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Diese
Patentanmeldung beansprucht die Priorität der (am 20. Dezember 2006
eingereichten)
koreanischen
Patentanmeldung Nr. 10-2006-0131288 , die hiermit durch
Bezugnahme vollständig
aufgenommen wird.
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HINTERGRUND
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TECHNISCHES GEBIET DER ERFINDUNG
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Die
Ausführungsform
betrifft einen Bildsensor und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
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BESCHREIBUNG DER VERWANDTEN
TECHNIK
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Ein
Bildsensor, der ein Halbleiterbauelement ist, das ein optisches
Bild in elektrische Signale umwandelt, kann als ladungsgekoppelter
(CCD) Bildsensor oder als Komplementär-Metall-Oxid-Silizium-(CMOS)-Bildsensor
gekennzeichnet werden.
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Der
CMOS-Bildsensor enthält
eine Fotodiode und MOS-Transistoren
in einer Bildpunkteinheit, um schaltend sequentiell elektrische
Signale zu erzeugen und zu detektieren, wobei er ein Bild realisiert.
Der CMOS-Bildsensor umfasst Transistoren und eine Bildpunktmatrix,
in der die Fotodiode mit den Transistoren auf einem Halbleitersubstrat
elektrisch verbunden ist.
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Eine
Isolierschichtstruktur, die eine oder mehrere Verdrahtungslagen
und ein Bondpad umfasst, wird auf der Bildpunktmatrix ausgebildet.
Die Kontaktfläche
ist hauptsächlich
aus einem leitenden Metall gebildet, das mit einem internen Draht verbunden
ist, und sie wird von der Isolierschichtstruktur freigelegt, um
die Kontaktfläche
elektrisch mit einem äußeren Draht
zu verbinden.
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Eine
Farbfiltermatrix zum Detektieren verschiedener Farben und/oder zum
Realisieren eines Farbbildes des Bildsensors wird auf der Isolierschichtstruktur
ausgebildet. Und dann wird eine Fotolackschicht auf die obere Oberfläche der
Farbfiltermatrix aufgebracht und es wird ein Reflow-Prozess ausgeführt, wobei
eine Mikrolinse ausgebildet wird, die Licht gebündelt in die Bildpunktmatrix
abgibt.
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Doch
je mehr die Designregel des Bildsensors schrittweise verringert
wird, um so mehr nimmt die Größe eines
Bildpunkts ab. Dadurch verringert sich auch die von außerhalb
des Bildsensors auf die Mikrolinse einfallende Lichtmenge, so dass
es relativ schwierig wird, Licht in der Fotodiode zu messen. Zwecks
Empfindlichkeit in der Fotodiode muss die Strecke, die das äußere einfallende
Licht von der Mikrolinse bis zur Fotodiode zurücklegt, verkürzt werden.
Daher kann die Höhe
der Verdrahtungslage und der Zwischendielektrikumschicht auf der
Fotodiode verringert werden, um die Brennweite zu verkürzen.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Ausführungsformen
der Erfindung stellen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors
bereit, das imstande ist, die Empfindlichkeit durch Verkürzung der
Brennweite zu verbessern.
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Ein
Verfahren zur Herstellung eines Sensorbilds gemäß einer beispielhaften Ausführungsform umfasst
die Schritte eines Ausbildens einer Bildpunktmatrix, die eine Fotodiodenstruktur und
eine Isolierschichtstruktur umfasst, in einem aktiven Gebiet eines
Halbleitersubstrats; Ausbilden einer Metall-Kontaktfläche auf der Bildpunktmatrix;
Ausbilden einer Isolierschicht auf der Metall-Kontaktfläche; Ausbilden
einer Schutzschicht auf der Isolierschicht; Ausbilden einer Kontaktflächenöffnung und
einer Bildpunktöffnung
durch Ätzen
der Schutzschicht; und (wahlweise) Entfernen der Isolierschicht.
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Außerdem umfasst
ein Bildsensor gemäß einer
beispielhaften Ausführungsform
eine Bildpunktmatrix, die eine Fotodiodenstruktur und eine Isolierschichtstruktur
enthält;
eine Metall-Kontaktfläche
auf der oder angrenzend an die Bildpunktmatrix; eine Dielektrikumschicht
auf der Metall-Kontaktfläche;
eine Schutzschicht auf der Metall-Kontaktfläche und der Isolierschicht;
und eine Kontaktflächenöffnung,
die eine obere Oberfläche
der Metall-Kontaktfläche
freilegt, sowie eine Bildpunktöffnung,
die eine obere Oberfläche
der Isolierschichtstruktur freilegt.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Querschnittsansicht, die eine beispielhafte Fotodiodenstruktur
zeigt.
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2 ist
eine Draufsicht, die eine Bildpunkteinheit im CMOS-Bildsensor zeigt.
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3 bis 7 sind
Querschnittsansichten, die ein Verfahren zur Herstellung eines beispielhaften
Bildsensors gemäß Ausführungsformen
der Erfindung zeigen.
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8 bis 10 sind
Querschnittsansichten, die ein Verfahren zur Herstellung eines anderen beispielhaften
Bildsensors gemäß alternativen
Ausführungsformen
der Erfindung zeigen.
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DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Ein
Bildsensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß Ausführungsformen
der Erfindung werden mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen
beschrieben.
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7 ist
eine Querschnittsansicht, die einen beispielhaften Bildsensor gemäß Ausführungsformen
der Erfindung zeigt. Bei dem beispielhaften Bildsensor ist eine
Bildpunktmatrix, die eine Fotodiodenstruktur 20 und eine
Isolierschichtstruktur 30 umfasst, auf einem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet. Hierbei
hat der beispielhafte Bildsensor eine Struktur, bei der mehrere
Bildpunkte, die jeweils eine Fotodiode und eine Vielzahl von MOS-Transistoren
umfassen, ausgebildet sind. Die Matrix der Bildpunkte kann eine
x-y-Matrix von Reihen und Spalten umfassen, bei der x und y jeweils
unabhängig
eine ganze Zahl von mindestens 2, 3, 4, 8, 16 usw. sind. Die Matrix kann
auch zwei oder mehr Bildpunktblöcke
umfassen, die jeweils eine solche Matrix enthalten. Typischerweise
enthält
jeder Einzelbildpunkt 3 bis 5 Transistoren.
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Außerdem umfasst
die Isolierschichtstruktur 30 eine Zwischendielektrikumschicht
zum Isolieren und Verdrahten der Fotodiodenstruktur 20 und
eine Metallverdrahtung 31, welche die Zwischendielektrikumschicht
durchdringt (indem sie z. B. in die Ebene des Blatts eintritt und
aus ihr austritt). Die Isolierschichtstruktur 30 kann ein
Oxid (z. B. Siliziumdioxid, das undotiert oder mit Fluor oder Bor
und/oder Phosphor dotiert sein kann) umfassen und wahlweise eine darunter
liegende Ätz stoppschicht
(z. B. SiN) aufweisen. Wenn die Bulk-Isolierschichtstruktur 30 ein
dotiertes Oxid umfasst, kann es eine undotierte Siliziumdioxidschicht
(z. B. USG und/oder ein TEOS-basiertes Oxid; USG: undotiertes Silikatglas) über und/oder
unter dem dotierten Oxid geben.
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Eine
Metall-Kontaktfläche 40 ist
für die
elektrische Verbindung mit äußeren Signalleitungen
auf der Isolierschichtstruktur 30 ausgebildet. Daher kann die
Metall-Kontaktfläche 40 auch
als Bondpad zum Ausbilden von Draht-, Kugelkopf-, Höcker-Bondverbindungen
usw. hiermit bekannt sein.
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Eine
Schutzschicht 80 ist auf oder über der Isolierschichtstruktur 30 und
der Oberseite der Metall-Kontaktfläche 40 ausgebildet.
Die Schutzschicht auf der Metall-Kontaktfläche 40 und der Isolierschichtstruktur 30 wird
selektiv geätzt,
so dass eine Kontaktflächenöffnung 110 und
eine Bildpunktöffnung 120 ausgebildet
werden. Die Schutzschicht 80 kann beispielsweise eine gestapelte
Struktur haben, die eine USG-Schicht 61 und eine Nitridschicht 71 enthält.
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Eine
Farbfiltermatrix 90 und Mikrolinsen 100 sind auf
der Isolierschichtstruktur 30 ausgebildet, die durch die
Bildpunktöffnung 120 freiliegt.
Daher wird der Abstand zwischen der Farbfiltermatrix 90 und/oder
den Mikrolinsen 100 einerseits und der Fotodiodenstruktur 20 andererseits
durch die Stufendifferenz zwischen der Schutzschicht 80 und
der Isolierschichtstruktur 30 derart verkürzt, dass
die Brennweite abnimmt, wodurch es möglich ist, die in die Fotodiode
einfallende Lichtmenge zu erhöhen.
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1 bis 7 sind
Drauf- und Querschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung
eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen
der Erfindung.
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1 ist
eine Querschnittsansicht, die eine Fotodiodenstruktur 20 gemäß einer
Ausführungsform zeigt,
und 2 ist eine Draufsicht, die eine im beispielhaften
Bildsensor von 1 enthaltene Bildpunkteinheit
zeigt.
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Unter
Bezugnahme auf 3 ist eine Bildpunktmatrix,
die eine Vielzahl von Fotodiodenstrukturen 20 und eine
Isolierschichtstruktur 30 umfasst, im aktiven Gebiet eines
Halbleitersubstrats 10 ausgebildet. Die Fotodiodenstruktur 20 umfasst
eine Fotodiode und eine Transistorstruktur, wie sie in den 1 und 2 gezeigt
wird, die auf einem Siliziumsubstrat in einer Bildpunkteinheit ausgebildet
sind. Die beispielhafte Bildpunkteinheit umfasst eine Fotodiode PD,
einen Transfertransistor Tx, einen Resettransistor Rx, einen Auswahltransistor
Rx und einen Zugriffstransistor Ax und wandelt ein optisches Signal
in ein elektrisches Signal um, um ein Bild (oder einen Teil hiervon)
auszugeben. Die Fotodiodenstruktur 20 hat eine Struktur,
bei der solch ein Bildpunkt mehrfach ausgebildet ist.
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Die
Isolierschichtstruktur 30 ist auf der Fotodiodenstruktur 20 ausgebildet.
Die Isolierschichtstruktur 30 ist mit einer Zwischendielektrikumschicht
zur Isolierung auf dem die Fotodiodenstruktur 20 umfassenden
Halbleitersubstrat 10 und mit einer unteren Metallverdrahtung 31 versehen,
welche die Zwischendielektrikumschicht durchdringt, um Signale in
die Bildpunkteinheit zu führen.
Obgleich nicht dargestellt, kann die Isolierschichtstruktur 30 auf
der Fotodiodenstruktur 20 in einer Vielzahl von Schichten ausgebildet
sein. Zum Beispiel kann die Zwischendielektrikumschicht in einer
gestapelten Struktur einer FSG-Schicht und einer TEOS-Schicht ausgebildet sein.
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Eine
Metall-Kontaktfläche 40,
die mit der mit einer äußeren Treiberschaltung
zu verbindenden unteren Metallverdrahtung 31 verbunden
ist, ist auf der Isolierschichtstruktur 30 ausgebildet.
Die Metall-Kontaktfläche 40 wird
durch Ausbilden einer Metallschicht (nicht dargestellt) auf der
Isolierschichtstruktur 30, Ausbilden einer Fotolackstruktur
(nicht dargestellt), die mindestens einen Pad-Bereich festlegt (und,
wahlweise, eine zusätzliche
Metallverdrahtung, die das Bondpad 40 mit anderen Schaltungen
im Bildsensor verbindet), sowie anschließendes Ätzen der Metallschicht unter
Verwendung der Fotolackstruktur als Maske ausgebildet.
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Eine
Isolierschicht 50 mit einer unter einem gegebenen Satz
von Ätzbedingungen
im Vergleich zu einem auf sie aufgebrachten Material relativ kleinen Ätzrate (die
z. B. ein Ätzselektivitätsverhältnis von
mindestens 1:10 in Bezug auf ein darüber liegendes Material bereitstellt)
wird auf der Isolierschichtstruktur 30 und der Metall-Kontaktfläche 40 ausgebildet.
Beispielsweise kann die Isolierschicht 50 eine Nitridschicht
(z. B. Si3N4) umfassen
oder aus ihr gebildet sein.
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Unter
Bezugnahme auf 4 werden Schutzschichten 60 und 70 zum
Schutz eines Bauelements gegen äußere Feuchtigkeit
und Kratzer auf der Isolierschicht 50 ausgebildet. Die
Schutzschichten 60 und 70 können beispielsweise eine USG-Schicht
oder eine Nitridschicht umfassen oder aus ihnen gebildet sein, oder
sie können
in einer gestapelten Struktur, die eine USG-Schicht 60 und
eine Nitridschicht 70 umfasst, ausgebildet sein. Im Allgemeinen
werden die Schutzschichten 60 und 70 durch chemische
Gasphasenabscheidung (CVD) unter bekannten Bedingungen aufgebracht.
Die Schutzschicht 60 kann vor dem Aufbringen der Schutzschicht 70 planarisiert
werden und zwar insbesondere, wenn die Schutzschicht 60 USG
umfasst oder im Wesentlichen aus USG besteht. In einer Ausführungsform
verwendet die Schutzschicht 80 die USG-Schicht als erste
Schutzschicht 60 und die Nitridschicht als zweite Schutzschicht 70.
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Unter
Bezugnahme auf 5 und 6 wird eine
Fotolackstruktur 150 auf der ersten und der zweiten Schutzschicht 60 und 70 ausgebildet.
Die Fotolackstruktur 150, die eine Struktur umfasst, die dafür geeignet
ist, die Metall-Kontaktfläche 40 und die
Oberfläche
der Isolierschichtstruktur 30 in einem Bildpunktgebiet
selektiv freizulegen, wird ausgebildet, indem eine Fotolackschicht
auf die Schutzschicht 80 aufgebracht und dann strukturiert
wird. Die erste Schutzschicht 60 und die zweite Schutzschicht 70 werden
unter Verwendung der Fotolackstruktur 150 als Ätzmaske
geätzt.
Dann werden eine Kontaktflächenöffnung 110,
welche die Oberseite der Metall-Kontaktfläche 40 freilegt,
und eine Bildpunktöffnung 120 ausgebildet,
welche die Oberfläche
der Isolierschichtstruktur 30 in einem Bildpunktgebiet
freilegt. Beispielsweise können
die erste Schutzschicht 60 und die zweite Schutzschicht 70 durch
reaktives Ionenätzen
geätzt
werden.
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Da
die Isolierschicht 50 auf der Isolierschichtstruktur 30 und
der Metall-Kontaktfläche 40 eine
Nitridschicht umfassen kann, kann sie an diesem Punkt beim Ätzen der
ersten Schutzschicht 60 als Ätzstoppschicht dienen. Daher
werden die erste und die zweite Schutzschicht 60 und 70 bis
zur Isolierschicht 50 geätzt, die in der beispielhaften
Ausführungsform
die Ätzstoppschicht
ist, so dass die Kontaktflächenöffnung 110 und die
Bildpunktöffnung 120 zur
gleichen Zeit ausgebildet werden können.
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Wenn
die in der Bildpunktöffnung 120 verbleibende
Isolierschicht 50 selektiv entfernt wird, wird die Oberfläche der
Isolierschichtstruktur 30 in der Bildpunktöffnung selektiv
freigelegt. Die Nitridschicht (z. B. Isolator 50) in der
Kontaktflächenöffnung 110 wird
zu diesem Zeitpunkt nicht entfernt, sondern verbleibt, so dass die
Nitridschicht (z. B. 50) während des Ausbildens einer
Farbfiltermatrix 90 im anschließenden Prozess als Korrosionsschutzschicht
für die Metall-Kontaktfläche 40 verwendet
werden kann.
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Eine
Farbfiltermatrix 90 und eine Mikrolinse 100 werden
durch den anschließenden
Prozess in der durch Ätzen
der Schutzschicht 80 ausgebildeten Bildpunktöffnung 120 ausgebildet.
Insbesondere kann die in die Fotodiode einfallende Lichtmenge zunehmen,
da die Brennweite zwischen der Farbmatrix 90 und/oder den
Mikrolinsen 100 einerseits und der Fotodiodenstruktur 20 andererseits
um einen Betrag in ungefährer
Höhe der
Stufendifferenz zwischen der Schutzschicht 80 und der Isolierschichtstruktur 30 abnimmt.
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Unter
Bezugnahme auf 7 ist eine Farbfiltermatrix 90 in
der Bildpunktöffnung 120 ausgebildet und
Mikrolinsen 100 sind auf den Farbfiltern der Farbfiltermatrix 90 ausgebildet.
Die Farbfiltermatrix 90 wird durch Strukturieren einer
Fotolackschicht ausgebildet, die (1) ein oder mehrere Pigmente und/oder
Farbstoffe und (2) ein lichtempfindliches Material umfasst, um einem
Bildpunkt zu entsprechen.
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Obgleich
nicht dargestellt, kann nach dem Ausbilden der Farbfiltermatrix 90 eine
Planarisierungsschicht auf der Farbfil termatrix 90 ausgebildet werden.
Wenn das Ausbilden der Farbfiltermatrix 90 in einer Stufendifferenz
zwischen Farbfiltern in der Farbfiltermatrix 90 resultiert
(siehe z. B. 9), hebt die Planarisierungsschicht
die Stufendifferenz zwischen Farbfiltern auf.
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Nachdem
die Farbfiltermatrix 90 ausgebildet wurde, werden Mikrolinsen 100 an
Stellen ausgebildet, die den jeweiligen Farbfiltern entsprechen.
Die Mikrolinsen 100 bündeln
das äußere Licht
auf die Fotodiode der Fotodiodenstruktur 20.
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Nach
dem Ausbilden der Mikrolinsen 100 kann die Isolierschicht 50 in
der Kontaktflächenöffnung 110 entfernt
werden.
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Die
Farbfiltermatrix 90 und die Mikrolinse 100 werden
auf der Oberseite der Isolierschichtstruktur 30 ausgebildet,
bei der es sich um die durch Ätzen der
Schutzschicht 80 ausgebildete Bildpunktöffnung 120 handelt,
so dass ihre Funktion(en) und/oder der Brennpfad nicht durch die
mögliche
Störung
von und/oder Variationen in der Schutzschicht 80 beeinflusst
werden, wodurch es möglich
ist, die Effizienz der Absorption des einfallenden Lichts zu verbessern.
Mit anderen Worten wird, wenn ein vorbestimmtes Gebiet der Schutzschicht 80,
das sich über
der Fotodiodenstruktur 20 befindet, selektiv entfernt wird, der
Brechungsindex hierin kleiner und die Brenntiefe wird kürzer als
das Gebiet, wo die Schutzschicht 80 verbleibt. Daher werden
die Farbfiltermatrix 90 und die Mikrolinsen 100 auf
der Fläche
der Isolierschichtstruktur 30 ausgebildet, von der die
Schutzschicht 80 entfernt wird, so dass der Brechungsindex abnimmt,
wodurch es möglich
wird, die Fotoempfindlichkeit zu verbessern. Außerdem kann die Wellenlänge des
Lichts, das die Mikrolinsen 100 durchquert, relativ größer werden
als die, welche die Schutzschicht 80 durch quert, um die
Wirkung einer Verringerung der Brennweite zu erreichen, wodurch
es möglich
ist, die Verschlechterung aufgrund Übertragung, Absorption und
Reflexion von Licht zu vermindern.
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Außerdem schützt die
Schutzschicht 80 die Oberfläche der Metall-Kontaktfläche 40 während des Ausbildens
der Mikrolinsen 100, wodurch es möglich ist, die Verunreinigung
der Oberfläche
der Metall-Kontaktfläche 40 zu
verhindern.
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8 bis 10 zeigen
alternative Ausführungsformen
des vorliegenden Verfahrens zur Herstellung eines Bildsensors. 8 zeigt
eine Bildsensorstruktur, die der von 6 ähnelt, wobei
jedoch die Isolierschicht/Ätzstoppschicht 50 intakt
ist (d. h. im Bildpunktgebiet verblieben ist). Danach werden die
Farbfilter 91, 92 und 93 unterschiedlicher
Höhe im Bildpunktgebiet
ausgebildet. Die Farbfilter können
einen blauen Farbfilter (B), einen grünen Farbfilter (G) und einen
roten Farbfilter (R) umfassen. Alternativ können die Farbfilter einen gelben
Farbfilter, einen cyanfarbenen Farbfilter und einen magentafarbenen Farbfilter
umfassen. Im Allgemeinen wird jeder Farbfilter separat durch Aufbringen
und photolithographisches Strukturieren (z. B. Belichten und Entwickeln) ausgebildet.
In verschiedenen Ausführungsformen kann
ein erster Farbfilter 91 (z. B. der blaue Farbfilter) eine
Höhe von
6000 bis 7500 Å haben
(z. B. von 6500 bis 7200 Å),
ein zweiter Farbfilter 92 (z. B. der grüne Farbfilter) kann eine größere Höhe als die
des ersten Farbfilters im Bereich von 6500 bis 8000 Å haben
(z. B. von 7000 bis 7500 Å)
und ein dritter Farbfilter 93 (z. B. der rote Farbfilter)
kann eine größere Höhe als die
des zweiten Farbfilters im Bereich von 7000 bis 9000 Å haben
(z. B. von 7500 bis 8500 Å).
Im Allgemeinen ist die Höhe
der Schutzschicht 80 größer als die
jeden Farbfilters 91–93.
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Dann
kann eine Planarisierungsschicht 95 auf den Farbfiltern 91–93 ausgebildet
werden, wie es in 10 dargestellt ist. Die Planarisierungsschicht 95 kann
einen Fotolack mit einer optischen Transparenz (z. B. für alle Farben
des sichtbaren Spektrums) von mehr als 90% umfassen. Die Planarisierungsschicht 95 kann
durch ganzflächiges
Aufbringen (z. B. Rotationsbeschichten) eines Fotolacks und Planarisieren
des Fotolacks (z. B. durch Rückätzen oder Polieren
wie mechanisches Polieren mit einem festen Schleifkissen oder chemisch-mechanisches Polieren
[CMP] mit einer Polierflüssigkeit)
ausgebildet werden. Dann werden hierauf im Wesentlichen in derselben
Weise wie in 7 Mikrolinsen 100 ausgebildet.
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Bei
dem Bildsensor und dem Verfahren zu seiner Herstellung gemäß Ausführungsformen
der Erfindung wird eine Ätzstoppschicht
(z. B. eine Nitridschicht) auf der Isolierschichtstruktur und der
Metall-Kontaktfläche
ausgebildet, so dass die Kontaktflächenöffnung und die Bildpunktöffnung gleichzeitig durch Ätzen der
Schutzschicht ausgebildet werden, wodurch es möglich ist, den Prozess zu vereinfachen.
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Außerdem werden
der Farbfilter und die Mikrolinsen auf der Isolierschichtstruktur
in der Bildpunktöffnung
ausgebildet, wodurch es möglich
ist, den Abstand zwischen der Mikrolinse und der Fotodiode zu verringern.
Außerdem
wird die Brennweite der Fotodiode verkürzt, wodurch es möglich ist,
die Empfindlichkeit zu verbessern.
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Außerdem wird
(werden) die Schutzschicht(en), die eine USG-Schicht und eine Nitridschicht umfassen
kann (können),
entfernt, so dass die Reflexion des Lichts aufgrund der Differenz
der Brechungsindizes zwischen den verschiedenen Materia lien verhindert
wird, wodurch es möglich
ist, die Empfindlichkeit des Bildsensors zu verbessern.
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In
der vorliegenden Beschreibung bedeutet jeder Verweis auf "eine Ausführung", "Ausführung", "beispielhafte Ausführung", usw., dass ein
spezielles Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft, welches
bzw. welche in Verbindung mit der Ausführung beschrieben wird, in
mindestens einer Ausführung der
Erfindung enthalten ist. Das Auftreten derartiger Ausdrucksweisen
an verschiedenen Stellen in der Beschreibung verweist nicht notwendig
sämtlich
auf die gleiche Ausführung.
Ferner sei bemerkt, dass, wenn ein besonderes Merkmal, eine Struktur
oder eine Eigenschaft beschrieben wird, es sich innerhalb des Bereichs
der Möglichkeiten
eines Fachmanns befindet, ein derartiges Merkmal, eine Struktur
oder ein Kennmerkmal in Verbindung mit anderen der Ausführungen
zu bewirken.
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Obwohl
Ausführungen
mit Bezug auf eine Anzahl erläuternder
Ausführungsbeispiele
beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen
und Ausführungen
durch Fachleute entworfen werden können, welche unter Prinzip
und Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere sind
viele Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen
Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der
Zeichnungen und der beigefügten
Ansprüche
möglich.
Zusätzlich
zu Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative
Verwendungen gleichfalls für
Fachleute ersichtlich.