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Die
Erfindung betrifft die elektronischen Bildsensoren, und insbesondere
die Farbbildsensoren.
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Diese
Sensoren werden auf Siliciumchips gemäß verschiedenen Technologien
hergestellt, darunter die Technologie CMOS (aus dem Englischen "Complementary Metal
Oxide Semiconductor")
oder die gemischten Technologien CMOS/CCD (CCD für "Charge Coupled Device"). Diese Technologien
ermöglichen
es, auf den gleichen Siliciumchip nicht nur eine Matrix von fotoempfindlichen
Punkten, auf die das in ein elektronisches Signal umzuwandelnde
Bild projiziert wird, sondern auch periphere elektronische Schaltungen
zu integrieren, die diese Matrix umgeben und entweder zur Steuerung
der Matrix für
die Bildumwandlung in ein elektronisches Signal oder zur Verarbeitung
des elektronischen Signals dienen, das nach der Umwandlung des Bilds
aus der Matrix hervorgeht.
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Für einen
Farbbildsensor ist die Oberfläche der
fotoempfindlichen Matrix mit einem Mosaik aus Farbfiltern bedeckt,
das entsprechend dem Matrixgitter von fotoempfindlichen Punkten
arrangiert ist. Jedes Elementarfilter befindet sich über eine
Zone aus lichtempfindlichem Silicium, die das Licht einer einzigen
Farbe empfängt.
Die direkt benachbarten Filter über
direkt benachbarten fotoempfindlichen Zonen haben unterschiedliche
Farben und entsprechen unterschiedlichen Bildpunkten.
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Die
Farbfilter sind über
isolierenden und leitenden Schichten angeordnet, die dazu gedient
haben, die fotoempfindlichen Punkte, die inneren Verbindungen mit
einem gegebenen fotoempfindlichen Punkt und die Verbindungen mit
dem Rest des Chips (Zeilenleiter, Spaltenleiter, usw.) zu definieren.
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Bei
den derzeit verwendeten Technologien können diese Verbindungen aber
nur mit Hilfe von mehreren Ebenen des Aufbringens und Ätzens von leitenden
und isolierenden Schichten über
der Siliciumfläche
hergestellt werden, die die eigentlichen fotoempfindlichen Zonen
enthält,
d.h. diejenigen, die an jedem Bildpunkt die Photonen in elektrische
Ladungen umwandeln.
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Typischerweise
werden sechs Verbindungsebenen verwendet, um die Einheit des Chips
herzustellen, die den Bildsensor und seine zugeordnete Schaltungen
bildet, zum Beispiel zwei Ebenen aus polykristallinem Silicium (Halbleiter,
der im Kontext der Erfindung einem Leiter gleichgestellt werden kann),
und vier Ebenen aus Aluminium.
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Die
Dicke einer leitenden Ebene (Schicht aus Aluminium oder Schicht
aus polykristallinem Silicium) kann kaum unter einige Zehntel Mikrometer
sinken, aufgrund der Anforderungen der elektrischen Leitfähigkeit.
Zwei aufeinanderfolgende Ebenen müssen durch eine isolierende
Schicht von etwa einem Mikrometer getrennt werden, einerseits, um
eine ausreichende Isolierung herzustellen, andererseits, um die Fläche nach
einem Ätzen
einer leitenden Ebene und vor dem Aufbringen und Ätzen einer
folgenden Schicht ausreichend zu planarisieren.
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Die
Planarisierung ist nämlich
ein notwendiger Vorgang; sie besteht darin, die vom Ätzen der vorhergehenden
Ebene gebildeten Stufen zu füllen, indem
eine Schicht aufgebracht wird, deren Dicke da geringer ist, wo Zonen
der vorhergehenden Ebene gebildet wurden, und dort größer ist,
wo das Material der vorhergehenden Ebene durch selektives Ätzen entfernt
wurde. Dies, damit nach dem Schritt der Planarisierung die Oberfläche des
Chips praktisch eben ist. Diese Ebenheit ist aus zwei Gründen nützlich:
einerseits erleichtert sie die Fotolithographie der folgenden Schicht,
da die Fotolithographie auf einer ebenen Schicht wirksamer und präziser ist
als auf einer Schicht mit Vertiefungen und Buckeln; andererseits
vereinfacht sie das Aufbringen und das Ätzen (ebenfalls durch Fotolithographie)
des Farbfiltermosaiks nach der Bildung aller Zwischenschichten.
Das Filtermosaik wird dann erst nach der Bildung einer letzten Planarisierungsschicht
nach dem Aufbringen aller anderen Verbindungsschichten und der Zwischen-Planarisierungsschichten
zwischen diesen Schichten aufgebracht.
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Bei
einer klassischen Technologie führt
dies dazu, dass das Mosaik von Farbfiltern sich auf einer Höhe von etwa
10 Mikrometern über
der Zone aus fotoempfindlichem Silicium befindet. Diese Zone hat aber
kaum einige Mikrometer Seitenlänge
für einen Sensor
mit ausreichender Auflösung.
Die fotoempfindliche Zone befindet sich also in gewisser Weise am
Boden einer Senke, die mit einer Stapelung von isolierenden transparenten
Schichten gefüllt
ist, umgeben von anderen Stapelungen von isolierenden und leitenden
Schichten, die diese Senke begrenzen (die leitenden Schichten sind
meist undurchsichtig und reflektierend, insbesondere wenn sie aus
Aluminium sind).
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Daraus
folgt, dass Photonen, die ein Farbfilter durchquert haben, nicht
sofort die diesem Filter entsprechende fotoempfindliche Zone erreichen;
auf der Strecke, die sie nach dem Farbfilter noch durchlaufen müssen, können sie
gedämpft
werden, gestreut werden, Brechungen, Reflexionen erfahren, usw.
Außer
dem sich daraus ableitenden Empfindlichkeitsverlust kann man verstehen,
dass ein Teil der Photonen eine benachbarte fotoempfindliche Zone erreichen
kann. Bei monochromem Licht folgt daraus ein gewisser Verlust an
räumlicher
Auflösung.
Bei einer Farbkamera ist das Problem aber sehr viel kritischer,
da selbst Bildzonen, die nur schwache räumliche Frequenzen haben (zum
Beispiel eine Bildzone von gleichmäßig roter Farbe), stark betroffen sind: Die
Farbe wird systematisch verschlechtert, da die den anderen Farben
entsprechenden Pixel systematisch einen Bruchteil von Lichtstrom
empfangen, der nicht für
sie bestimmt ist. Die Qualität
der Farbmessung wird von der Streuung des Lichts in dem Zwischenraum
also besonders betroffen, der das Farbfilter und die ihm entsprechende
fotoempfindliche Zone trennt.
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Die
Druckschrift EP-A-0 721 220 beschreibt einen Bildsensor, der ausgehend
von einer Stapelung mehrerer Ebenen der isolierenden Schichten und
von geätzten
leitenden Schichten gebildet wird.
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Die
vorliegende Erfindung hat zum Ziel, ein Herstellungsverfahren und
eine Struktur eines Farbbildsensors anzugeben, die um den Preis
einer geringen Erhöhung
der Herstellungskomplexität
die kolorimetrische Qualität
der erhaltenen Bilder sowie die Auflösung, den Kontrast und die
Empfindlichkeit bei schwachem Licht deutlich verbessern.
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Obwohl
der Hauptvorteil des Verfahrens die Farbsensoren betrifft, ist anzumerken,
dass das Verfahren mit bestimmten Vorteilen auch bei Sensoren von
nicht gefärbten
Bildern anwendbar ist.
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Es
wird also ein integrierter Bildsensor vorgeschlagen, der auf einem
ebenen Halbleitersubstrat hergestellt wird, wobei der Sensor in
einer ersten Zone des Substrats eine Matrix von fotoempfindlichen
Elementen und in einer zweiten Zone periphere Schaltungen aufweist,
wobei der Sensor ausgehend von einer Stapelung mehrerer Ebenen von
isolierenden Schichten, die mit geätzten leitenden Schichten abwechseln,
hergestellt wird, bei der die isolierenden Schichten als Planarisierungsschichten
der geätzten leitenden
Schichten dienen, wobei der Sensor dadurch gekennzeichnet ist, dass
die kumulierte Höhe oberhalb des
Halbleitersubstrats der in der ersten Zone vorhandenen isolierenden
Schichten geringer ist als die kumulierte Höhe der isolierenden Schichten
in der zweiten Zone, wobei die Anzahl der als Planarisierungsschichten
dienenden isolierenden Schichten in der ersten Zone geringer ist
als in der zweiten Zone.
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Das
Licht, das die fotoempfindliche Matrix von oben erreichen soll,
durchquert eine geringere Dicke von isolierenden transparenten Schichten
als wenn die kumulierte Höhe
in den beiden Schichten gleich wäre.
Das Licht wird also weniger gedämpft, es
erfährt
weniger Stör-Reflexionen
und -Streuungen, als wenn man auf dem ganzen Siliciumchip alle für die Herstellung
der Schaltungen der zweiten Zone notwendigen Planarisierungsschichten
behalten hätte.
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Die
zusätzlichen
Planarisierungsschichten, die in der zweiten Zone aber nicht in
der ersten vorhanden sind, werden in der ersten Zone am Ende der Vorgänge des
Aufbringens und Ätzens
der verschiedenen Schichten selektiv abgetragen, während im Lauf
dieser Vorgänge
die leitenden und isolierenden Schichten sowohl in der ersten Zone
(fotoempfindliche Matrix) als auch in der zweiten Zone (periphere Schaltungen)
gleichmäßig aufgebracht
werden.
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Die
allgemeine Konfiguration der leitenden Auflagen ist im Prinzip derart,
dass die Anzahl von leitenden Ebenen in der Zone der fotoempfindlichen Matrix
geringer ist als die Anzahl von leitenden Ebenen außerhalb
dieser Zone; die ersten Ebenen von leitenden Schichten werden sowohl
in der Zone der Matrix als auch außerhalb dieser Zone verwendet, während andere
zusätzliche
leitende Ebenen nur außerhalb
der Matrix vorhanden sind.
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Global
weist die Stapelung von leitenden und halbleitenden Schichten, die
zur Herstellung der Gesamtheit der elektronischen Schaltungen des
Chips dienen, einschließlich
der fotoempfindlichen Matrix, eine Vertiefung in Höhe der fotoempfindlichen
Matrix auf, wobei die Dicke der Stapelung in der Zone der Matrix
geringer ist als außerhalb
dieser Stapelung. Die Dicke beträgt
vorzugsweise mindestens 30% und vorzugsweise 50% weniger in der
Zone der Matrix.
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Für einen
Farbsensor ist ein Mosaik von Farbfiltern über der fotoempfindlichen Matrix
vorhanden, also dort, wo die Stapelung von isolierenden und leitenden
Schichten eine geringere Dicke aufweist als im Rest des Chips.
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Um
diese Verbesserung der Leistungen der Bildsensoren zu erhalten,
schlägt
die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors vor,
bei dem auf ein Halbleitersubstrat nacheinander mehrere leitende
Schichten aufgebracht und geätzt
werden, die mit isolierenden Schichten abwechseln, um einerseits
in einer ersten Zone eines IC-Chips eine fotoempfindliche Matrix
und andererseits in einer zweiten Zone des Chips periphere Schaltungen
zu definieren, wobei die isolierenden Schichten insbesondere als
Planarisierungsschichten nach dem Aufbringen und Ätzen der
leitenden Schichten dienen, wobei dieses Verfahren dadurch gekennzeichnet
ist, dass die isolierenden und leitenden Schichten auf die ganze
Oberfläche
des Chips aufgebracht und dann jede gemäß einem eigenen Muster geätzt werden, und
dann eine Dicke der Isolierung gleichmäßig oberhalb der fotoempfindlichen
Matrix abgetragen und auf den peripheren Schaltungen gelassen wird.
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Weitere
Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen aus der nachfolgenden
ausführlichen
Beschreibung hervor, die sich auf die beiliegenden Zeichnungen bezieht.
Es zeigen:
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1 eine
allgemeine Ansicht in der Ebene eines IC-Chips, der eine fotoempfindliche
Matrix und periphere Schaltungen aufweist;
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2 die
der Matrix entsprechende Zone;
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3 einen
seitlichen Schnitt des IC-Chips;
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4 eine
Draufsicht auf den Bildsensor-Chip gemäß der Erfindung;
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5 einen
seitlichen Schnitt dieses Chips;
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6 die
Stapelung von leitenden und isolierenden Schichten gemäß der Erfindung
in der Zone der Matrix (rechts) und außerhalb (links).
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1 zeigt
in Draufsicht einen IC-Chip 10, der auf einen Siliciumsubstrat
hergestellt ist und den Kern eines Bildsensors bildet, mit einer
ersten Zone MP, die einer fotoempfindlichen Matrix entspricht, auf die
das zu erfassende elektronische Bild optisch projiziert wird. Typischerweise
ist der IC-Chip an der Rückseite
eines Fokussierungsobjektivs angeordnet, dessen Fokussierungsebene
die Oberfläche
des Siliciumsubstrats ist.
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Die
Zone MP ist von anderen Zonen ZC1, ZC2, ZC3 umgeben, die elektronische
Schaltungen aufweisen, die dazu dienen, entweder den Betrieb der
fotoempfindlichen Matrix zu steuern oder die von der Matrix kommenden
Signale zu verarbeiten.
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Der
Chip ist im allgemeinen von Anschlusskontakten PC für die Verbindung
des Sensors mit der Außenumgebung
des Sensors umgeben. Schließlich erstrecken
sich zwischen der fotoempfindlichen Matrix, den elektronischen Schaltungen
und den Kontakten nicht dargestellte Netze von Verbindungsleitern.
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Die
fotoempfindliche Matrix, die elektronischen Schaltungen, die Verbindungsleiter
und die Kontakte werden zunächst
mittels Vorgängen
des Anordnens von Unreinheiten, von Streuungen, von Oxidierungen,
die im Siliciumsubstrat (insbesondere für die Bildung von fotoempfindlichen
Zonen an jedem Bildpunkt der Matrix und für die Bildung von Sourcen und
Drains von Transistoren) ausgeführt werden,
und dann von Aufbringungen und Ätzungen von
abwechselnden isolierenden und leitenden Schichten über der
Oberfläche
des Siliciumsubstrats hergestellt.
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Die
Herstellungstechnologie der fotoempfindlichen Matrix kann eine CCD-Technologie
(Charge-Coupled-Device)
oder eine CMOS-Technologie (Complementary Metal Oxide Semiconductor)
sein. Die Herstellungstechnologie der peripheren elektronischen
Schaltungen ist außerdem
immer öfter
eine CMOS-Technologie.
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2 zeigt
wieder in Draufsicht die Zone MP, die für die fotoempfindliche Matrix
reserviert ist. In der Praxis ist ein zentraler Abschnitt ZL der
Matrix MP für
den Empfang des in elektronische Signale umzuwandelnden Lichtbilds
reserviert. Ein peripherer Abschnitt ZM, der wie die Matrix aufgebaut
ist und Teil des gleichen Netzes ist wie die Matrix, ist für die Bildung
von Bezugspixeln für
den elektronischen Ausgleich der Matrix reserviert. Diese Zone wird
vollständig
von einer Aluminiumschicht abgedeckt, und die fotoempfindlichen
Punkte, die sich darunter befinden, empfangen kein Licht; sie übertragen
also eine Schwarzpegelinformation. Die Einheit aus abgedeckter Zone
ZM und nicht abgedeckter Zone ZL bildet die Zone MP, die für die fotoempfindliche
Matrix reserviert ist. Außerhalb
dieser Zone ist die Zone ZE, in der sich alle anderen Elemente des
Sensors und insbesondere die peripheren Schaltungen der Zonen ZC1,
ZC2, ZC3 befinden, die Teil der Zone ZE sind.
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In
der Zone der Matrix wird ein Mosaik von Farbfiltern FC aufgebracht,
von denen in 2 nur eine Reihe dargestellt
ist. Jedes Filter befindet sich über
einem Pixel der Matrix.
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3 zeigt
einen Schnitt der 2, mit einem stark vergrößerten Maßstab in
senkrechter Richtung. Aufgrund der Herstellungskomplexität der Matrix
und ihrer zugeordneten peripheren Schaltungen ist es notwendig,
eine Folge von vielen abwechselnden isolierenden und leitenden Schichten
zu bilden, die je gemäß einem
eigenen Muster geätzt
sind. Die Höhe
der Stapelung 20, die sich daraus ergibt, beträgt etwa
zehn Mikrometer über
der Fläche
S des Siliciumsubstrats 30, und die möglichen Farbfilter sind über dieser
planarisierten Stapelung aufgebracht.
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Erfindungsgemäß wird in
der ganzen der Matrix MP gewidmeten Zone eine große Dicke
von in dieser Zone vorhandener Isolierung abgetragen, ehe die Farbfilter
aufgebracht werden. Der obere Bereich der über der Matrix vorhandenen
Isolierung dient nämlich
nicht dazu, die leitenden Schichten voneinander zu isolieren, und
er kann abgetragen werden. Umgekehrt dient dieser obere Bereich
in den peripheren Schaltungen dazu, leitende Schichten voneinander
zu isolieren, und er darf in den diesen Schaltungen entsprechenden
Zonen nicht abgetragen werden.
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Wie
man in 4 und 5 sieht, wird die Isolierung
in der Zone MP gleichmäßig abgetragen (sowohl
die beleuchtete Zone ZL als auch die abgedeckte Zone ZM) und bleibt
in der Außenzone
ZE erhalten. Es wurde ebenfalls eine Übergangszone ZT um die ganze
Zone MP herum dargestellt, in der die Höhe der Stapelung von isolierenden
und leitenden Schichten zwischen einer unteren Ebene H1 (Zone MP)
und einer oberen Ebene H2 (Zone ZE) variiert.
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Die
Stapelung 20 von isolierenden und leitenden Schichten hat
also eine Vertiefung in dem ganzen Bereich MP, und es ist in dieser
Vertiefung, in der die Farbfilter FC im Fall eines Farbbildsensors oder
andere optische Elemente (wie Mikrolinsen) im Fall eines monochromen
Sensors angeordnet werden. Die Höhe
der Stapelung in der Zone MP ist um mindestens 30% und vorzugsweise
um 50% reduziert. Sie kann also etwa 5 Mikrometer in der Zone MP
für 10
Mikrometer in der Zone ZE betragen.
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Das
Detail der aufgebrachten Schichten ist in 6 in einem
typischen Ausführungsbeispiel
detailliert dargestellt. Auf der linken Seite der Figur sieht man
die Stapelung in der Zone ZE, und auf der rechten Seite sieht man
die Stapelung in der Zone MP.
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Dotierte
Zonen 40 sind in dem Substrat 30 unter der Fläche S angeordnet,
um mit dem Substrat Verbindungen PN zu formen, die Fotodioden bilden, die
sich über
einige Mikrometer Seitenlänge
erstrecken. Andere Vorgänge
des Anordnens von Unreinheiten werden im Substrat (Bildung von Sourcen,
von Drains, usw.) sowohl in der Zone MP als auch in der Zone ZE
durchgeführt.
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Die
typische Folge von isolierenden und leitenden Schichten, die man
anschließend
auf dem Substrat findet, ist nachfolgend angegeben. Die leitenden
Schichten, die im Allgemeinen undurchsichtig sind, wenn sie aus
Aluminium sind, oder leicht transparent sind, wenn sie aus polykristallinem
Silicium sind, werden in Abhängigkeit
von den gewünschten Verbindungsmustern
eingeätzt,
aber in jedem Fall sind sie nicht über den Fotodioden vorhanden,
um deren Belichtung nicht zu beeinträchtigen. Die leitenden Schichten
wurden also auf der Seite der Fotodiode dargestellt.
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Zur
Vereinfachung der Zeichnung wurden die Kontaktöffnungen nicht dargestellt,
die lokal in den isolierenden Schichten ausgebildet sind, die es ermöglichen,
durch Aufbringen von leitendem Material zwischen zwei unterschiedlichen
leitenden Schichten einen Kontakt herzustellen.
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Die
typische Stapelung ist wie folgt:
Eine erste isolierende Schicht
IS1 bedeckt die Verbindungen; Dicke etwa 0,1 bis 0,2 Mikrometer.
Eine
erste Schicht aus polykristallinem Silicium SIP1 wird über dieser
Schicht aufgebracht und bildet Ladungsübertragungs- oder Transistor-Gates;
Dicke etwa 0,3 Mikrometer.
Eine zweite isolierende Schicht
IS2; Dicke etwa 0,1 bis 0,2 Mikrometer.
Eine zweite Schicht
aus polykristallinem Silicium SIP2; Dicke etwa 0,3 Mikrometer.
Eine
dritte isolierende Schicht IS3; Dicke etwa 1 Mikrometer.
Eine
erste metallische leitende Schicht (Aluminium) M1; Dicke 0,6 Mikrometer.
Eine
vierte isolierende Schicht IS4; Dicke etwa 1 Mikrometer.
Eine
zweite leitende Schicht M2; Dicke etwa 0,6 Mikrometer.
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Alle
obigen Schichten befinden sich in dieser Ausführungsform sowohl in der Zone
MP als auch in der Zone ZE. Die letzte Metallisierungsebene der Zone
MP ist die Ebene M2. Die isolierenden Planarisierungsschichten IS1
bis IS4 sind notwendigerweise transparent, da sie über der
Zone MP am Ende der Herstellung verbleiben.
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Weitere
metallische Schichten M3 und M4 und isolierende Trenn- und Planarisierungsschichten werden
später
sowohl in der Zone MP als auch in der Zone ZE aufgebracht, werden
aber in der Zone MP vollständig
abgetragen: Die Metallisierungsebenen werden beim Ätzvorgang
dieser Ebenen entfernt, da sie für
den elektrischen Betrieb der Matrix nicht nützlich sind; die isolierenden
Ebenen werden im Prinzip im Stadium des Ätzens vor dem Aufbringen einer späteren leitenden
Schicht nicht entfernt (obwohl es theoretisch möglich ist, dies bei manchen
Ebenen zu tun), aber sie werden global im Schritt der gleichmäßigen Abtragung
einer Isolierungsdicke über
der Zone MP abgetragen.
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Davon
ausgehend und bis zu diesem Abtragungsvorgang sind die isolierenden
Planarisierungsschichten nicht unbedingt transparent, da sie abgetragen
werden. In der Praxis sind sie aber trotzdem von der gleichen Beschaffenheit
wie die vorhergehenden (transparentes Siliciumoxid).
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Eine
fünfte
isolierende Planarisierungsschicht IS5 (Dicke etwa 1 Mikrometer)
wird also nach dem Ätzen
der metallischen Schicht M2 gleichmäßig auf den Chip aufgebracht.
Sie wird in der Zone ZE geätzt,
um insbesondere Kontaktöffnungen
mit den leitenden Schichten unter der Schicht M2 zu definieren.
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Eine
dritte leitende Schicht M3 (Aluminium) einer Dicke von etwa 0,6
Mikrometer wird aufgebracht und geätzt. Sie verbleibt nur in der
Zone ZE.
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Eine
sechste isolierende Planarisierungsschicht IS6 einer Dicke von etwa
1 Mikrometer wird gleichmäßig auf
den Chip aufgebracht und in der Zone ZE geätzt, um Kontaktöffnungen
mit den unteren leitenden Schichten zu bilden.
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Eine
vierte leitende Schicht M4 einer Dicke von etwa 0,6 Mikrometer wird
gleichmäßig auf
den Chip aufgebracht, geätzt
und in der Zone MP entfernt.
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Eine
siebte isolierende Schicht IS7 einer Dicke von etwa 2 Mikrometern
wird im Prinzip gleichmäßig in diesem
Stadium auf den Chip aufgebracht, obwohl sie nicht obligatorisch
ist, da sie durch eine Planarisierungsschicht ersetzt werden kann,
die nach dem Aushöhlen
der Zone MP aufgebracht wird.
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Dann
wird der Vorgang des Abtragens eines Teils der Dicke der Isolierung
durchgeführt,
die sich über
der Zone MP befindet, einer Dicke, die für den elektrischen Betrieb
in dieser Zone nicht notwendig ist. Dieser Vorgang erfolgt mit einer
die Zone ZE schützenden
Maske. Die Isolierung wird entweder über eine auf einen gewünschten
Wert eingestellte Tiefe ausgehöhlt,
oder bis zur Erfassung des Blanklegens der letzten Metallisierungsebene,
die in der Zone MP vorhanden ist, d.h. in diesem Beispiel der Ebene
M2.
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Während dieses
Vorgangs verschwinden die isolierenden Schichten IS5, IS6 und IS7
vollständig oder
fast vollständig
aus der Zone MP (es kann lokal ein wenig von der Schicht IS5 übrig bleiben).
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Eine
isolierende Planarisierungsschicht PL1 wird auf die ganze Fläche des
Chips aufgebracht.
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Eine
Schicht von Farbfiltern FC einer Dicke von etwa 2 Mikrometern kann
dann aufgebracht und geätzt
werden, aus der Zone ZE entfernt und nur über der Zone MP gelassen werden.
Anschließend kann
man nach erneuten Planarisierungsschritten Mikrolinsen auf der Matrix
MP bilden (eine Linse pro Farbbildpunkt).
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Nach
dem Vorgang des gleichmäßigen Abtragens
der Isolierung in der Zone MP ist die kumulierte Höhe H1 der
isolierenden Schichten in der Zone MP deutlich geringer als die
kumulierte Höhe
H2 in der Zone ZE, was sich in der in 5 in Höhe der Zone
MP sichtbaren Vertiefung zeigt. Die Farbfilter werden in dieser
Vertiefung aufgebracht und befinden sich also auf einer Höhe H1 über der
Siliciumfläche,
die geringer ist als im Stand der Technik.