DE4415140A1 - Festkörper-Bildsensorelement und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Festkörper-Bildsensorelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number
DE4415140A1
DE4415140A1 DE4415140A DE4415140A DE4415140A1 DE 4415140 A1 DE4415140 A1 DE 4415140A1 DE 4415140 A DE4415140 A DE 4415140A DE 4415140 A DE4415140 A DE 4415140A DE 4415140 A1 DE4415140 A1 DE 4415140A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
microlenses
shaped
strip
layer
mosaic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4415140A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4415140C2 (de
Inventor
Kwang Bok Song
Sung Ki Kim
Jin Sub Shim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Intellectual Ventures II LLC
Original Assignee
Goldstar Electron Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Goldstar Electron Co Ltd filed Critical Goldstar Electron Co Ltd
Publication of DE4415140A1 publication Critical patent/DE4415140A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4415140C2 publication Critical patent/DE4415140C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0216Coatings
    • H01L31/02161Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Festkörper-Bildsensorelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung. Spezieller betrifft sie Mikrolinsen an einem solchen Element und die Herstellung solcher Mikrolinsen.
Im allgemeinen weist ein Festkörper-Bildsensorelement einen Aufbau auf, wie er in Fig. 4 dargestellt ist, bei dem Photo­ dioden, die empfangene Lichtsignale in elektronische Signale umsetzen, matrixförmig unter Einhaltung gewisser Abstände in vertikaler und horizontaler Richtung angeordnet sind. Verti­ kal-CCDs (VCCDs) zum Übertragen von in den Photodioden er­ zeugter Ladungen in vertikaler Richtung sind zwischen den Photodioden ausgebildet. An den Ausgabeenden der VCCDs ist ein Horizontal-CCD (HCCD) angeordnet, und ein Meßverstärker (SA) zum Messen der aus dem HCCD austretenden Ladungsmenge ist am Ausgangsende des HCCDs vorhanden.
Die Betriebsweise eines solchen Festkörper-Bildsensorele­ ments ist die folgende.
Die in den Photodioden durch einfallendes Licht erzeugten Ladungen werden in dem Moment an die VCCDs übertragen, wenn eine Gatevorspannung (15 V) angelegt wird. Die in die VCCDs übertragenen Ladungen werden durch ein VCCD-Taktsignal von -9 V bis 0 V an das HCCD übertragen, die in das HCCD über­ tragenen Ladungen werden durch ein Taktsignal von 0 V bis 5 V zur Ausgangsseite transportiert, und diese Ladungen wer­ den an der Ausgangsseite in ein Spannungssignal umgesetzt und über den Meßverstärker ausgegeben.
In Fig. 5 ist ein Querschnitt durch ein herkömmliches Fest­ körper-Bildsensorelement dargestellt, das dadurch herge­ stellt wird, daß ein Metallfilm 11 für Lichtunterbrechung auf einem Substrat mit Photodiodenbereichen 1 ausgebildet wird, in dem auch Bereiche zur Ladungsübertragung und viele Torbereiche vorhanden sind. Ein Metallfilm 2 wird zu Kon­ taktflecken durch Mustern desselben ausgebildet. Auf dem Metallfilm 2 wird ein Isolierfilm 3 wie ein Nitridfilm abge­ schieden, und dieser wird selektiv in den Kontaktfleckberei­ chen entfernt. Über dem Substrat wird eine ebene Schicht 4 ausgebildet, auf der Farbfilterschichten 5, 6 und 7 herge­ stellt werden. Zum Einebnen wird eine obere Überzugsschicht 8 hergestellt, auf der Mikrolinsen 9 ausgebildet werden, die jeweils so positioniert sind, daß sie einer Photodiode ent­ sprechen. Die Kontaktfleckbereiche werden durch selektives Entfernen der oberen Überzugsschicht 8 und der ebenen Schicht 4 in den Kontaktfleckbereichen freigelegt.
Licht, das durch eine Mikrolinse 9 einfällt, strahlt durch die obere Überzugsschicht 8, die Farbfilterschichten 5, 6 und 7 und die ebene Schicht 4 in die zugehörige Photodiode, und das von dieser Photodiode empfangene Licht wird durch Umsetzung in Ladung in der Photodiode, durch Transport der Ladung durch das zugehörige VCCD und das HCCD sowie Verstär­ kung durch den Meßverstärker in ein Bildsignal umgesetzt.
Wie vorstehend beschrieben, wird bei herkömmlichen Festkör­ per-Bildsensorelementen das einfallende Licht durch ein Lin­ senarray fokussiert, das auf den Farbfilterschichten ausge­ bildet ist, um die Empfindlichkeit zu verbessern. Das Lin­ senarray wird dadurch hergestellt, daß ein transparenter Photoresist mit einem Brechungsindex von 1,6 gemustert und angeschmolzen wird.
Bei derartigen Linsenarrays ist es bevorzugt, die Abstände zwischen den Linsen so klein wie möglich zu machen, da zwi­ schen den Linsen einfallendes Licht nicht fokussiert wird. Die Abstände sind im allgemeinen in vertikaler und horizon­ taler Richtung dieselben (im allgemeinen eine Abmessung in­ nerhalb der Auflösungsgrenze für den Resist). Wenn sich die Abmessungen eines Einheitspixels (Photodiode) in vertikaler und horizontaler Richtung voneinander unterscheiden, wird das unter einer Linse projizierte Bild kein Quadrat, sondern ein Rechteck (siehe Fig. 6a und 6b). Da die Krümmungen der Linsen in vertikaler und horizontaler Richtung voneinander verschieden sind, unterscheiden sich auch die Brennweiten.
Die Empfindlichkeitsverringerung eines Festkörper-Bildsen­ sorelements aufgrund dieses Effekts kann nicht vernachläs­ sigt werden. Daher wurden Festkörper-Bildsensorelemente mit Doppelschichtlinsen vorgeschlagen.
Fig. 6a zeigt einen Fall, bei dem streifenförmige Mikrolin­ sen in horizontaler Richtung ausgebildet sind und mosaik­ förmige Mikrolinsen jeweils an den Orten von Photodioden auf den streifenförmigen Mikrolinsen angeordnet sind. Fig. 6b zeigt den entsprechenden Fall für eine vertikale Anordnung streifenförmiger Mikrolinsen. Fig. 6c zeigt einen Quer­ schnitt entlang der Linie A-A′ in Fig. 6b. Die Linsen werden dadurch hergestellt, daß zunächst streifenförmige Mikrolin­ sen 32 in horizontaler oder vertikaler Richtung über Photo­ dioden 21 ausgebildet werden und anschließend mosaikförmige Mikrolinsen 33 auf den streifenförmigen Mikrolinsen 32 her­ gestellt werden. Das Bezugszeichen 35 in Fig. 6 bezeichnet Brennpunkte.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 7a bis 7f wird nachfolgend ein Verfahren zum Herstellen eines Festkörper-Bildsensorelements beschrieben, das ein Array aus Doppelschichtlinsen beinhal­ tet.
Zunächst wird, wie dies in Fig. 7a dargestellt ist, ein Schwarz/Weiß-Festkörper-Bildsensorelement 25 mit Photodioden 21 und VCCDs 22 ausgebildet, und darauf wird ein Nitridfilm 26 als Passivierungsschicht hergestellt. Die Bezugszahl 23 in Fig. 7a kennzeichnet einen Kontaktfleckbereich.
Danach wird, wie dies durch Fig. 7b veranschaulicht ist, eine Einebnungsschicht 27 auf dem Nitridfilm 26 hergestellt, und es wird eine erste Farbschicht 28 auf der Einebnungs­ schicht ausgebildet, die mit einer ersten Farbe eingefärbt ist und die dann gehärtet wird. Auf entsprechende Weise wer­ den eine zweite Farbschicht 29 und eine dritte Farbschicht 30 hergestellt, die mit einer zweiten bzw. einer dritten Farbe eingefärbt sind, um dadurch Farbfilterschichten 28, 29 und 30 herzustellen. Anschließend wird eine obere Überzugs­ schicht 31 auf dem Substrat hergestellt.
Nachdem ein Photoresist zum Ausbilden einer Schicht für streifenförmige Mikrolinsen auf die obere Überzugsschicht 21 aufgetragen wurde, werden, wie dies durch Fig. 7c veran­ schaulicht ist, ein Belichtungsvorgang, ein Entwicklungsvor­ gang und ein Anschmelzen ausgeführt, um eine Schicht 32 aus streifenförmigen Mikrolinsen zu bilden. In Fig. 7c ist die Schicht 32 mit streifenförmigen Mikrolinsen nicht im Teil­ schnitt, sondern perspektivisch dargestellt, um die runde Form des Linsenabschnitts X zu zeigen.
Danach wird, wie dies durch Fig. 7d veranschaulicht ist, ein Photoresist zum Herstellen einer Schicht für mosaikför­ mige Mikrolinsen auf die streifenförmigen Mikrolinsen 32 aufgetragen, und dieser Photoresist wird belichtet, entwic­ kelt und angeschmolzen, um eine Schicht 33 mit ovalen, mo­ saikförmigen Mikrolinsen auszubilden, die jeweils so geformt sind, wie es in den Fig. 6a und 6b dargestellt ist, und die jeweils in bezug auf eine Photodiode positioniert sind.
Dann wird, wie dies durch Fig. 7e veranschaulicht ist, ein Photoresist 34 auf das Substrat aufgetragen, und dieser wird gemustert, um durch selektives Belichten und Entwickeln die Kontaktfleckbereiche zu öffnen. Unter Verwendung des Photo­ resistmusters 34 als Maske werden die obere Überzugsschicht 31 und die Einebnungsschicht 27 abgeätzt.
Durch Entfernen des Photoresists 34 wird dann ein Farbbild- Abrasterelement mit Mikrolinsen-Doppelschichten fertigge­ stellt, wie durch Fig. 7f veranschaulicht.
Bei der Herstellung herkömmlicher Festkörper-Bildsensorele­ mente mit Doppelschicht-Mikrolinsen werden die mosaikförmi­ gen Mikrolinsen 33 direkt auf der Oberseite des konvexen Ab­ schnitts der streifenförmigen Mikrolinsen 32 ausgebildet, wie in Fig. 6c dargestellt, was den Musterungs- und An­ schmelzvorgang erschwert.
Wenn der Integrationsgrad höher wird, muß die Brennweite kürzer werden, was eine kleinere Krümmung der Mikrolinsen erfordert. Unter Verwendung alleine des Anschmelzprozesses für den Photoresist zum Herstellen von Mikrolinsen, wie im Stand der Technik ausgeführt, lassen sich die Höhe und die Krümmung der streifenförmigen Mikrolinsen nicht gleichzeitig verringern, weswegen diese Art der Herstellung eines Fest­ körper-Bildsensorelements für die nächste Generation von Elementen nicht anwendbar ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Festkörper- Bildsensorelement mit Mikrolinsen zu schaffen, die einfach hergestellt werden können und bei denen die Krümmung und die Höhe verringert werden können, um dem Trend zu dünnen Fest­ körper-Bildsensorelementen zu folgen. Der Erfindung liegt weiterhin die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Elements anzugeben.
Die Erfindung ist für das Element durch die Lehre von An­ spruch 1 und für das Verfahren durch die Lehre von Anspruch 6 gegeben.
Beim erfindungsgemäßen Element sind die streifenförmigen Mikrolinsen nur noch an ihren Rändern gekrümmt und ihre Oberseiten sind flachgeätzt. Die mosaikförmigen Mikrolinsen sitzen auf der ebenen Oberfläche der streifenförmigen Mikro­ linsen. Das erfindungsgemäße Verfahren zeichnet sich ent­ sprechend dadurch aus, daß die streifenförmigen Mikrolinsen vor dem Aufbringen der mosaikförmigen Mikrolinsen flachge­ ätzt werden.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Fig. 1a bis 1c zeigen eine Mikrolinsenanordnung bei einem Festkörper-Bildsensorelement mit erfindungsgemäßen Doppel­ schicht-Mikrolinsen.
Fig. 2a bis 2e veranschaulichen ein Herstellverfahren für ein Festkörper-Bildsensorelement mit Doppelschicht-Mikrolin­ sen gemäß der Erfindung.
Fig. 3a und 3b dienen zum Vergleich zwischen einer herkömm­ lichen Doppelschicht-Mikrolinse und einer solchen gemäß der Erfindung.
Fig. 4 ist eine Draufsicht auf ein herkömmliches Festkörper- Bildsensorelement.
Fig. 5 ist ein Teilschnitt durch ein herkömmliches Festkör­ per-Bildsensorelement.
Fig. 6a bis 6c zeigen Mikrolinsen eines Festkörper-Bildsen­ sorelements mit herkömmlichen Doppelschicht-Mikrolinsen.
Fig. 7a bis 7f veranschaulichen ein Verfahren zum Herstellen eines Festkörper-Bildsensorelements mit herkömmlichen Dop­ pelschicht-Mikrolinsen.
In den Fig. 1a bis 1c sind Mikrolinsen eines Festkörper- Bildsensorelements gemäß der Erfindung dargestellt. Diese Figuren gelten für den Fall, daß sich die Vertikalabmessung eines Einheitspixels, d. h. einer Photodiode 21, von der Horizontalabmessung unterscheidet. Dabei ist Fig. 1a eine Draufsicht für den Fall, daß streifenförmige Mikrolinsen und mosaikförmige Mikrolinsen in horizontaler Richtung über den Bereichen von Photodioden 21 angeordnet sind, während Fig. 1b für den Fall gilt, daß diese Linsen in vertikaler Rich­ tung ausgebildet sind. Fig. 1c zeigt einen Querschnitt ent­ lang der Linie A-A′ in Fig. 1b.
Eine Mikrolinse eines Festkörper-Bildsensorelements gemäß der Erfindung beinhaltet eine Doppelschicht mit einer strei­ fenförmigen Mikrolinse 32A mit ebener Oberfläche 37, die in horizontaler oder vertikaler Richtung über einem Photodio­ denbereich ausgebildet ist, und eine mosaikförmige Mikro­ linse 33, die auf der streifenförmigen Mikrolinse 32A ent­ sprechend dem Ort der Photodiode positioniert ist. Die Be­ zugszahlen 35 in den Fig. 1a bis 1c bezeichnen Brennpunkte.
Wie in den Fig. 1a bis 1c dargestellt, beinhaltet die Mikro­ linse eines Festkörper-Bildsensorelements gemäß der Erfin­ dung eine streifenförmige Mikrolinse 32A mit ebener Ober­ seite 37 sowie eine ovale, mosaikförmige Mikrolinse 33, die auf dieser ebenen Oberseite 37 ausgebildet ist.
Da die mosaikförmige Mikrolinse auf der ebenen Oberseite der streifenförmigen Mikrolinse ausgebildet ist, ist die Her­ stellung einfacher als im Fall, bei dem eine mosaikförmige Mikrolinse über einer als konvexe Linse ausgebildeten strei­ fenförmigen Mikrolinse hergestellt wird.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 2a bis 2e ein Verfahren zum Herstellen eines erfindungsgemäßen Festkörper- Bildsensorelements beschrieben.
Zunächst wird, wie dies in Fig. 2a dargestellt ist, nachdem Schwarz/Weiß-Festkörper-Bildsensorelemente 25 mit Photodio­ den 21 und VCCDs 22 hergestellt wurden, ein Nitridfilm 26 als Passivierungsschicht aufgetragen. Die Bezugszahl 23 in Fig. 2a bezeichnet einen Kontaktfleckbereich.
Dann wird, wie dies in Fig. 2b dargestellt ist, auf dem Nitridfilm 26 eine ebene Schicht 27 ausgebildet, und auf dieser wird eine erste Farbschicht 28 hergestellt, die mit einer ersten Farbe eingefärbt ist, und sie wird danach aus­ gehärtet. Anschließend werden entsprechend eine mit einer zweiten Farbe eingefärbte zweite Farbschicht 29 und eine mit einer dritten Farbe eingefärbte dritte Farbschicht 30 herge­ stellt, um schließlich Farbfilterschichten 28, 29 und 30 auszubilden. Dann wird über dem Substrat eine obere Über­ zugsschicht 31 ausgebildet.
Danach wird, wie dies durch Fig. 2c veranschaulicht wird, ein Photoresist zum Herstellen einer Schicht für streifen­ förmige Mikrolinsen auf die obere Überzugsschicht 21 aufge­ tragen, es wird belichtet, entwickelt, und dann erfolgt ein erstes Anschmelzen zum Herstellen der Schicht 32 für strei­ fenförmige Mikrolinsen.
Dann wird, wie dies durch Fig. 2d veranschaulicht wird, nachdem ein transparenter Photoresist 34 auf das Substrat aufgetragen wurde, ein Photoresistmuster 34 zum Öffnen der Kontaktfleckbereiche durch selektive Belichtung und Entwick­ lung des Photoresists 34 hergestellt, und die obere Über­ zugsschicht 31 und die ebene Schicht 27 auf den Kontakt­ fleckbereichen werden abgeätzt, wodurch die Kontaktflecke 23 unter Verwendung des Photoresistmusters 34 als Maske frei­ gelegt werden. Dabei werden streifenförmige Mikrolinsen 34A gebildet, die jeweils eine flache Oberseite aufweisen, und zwar dadurch, daß der obere Teil der Schicht 32 für strei­ fenförmige Mikrolinsen bis auf eine bestimmte Dicke überätzt wird (Bereich 36), was durch Verlängern der Ätzzeit um eine kleine Zeitspanne (ungefähr 20 bis 30 Sekunden) beim Ätzpro­ zeß für die obere Überzugsschicht 31 und die ebene Schicht 27 erfolgt.
In diesem Fall ist der Teil mit einer streifenförmigen Mikrolinse 32A nicht im Querschnitt sondern in Teilperspek­ tive dargestellt, um einen Linsenabschnitt Y mit ebener Oberseite zu zeigen.
Dann wird, wie dies durch Fig. 2e veranschaulicht wird, nachdem der restliche Photoresist 34 entfernt wurde, ein transparenter Photoresist zum Ausbilden einer Schicht für mosaikförmige Mikrolinsen auf der Schicht 32A mit streifen­ förmigen Mikrolinsen mit flacher Oberseite aufgetragen, be­ lichtet, entwickelt und aufgeschmolzen, um eine Schicht 33 mit mosaikförmigen Mikrolinsen herzustellen, wodurch schließlich ein Festkörper-Farbbildsensor-Element herge­ stellt wird, das eine Mikrolinsen-Doppelschicht aufweist.
Wie es aus dem Vorstehenden erkennbar ist, ermöglicht es die Erfindung, mosaikförmige Mikrolinsen auf einfache Weise her­ zustellen, da jede der Mikrolinsen auf einer flachen Ober­ seite hergestellt wird, die bei einem Ätzprozeß für den oberen Teil der streifenförmigen Mikrolinsen hergestellt wurde. Darüber hinaus kann die Herstellung ohne viele Schritte erfolgen, da der Ätzprozeß für den oberen Teil der streifenförmigen Mikrolinsen zusammen mit dem Ätzprozeß zum Freilegen der Kontaktfleckbereiche 23 ausgeführt wird.
Beim Herstellen von Doppelschicht-Mikrolinsen muß, wenn dem Trend zur Herstellung dünner Festkörper-Bildsensorelemente gefolgt werden soll, die Höhe der streifenförmigen Mikrolin­ sen klein sein (ungefähr 1 µm). Wenn die Höhe einer strei­ fenförmigen Mikrolinse derart klein gemacht wird, wird die Krümmung der streifenförmigen Mikrolinse größer. Damit eine Mikrolinse jedoch die Rolle des Fokussierens von Licht auf einen Photodiodenbereich richtig wahrnehmen kann, müssen die Krümmungen der unten liegenden streifenförmigen Mikrolinse und der darüber liegenden mosaikförmigen Mikrolinse in be­ stimmtem Ausmaß dieselben sein. Damit die Krümmung der Sei­ ten einer streifenförmigen Mikrolinse, die mit der Linsen­ oberfläche der mosaikförmigen Mikrolinse verbunden sind, mit der Krümmung der letzteren übereinstimmt, die relativ klein ist, sollte auch die streifenförmige Mikrolinse eine Krüm­ mung unter einem bestimmten Wert haben, was entsprechend die Verringerung der Höhe der streifenförmigen Mikrolinse be­ schränkt.
Wenn jedoch bei der Herstellung einer streifenförmigen Mikrolinse gemäß der Erfindung der obere Teil derselben mit einer bestimmten Dicke abgeätzt wird, nachdem das Anschmel­ zen der Schicht für die streifenförmigen Mikrolinsen so er­ folgte, daß eine gewünschte Krümmung erzielt wird, kann eine streifenförmige Mikrolinse dünn, aber dennoch mit einer be­ stimmten Krümmung, die zur Krümmung der mosaikförmigen Mikrolinse paßt, auf einfache Weise hergestellt werden.
Die Fig. 3a und 3b dienen zum Vergleich zwischen einer her­ kömmlichen und einer erfindungsgemäßen Doppelschicht-Mikro­ linse. Dabei zeigt Fig. 3a eine herkömmliche und Fig. 3b eine erfindungsgemäße Mikrolinse. Wenn die Krümmungen der herkömmlichen mosaikförmigen Mikrolinse M2 und der erfin­ dungsgemäßen mosaikförmigen Mikrolinse M2 übereinstimmen, wenn die Dicken t der herkömmlichen streifenförmigen Mikro­ linse Ml und der erfindungsgemäßen streifenförmigen Mikro­ linse Ml übereinstimmen, und wenn die streifenförmige Mikro­ linse so ausgebildet wird, daß sie eine Krümmung aufweist, die in gewissem Umfang mit der Krümmung der mosaikförmigen Mikrolinse übereinstimmt, wird die Krümmung bei der herkömm­ lichen streifenförmigen Mikrolinse größer als diejenige bei der streifenförmigen Mikrolinse gemäß der Erfindung.
Demgemäß ist ersichtlich, daß die Brennweite b der erfin­ dungsgemäßen Mikrolinse kürzer wird als die Brennweise a der herkömmlichen Mikrolinse. Da die Krümmungsgestaltung bei der Erfindung einfacher wird, kann sie somit dazu dienen, ein Festkörper-Bildsensorelement dünn auszubilden.
Darüber hinaus ist zu beachten, daß es bei den herkömmlichen Vorgehensweisen schwierig ist, die Bearbeitungsbedingungen für die Belichtung geeignet einzustellen, da die Kontakt­ fleckbereiche mit einem Ätzprozeß unter Verwendung eines Photoresists geöffnet werden, nachdem die Schicht für strei­ fenförmige Mikrolinsen und diejenige für mosaikförmige Mikrolinsen hergestellt wurden, wobei der Photoresist mit einer Dicke von ungefähr 5 bis 6 µm aufgetragen wird, um zu verhindern, daß die Mikrolinsenschichten geätzt werden.
Bei der Erfindung erfolgt jedoch der Prozeß zum Öffnen der Kontaktfläche unter Verwendung von Photoresist nach dem Her­ stellen der Schicht für streifenförmige Mikrolinsen, und bei diesem Prozeß wird ein Überätzen des oberen Teils der Schicht für streifenförmige Mikrolinsen zugelassen. Selbst wenn dann das selektive Ätzverhältnis für die flache Schicht berücksichtigt wird, wird die Dicke der für den Kontakt­ fleck-Öffnungsprozeß erforderlichen Photoresistschicht nur ungefähr 3,5 bis 4 µm, was den Belichtungsprozeß verein­ facht.
Wie vorstehend beschrieben, dient die Erfindung zum Verbes­ sern der Empfindlichkeit von Festkörper-Bildsensorelementen, und sie gestaltet diese dünn aus, weswegen sie es erlaubt, Mikrolinsen in einem Festkörper-Bildsensorelement durch einen einfachen Prozeß herzustellen, wobei die Einstellung der Krümmung und der Höhe einfach vorgenommen werden können.

Claims (6)

1. Festkörper-Bildsensorelement mit Doppelschicht-Mikro­ linsen (M1, M2) mit einer streifenförmigen Mikrolinse (32A; M1) und mosaikförmigen Mikrolinsen (33; M2), die jeweils auf der Oberfläche einer streifenförmigen Mikrolinse ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß jede streifenförmige Mikrolinse eine ebene Oberfläche aufweist.
2. Festkörper-Bildsensorelement nach Anspruch 1, gekenn­ zeichnet durch
  • - ein Substrat;
  • - Photodiodenbereiche (21) mit mehreren matrixförmig auf dem Substrat angeordneten Photodioden;
  • - eine Einebnungsschicht (26, 27), die über dem Substrat einschließlich der Photodiodenbereiche ausgebildet ist;
  • - Farbfilterschichten (28, 29, 30), die in vorgegebenen Be­ reichen auf der Einebnungsschicht ausgebildet sind;
  • - eine obere Überzugsschicht (31), die über dem Substrat einschließlich der Farbfilterbereiche ausgebildet ist;
  • - streifenförmige Mikrolinsen (32A), die jeweils entlang einer Richtung des Photodiodenarrays über der oberen Über­ zugsschicht ausgebildet sind; und
  • - mosaikförmige Mikrolinsen (33) auf der ebenen Oberfläche jeder streifenförmigen Mikrolinse in Lagen, die jeweils der Lage einer Photodiode entsprechen.
3. Festkörper-Bildsensorelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede der Mikrolinsen (33) oval ausgebil­ det ist, wobei die längere Achse entlang der Längsachse der zugehörigen streifenförmigen Linse (32A) steht.
4. Verfahren zum Herstellen eines Festkörper-Bildsensor­ elements mit den folgenden Schritten:
  • - Auftragen eines ersten Photoresists (32) auf einem Sub­ strat; und
  • - Ausbilden eines Musters streifenförmiger Mikrolinsen (32A) durch selektives Belichten und Entwickeln des ersten Photo­ resists;
  • - Anschmelzen des ersten Photoresistmusters durch eine Wär­ mebehandlung;
  • - Auftragen eines zweiten Photoresistmusters (34) mit der Schicht streifenförmiger Mikrolinsen;
  • - Herstellen eines Musters mosaikförmiger Mikrolinsen auf den streifenförmigen Mikrolinsen durch Belichten und Ent­ wickeln des zweiten Photoresists; und
  • - Herstellen der mosaikförmigen Mikrolinsen (33) durch An­ schmelzen des zweiten Photoresistmusters;
    dadurch gekennzeichnet, daß die durch Anschmelzen herge­ stellten streifenförmigen Mikrolinsen dadurch mit einer ebenen Oberseite ausgebildet werden, daß sie von oben her bis auf eine bestimmte Dicke abgeätzt werden, bevor das zweite Photoresistmuster aufgetragen wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat mit Farbfilterschichten (28, 29, 30) verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Grundsubstrat, in dem Photodioden, Vertikal-CCDs, mindestens ein Horizontal-CCD und Kontaktfleckbereiche aus Metall hergestellt wurden, eine Passivierungsschicht (26) aufgetragen wird;
  • - eine Einebnungsschicht (27) auf der Passivierungsschicht hergestellt wird;
  • - Farbfilterschichten (28, 29, 30) auf der Einebnungsschicht hergestellt werden;
  • - eine obere Überzugsschicht (31) auf dem Substrat ein­ schließlich der Farbfilterschichten hergestellt wird;
  • - der erste Photoresist (32) auf die obere Überzugsschicht aufgetragen wird; und
  • - die streifenförmigen und die mosaikförmigen Mikrolinsen hergestellt werden.
DE4415140A 1994-02-23 1994-04-29 Verfahren zum Herstellen eines Festkörper-Bildsensors Expired - Fee Related DE4415140C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940003197A KR0147401B1 (ko) 1994-02-23 1994-02-23 고체촬상소자 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4415140A1 true DE4415140A1 (de) 1995-08-24
DE4415140C2 DE4415140C2 (de) 1998-09-24

Family

ID=19377603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4415140A Expired - Fee Related DE4415140C2 (de) 1994-02-23 1994-04-29 Verfahren zum Herstellen eines Festkörper-Bildsensors

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5672519A (de)
JP (1) JP2596523B2 (de)
KR (1) KR0147401B1 (de)
DE (1) DE4415140C2 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19614378A1 (de) * 1995-05-12 1996-11-14 Lg Semicon Co Ltd Farb-CCD und Verfahren zu deren Herstellung
DE19728966A1 (de) * 1997-03-25 1998-10-08 Optomed Optomedical Systems Gmbh Bildgebendes Spektrometer
US6031619A (en) * 1997-07-01 2000-02-29 Optomed Optomedical Systems Gmbh Imaging spectrometer

Families Citing this family (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5477075A (en) * 1994-12-16 1995-12-19 Advanced Photonix, Inc. Solid state photodetector with light-responsive rear face
US6388709B1 (en) * 1995-04-21 2002-05-14 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing apparatus with optical modulation elements having transmission characteristics controllable by pixel
US5895943A (en) * 1995-05-17 1999-04-20 Lg Semicon Co., Ltd. Color charge-coupled device
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
US5693967A (en) * 1995-08-10 1997-12-02 Lg Semicon Co., Ltd. Charge coupled device with microlens
KR0186195B1 (ko) * 1995-12-11 1999-05-01 문정환 컬러선형 전하결합소자 및 이의 구동방법
US5808657A (en) * 1996-06-17 1998-09-15 Eastman Kodak Company Laser printer with low fill modulator array and high pixel fill at a media plane
KR100223853B1 (ko) * 1996-08-26 1999-10-15 구본준 고체촬상소자의 구조 및 제조방법
JP3666203B2 (ja) * 1997-09-08 2005-06-29 ソニー株式会社 固体撮像素子
IL123207A0 (en) * 1998-02-06 1998-09-24 Shellcase Ltd Integrated circuit device
KR100310102B1 (ko) * 1998-03-05 2001-12-17 윤종용 고체 컬러 이미지 소자 및 그의 제조 방법
TW400657B (en) * 1998-06-09 2000-08-01 United Microelectronics Corp The manufacture method of CMOS sensor device
US6665014B1 (en) * 1998-11-25 2003-12-16 Intel Corporation Microlens and photodetector
KR100303774B1 (ko) * 1998-12-30 2001-11-15 박종섭 개선된 광감도를 갖는 씨모스이미지센서 제조방법
US6171883B1 (en) 1999-02-18 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Image array optoelectronic microelectronic fabrication with enhanced optical stability and method for fabrication thereof
US6168966B1 (en) 1999-02-18 2001-01-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Fabrication of uniform areal sensitivity image array
KR100340068B1 (ko) 1999-06-28 2002-06-12 박종섭 광투과도 개선을 위하여 광학적으로 설계된 층을 갖는 이미지센서
US7016944B1 (en) * 1999-09-30 2006-03-21 Apple Computer, Inc. System and method for passive detection and context sensitive notification of upgrade availability for computer information
US6495813B1 (en) 1999-10-12 2002-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multi-microlens design for semiconductor imaging devices to increase light collection efficiency in the color filter process
US6171885B1 (en) 1999-10-12 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices
US7129982B1 (en) * 1999-12-30 2006-10-31 Intel Corporation Color image sensor with integrated binary optical elements
US6369949B1 (en) * 2000-04-12 2002-04-09 Kenneth E. Conley Optically anisotropic micro lens window
US6344369B1 (en) * 2000-07-03 2002-02-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process
US6821810B1 (en) 2000-08-07 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High transmittance overcoat for optimization of long focal length microlens arrays in semiconductor color imagers
JP2004534375A (ja) * 2000-12-21 2004-11-11 シェルケース リミティド パケージ集積回路およびその製造方法
JP3624845B2 (ja) * 2001-03-19 2005-03-02 ソニー株式会社 固体撮像素子
US6482669B1 (en) * 2001-05-30 2002-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Colors only process to reduce package yield loss
US6856007B2 (en) 2001-08-28 2005-02-15 Tessera, Inc. High-frequency chip packages
KR100790232B1 (ko) * 2001-11-06 2008-01-02 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서의 마이크로 렌즈 형성방법
KR100790231B1 (ko) * 2001-11-06 2008-01-02 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서 및 그 제조방법
US20040223071A1 (en) * 2003-05-08 2004-11-11 David Wells Multiple microlens system for image sensors or display units
US7507598B2 (en) 2003-06-06 2009-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor fabrication method and structure
US6972480B2 (en) 2003-06-16 2005-12-06 Shellcase Ltd. Methods and apparatus for packaging integrated circuit devices
US20040265749A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 International Business Machines Corporation Fabrication of 3d rounded forms with an etching technique
JP2007528120A (ja) 2003-07-03 2007-10-04 テッセラ テクノロジーズ ハンガリー コルラートルト フェレロェセーギュー タールシャシャーグ 集積回路装置をパッケージングする方法及び装置
US6934065B2 (en) * 2003-09-18 2005-08-23 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for packaging microelectronic devices
US7115853B2 (en) * 2003-09-23 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Micro-lens configuration for small lens focusing in digital imaging devices
WO2005031861A1 (en) 2003-09-26 2005-04-07 Tessera, Inc. Structure and method of making capped chips including a flowable conductive medium
TWI222178B (en) * 2003-11-12 2004-10-11 United Microelectronics Corp Manufacturing method of image sensor device
US7583862B2 (en) * 2003-11-26 2009-09-01 Aptina Imaging Corporation Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7205526B2 (en) * 2003-12-22 2007-04-17 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating layered lens structures
US7253397B2 (en) * 2004-02-23 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7372497B2 (en) * 2004-04-28 2008-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Effective method to improve sub-micron color filter sensitivity
US7253957B2 (en) * 2004-05-13 2007-08-07 Micron Technology, Inc. Integrated optics units and methods of manufacturing integrated optics units for use with microelectronic imagers
US8092734B2 (en) * 2004-05-13 2012-01-10 Aptina Imaging Corporation Covers for microelectronic imagers and methods for wafer-level packaging of microelectronics imagers
US7280278B2 (en) * 2004-06-02 2007-10-09 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for manufacturing positive or negative microlenses
US20050275750A1 (en) 2004-06-09 2005-12-15 Salman Akram Wafer-level packaged microelectronic imagers and processes for wafer-level packaging
US7498647B2 (en) 2004-06-10 2009-03-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
US7262405B2 (en) * 2004-06-14 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Prefabricated housings for microelectronic imagers
US7199439B2 (en) * 2004-06-14 2007-04-03 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
KR100644018B1 (ko) * 2004-06-18 2006-11-10 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 마이크로렌즈 형성 방법
US7232754B2 (en) 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7294897B2 (en) * 2004-06-29 2007-11-13 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imagers and methods of packaging microelectronic imagers
KR100640972B1 (ko) * 2004-07-15 2006-11-02 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조 방법
US7416913B2 (en) * 2004-07-16 2008-08-26 Micron Technology, Inc. Methods of manufacturing microelectronic imaging units with discrete standoffs
US7189954B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices and methods of manufacturing such microelectronic imagers
KR100672714B1 (ko) * 2004-07-20 2007-01-22 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조 방법
US7068432B2 (en) * 2004-07-27 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Controlling lens shape in a microlens array
US7402453B2 (en) * 2004-07-28 2008-07-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7364934B2 (en) * 2004-08-10 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7223626B2 (en) * 2004-08-19 2007-05-29 Micron Technology, Inc. Spacers for packaged microelectronic imagers and methods of making and using spacers for wafer-level packaging of imagers
US7397066B2 (en) * 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7429494B2 (en) 2004-08-24 2008-09-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with optical devices having integral reference features and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7425499B2 (en) 2004-08-24 2008-09-16 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in vias and microelectronic workpieces including such interconnects
US7115961B2 (en) * 2004-08-24 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic imaging devices and methods of packaging microelectronic imaging devices
US7276393B2 (en) * 2004-08-26 2007-10-02 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US20070148807A1 (en) * 2005-08-22 2007-06-28 Salman Akram Microelectronic imagers with integrated optical devices and methods for manufacturing such microelectronic imagers
US7511262B2 (en) * 2004-08-30 2009-03-31 Micron Technology, Inc. Optical device and assembly for use with imaging dies, and wafer-label imager assembly
US7646075B2 (en) * 2004-08-31 2010-01-12 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers having front side contacts
US7300857B2 (en) * 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
KR100577430B1 (ko) 2004-09-03 2006-05-08 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
US7271482B2 (en) * 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US7214919B2 (en) * 2005-02-08 2007-05-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units and methods of manufacturing microelectronic imaging units
US7303931B2 (en) * 2005-02-10 2007-12-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having microlenses and methods of forming microlenses on microfeature workpieces
US20060177999A1 (en) * 2005-02-10 2006-08-10 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7190039B2 (en) * 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US8143095B2 (en) 2005-03-22 2012-03-27 Tessera, Inc. Sequential fabrication of vertical conductive interconnects in capped chips
US7795134B2 (en) 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
US20060290001A1 (en) * 2005-06-28 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Interconnect vias and associated methods of formation
US7736939B2 (en) * 2005-07-07 2010-06-15 United Microelectronics Corp. Method for forming microlenses of different curvatures and fabricating process of solid-state image sensor
US7317579B2 (en) * 2005-08-11 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing graded-index microlenses
US7566853B2 (en) * 2005-08-12 2009-07-28 Tessera, Inc. Image sensor employing a plurality of photodetector arrays and/or rear-illuminated architecture
US7262134B2 (en) * 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7288757B2 (en) * 2005-09-01 2007-10-30 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging devices and associated methods for attaching transmissive elements
US7622377B2 (en) 2005-09-01 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US7410822B2 (en) * 2006-07-20 2008-08-12 United Microelectronics Corp. Method for forming color filter
KR100802292B1 (ko) * 2006-07-21 2008-02-11 동부일렉트로닉스 주식회사 마스크 및 이를 이용한 마이크로 렌즈 제작 방법
US20080080056A1 (en) * 2006-08-29 2008-04-03 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reducing microlens surface reflection
KR100866675B1 (ko) * 2006-12-28 2008-11-04 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
US8604605B2 (en) 2007-01-05 2013-12-10 Invensas Corp. Microelectronic assembly with multi-layer support structure
JP2011511946A (ja) * 2008-02-13 2011-04-14 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. 面積が拡大縮小された光検出器を有する色検出器
JP5422914B2 (ja) * 2008-05-12 2014-02-19 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US20100194465A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ali Salih Temperature compensated current source and method therefor
JP5320270B2 (ja) * 2009-11-25 2013-10-23 株式会社沖データ 表示パネルの製造方法
USD759022S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
USD758372S1 (en) 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
KR102160237B1 (ko) * 2014-03-19 2020-09-28 에스케이하이닉스 주식회사 마이크로 렌즈를 갖는 이미지 센서
USD864968S1 (en) * 2015-04-30 2019-10-29 Echostar Technologies L.L.C. Smart card interface
US10269847B2 (en) * 2016-02-25 2019-04-23 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of forming imaging pixel microlenses
US11276790B2 (en) * 2018-02-01 2022-03-15 Kyoto Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor light receiving element

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0511404A1 (de) * 1990-11-16 1992-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Festkörper-bildaufnahmevorrichtung und verfahren zur herstellung derselben

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6053073A (ja) * 1983-09-02 1985-03-26 Hitachi Ltd マイクロレンズ付固体撮像素子および製法
US4694185A (en) * 1986-04-18 1987-09-15 Eastman Kodak Company Light sensing devices with lenticular pixels
JPH01309370A (ja) * 1988-06-07 1989-12-13 Nec Corp 固体撮像素子
JPH02309674A (ja) * 1989-05-24 1990-12-25 Sony Corp 固体撮像装置
JPH03148173A (ja) * 1989-11-02 1991-06-24 Mitsubishi Electric Corp マイクロレンズの形成方法
JPH03190167A (ja) * 1989-12-19 1991-08-20 Sharp Corp 固体撮像素子
JPH03190168A (ja) * 1989-12-19 1991-08-20 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置の製造方法
JPH03190166A (ja) * 1989-12-19 1991-08-20 Dainippon Printing Co Ltd 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法
US5239412A (en) * 1990-02-05 1993-08-24 Sharp Kabushiki Kaisha Solid image pickup device having microlenses
US5118924A (en) * 1990-10-01 1992-06-02 Eastman Kodak Company Static control overlayers on opto-electronic devices
JPH04225278A (ja) * 1990-12-27 1992-08-14 Fujitsu Ltd 撮像装置
KR920015461A (ko) * 1991-01-10 1992-08-26 김광호 칼라필터 및 그 제조방법
JPH0567762A (ja) * 1991-03-06 1993-03-19 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JPH04278582A (ja) * 1991-03-06 1992-10-05 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JPH0521769A (ja) * 1991-07-15 1993-01-29 Sharp Corp 固体撮像素子
JP3330655B2 (ja) * 1992-11-25 2002-09-30 株式会社リコー マイクロレンズ・マイクロレンズアレイの製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0511404A1 (de) * 1990-11-16 1992-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Festkörper-bildaufnahmevorrichtung und verfahren zur herstellung derselben

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19614378A1 (de) * 1995-05-12 1996-11-14 Lg Semicon Co Ltd Farb-CCD und Verfahren zu deren Herstellung
DE19728966A1 (de) * 1997-03-25 1998-10-08 Optomed Optomedical Systems Gmbh Bildgebendes Spektrometer
DE19728966C2 (de) * 1997-03-25 1999-03-18 Optomed Optomedical Systems Gmbh Bildgebendes Spektrometer
US6031619A (en) * 1997-07-01 2000-02-29 Optomed Optomedical Systems Gmbh Imaging spectrometer

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07312418A (ja) 1995-11-28
JP2596523B2 (ja) 1997-04-02
US5534720A (en) 1996-07-09
KR0147401B1 (ko) 1998-08-01
US5672519A (en) 1997-09-30
DE4415140C2 (de) 1998-09-24
KR950026021A (ko) 1995-09-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4415140A1 (de) Festkörper-Bildsensorelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69917111T2 (de) Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19614378C2 (de) Farb-CCD und Verfahren zu deren Herstellung
DE60318168T2 (de) Bildsensor mit größeren Mikrolinsen in den Randbereichen
DE69503473T2 (de) Festkörper-Bildaufnahme-Vorrichtung und Herstellungsmethode
DE3030653C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE112008003468T5 (de) Lichtleiteranordnung für einen Bildsensor
DE3855833T2 (de) Farbbildsensor und sein Herstellungsverfahren
DE3006919A1 (de) Festkoerper-farbbildwandler und verfahren zu seiner herstellung
WO2010073226A2 (de) Herstellung von hohen justiermarken und solche justiermarken auf einem halbleiterwafer
DE102006061023A1 (de) CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005047127A1 (de) CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69114602T2 (de) Nichtflüchtiger Speicher und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE4007119A1 (de) Farbfilter und verfahren zu seiner herstellung
DE69409655T2 (de) Herstellung von mikrolinsen auf festkörper-bildaufnehmer
DE102004062972A1 (de) CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102010030903A1 (de) Light guide array for an image sensor
WO2005048355A1 (de) Strahlungsdetektierendes optoelektronisches bauelement
DE102005063111B4 (de) CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102012216695A1 (de) Mikrolinsenarray und verfahren zum herstellen eines mikrolinsenarrays
DE102007060260A1 (de) Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005003183B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen auf einem Wafer
DE60216780T2 (de) Bildsensor mit graben in planarisierungsschichten und herstellungsverfahren
DE102004062954A1 (de) CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE1639241A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen derselben

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: CROSSTEK CAPITAL, LLC, WILMINGTON, DEL., US

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20131101