß Fehler verursacht werden oder ein
Ermüden des Lötmetalls auftritt, das normalerweise verwendet wird, um die Zwischenverbindungsstücke mit den Stegen zu verbinden.
Seit Neuestem werden die Sonnenzellenbatterien sonnenorientiert. Dies bedeutet, daß sie nicht mehr direkt am Fahrzeuggehäuse
befestigt sind, sondern daß sie auf Flügel oder Klappen befestigt werden, die sich von dem Fahrzeugkörper aus
weg erstrecken und welche die Sonnenzellenbatterien in Richtung zur Sonne orientieren. Während die zur Sonne gerichteten Sonnenzellenbatterien
naheliegende Vorteile aufweisen, besteht einer der Nachteile darin, daß das lötmetall nicht mehr geeignet
ist, um die Zwischenverbindungsstücke mit den Stegen zu verbinden. Der thermische Zyklus der sonnenorientierten
Sonnenzellenbatterien ist so groß, daß das Lötmetall aufbricht.
Aufgrund dieser oben genannten Schwierigkeiten wird kein Lötmetall
mehr verwendet und es werden stattdessen Verbindungsverfahren
wie beispielsweise Schweißen oder eine thermische Druck-
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verbindung benutzt, um die Zwischenverbindungsstücke mit den
Stegen zu sichern. Die Schwierigkeiten bei diesen Verbindungsverfahren bestehen darin, daß mechanische Drucke und große
Wärmemengen auf die Zelle beim Steg einwirken. Dies neigt dazu, den pn-übergang örtlich unterhalb des Steges zu zerstören,
wodurch sich für die Zellen eine Strom-Spannungskurve ergibt, welche nicht so scharf ausgebildet ist, wie es im anderen Falle
sein würde. Es kann auch ein Ultraschallverfahren zur Herstellung einer Verbindung verwendet werden, jedoch werden dadurch
die gleichen Probleme, wie beim Schweißen und beim thermischen Druck, hervorgerufen.
Das Problem ist noch bedeutender bei einer besonders bevorzugten Sonnenzelle mit einem hohen Wirkungsgrad, die in der deutschen
Patentschrift P 22 46 115.0 beschrieben ist. Das verbesserte
Elektrodenmuster gestattet es bei dieser Sonnenzelle, daß der pn-übergang viel dichter an die Oberfläche gelegt werden kann,
als bei den bekannten Zellen, wodurch sich ein erhöhter Wirkungsgrad ergibt. Diese Zellen jedoch sind wegen der Nähe des
pn-Überganges an der Oberfläche sogar empfindlicher für örtliche Zerstörungen des pn-Überganges unterhalb des Steges, während
der Verbindungsverfahren.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, die oben aufgezeigten
Probleme zu lösen. Dies erfolgt gemäß der Erfindung dadurch, daß bei der eingangs aufgeführten Sonnenzelle aus Halbleitermaterial
mit einem pn-übergang, einer Elektrode, die einen Teil der oberen Oberfläche der Zelle bedeckt, und einem
Stegteil zur Befestigung an ein Verbindungsstück, sowie einer antireflektierenden Beschichtung, die mindestens jene Teile
der oberen Oberfläche bedeckt, welche nicht von der Elektrode abgedeckt sind, dadurch, daß sich auf der Oberfläche unter dem
Stegteil der Elektrode ein Polster aus thermisohisolierendem Material befindet. Gemäß der Erfindung besteht das Polster
und die antireflektierende Beßchichtung aus gleichem Material.
409833/0804
Gemäß der Erfindung haftet das Polster an dem Elektrodenmetall und der Halbleiteroberfläche. Während des Verbindungsvorganges
verhindert das Polster, daß ein die Störung bewirkender mechanischer Druck oder eine entsprechende Wärmemenge auf den
darunterliegenden pn-übergang übertragen wird.
Bei einer bevorzugen Ausführungsform der Erfindung weist das
Polster das gleiche Material wie die antireflektierende Beschichtung
auf. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung werden das Polster und die antireflektierende Beschichtung
auf der Zelle während des gleichen Verfahrensschrittes hergestellt.
Die Erfindung wird anhand der Zeichnung näher erläutert. Hierbei zeigen:
Figur 1 eine perspektivische Ansicht einer bevorzugten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
Figur 2 eine Querschnittansicht nach Figur 1 entlang der Linie 2-2 nach Figur 1;
Figur 3 eine Querschnittsansicht nach Figur 1 entlang der linie 3-3 nach Figur 1 j
Figuren 4A bis 4F Seitenansichten einer Sonnenzelle in verschiedenen
Fabrikationsstufen bei der Herstellung der Sonnenzelle und
Figuren 5A bis 5F Seitenansichten einer Sonnenzelle bei verschiedenen
Fabrikationsstufen eines weiteren Befahrens zur Herstellung der Sonnenzelle.
Die in den Figuren 1, 2 und 3 dargestellte Sonnenzelle entspricht
mit Ausnahme des hinzugekommenen Polsters der in der
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oben genannten Patentanmeldung beschriebenen feingeometrischen Sonnenzelle. Die vorliegende Erfindung ist jedoch gleichermaßen
auf andere Arten von Sonnenzellen anwendbar. Ferner wird bei der in den Figuren 1, 2 und 3 dargestellten Ausführungsform davon ausgegangen, daß das Polster aus dem gleichen
Material wie die antireflektierende Beschichtung hergestellt ist, jedoch wird betont, daß diese Annahme, bezüglich der Erfindung,
nicht notwendig ist.
Die Sonnenzelle weist einen Halbleiter 1o auf, der eine p-Zone
12 und eine n-Zone 14 besitzt, die einen pn-übergang 16 bilden. Auf der oberen Oberfläche des Halbleiters 1o ist eine
obere Elektrode vorhanden, die aus einem einheitlichen Metall besteht, und welche dünne Fingerteile 18, größere Finger 2o
und Stege 22 aufweist. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel besteht der Halbleiter aus Silicium und die Elektrode
wird durch eine Ablagerung von Gold und Chrom hergestellt. Eine antirefelktierende Beschichtung 24, wie beispielsweise
amorphes Ta2 Oc oder m^ Oc bedecken alle Teile der Siliciumoberflache,
die nicht von der oberen Elektrode bedeckt sind. Ein Polstermaterial 26 befindet sich unterhalb des Stegteiles
22 der Elektrode. Das Polster ist ein relativ hartes Material, welches nur eine geringe thermische leitfähigkeit besitzt und
bei einem besonderen Ausführungsbeispiel besteht das Polster aus dem gleichen Material wie die antireflektierende Schicht.
Zum Beispiel kann das Polster aus jrmorphem Ta« O^ oder Nb2 O1-bestehen,
wobei das Tantal-Pentoxid bevorzugt wird. Andere Materialien, die sich sowohl für das Polster als auch für
die antireflektierende Beschichtung eignen, sind TiO2.
In der diesbezüglichen Zeichnung ist das Polster nur unter dem Zentralteil der Stege 22 dargestellt und die Stegkanten überlappen
und berühren die Siliciumoberfläche. Dieses besondere
Merknal ist irrelevant, Der wichtig· Punkt besteht darin, d*ß
sich das Polster 26 unterhalb dee Steges 22 befindet, wobei
der Steg in diesem Sinne als da« Seil der ober·» Elektrode definiert
ist, mit dem das ZviechenverbindTungsstttek verbunden
wird· 409833/0804
Eine Quarzabdeckung 28 verhindert, daß eine schädliche Strahlung die Zelle erreicht und eine nicht näher dargestellte
untere Elektrode ist an der unteren Oberfläche der Zone 12 des Halbleiters 1o vorgesehen. Die äntireflektierende Beschichtung
muß nicht nur auf die Oberflächenbereiche begrenzt sein, die nicht von der Elektrode bedeckt sind, sondern sie kann auch
genauso gut die Elektrode bedecken. Ferner kann,.wie noch unten gezeigt wird, die Elektrode eine Schicht aus einem Metallelement
aufweisen, während sein Oxid die äntireflektierende Beschichtung und das Polster bildet und zwar unterhalb aller
Teile außer den Stegen.
Die Figuren 4A bis 4F zeigen verschiedene Stufen der Zelle während der Herstellung gemäß einem bevorzugten Verfahren.
Wie aus Figur 4A hervorgeht, besitzt ein Halbleitermaterial 4ot vorzugsweise Silicium, einen darin befindlichen pn-übergang
48. Der übergang kann mit Hilfe herkömmlicher Verfahren hergestellt werden. Eine besonders bevorzugte Technik zur
Herstellung des pn-Überganges ist' in der US-Patentanmeldung
"Verfahren zur Diffusion von Verunreinigungen in einen Halbleiter",
Aktz. 331 74o, eingereicht am 13. Februar 1973 beschrieben.
Ein Muster einer Fotoabdeckung 46 wird auf der Siliciumoberflache
hergestellt. Das Muster 1st mit dem Elektrodenmuster identisch, z.B. mit der in Figur 1 dargestellten Elektrode,
jedoch mit einer wichtigen Ausnahme. Das Fotoabdeckmuster weist keine Fotoabdeckung an Stellen auf, die den Stegteilen
der Elektrode entsprechen. Das gewünschte Muster kann durch Anwendung eines fotolithographischen Verfahrens hergestellt
werden, das in der Halbleitertechnik bekannt ist. Es wird in diesem Zusammenhang auf die unter I, II und III oben angegebenen
Patentanmeldungen verwiesen, aus denen besondere fotolithographische Verfahren hervorgehen* Es besteht jedoch bezgl.
dieser oben genannten Anmeldungen ein Unterschied in dem Muster der Maske, durch die die Fotoabdeckung entwickelt wird. Bei
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der positiv entwickelnden Fotolithographie ist das lichtundurchlässige
Muster der Maske wie oben "beschrieben ausgebildet, d.h. es ist mit dem Elektrodenmuster identisch von der einen
erwähnten Ausnahme abgesehen.
Wie als Nächstes aus Figur 4B ersichtlich ist, wird eine
Schicht aus einem Metallelement_ 5o im Vakuum auf die Zellenoberfläche
aufgetragen. Das Metall kann aus irgendeinem Metall bestehen, das für die Bildung der antireflektierenden Schicht
und des Polsters geeignet ist. Bevorzugte Beispiele sind Ta, Hb und Ti. Die Metallelementschicht kann mit Hilfe einer Elektronenstrahlverdampfungstechnik
aufgetragen werden. Eine Dicke von etwa 2ool ist beispielsweise ausreichend.
Bei Verwendung einer üblichen fotolithographischen Abhebtechnik wird die verbleibende Fotoabdeckung 46 und das Metall, das
über der Fotoabdeckung liegt, entfernt. Die nach d'er Abhebung verbleibende Metallschicht hat ein Muster, das ein Negativ
des Fotoabdeckmusters, gemäß Figur 4A, ist. Als Nächstes wird das Metall oxydiert um beispielsweise TapO,-, NbpOc oder TiO2
zu bilden. Dies kann beispielsweise mit Hilfe einer thermischen Oxydation oder durch eine anodische Oxydation erfolgen. Jede
dieser Oxydationsarten ist gut bekannt. Ferner ist jede Art in der unter I genannten Patentanmeldung beschrieben. Im Falle
des Tantal und des Niob wird die sich ergebende Schicht mehr amorph als entgegengesetzt zu kristallin. Die oxydierte Metallschicht
ist in Figur 4C mit 52 bezeichnet.
Das oxydierte Muster ist mit einer anderen Fotoabdeckung bedeckt, die mit ultraviolettem Licht zu einer anderen Maske
entwickelt wird. Die Maske ist ein Negativ des Metallelektrodenmusters. Das heißt, der durchlässige Teil der Maske hat
das gleiche Muster wie die Metallelektrode. Die dem Licht ausgesetzte Fotoabdeckung wird entwickelt und entfernt, gemäß
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der bekannten Technik, wobei ein Fotoabdeckmuster 54 zurückbleibt,
wie aus Figur 4B ersichtlich ist. Die Fotoabdeckung bedeckt das ganze Oxid mit Ausnahme des Teiles des Oxides, das unter
dem Stegteil der Elektrode liegt.
Eine Metallschicht, z.B. Gold und Chrom wird abgelagert, wie
in Figur 4E mit 56 bezeichnet ist. Die Ablagerung der Metallschicht kann mit Hilfe irgendeines bekannten Verfahrens durchgeführt
werden. Einzelheiten der Ablagerung dieser Schicht sind den oben genannten und mit I, II und III bezeichneten
Anmeldungen zu entnehmen.
Bei Verwendung der üblichen fotolithographischen Abhebtechnik werden die verbleibende Fotoabdeckung 54 und die Metallschichtteile
über der Fotoabdeckung 54 entfernt, so daß der in Figur 4F ersichtliche Zellenaufbau zurückbleibt. Dieser Aufbau umfasst
eine Elektrode 56 nach dem gewünschten Muster, eine antireftektierende
Beschichtung 52 z.B. aus Ta2O,-, Nb2Oc oder TiO2,
welche alle Oberflächenteile bedeckt, die nicht von der Elektrode abgedeckt sind und ein Polster 52' mit der gleichen Zusammensetzung
wie die antireflektierende Beschichtung unter dem Stegteil der Elektrode.
Aus den Figuren 5A bis 5F ist ein weiteres Verfahren zu entnehmen.
Bei diesem Verfahren wird das Polster getrennt von der antireflektierenden Beschichtung hergestellt. Demzufolge braucht
das Polster nicht aus dem gleichen Material hergestellt zu werden, wie die antireflektierende Beschichtung, es kann jedoch
aus dem gleichen Material bestehen. Dieses bestimmte Verfahren mit dem zusätzlichen Schritt der Herstellung des Polsters
entspricht dem bevorzugten Verfahren, das in der oben unter III genannten Patentanmeldung beschrieben ist. Die spezifischen
Verfahrensstufen können einzeln identisch mit jenen
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in dem oben beschriebenen Verfahren ausgeführt werden. Der
Unterschied liegt in der Reihenfolge der Stufen und in der verwendeten Maskentechnik.
Wie aus Figur 5A hervorgeht, weist der Halbleiter 2o einen darin gebildeten pn-übergang auf. Dem folgt die getrennte
Herstellung des Polsters. Wenn zum Beispiel das Polster aus amorphem Ta2 0S Gestehen 30Hf so wird eine Schicht aus Ta mit
Hilfe einer Elektronenablagerung durch eine Fotoabdeckschieht, die dem Licht ausgesetzt, entwickelt und in dem Polsterbereich
entfernt wurde, abgelagert. Die verbleibende Fotoabdeckung und das darüberliegende Tantal werden entfernt und das zurückbleibende
Tantal wird zu Ta2O5 mit Hilfe einer thermischen
oder anodischen Oxydation oxydiert. Dadurch wird das Polster 73 an den Stellen der Elektrodenstegteile hergestellt. Als
nächstes wirdm eine vollständige Metallschicht 74 auf die Anordnung abgelagert, wie aus Figur 5B hervorgeht. Das gewählte
Metall ist dasjenige, das oxydiert wird um die antireflektierertde
Beschichtung zu bilden. Dieses Metall kann beispM-Sweise
Ta, Nb oder Ti sein. Die Metallschicht 74 wird sodann mit einer Fotoabdeckung bedeckt, welche durch eine Maske
mit einem durchlässigen Muster belichtet wird, das dem gewünschten
Elektrodenmuster entspricht. Die belichtete Fotoabdeokung wird entfernt, wobei ein Fotoabdeckmuster 76 zurückbleibt, das
genau das Negativ des gewünschten Elektrodenmusters ist. Dies ist in Figur 5C dargestellt.
Eine Metallschicht 78, welche die Elektroden bildet, wird auf die Einrichtung abgelagert, wie aus Figur 5D zu entnehmen ist.
Dieses Metall besteht vorzugsweise aus Gold und Chrom. Die verbleibende Fotoabdeckung 76 und die Teile der Metallschicht
78, die über der Fotoabdeokung liegen, werden durch eine fotolithographische
Abhebtechnik entfernt. Die sich ergebende Einrichtung geht aus Figur 5E hervor. Dort ist die Gold-Chrom
Elektrode in der gewünschten Musterform für die Elektrode, jedoch liegt sie auf einer Schicht aus leitendem Metall, z.B.Ta.
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In der nächsten Stufe wird die Einrichtung einer thermischen
oder anodischen Oxydation unterworfen. Das Metall 73, z.B. · Ta, Nb oder Ti wird oxydiert, wobei es nicht durch das Elektrodenmuster
78 bedeckt ist. Das Metall 78 jedoch wird nicht oxydieren. Das Metallelement 74, das nach der Oxydation verbleibt,
liegt direkt unter dem Gold-Chrom Muster 78 und wird ein Teil der Elektrode. Das Metall 74, das in Ta2O1-, Fb2 0R
oder TiO2 oxydiert worden ist, wird die antireflektierende
Schicht 8o der Einrichtung ) wie aus Figur 5P ersichtlich ist.
oder TiO2 oxydiert worden ist, wird die antireflektierende
Schicht 8o der Einrichtung ) wie aus Figur 5P ersichtlich ist.
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Claims (1)
- PatentansprücheSonnenzelle aus Halbleitermaterial mit einem pn-übergang, einer Elektrode, die einen Teil der oberen Oberfläche der Zelle bedeckt, und einem Stegteil zur Befestigung an ein Verbindungsstück, sowie einer antireflektierenden Beschichtung, die mindestens jene Teile der oberen Oberfläche bedeckt, welche nicht von der Elektrode abgedeckt sind, dadurch gekennzeichnet, daß sich auf dieser Oberfläche unter dem S-tegteil (22) der Elektrode ein Polster (26) aus thermisch isolierendem Material befindet.2. Sonnenzelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Polster (26) und die antireflektierende Beschichtung aus gleichem Material bestehen.Verfahren zur Herstellung einer Sonnenzelle nach Anspruch 1 und 2, einschließlich der Bildung eines pn-Überganges in einer Halbleiterschicht, die zu einer oberen Oberfläche im wesentlichen parallel verläuft, der Bildung einer Schicht auf dieser oberen Oberfläche au3 antireflektierendem Material, wobei diese Schicht ein Muster aufweist, welchee Bereiche dieser oberen Oberfläche offen läßt, und der Ablagerung einer oberen Elektrode auf den offenen Bereichen, dadurch gekennzeichnet, daß die obere Elektrode mindestens auf einem Teil der Schicht des antireflektierenden Materials abgelagert wird, wobei diese auf dem Teil der Schicht aus antireflektierendem Material abgelagerte Elektrode das Stegteil der Elektrode ist.-13-409833/08044. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht des antireflektierenden Materials vorwiegend aus amorphem Tantal-Pentoxid besteht.5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht des antireflektierenden Materials vorwiegend aus amorphem Niob-Pentoxid besteht.6. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß dieSchicht aus antireflektierendem Material aus Titanoxid besteht.7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung einer Schicht aus antireflektierendem Material folgende Schritte durchgeführt werden:a.) Bildung eines Musters aus einer Fotoabdeckung auf der oberen Oberfläche, wobei dieses Muster mit dem Muster der später gebildeten oberen Elektrode gleich ist, mit der Ausnahme, daß das Fotoabdeckmuster an den Stellen keine Fotoabdeckung aufweist, die den Stegteilen der oberen Elektrode entsprechen;b.) Ablagerung einer Metallschicht auf der oberen Oberfläche des Fotoabdeckmusters, wobei das Metall dasjenige ist, welches Bestandteil des antireflektierenäen Materials ist;c.) Entfernung des Fotoabdeckmusters und des Metalls, das direkt über der Fotoabdeckung liegt, undd.) Oxydierung des Metalls zu einem Metalloxid.-14-409833/08048. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall aus Tantal besteht und daß die Oxydation mittels einer anodischen Oxydation des Tantals durchgeführt wird.9. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall aus Tantal besteht und die Oxydation mittels einer thermischen Oxydation des Tantals durchgeführt wird.1o. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall aus Niob besteht und die Oxydation mittels einer anodischen Oxydation des Niobs durchgeführt wird.11. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall aus Niob besteht und die Oxydation mittels einer thermischen Oxydation des Niobs durchgeführt wird.12. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß zur Ablagerung einer oberen Elektrode folgende Schritte durchgeführt werden:a.) Bildung einer Fotoabdeckschieht auf dem gesamten Muster des antireflektierenden Materials mit Ausnahme jener Teile des antireflektierenden Materials, die unter den Stegteilen der Elektrode liegen;b.) Ablagerung von Metall zur Bildung einer Elektrode auf der zuletzt genannten Fotoabdeckung, der belichteten oberen Oberfläche und den Teilen der genannten antireflektierenden Schicht und409833/0804 -15-/Γc.) Entfernung der zuletztgenannten Fotoabdeckung und des abgelagerten Metalls, welches über der Fotoabdeckung liegt.13. Verfahren zur Herstellung einer Sonnenzelle einschließlich der Bildung eines pn-Überganges in einem Halbleiter, die im wesentlichen parallel zur oberen Oberfläche des Halbleiterkörpers verläuft, dadurch gekennzeichnet, daßa.) eine Schicht aus einem thermisch isolierenden Material auf einem Teil der oberen Oberfläche gebildet wird, wobei dieser Teil dem Stegteil einer oberen Elektrode entspricht, die auf der Sonnenzelle angebracht wird,b.) Ablagerung einer Metallschicht auf dem thermisch isolierenden Material und dem belichteten Teil der oberen Oberfläche, wobei dieses Metall der Metallbestandteil einer ant ire flektierenden1 Beschichtung ist,c.) Ablagerung einer Metallelektrode auf der zuletztgenannten Metallschicht, wobei diese Metallelektrode ein vorbestimmtes Muster einschließlich der Stegteile bildet, welche direkt über dem thermisch isolierenden Material sich befinden, undd.) Oxydierung der Teile, der-zuletztgenannten Schicht des Metalls, welche nicht von dem Metallelektrodenmuster bedeckt sind, um eine antireflektierende Beschichtung zu bilden.14. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe zur Bildung einer Schicht aus thermisch isolierendem Material auf einem Teil der oberen Oberfläche folgende Maßnahmen aufweist:409833/0804 -16~a.) Ablagerung eines Metalls, daß aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Tantal, Niob und Titan besteht auf den Teil der oberen Oberfläche undb.) Oxydierung des zuletztgenannten Metalls in ein Metalloxid.15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall aus Tantal und das Metalloxid vorwiegend aus amorphem Tantal-Pentoxid besteht.16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Metall aus Niob und das Metalloxid vorwiegend aus amorphem Niob-Pentoxid besteht.17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekenn zeichnet, daß das Metall aus Titan und Metalloxid aus Titanoxid besteht.409833/08(HLeerseite
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