DE102008023459A1 - Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors - Google Patents

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Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, umfassend das Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht auf einem Substrat, das eine Fotodiode enthält; Ausbilden einer Farbfilterschicht auf der Zwischendielektrikumschicht; Ausbilden einer Oxidschicht auf der Farbfilterschicht; Ausbilden einer Vielzahl von beabstandeten Mikrolinsenstrukturen auf der Oxidschicht; Ausbilden einer oxidbasierten Mikrolinse, die eine vorbestimmte Krümmung aufweist, durch Ätzen der Oxidschicht unter Verwendung der Mikrolinsenstruktur als Maske; und Reinigen der Mikrolinsenstrukturen mit einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung.

Description

  • HINTERGRUND
  • Ein Bildsensor ist ein Halbleiterbauelement zum Umwandeln optischer Bilder in elektrische Signale. Ein Bildsensor kann als eine ladungsgekoppelte Einrichtung (CCD) oder als ein Komplementär-Metall-Oxid-Silizium (CMOS) Bildsensor (CIS) klassifiziert werden. Der CMOS-Bildsensor enthält eine Fotodiode und einen MOS-Transistor, die in einem Bildpunktelement ausgebildet sind, um schaltend sequentiell elektrische Signale von jedem Bildpunktelement zu detektieren und dadurch Bilder zu realisieren.
  • Bildsensoren können eine Technik verwenden, die den Füllfaktor eines von der Fotodiode in der Gesamtfläche des Bildsensors belegten Gebiets groß macht oder den Weg von auf ein anderes Gebiet als die Fotodiode fallendem Licht ändert, um es auf die Fotodiode zu fokussieren, und dadurch die Lichtempfindlichkeit zu erhöhen. Ein repräsentatives Beispiel der Fokussiertechnik bildet eine Mikrolinse.
  • Ein Verfahren zum Ausbilden einer Mikrolinse während eines Prozesses zum Herstellen des Bildsensors kann im Allgemeinen einen Mikrofotoprozess unter Verwendung eines speziellen Fotolacks für die Mikrolinse und dann einen Reflow-Prozess realisieren. Die Menge des beim Verfließen des Fotolacks verlorenen Fotolacks kann jedoch verloren gehen und dadurch eine Lücke (G) zwischen den Mikrolinsen verursachen. Daher wird die Menge von auf die Fotodiode auftreffendem Licht reduziert, wodurch Bilddefekte verursacht werden. Wenn eine Mikrolinse aus organischen Substanzen besteht, können überdies Partikel, die beim Ausführen eines Waferschleifens verursacht werden, bei einer Nachbearbeitung wie ein Gehäuse oder ein Höcker in einem Halbleiterchip-Montageprozess usw. die Mikrolinse beschädigen oder anderweitig an der Mikrolinse befestigt werden und dadurch Bilddefekte verursachen. Die existierende Mikrolinse kann eine Differenz in einer Brennweite bezüglich einer waagrechten Achse und einer diagonalen Achse beim Ausbilden der Mikrolinse aufweisen, so dass eine Erscheinung des Übersprechens zu benachbarten Bildpunkten verursacht werden kann.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das eine Mikrolinse unter Verwendung einer Oxidschicht ausbildet.
  • Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das einen Fotolack entfernen kann, ohne die Oxidschicht einer Mikrolinse beim Realisieren der Mikrolinse anzugreifen.
  • Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das eine Lücke zwischen benachbarten Mikrolinsen minimiert.
  • Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das mindestens einen der folgenden Schritte umfassen kann:
    Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht auf einem Substrat, das eine Fotodiode enthält;
    Ausbilden einer Farbfilterschicht auf der Zwischendielektri kumschicht; Ausbilden einer Oxidschicht auf der Farbfilterschicht;
    Ausbilden einer Vielzahl von Mikrolinsenstrukturen, die einen vorbestimmten Abstand haben, auf der Oxidschicht;
    Ausbilden einer Oxidschicht-Mikrolinse, die eine vorbestimmte Krümmung hat, durch Ätzen der Oxidschicht unter Verwendung der Mikrolinse als Maske; und
    dann Reinigen der Mikrolinsenstrukturen mit einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung.
  • ZEICHNUNGEN
  • Die Beispiele von 1 bis 7 veranschaulichen einen Bildsensor gemäß Ausführungsformen.
  • BESCHREIBUNG
  • Gemäß Ausführungsformen versteht es sich, dass, wenn von einer Schicht (oder einem Film) gesagt wird, dass sie (bzw. er) "auf" einer anderen Schicht oder einem anderen Substrat ist, sich diese Schicht (bzw. dieser Film) unmittelbar auf einer anderen Schicht oder einem anderen Substrat befinden kann oder auch Zwischenschichten vorhanden sein können. Ferner versteht es sich, dass, wenn von einer Schicht gesagt wird, dass sie "unter" einer anderen Schicht ist, sich diese Schicht unmittelbar unter einer anderen Schicht befinden kann und auch eine oder mehrere Zwischenschichten vorhanden sein können. Des Weiteren versteht es sich, dass, wenn von einer Schicht gesagt wird, dass sie "zwischen" zwei Schichten ist, es sich um die einzige Schicht zwischen den zwei Schichten handeln kann oder außerdem eine oder mehrere Zwischenschichten vorhanden sein können.
  • Wie im Beispiel von 1 dargestellt, kann ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen ein Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht 130 auf und/oder über einem Substrat 110, das eine Vielzahl von Fotodioden 120 enthält, beinhalten. Die Zwischendielektrikumschicht 130 kann mit einer mehrschichtigen Struktur ausgebildet werden, die eine erste Zwischendielektrikumschicht, eine lichtabschirmende Schicht, um zu verhindern, das Licht auf andere Bereiche als das auf und/oder über der ersten Zwischendielektrikumschicht ausgebildete Gebiet der Fotodiode 120 auftrifft, und eine zweite Zwischendielektrikumschicht enthält, die auf und/oder über der lichtabschirmenden Schicht ausgebildet ist. Eine Schutzschicht zum Verhindern von Feuchtigkeit und Kratzern kann dann auf und/oder über der Zwischendielektrikumschicht 130 ausgebildet werden.
  • Eine aus Rot (R), Grün (G) und Blau (B) bestehende Farbfilterschicht 140 zum Filtern des Lichts je Wellenlängenband kann auf und/oder über der Zwischendielektrikumschicht 130 ausgebildet werden. Die Farbfilterschicht 140 kann ausgebildet werden, indem ein färbbarer Fotolack aufgetragen wird und der Fotolack Belichtungs- und Entwicklungsprozessen unterzogen wird. Planarisierungsschichten (PL) 150 zum Steuern einer Brennweite und zum Sicherstellen der Ebenheit für das Ausbilden einer Linsenschicht können dann auf und/oder über der Farbfilterschicht 140 ausgebildet werden.
  • Wie im Beispiel von 2 dargestellt, kann dann eine Oxidschicht 160 auf und/oder über der Planarisierungsschicht 150 ausgebildet werden. Die Oxidschicht 160 kann bei einer Temperatur von 200°C oder weniger abgeschieden werden und aus SiO2 bestehen, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Oxidschicht 160 kann unter Verwendung von CVD, PVD, PECVD usw. ausgebildet werden.
  • Wie im Beispiel von 3 dargestellt, kann dann eine Vielzahl von mit einem vorbestimmten Abstand beabstandeten Fotolackstrukturen 170 auf und/oder über der Oxidschicht 160 ausgebildet werden. Beispielsweise kann ein Fotolack für die Mikrolinse auf und/oder über die Oxidschicht 160 aufgetragen und dann durch Belichtungs- und Entwicklungsprozesse unter Verwendung einer Mikrolinsenmaske selektiv strukturiert werden, wodurch die Fotolackstruktur 170 ausgebildet wird.
  • Wie im Beispiel von 4 dargestellt, kann dann die Oxidschicht 160 unter Verwendung der Fotolackstruktur 170 als Ätzmaske geätzt werden. Die Fotolackstrukturen 170 können verflossen werden, um eine Vielzahl von Mikrolinsenstrukturen 170a auszubilden und um die Oxidschicht 160 unter Verwendung der Mikrolinsenstrukturen 170a als Ätzmasken ätzen zu können. Das Halbleitersubstrat 110, das die Fotolackstrukturen 170 enthält, kann dann auf und/oder über eine heiße Platte platziert werden, um die Fotolackstrukturen 170 durch eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur von 150°C oder mehr zu verfließen, um eine Vielzahl von halbkugelförmigen Mikrolinsenstrukturen 170a auszubilden. Die Fotolackstruktur 170 kann dicker als die Oxidschicht 160 ausgebildet werden, weil das Ätzstoppvermögen der Fotolackstruktur 170 geringer ist als das der Oxidschicht 160. Gleichermaßen kann die Mikrolinsenstruktur 170a dicker als die Oxidschicht 160 ausgebildet werden.
  • Wie im Beispiel von 5 dargestellt, kann dann eine Vielzahl von Oxidschicht-Mikrolinsen 165, die eine vorbestimmte Krümmung aufweisen, durch Ätzen der Oxidschicht 160 unter Verwendung der Mikrolinsenstruktur 170a als Maske ausgebildet werden.
  • Wie im Beispiel von 6 dargestellt, kann die Mikrolinse 165 dann unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung (peroxosulfuric acid mixing solution) gereinigt werden. Ausführungsformen sind vorteilhaft zum Entfernen eines Überrests von der Oberfläche der Mikrolinse 165, der nach dem Strukturieren der Oxidmikrolinse 170a zurückbleibt. Dies kann den Schwund der Oxidschicht aufgrund von Chemikalien zur Folge haben, die zum Entfernen des Überrests der Mikrolinse 165 verwendet werden. Daher kann die Form der Oxidmikrolinse 165 verändert werden.
  • Doch beinhalten Ausführungsformen einen Prozess des Reinigens der Mikrolinse 165 mit einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung, um Veränderungen bei der Form der Oxidschicht-Mikrolinse 165 zu reduzieren. Die Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung kann auch die Rauheit reduzieren, während sie auf einfache Weise Überrest von der Mikrolinse 165 entfernt. Die Mikrolinse 165 kann unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung mit einem Verhältnis von H2O2:H2SO4 von 0,5~2:6 gereinigt werden. Die Mikrolinse 165 kann unter Verwendung der Peroxoschwefelsäure-Mischlösung mit einem Verhältnis von H2O2 : H2SO4 von 1:6 gereinigt werden, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Mikrolinse 165 kann unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung für 3 bis 20 Minuten gereinigt werden. Der Prozess des Reinigens der Mikrolinse 165 mit der Peroxoschwefelsäure-Mischlösung kann für 5 Minuten stattfinden, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Die Mik rolinsenstruktur 170a kann unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung gereinigt werden, so dass die Dicke der Oxidschicht 165 um nicht mehr als 50 Å oder weniger vermindert werden kann.
  • Das Verfahren zur Herstellung des Bildsensors gemäß Ausführungsformen hat die folgenden Wirkungen. Die Mikrolinse 165 kann mit einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung gereinigt werden und dann kann ihre Dicke gemessen werden, um jeglichen Oxidschwund zu bestätigen.
  • Nach dem Messergebnis tritt der Oxidschwund von ungefähr 32 Å in der Dicke in der ursprünglichen Oxidschicht-Mikrolinse 165 mit einem Radius von ungefähr 530 Å auf und ermöglicht es, die Oxidmikrolinse 165 mit einem Radius von ungefähr 498 Å zu erhalten. Daher kann ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors unter Verwendung einer aus einer Oxidschicht bestehenden Mikrolinse bereitgestellt werden.
  • Überdies umfassen Ausführungsformen einen neuen Herstellungsprozess, der den Fotolack entfernt, ohne die Oxidmikrolinse anzugreifen, um nicht den Bildsensor anzugreifen, und der nicht die Form der Mikrolinse verändert, wodurch er es ermöglicht, die Eigenschaften der Einrichtung zu verbessern.
  • Wie im Beispiel von 7 dargestellt, kann ein Prozess zur Herstellung eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen alternativ das Verfließen der Fotolackstruktur 170 zum Ausbilden der Mikrolinsenstruktur 171a und das Ätzen der Oxidschicht 160 unter Verwendung der Mikrolinsenstruktur 171a als Ätzmaske zum Ausbilden einer Vielzahl von Mikrolinsen umfassen. Das heißt, dass gemäß dieser Ausführungsform die Fotolackstruktur 171a ein zweites Mal unter Verwendung einer Plasmabearbeitung verflossen wird, wenn die Oxidschicht 160 unter Verwendung der Mikrolinsenstruktur 171a als Maske geätzt wird. Demgemäß kann ein solches Verfließen der Fotolackstruktur 171a gemäß Ausführungsformen unter Verwendung einer Plasmabearbeitung stattfinden, um die Oxidschicht 160 unter Verwendung der Mikrolinsenstruktur 170a als Maske zu ätzen.
  • Beispielsweise kann die Oxidschicht 160 anfangs unter Verwendung der Mikrolinsenstruktur 171a als Maske geätzt werden. Danach kann die Mikrolinsenstruktur 171a der Plasmabearbeitung unterzogen werden und die anfangs geätzte Oxidschicht 160 kann an zweiter Stelle unter Verwendung der plasmabearbeiteten Mikrolinsenstruktur 171a als Maske geätzt werden. Der Schritt des Ausführens der Plasmabearbeitung auf der Mikrolinsenstruktur 171a erhöht die Quellenleistung auf das 1,5-fache oder mehr eines Verhältnisses der Biasleistung zur Quellenleistung beim primären Ätzen, um die Plasmatemperatur zu erhöhen und die Mikrolinsenstruktur 171a auszudehnen, wodurch es möglich wird, die plasmabearbeitete Mikrolinsenstruktur 170b auszubilden. Wenn beispielsweise das Verhältnis der Biasleistung zur Quellenleistung beim primären Ätzen 5:1 beträgt, kann die Quellenleistung auf das 1,5-fache oder mehr beim primären Ätzen erhöht werden, um die Plasmatemperatur zu erhöhen und die Mikrolinsenstruktur 170a auszudehnen, was es ermöglicht, die plasmabearbeitete Mikrolinsenstruktur 170b auszubilden. Beispielsweise kann beim Schritt des Ausführens der Plasmabearbeitung auf der Mikrolinsenstruktur 170a die Biasleistung 200 bis 400 W betragen und die Quellenleistung kann 1200 bis 1400 W betragen.
  • Beim Schritt des Ausbildens der Oxidschicht-Mikrolinse 165 gemäß Ausführungsformen kann die Plasmabearbeitung auf der Fotolackstruktur 170 oder der Mikrolinsenstruktur 170a auch drei Mal oder öfter ausgeführt werden und die Oxidschicht 160 kann unter Verwendung der plasmabearbeiteten Fotolackstruktur als Ätzmaske geätzt werden. Der Abstand zwischen den Mikrolinsenstrukturen 170a kann dadurch verkleinert werden, was es ermöglicht, die Lücke zwischen benachbarten Oxidmikrolinsen 165 effektiv zu verkleinern.
  • In der vorliegenden Beschreibung bedeutet jeder Verweis auf "eine Ausführung", "Ausführung", "beispielhafte Ausführung", usw., dass ein spezielles Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft, welches bzw. welche in Verbindung mit der Ausführung beschrieben wird, in mindestens einer Ausführung der Erfindung enthalten ist. Das Auftreten derartiger Ausdrucksweisen an verschiedenen Stellen in der Beschreibung verweist nicht notwendig sämtlich auf die gleiche Ausführung. Ferner sei bemerkt, dass, wenn ein besonderes Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft beschrieben wird, es sich innerhalb des Bereichs der Möglichkeiten eines Fachmanns befindet, ein derartiges Merkmal, eine Struktur oder ein Kennmerkmal in Verbindung mit anderen der Ausführungen zu bewirken.
  • Obwohl Ausführungen mit Bezug auf eine Anzahl erläuternder Ausführungsbeispiele beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen und Ausführungen durch Fachleute entworfen werden können, welche unter Prinzip und Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere sind viele Änderungen und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Änderungen und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative Verwendungen gleichfalls für Fachleute ersichtlich.

Claims (20)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, umfassend: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht auf einem Substrat, das eine Fotodiode enthält; und dann Ausbilden einer Farbfilterschicht auf der Zwischendielektrikumschicht; und dann Ausbilden einer Oxidschicht auf der Farbfilterschicht; und dann Ausbilden einer Vielzahl von beabstandeten Mikrolinsenstrukturen auf der Oxidschicht; und dann Ausbilden einer Vielzahl von Oxidmikrolinsen durch Ätzen der Oxidschicht unter Verwendung der Mikrolinsenstrukturen als Masken; und dann Reinigen der Oxidmikrolinsen unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung.
  2. Das Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Peroxoschwefelsäure-Mischlösung ein Verhältnis von H2O2:H2SO4 von 0,5~2:6 hat.
  3. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem das Reinigen der Oxidmikrolinsen für 3 bis 20 Minuten ausgeführt wird.
  4. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Reinigen der Oxidmikrolinsen das Ätzen der Oxidschicht- Mikrolinse unter Verwendung der Peroxoschwefelsäure-Mischlösung umfasst, um ihre Dicke um nicht mehr als 50 Å oder weniger zu vermindern.
  5. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Mikrolinsenstrukturen dicker als die Oxidschicht ausgebildet werden.
  6. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, ferner umfassend nach dem Ausbilden der Farbfilterschicht und vor dem Ausbilden der Oxidschicht das Ausbilden einer Planarisierungsschicht auf der Farbfilterschicht.
  7. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das Ausbilden der Oxidschicht-Mikrolinse umfasst: Ausführen eines ersten Ätzprozesses auf der Oxidschicht unter Verwendung der Mikrolinse als Maske; und dann Ausführen einer Plasmabearbeitung auf der Mikrolinsenstruktur; und dann Ausführen eines zweiten Ätzprozesses auf der Oxidschicht unter Verwendung der plasmabearbeiteten Mikrolinsenstruktur als Maske.
  8. Das Verfahren nach Anspruch 7, bei dem das Ausführen der Plasmabearbeitung die Quellenleistung auf das 1,5-fache oder mehr des Verhältnisses der Biasleistung zur Quellenleistung beim ersten Ätzen erhöht, um die Plasmatemperatur zu erhöhen und die Mikrolinsenstruktur auszudehnen.
  9. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 8, bei dem während des Ausführens der Plasmabearbeitung die Biasleistung 200 bis 200 W und die Quellenleistung 1200 bis 1400 W beträgt.
  10. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 9, bei dem die Plasmabearbeitung drei Mal oder öfter auf der Mikrolinsenstruktur ausgeführt wird und die Oxidschicht unter Verwendung der plasmabearbeiteten Fotolackstruktur als Ätzmaske geätzt wird.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, umfassend: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht über einem Substrat, das mit einer Vielzahl von Fotodioden versehen ist, wobei die Zwischendielektrikumschicht eine mehrschichtige Struktur hat, die eine erste Zwischendielektrikumschicht, eine über der ersten Zwischendielektrikumschicht ausgebildete lichtabschirmende Schicht und eine über der lichtabschirmenden Schicht ausgebildete zweite Zwischendielektrikumschicht enthält; und dann Ausbilden einer Farbfilterschicht über der Zwischendielektrikumschicht; und dann Ausbilden einer Oxidschicht über der Farbfilterschicht; und dann Ausbilden einer Vielzahl von beabstandeten Fotolackstrukturen über der Oxidschicht; und dann Ausbilden einer Vielzahl von Mikrolinsenstrukturen durch Verfließen der Fotolackstrukturen und Ätzen der Oxidschicht un ter Verwendung der Fotolackstrukturen als Masken; und dann Ausbilden einer Vielzahl von aus einem Oxid bestehenden beabstandeten Mikrolinsen über der Farbfilterschicht durch Ätzen der Oxidschicht unter Verwendung der Mikrolinsenstrukturen als Masken.
  12. Das Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Ausbilden der Oxidschicht das Abscheiden von SiO2 bei einer Temperatur von 200°C oder weniger durch mindestens eines der Verfahren CVD, PVD und PECVD umfasst.
  13. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 12, ferner umfassend das Ausführen eines Reinigungsprozesses auf den Mikrolinsen nach dem Ausbilden der Vielzahl von Oxidschichten.
  14. Das Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die Mikrolinsen unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung gereinigt werden.
  15. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 14, bei dem die Peroxoschwefelsäure-Mischlösung während des Reinigens der Mikrolinsen ein Verhältnis von H2O2:H2SO4 von 0,5~2:6 hat.
  16. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, bei dem die Peroxoschwefelsäure-Mischlösung während des Reinigens der Mikrolinsen ein Verhältnis von H2O2:H2SO4 von 1:6 hat.
  17. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, bei dem die Mikrolinsen für 3 bis 20 Minuten unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung gereinigt werden.
  18. Das Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, bei dem die Dicke der Mikrolinsen während des Reinigens der Mikrolinsen um nicht mehr als 50 Å oder weniger vermindert wird.
  19. Das Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, umfassend: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht über einem Substrat, das mit einer Vielzahl von Fotodioden versehen ist; und dann Ausbilden einer Farbfilterschicht über der Zwischendielektrikumschicht; und dann Ausbilden einer Oxidschicht über der Farbfilterschicht; und dann Ausbilden einer Vielzahl von beabstandeten Fotolackstrukturen über der Oxidschicht; und dann Ausbilden einer Vielzahl von Mikrolinsenstrukturen durch Ausführen eines primären Ätzprozesses auf der Oxidschicht unter Verwendung der Fotolackstrukturen als Masken; und dann Ausführen einer Plasmabearbeitung auf den Mikrolinsenstrukturen; und dann Ausbilden einer Vielzahl von oxidbasierten Mikrolinsen über der Farbfilterschicht durch Ausführen eines sekundären Ätzprozesses auf der Oxidschicht unter Verwendung der plasmageätzten Mikrolinsenstrukturen als Masken; und dann Ausführen eines Reinigungsprozesses unter Verwendung einer Peroxoschwefelsäure-Mischlösung auf den oxidbasierten Mikrolinsen.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem während der Plasmabearbeitung die Biasleistung 200 bis 200 W beträgt und die Quellenleistung 1200 bis 1400 W beträgt.
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