KR100670477B1 - Ｌｔｏ 보호막을 생략할 수 있는 이미지센서 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마이크로렌즈용 보호막 사용을 생략할 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 수광영역인 제1영역과 패드 형성 영역인 제2영역을 포함하는 이미지센서의 제조 방법에 있어서, 포토다이오드를 포함한 하부 구조 상의 상기 제1영역에 금속배선을 형성하는 단계; 상기 금속배선이 형성된 프로파일을 따라 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 패드 콘택이 이루어질 상기 금속배선을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계; 상기 제1영역에 제1오버코팅 레이어를 형성하면서, 상기 제2영역의 상기 오픈부에 오버코팅 레이어 플러그를 형성하는 단계; 상기 제1영역의 상기 제1오버코팅 레이어 상에 칼라필터와 제2오버코팅 레이어 및 마이크로렌즈를 차례로 형성하는 단계; 상기 오버코팅 레이어 플러그를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 오버코팅 레이어 플러그가 제거되는 타겟으로 에치백 공정을 실시하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
이미지센서, LTO막, 크랙(Crack), 필링(Peeling), 보호막, 플러그, 에치백.
Description
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 이미지센서의 패드 형성 공정을 도시한 단면도.
도 2는 어택이 발생한 마이크로렌즈를 도시한 사진.
도 3은 포토레지스트 패턴 제거를 위한 플라즈마 처리시의 어택과 이로 인한 LTO막의 필링 현상을 도시한 도면.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일실시 예에 따른 이미지센서의 패드 형성 공정을 도시한 단면도.
도 5는 도 4e의 공정에 해당하는 평면을 도시한 사진.
도 6은 도 4f의 공정에 해당하는 평면을 도시한 사진.
도 7 및 도 8은 도 4g의 공정 후의 평면을 도시한 사진.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
401 : 금속배선 402 : 식각정지막
403 : 산화막 404 : 질화막
407b : OCL1 408 : 칼라필터
409 : OCL2 410 : 마이크로렌즈
411a, 411b : 포토레지스트 패턴 412 : 금속 산화막
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 마이크로렌즈의 보호막으로 이용되는 LTO(Low Temperature Oxide)막 없이 패드 및 마이크로렌즈를 형성할 수 있는 이미지센서 제조 방법에 관한 것이다.
CMOS 이미지센서는 현재 모바일 폰(Mobile phone), PC(Personal Computer)용 카메라(Camera) 및 전자기기 등에서 광범위하게 사용되고 있는 디바이스(Device)이다. CMOS 이미지센서는 기존에 이미지센서로 사용되던 CCD(Charge Coupled Device)에 비해 구동방식이 간편하며, 신호 처리 회로(Signal Processing Circuit)를 한 칩에 집적할 수 있어서 SOC(System On Chip)이 가능하므로 모듈의 소형화를 가능하게 한다.
또한, 기존에 셋-업(Set-up)된 CMOS 기술을 호환성 있게 사용할 수 있으므로 제조 단가를 낮출 수 있는 등 많은 장점을 가지고 있다.
도 1a 내지 도 1d는 종래기술에 따른 이미지센서의 패드 형성 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 종래의 패드 형성 공정을 살펴본다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 포토다이오드 및 트랜지스터 등 이미지센서를 이루기 위한 여러 요소가 형성된 하부 구조(도시하지 않음) 상에 금속배선(101)을 형성한다.
금속배선(101)은 최종 금속배선으로 패드와 접속되며, 주로 Al 등의 금속을 이용한다. 금속배선(101) 형성시 그 상부에 식각정지막(102)도 같이 패터닝하며, 식각정지막(102)은 패드 접속을 위한 식각 공정에서 식각 정지를 위한 것으로, 질화막을 사용한다.
금속배선(101)이 형성된 프로파일을 따라 보호막을 이루는 산화막(103)과 질화막(104)을 차례로 형성한다.
보호막을 이루는 하부의 산화막(103)은 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; 이하 PECVD라 함) 방식을 이용한 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)막(이하 PE-TEOS막이라 함), USG(Un-doped Silicate Glass)막, FSG(Fluorine doped Silicate Glass)막 등을 포함하며, 질화막(104)은 Si3N4 또는 SiON 등을 포함한다.
보호막은 이렇게 산화막(103)과 질화막(104)이 적층된 구조 또는 하나의 막 구조를 포함할 수 있다.
질화막(104) 상에 패드 형성을 위한 포토레지스트 패턴(105)을 형성하며, ㅍ포토레지스트 패턴(105)은 패드 콘택이 이루어질 금속배선(102) 상부의 일부 영역을 오픈시킨다.
여기서, 'A' 영역은 패드 형성 영역을 나타내고, 'B' 영역은 단위 화소 영역을 나타낸다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(105)을 식각마스크로 질화막(104)을 식각하여 패드 형성 영역(106)을 정의한다. 이때, 산화막(103)의 일부 또는 전부를 식각할 수도 있다.
O2 플라즈마를 이용하는 애싱(Ashing) 공정을 통해 포토레지스트 패턴(105)을 제거한다.
이어서, 단위 화소 영역(B)에 제1오버코팅 레이어(107, Over Coating Layer; 이하 OCL1이라 함)와 칼라필터(108)와 제2오버코팅 레이어(109, 이하 OCL2라 함) 및 마이크로렌즈(110)를 형성한다.
OCL1(107)과 OCL2(109)는 각각 칼라필터(108)와 마이크로렌즈(109) 형성시 하지의 평탄도를 높이기 위한 것이다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 마이크로렌즈(110)가 형성된 전면에 LTO막(111)을 형성한다.
LTO막(111) 상에 패드 형성을 위한 포토레지스트 패턴(112)을 형성한다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(112)을 식각마스크로 LTO막(111)과 산화막(104) 및 식각정지막(102)을 식각하여 패드 콘택이 이루어질 금속배선(101)을 노출시키는 오픈부(113)를 형성한다.
O2 플라즈마를 이용하는 애싱 공정을 통해 포토레지스트 패턴(112)을 제거한 다. 후속으로는 오픈부(113)를 통해 패드 콘택 형성 공정을 실시할 것이다.
이미지센서 소자를 구현하기 위해서는 외부에서의 빛을 포토다이오드까지 집속하여 모아주는 수광(집광)부의 역할이 매우 중요하다. 수광부는 칼라필터 어레이(Color filter array)와 마이크로렌즈(Micro lens) 등으로 구성되어 있어서, 이들의 위로 물리적 또는 화학적으로 보호해 줄 수 있는 보호막이 필요하다.
일반적인 CMOS 이미지센서의 칼라필터 어레이와 마이크로렌즈를 형성한 후, 습기나 파티클(Particle) 및 약간의 열적 스트레스(Thermal stress) 등과 같은 외부의 어택(Attack)으로부터 칼라필터 어레이와 마이크로렌즈를 보호하기 위해 저온 증착에 의해 ML의 변형을 방지할 수 있는 LTO막(111)을 사용한다.
도 2는 어택이 발생한 마이크로렌즈를 도시한 사진이다.
도 2를 참조하면, 상기한 요인에 의해 'X'와 같이 마이크로렌즈에 어택이 발생한 것을 알 수 있다.
이러한 마이크로렌즈의 어택 방지를 위해 LTO막(111)의 사용이 불가피하다.
그러나, 도 1d에 도시된 바와 같이 마이크로렌즈(110)는 라운드(Round) 형태로 돌출된 모양을 나타내고 있으며, 이로 인해 LTO막(111) 증착시 스텝커버리지(Step coverage)의 영향으로 경계면 부위에 취약 포인트가 발생한다.
이에 따라 LTO막(111) 증착시 스텝커버리지는 약 1:1로 경계면에서 미약한 크랙(Crack)이 발생할 경우 포토레지스트 패턴(112) 제거를 위한 플라즈마 처리시의 플라즈마의 영향으로 인해 주로 PR 성분인 마이크로렌즈(110)와 OCL2(109)로의 O2 플라즈마가 유입된다.
도 3은 포토레지스트 패턴(112) 제거를 위한 플라즈마 처리시의 어택과 이로 인한 LTO막(111)의 필링(Peeling) 현상을 도시한 도면이다.
도 3의 (a)를 참조하면, LTO막(111) 증착시 스텝커버리지의 불량으로 LTO막(111)과 금속배선(101)의 경계면에서 미약한 크랙이 발생함에 따라, 포토레지스트 패턴(112) 제거를 위한 플라즈마 처리시 O2 플라즈마에 의한 어택이 발생하는 부분(Y)을 나타낸다.
도 3의 (b)는 O2 플라즈마에 의한 어택에 의해 질화막(104)과 LTO막(111) 공간이 발생하고, 후속 패키지(Package) 공정에서 이 공간을 통해 LTO막(111)의 필링이 발생한 것을 나타낸다.
아울러, 0.13㎛ 이하의 선폭을 갖는 CMOS 이미지센서에서는 마이크로렌즈로부터 포토다이오드 까지의 빛의 경로를 줄이기 위한 노력이 더욱 절실해 지고 있는 바, LTO막의 존재는 빛의 경로를 늘리는 역할을 하기 때문에 LTO막을 생략할 수 있는 공정 방법이 필요한 실정이다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 마이크로렌즈용 보호막 사용을 생략할 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 수광영역인 제1영역과 패드 형성 영역인 제2영역을 포함하는 이미지센서의 제조 방법에 있어서, 포토다이오드를 포함한 하부 구조 상의 상기 제1영역에 금속배선을 형성하는 단계; 상기 금속배선이 형성된 프로파일을 따라 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 패드 콘택이 이루어질 상기 금속배선을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계; 상기 제1영역에 제1오버코팅 레이어를 형성하면서, 상기 제2영역의 상기 오픈부에 오버코팅 레이어 플러그를 형성하는 단계; 상기 제1영역의 상기 제1오버코팅 레이어 상에 칼라필터와 제2오버코팅 레이어 및 마이크로렌즈를 차례로 형성하는 단계; 상기 오버코팅 레이어 플러그를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 오버코팅 레이어 플러그가 제거되는 타겟으로 에치백 공정을 실시하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 수광영역인 제1영역과 패드 형성 영역인 제2영역을 포함하는 이미지센서의 제조 방법에 있어서, 포토다이오드를 포함한 하부 구조 상의 상기 제1영역에 금속배선을 형성하는 단계; 상기 금속배선이 형성된 프로파일을 따라 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막을 선택적으로 식각하여 패드 콘택이 이루어질 상기 금속배선을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계; 상기 제1영역의 보호막 상에 칼라필터를 형성하면서, 상기 칼라필터 중 가장 먼저 형성하는 칼라 형성시 상기 제2영역의 상기 오픈부에 칼라필터 플러그를 형성 하는 단계; 상기 제1영역의 상기 칼라필터 상에 오버코팅 레이어와 마이크로렌즈를 차례로 형성하는 단계; 상기 칼라필터 플러그를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 칼라필터 플러그가 제거되는 타겟으로 에치백 공정을 실시하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 칼라필터 공정 진행 전에 패드 형성 영역을 완전히 오픈한 후, OCL1 공정에서 선택적으로 패터닝하여 오픈된 금속배선 상에 오가닉(Organic) 계열인 OCL 플러그를 형성한다.
OCL 플러그는 칼라필터와 OCL2 및 마이크로렌즈 형성 공정시 알칼리 계열의 현상액(Developer)과 금속배선이 접촉하는 것을 방지하는 일종의 버퍼(Buffer) 역할을 한다.
패드 형성을 위한 포토레지스트 패턴 형성시 그 두께를 종래에 비해 두껍게 한 다음, OCL 플러그가 제거되는 타겟으로 에치백 공정을 실시한다. 에치백 공정 후 남은 포토레지스트 패턴을 이용하여 잔류 OCL 플러그를 제거한다. 이어서, 포토레지스트 패턴을 제거한다.
노출된 금속배선은 에치백 및 애싱 공정에서의 O2 플라즈마에 의해 그 표면에 금속산화막이 형성되므로, 금속배선이 보호된다.
따라서, 본 발명은 마이크로렌즈의 어택을 방지하면서도 보호막인 LTO막을 생략할 수 있고, 이로 인해 LTO막의 필링 현상을 방지할 뿐만아니라, LTO막으로 인해 초점거리의 증가를 방지할 수 있도록 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 일실시 예에 따른 이미지센서의 패드 형성 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 본 발명의 패드 형성 공정을 살펴본다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 포토다이오드 및 트랜지스터 등 이미지센서를 이루기 위한 여러 요소가 형성된 하부 구조(도시하지 않음) 상에 금속배선(401)을 형성한다.
금속배선(401)은 최종 금속배선으로 패드와 접속되며, 주로 Al 등의 금속을 이용한다. 금속배선(401) 형성시 그 상부에 식각정지막(402)도 같이 패터닝하며, 식각정지막(402)은 패드 접속을 위한 식각 공정에서 식각 정지를 위한 것으로, 질화막을 사용한다.
금속배선(401)이 형성된 프로파일을 따라 보호막을 이루는 산화막(403)과 질화막(404)을 차례로 형성한다.
보호막을 이루는 하부의 산화막(403)은 PE-TEOS막, USG막, FSG막 등을 포함하며, 질화막(404)은 Si3N4 또는 SiON 등을 포함한다.
보호막은 이렇게 산화막(403)과 질화막(404)이 적층된 구조 또는 하나의 막 구조를 포함할 수 있다.
질화막(404) 상에 패드 형성을 위한 포토레지스트 패턴(405)을 형성한다.
여기서, 'A' 영역은 패드 형성 영역을 나타내고, 'B' 영역은 단위 화소 영역을 나타낸다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(405)을 식각마스크로 질화막(404)과 산화막(403) 및 식각정지막(402)을 식각하여 패드 형성 영역을 정의하는 오픈부(406)를 형성한다.
O2 플라즈마를 이용하는 애싱 공정을 통해 포토레지스트 패턴(405)을 제거한 다음, 세정 공정을 실시한다.
도 4c에 도시된 바와 같이, OCL1을 도포한 다음, 선택적 패터닝 공정을 실시하여 화소 영역(B)에서는 칼라필터 형성 영역에 '407b'와 같이 형성되도록 하고, 패드 형성 영역(A)에서는 오픈부(406)를 덮는 OCL 플러그(407a)가 형성되도록 한다.
OCL1은 네가티브 PR로서 이후 칼라필터, OCL2 및 마이크로렌즈 형성을 위한 현상 공정에서 사용되는 알칼리 계열의 현상액 예컨대, TMAH에 의한 식각 및 데미지를 받지 않으므로, 오픈부(406) 형성을 통해 드러난 금속배선(402)을 보호한다.
따라서, 데미지를 받은 금속배선(402)의 그레인 사이에 칼라필터 및 마이크로렌즈용 PR이 침투하는 것이 방지된다. OCL1은 1000Å ∼ 20000Å의 두께로 형성 하는 것이 바람직하다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 단위 화소 영역(B)에 칼라필터(408)와 제2오버코팅 레이어(409, 이하 OCL2라 함) 및 마이크로렌즈(410)를 형성한다.
칼라필터(408)는 RGB 또는 YMgCy의 구성을 포함할 수 있으며, 마이크로렌즈(410)는 PR의 도포와 현상 및 베이킹 공정을 통해 형성한다.
한편, OCL1(407b) 형성 공정이 생략될 경우에는 칼라필터(408)의 칼라 중 가장 먼저 형성하는 칼라의 필터 형성시 OCL 플러그(407a)를 형성할 수 있다.
도 4e에 도시된 바와 같이, 패드 형성 영역을 'C'와 같이 넓게 오픈시키는 포토레지스트 패턴(411)을 형성한다.
포토레지스트 패턴(411)은 OCL 플러그(407a)를 모두 노출시키도록 하고, 그 두께 또한 OCL 플러그(407a) 제거를 위한 에치백 공정 후에도 마이크로렌즈(410)를 충분히 마스킹할 수 있을 정도로 두껍게 형성한다. 또한, 포토레지스트 패턴(411)은 포지티브 PR 재작업(Rework)용 솔벤트(Solvent)에 의해 잘 제거되어야 한다.
도 5는 도 4e의 공정에 해당하는 평면을 도시한 사진이다.
도 5를 참조하면, '①'은 패드 형성 영역을 나타내고, '②'는 마이크로렌즈 형성 영역을 나타낸다. 도 5에서는 화살표 방향으로 '①'의 패드 형성 영역을 점차 확대한 것이다.
도 4f에 도시된 바와 같이, O2 플라즈마를 이용한 에치백 공정을 실시하여 OCL 플러그(407a)를 제거한다.
이때, 포토레지스트 패턴(411)도 도면부호 '411b'와 같이 그 일부가 제거되고, 도면부호 '411a'와 같이 남는다.
에치백 시 사용된 O2 플라즈마에 의해 OCL 플러그(407a)가 제거된 금속배선(401)의 노출부는 금속과 O2의 반응에 의한 금속 산화막(412) 예컨대, 금속배선(401)이 Al일 경우 Al2O3가 형성된다.
에치백시 플라즈마 소스로는 O2 이외에 N2 또는 He에 한해 사용할 수 있다.
100℃ 이상의 플라즈마 소스는 PR의 경화를 유발할 수 있으므로, 플라즈마 에처(Etcher)의 온도는 -20℃ ∼ 100℃로 하는 것이 바람직하다.
도 6은 도 4f의 공정에 해당하는 평면을 도시한 사진이다.
도 6을 참조하면, '①'은 패드 형성 영역을 나타내고, '②'는 마이크로렌즈 형성 영역을 나타낸다. 도 6에서는 화살표 방향으로 '①'의 패드 형성 영역을 점차 확대한 것이다.
'P'는 O2 플라즈마에 의한 Al 계열의 폴리머가 약간 남아 있는 것을 나타내며, 'Q'는 OCL 플러그(407a)가 완전히 제거되고 금속배선(401)이 다시 드러난 상태를 나타낸다.
도 4g에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(411a)을 마스크로 잔류하는 OCL 플러그(407a)를 제거한 다음, 티너 PR 스트리퍼(Thinner PR striper)를 이용하여 포토레지스트 패턴(411a)을 제거한다.
이때, OCL 플러그(407a)의 제거공정은 CF4, CHF3 등의 일반 에천트(Etchant)를 사용하는 플라즈마 식각의 경우 PR 자체의 데미지 및 경화 그리고, 발생된 식각 폴리머로 인해 포지티브 PR의 티너 PR 스트리퍼로는 제거가 되지 않기 때문에 O2 플라즈마 에치백을 사용한다. O2 플라즈마 에치백의 경우 포토레지스트 패턴(411a)의 데미지 및 경화를 유발하지 않기 때문에 OCL 플러그(407a)가 제거되는 동시에 도 4g에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(411a) 또한 OCL 플러그(407a)의 두께만큼 제거된다.
이때, OCL 플러그(407a)의 제거공정은 CF4, CHF3 등의 일반 에천트(Etchant)를 사용하는 플라즈마 식각의 경우 PR 자체의 데미지 및 경화 그리고, 발생된 식각 폴리머로 인해 포지티브 PR의 티너 PR 스트리퍼로는 제거가 되지 않기 때문에 O2 플라즈마 에치백을 사용한다. O2 플라즈마 에치백의 경우 포토레지스트 패턴(411a)의 데미지 및 경화를 유발하지 않기 때문에 OCL 플러그(407a)가 제거되는 동시에 도 4g에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(411a) 또한 OCL 플러그(407a)의 두께만큼 제거된다.
삭제
한편, 포토레지스트 패턴(411a) 제거공정은 티너 솔벤트(Thinner solvent) 처리를 실시한다. 이때, 마이크로렌즈(410)와 OCL2(409)는 통상적으로 네가티브 PR로 경화가 된 상태이므로 제거되지 않으며 데미지 또한 발생하지 않는다. 따라서, 포토레지스트 패턴(411a)에 대한 선택적인 제거가 가능하게 된다.
이어서, 세정 공정을 실시하여 금속 산화막(412) 등을 제거한다. 세정 공정에서는 초산 또는 2.3%의 TMAH를 사용한다.
후속으로는 오픈부(113)를 통해 패드 콘택 형성 공정을 실시할 것이다.
도 7 및 도 8은 도 4g의 공정 후의 평면 사진을 도시한다.
도 7은 패드 형성 영역을 나타내는 바, 공정 진행 후 가장 우측에서 정상적인 패드가 형성되는 것을 확인할 수 있다.
도 8은 마이크로렌즈(ML)가 형성되는 단위 화소 영역을 나타내는 바, 티너 스트립에 의해 포토레지스트 패턴(411a)이 제거되며, LTO막 없이도 단위 화소 영역에서 마이크로렌즈의 데미지 없이 패드 패터닝이 가능함을 확인할 수 있다.
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 마이크로렌즈용 보호막인 LTO막을 형성하지 않고 마이크로렌즈의 데미지 없이 패드 콘택 공정을 이룰 수 있어, LTO막의 필링에 의한 불량 발생과 LTO막으로 인한 빛의 경로 증가를 방지할 수 있음을 실시예를 통해 알아보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 상기한 본 발명의 실시예에서는 CMOS 이미지센서를 그 예로 하였으나, 이외에도 수광부와 마이크로렌즈를 갖는 모든 이미지센서에도 적용이 가능하다.
상술한 본 발명은, 이미지센서의 불량 발생을 줄이고 수광 효율을 높여, 수율 및 성능을 높이는 효과가 있다.
Claims (20)
- 수광영역인 제1영역과 패드 형성 영역인 제2영역을 포함하는 이미지센서의 제조 방법에 있어서,포토다이오드를 포함한 하부 구조 상의 상기 제1영역에 금속배선을 형성하는 단계;상기 금속배선이 형성된 프로파일을 따라 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막을 선택적으로 식각하여 패드 콘택이 이루어질 상기 금속배선을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계;상기 제1영역에 제1오버코팅 레이어를 형성하면서, 상기 제2영역의 상기 오픈부에 오버코팅 레이어 플러그를 형성하는 단계;상기 제1영역의 상기 제1오버코팅 레이어 상에 칼라필터와 제2오버코팅 레이어 및 마이크로렌즈를 차례로 형성하는 단계;상기 오버코팅 레이어 플러그를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 오버코팅 레이어 플러그가 제거되는 타겟으로 에치백 공정을 실시하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서,상기 에치백 공정 후 잔류하는 두께가 상기 마이크로렌즈를 충분히 마스킹할 수 있을 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 에치백하는 단계에서 플라즈마 방식을 이용하며, 상기 플라즈마 소스의 온도를 -20℃ 내지 100℃의 온도로 하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계에서,포지티브 PR 티너 재작업용 티너 솔벤트 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 플라즈마 소스로 O2를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 에치백 공정시 상기 오버코팅 레이어 플러그가 제거된 금속배선 상부에 금속 산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 플라즈마 소스로 He 또는 N2를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제1오버코팅 레이어를 1000Å 내지 20000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계 후, 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 세정하는 단계에서, 초산 또는 2.3%의 TMAH를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 보호막은 산화막과 질화막의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 수광영역인 제1영역과 패드 형성 영역인 제2영역을 포함하는 이미지센서의 제조 방법에 있어서,포토다이오드를 포함한 하부 구조 상의 상기 제1영역에 금속배선을 형성하는 단계;상기 금속배선이 형성된 프로파일을 따라 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막을 선택적으로 식각하여 패드 콘택이 이루어질 상기 금속배선을 노출시키는 오픈부를 형성하는 단계;상기 제1영역의 보호막 상에 칼라필터를 형성하면서, 상기 칼라필터 중 가장 먼저 형성하는 칼라 형성시 상기 제2영역의 상기 오픈부에 칼라필터 플러그를 형성하는 단계;상기 제1영역의 상기 칼라필터 상에 오버코팅 레이어와 마이크로렌즈를 차례로 형성하는 단계;상기 칼라필터 플러그를 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 칼라필터 플러그가 제거되는 타겟으로 에치백 공정을 실시하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계에서,상기 에치백 공정 후 잔류하는 두께가 상기 마이크로렌즈를 충분히 마스킹할 수 있을 정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 에치백하는 단계에서 플라즈마 방식을 이용하며, 상기 플라즈마 소스의 온도를 -20℃ 내지 100℃의 온도로 하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계에서,포지티브 PR 티너 재작업용 티너 솔벤트 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 플라즈마 소스로 O2를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 에치백 공정시 상기 칼라필터 플러그가 제거된 금속배선 상부에 금속 산화막이 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 플라즈마 소스로 He 또는 N2를 사용하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
- 삭제
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