JP5265098B2 - Ｌｔｏ保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、イメージセンサに関し、特に、マイクロレンズの保護膜として用いられるＬＴＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜なしで、パッド及びマイクロレンズを形成できるイメージセンサの製造方法に関する。
ＣＭＯＳイメージセンサは、現在、モバイルフォン、ＰＣ用カメラ及び電子機器などに幅広く用いられているデバイスである。ＣＭＯＳイメージセンサは、従来、イメージセンサとして用いられていたＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）に比べて、駆動方式が簡便化されており、かつ信号処理回路をワンチップ上に集積できることから、ＳＯＣ（Ｓｙｓｔｅｍ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）が可能なため、モジュールの小型化を可能にする。
また、従来のセットアップされたＣＭＯＳ技術として互換性を持たせて使用できるため、製造単価を下げることができる等、多くの長所を持っている。
図１Ａ〜図１Ｄは、従来の技術に係るイメージセンサのパッドの形成工程を示す断面図であって、これを参照しつつ、従来のパッドの形成工程を説明する。
図１Ａに示すように、フォトダイオード及びトランジスタなど、イメージセンサを構成するための様々な要素が形成された下部構造（図示せず）上に金属配線１０１を形成する。
前記金属配線１０１は、最終の金属配線であって、パッドと接続され、主にＡｌなどの金属を利用する。金属配線１０１の形成時に、その上にエッチング停止膜１０２も共にパターニングし、エッチング停止膜１０２は、パッドの接続のためのエッチング工程におけるエッチング停止のためのものであって、窒化膜を用いる。
金属配線１０１が形成されたプロファイルに沿って、保護膜となる酸化膜１０３及び窒化膜１０４を順に形成する。
保護膜として形成された下部の酸化膜１０３は、プラズマ化学気相蒸着（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；以下、「ＰＥＣＶＤ」と記す）法を利用したＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜（以下、「ＰＥ−ＴＥＯＳ」膜と記す）、ＵＳＧ（Ｕｎ−ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、ＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ ｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜などを含み、窒化膜１０４は、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯＮなどを含む。
このように、保護膜は、酸化膜１０３及び窒化膜１０４が積層された構造、又は１つの膜構造を備えることができる。
窒化膜１０４上にパッドを形成するためのフォトレジストパターン１０５を形成し、フォトレジストパターン１０５は、パッドコンタクトが形成される金属配線１０１上の一部の領域をオープンさせる。
ここで、「Ａ」領域は、パッドの形成領域を示し、「Ｂ」領域は、単位画素領域を示す。
図１Ｂに示すように、フォトレジストパターン１０５をエッチングマスクとして窒化膜１０４をエッチングし、パッドの形成領域１０６を画定する。この時、酸化膜１０３の一部又は全てをエッチングすることもできる。
Ｏ２プラズマを用いたアッシングを介して、フォトレジストパターン１０５を除去する。
次に、単位画素領域Ｂに第１のオーバーコート層１０７（Ｏｖｅｒ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ；以下、「ＯＣＬ１」と記す）と、カラーフィルタ１０８と第２のオーバーコート層１０９（以下、「ＯＣＬ２」と記す）及びマイクロレンズ１１０を形成する。
ＯＣＬ１１０７及びＯＣＬ２１０９は、それぞれカラーフィルタ１０８及びマイクロレンズ１１０を形成する際、下地の平坦度を高めるためのものである。
図１Ｃに示すように、マイクロレンズ１１０が形成された後、全面にわたってＬＴＯ膜１１１を形成する。
ＬＴＯ膜１１１上に、パッドを形成するためのフォトレジストパターン１１２を形成する。
図１Ｄに示すように、フォトレジストパターン１１２をエッチングマスクとして、ＬＴＯ膜１１１、酸化膜１０３及びエッチング停止膜１０２をエッチングすることにより、パッドコンタクトが形成される金属配線１０１が露出するようオープン部１１３を形成する。
Ｏ２プラズマを用いたアッシングを介して、フォトレジストパターン１１２を除去する。後続の工程では、オープン部１１３を介してパッドコンタクトの形成工程を行う。
イメージセンサ素子を具現するためには、外部からの光をフォトダイオードまで集束させる受光（集光）部の役割が極めて重要である。受光部は、カラーフィルタアレイ及びマイクロレンズなどから構成されていることから、これらの上には、物理的又は化学的に保護できる保護膜が必要となる。
通常のＣＭＯＳイメージセンサのカラーフィルタアレイ及びマイクロレンズを形成した後、湿気やパーティクル及び多少の熱的ストレスのような外部のアタックから、カラーフィルタアレイ及びマイクロレンズを保護するために、低温蒸着によるＭＬの変形を防止できるＬＴＯ膜１１１を用いている。
図２は、アタックが発生したマイクロレンズを示す写真である。
同図に示すように、上記の要因により、マイクロレンズに「Ｘ」のようなアタックが発生したことが分かる。
このようなマイクロレンズのアタックを防止するためには、ＬＴＯ膜１１１の使用が必須である。
しかしながら、図１Ｄに示すように、マイクロレンズ１１０は、ラウンド状に突出しており、これにより、ＬＴＯ膜１１１の蒸着の際のステップカバレッジ（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）の影響により、境界面の部位には弱い部分が発生する。
ステップカバレッジが良くないＬＴＯ膜１１１は、屈曲のある境界面での蒸着厚が薄い。薄い厚さによりストレスに脆弱になり、亀裂が発生し易い。境界面において僅かな亀裂が発生する場合、フォトレジストパターン１１２の除去のためのプラズマ処理時におけるプラズマの影響により、主にＰＲ成分であるＯ２プラズマが、マイクロレンズ１１０とＯＣＬ２１０９へ流入する。
図３Ａ及び図３Ｂは、フォトレジストパターン１１２を除去するためのプラズマ処理時のアタックと、これによるＬＴＯ膜１１１のピーリング現象とを示す図である。
図３Ａに示すように、図面符号「Ｙ」は、ＬＴＯ膜１１１を蒸着する際のステップカバレッジの不良により、ＬＴＯ膜１１１と金属配線１０１との境界面に僅かな亀裂が発生することから、フォトレジストパターン１１２を除去するためのプラズマ処理の際のＯ２プラズマによりアタックが発生する部分を示す。
図３Ｂは、Ｏ２プラズマにより発生したアタックにより、窒化膜１０４とＬＴＯ膜１１１との間に空間が生じ、後続のパッケージ工程において、この空間によってＬＴＯ膜１１１のピーリング現象が発生したことを示している。
なお、０．１３μｍ以下の線幅を持つＣＭＯＳイメージセンサにおいては、マイクロレンズからフォトダイオードまでの光の経路を短くするためのさらなる努力が必要であるが、ＬＴＯ膜の存在は、光の経路を長くする機能を持っているため、ＬＴＯ膜を省略することができる工程方法を必要としているというのが現状である。
本発明は、上記の従来の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、マイクロレンズ用保護膜の使用を省略できるイメージセンサの製造方法を提供することにある。
上記課題を達成すべく、本発明に係るイメージセンサの製造方法によれば、受光領域である第１の領域及びパッドの形成領域である第２の領域を含み、フォトダイオードを含む下部構造上の前記第１の領域に金属配線を形成するステップと、前記金属配線が形成されたプロファイルに沿って保護膜を形成するステップと、前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、前記第１の領域に第１のオーバーコート層を形成し、かつ、前記第２の領域の前記オープン部にオーバーコート層プラグを形成するステップと、前記第１の領域の前記第１のオーバーコート層上にカラーフィルタ、第２のオーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、前記オーバーコート層プラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、前記オーバーコート層プラグを除去するため、エッチバック工程を行うステップと、前記フォトレジストパターンを除去するステップとを含む。
また、本発明に係るイメージセンサの製造方法によれば、受光領域である第１の領域及びパッドの形成領域である第２の領域を含み、フォトダイオードを含む下部構造上の前記第１の領域に金属配線を形成するステップと、前記金属配線が形成されたプロファイルに沿って保護膜を形成するステップと、前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、前記第１の領域の保護膜上にカラーフィルタを形成し、かつ前記カラーフィルタのうち、最も先に形成するカラーの形成の際、前記第２の領域の前記オープン部にカラーフィルタプラグを形成するステップと、前記第１の領域の前記カラーフィルタ上に、オーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、前記カラーフィルタプラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、前記カラーフィルタプラグを除去するために、エッチバック工程を行うステップと、前記フォトレジストパターンを除去するステップとを含む。
本発明は、カラーフィルタを形成する工程に進む前に、パッドの形成領域を完全にオープンさせた後、ＯＣＬ１の形成工程における選択的なパターニングにより、オープンされた金属配線上に有機系のＯＣＬプラグを形成する。
ＯＣＬプラグは、カラーフィルタ、ＯＣＬ２及びマイクロレンズの形成工程の際、アルカリ系の現像液と金属配線とが接触するのを防止する一種のバッファの機能を果たす。
パッドの形成のためのフォトレジストパターンを形成する際、その厚さを従来に比べて厚くした後、ＯＣＬプラグを除去するため、エッチバック工程を行う。エッチバック工程後に残ったフォトレジストパターンを利用し、残留ＯＣＬプラグを除去する。次に、フォトレジストパターンを除去する。
露出した金属配線は、エッチバック及びアッシングにおけるＯ２プラズマにより、その表面に金属酸化膜が形成されるため、金属配線が保護される。
したがって、本発明は、マイクロレンズのアタックを防止するとともに、保護膜であるＬＴＯ膜を省略でき、これにより、ＬＴＯ膜のピーリング現象を防止し、さらにＬＴＯ膜により焦点の距離の増加を防止できる。
本発明によれば、イメージセンサの不良発生を低減し、受光効率を上げることにより、歩留まり及び性能を高めるという効果がある。
以下、本発明の最も好ましい実施の形態を、添付する図面を参照しながら説明する。
図４Ａ〜図４Ｇは、本発明の一実施の形態に係るイメージセンサのパッドの形成工程を示す断面図であって、これを参照し、本発明に係るパッドの形成工程を説明する。
図４Ａに示すように、フォトダイオード及びトランジスタなど、イメージセンサを構成するための様々な要素が形成された下部構造（図示せず）上に金属配線４０１を形成する。
前記金属配線４０１は、最終の金属配線であって、パッドと接続し、主にＡｌなどの金属を用いる。金属配線４０１の形成時に、その上にエッチング停止膜４０２も共にパターンニングし、エッチング停止膜４０２は、パッドの接続のためのエッチング工程におけるエッチングを停止するためのものであって、窒化膜を用いる。
金属配線４０１が形成されたプロファイルに沿って、保護膜となる酸化膜４０３及び窒化膜４０４を順に形成する。
保護膜となる下部の酸化膜４０３は、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜、ＵＳＧ膜、ＦＳＧ膜などを含み、窒化膜４０４は、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯＮなどを含む。
保護膜は、上記の酸化膜４０３及び窒化膜４０４がそれぞれ積層された構造、又は１つの膜構造を含むことができる。
窒化膜４０４上に、パッドの形成のためのフォトレジストパターン４０５を形成する。
ここで、「Ａ」領域は、パッドの形成領域を示し、「Ｂ」領域は、単位画素領域を示す。
図４Ｂに示すように、フォトレジストパターン４０５をエッチングマスクとして、窒化膜４０４、酸化膜４０３及びエッチング停止膜４０２をエッチングすることにより、パッドの形成領域を画定するオープン部４０６を形成する。
Ｏ２プラズマを用いるアッシングを介してフォトレジストパターン４０５を除去した後、洗浄を行う。
図４Ｃに示すように、ＯＣＬ１を塗布した後、選択的なパターンニング工程を行うことにより、画素領域Ｂでは、カラーフィルタの形成領域に「４０７Ｂ」のように形成させ、パッドの形成領域Ａでは、オープン部４０６を覆うＯＣＬプラグ４０７Ａを形成させる。
ＯＣＬ１は、ネガティブＰＲであって、後にカラーフィルタ、ＯＣＬ２及びマイクロレンズを形成するための現像工程において用いられるアルカリ系の現像液、例えば、ＴＭＡＨによるエッチング及び損傷を受けないため、オープン部４０６の形成により露出した金属配線４０１を保護する。
したがって、損傷を受けた金属配線４０１の結晶粒の間に、カラーフィルタ及びマイクロレンズ用ＰＲが侵入することが防止される。ＯＣＬ１は、１０００Å〜２００００Åの範囲の厚さに形成することが好ましい。
図４Ｄに示すように、単位画素領域Ｂにカラーフィルタ４０８、第２のオーバーコート層４０９（以下、「ＯＣＬ２」と記す）及びマイクロレンズ４１０を形成する。
カラーフィルタ４０８は、ＲＧＢ又はＹＭｇＣｙの構成を含むことができ、マイクロレンズ４１０は、ＰＲの塗布、現像及び焼きなまし工程により形成する。
一方、ＯＣＬ１ ４０７Ｂの形成工程を省略する場合には、カラーフィルタ４０８のカラーのうち、最初に形成するカラーフィルタを形成する際、オープン部４０６上にカラーフィルタプラグを形成することができる。カラーフィルタプラグは、ＯＣＬプラグ４０７Ａの役割を果たす。
図４Ｅに示すように、パッドの形成領域を「Ｃ」のように広くオープンさせたフォトレジストパターン４１１を形成する。
フォトレジストパターン４１１は、ＯＣＬプラグ４０７Ａを全て露出させ、その厚さも、ＯＣＬプラグ４０７Ａを除去するためのエッチバック工程後にも、マイクロレンズ４１０を十分にマスキングできる程度に厚く形成する。また、フォトレジストパターン４１１は、ポジティブＰＲ再作業用ソルベントにより、充分に除去しなければならない。
図４Ｆに示すように、Ｏ２プラズマを用いたエッチバック工程を行うことにより、ＯＣＬプラグ４０７Ａを除去する。
このとき、フォトレジストパターン４１１も、図面符号「４１１Ｂ」のようにその一部が除去され、図面符号「４１１Ａ」のように残る。
エッチバックの際に用いられたＯ２プラズマにより、ＯＣＬプラグ４０７Ａが除去された金属配線４０１の露出部は、金属とＯ２との反応による金属酸化膜４１２、例えば、金属配線４０１がＡｌの場合、Ａｌ２Ｏ３が形成される。
エッチバックの際のプラズマソースには、Ｏ２の他、Ｎ２又はＨｅに限って用いることができる。
１００℃以上のプラズマソースは、ＰＲの硬化を引き起こす恐れがあるため、プラズマエッチャーの温度は、−２０℃〜１００℃の範囲にすることが好ましい。
図４Ｇに示すように、Ｏ２プラズマを用いたエッチバック工程の際に金属配線４０１上に発生したアルミニウム系金属ポリマーを弱塩基や弱酸のケミカルを用いて除去した後、シンナーＰＲストリッパー（Ｔｈｉｎｎｅｒ ＰＲ ｓｔｒｉｐｐｅｒ）を利用してフォトレジストパターン４１１Ａを除去する。ここで、フォトレジストパターン４１１Ａの除去工程は、ポリマーを除去する前、または後に行うことができる。
ＣＦ４、ＣＨＦ３などの一般エッチング液（Ｅｔｃｈａｎｔ）を用いるプラズマエッチングの場合、ＰＲそのもののダメージ及び硬化、そして発生したエッチングポリマーにより、ポジティブＰＲのシンナーＰＲストリッパーでは除去されない。しかし、Ｏ２プラズマエッチバックの場合、フォトレジストパターン４１１Ａのダメージ及び硬化を引き起こさない。
一方、マイクロレンズ４１０とＯＣＬ２ ４０９は、硬化した状態であるから除去されず、ダメージも発生しない。次に、シンナーソルベント処理を行うことによって、フォトレジストパターン４１１Ａに対する選択的な除去が可能となる。
次に、洗浄工程を行って金属酸化膜４１２などを除去する。洗浄工程では、酢酸又は２．３％のＴＭＡＨを用いる。
後続の工程では、オープン部４０６を介してパッドコンタクトの形成工程を行う。
図５は、図４Ｅの工程に該当する平面を示す写真である。
同図に示すように、「１」はパッドの形成領域を示し、「２」はマイクロレンズの形成領域を示す。同図は、「１」のパッドの形成領域を矢印方向に順次拡大したものである。
図６は、図４Ｆの工程に該当する平面を示す写真である。
同図に示すように、「１」はパッドの形成領域を示し、「２」はマイクロレンズ形成領域を示す。同図では、「１」のパッドの形成領域を矢印方向に順次拡大したものである。
「Ｐ」は、Ｏ２プラズマによるＡｌ系のポリマーが少し残っていることを示し、「Ｑ」は、ＯＣＬプラグ４０７Ａが完全に除去され、金属配線４０１が再び露出した状態を示す。
図７及び図８は、図４Ｇの工程後の平面写真を示す。
図７は、パッドの形成領域を示すものであって、工程の完了後に、最も右側に正常的なパッドが形成されることが確認できる。
図８は、マイクロレンズＭＬが形成される単位画素領域を示すものであって、シンナーストリップによりフォトレジストパターン４１１Ａが除去され、ＬＴＯ膜がなくても、単位画素領域におけるマイクロレンズへのダメージなしでパッドパターニングが可能であることが確認できる。
上述のように構成される本発明は、マイクロレンズ用保護膜であるＬＴＯ膜を形成せず、マイクロレンズのダメージなしにパッドコンタクト工程を行うことができることから、ＬＴＯ膜のピーリングによる不良の発生及びＬＴＯ膜による光の経路の増加を防止できることを実施の形態を通じて確認した。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想の範囲から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
例えば、上記の本発明の実施の形態では、ＣＭＯＳイメージセンサを例に取り上げたが、その他にも受光部やマイクロレンズを有する全てのイメージセンサにも適用可能である。
４０１ 金属配線
４０２ エッチング停止膜
４０３ 酸化膜
４０４ 窒化膜
４０７Ｂ ＯＣＬ１
４０８ カラーフィルタ
４０９ ＯＣＬ２
４１０ マイクロレンズ
４１１Ａ，４１１Ｂ フォトレジストパターン
４１２ 金属酸化膜
４０２ エッチング停止膜
４０３ 酸化膜
４０４ 窒化膜
４０７Ｂ ＯＣＬ１
４０８ カラーフィルタ
４０９ ＯＣＬ２
４１０ マイクロレンズ
４１１Ａ，４１１Ｂ フォトレジストパターン
４１２ 金属酸化膜
Claims (18)
- 受光領域である第１の領域及びパッドの形成領域である第２の領域を含むイメージセンサの製造方法において、
フォトダイオードを含む下部構造上の前記第２の領域に金属配線を形成するステップと、
前記金属配線が形成された前記下部構造上に保護膜を形成するステップと、
前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、
選択的パターニングにより、前記第１の領域に第１のオーバーコート層を形成し、かつ、前記第２の領域の前記オープン部にオーバーコート層プラグを前記第１のオーバーコート層とは分離して形成するステップと、
前記第１の領域の前記第１のオーバーコート層上にカラーフィルタ、第２のオーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、
前記オーバーコート層プラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記オーバーコート層プラグを除去するため、エッチバック工程を行うステップと、
前記フォトレジストパターンを除去するステップと、
を含む、イメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、
前記エッチバック工程後に残留する厚さが、前記マイクロレンズを十分にマスキングできる程度の厚さに形成されることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックするステップにおいて、
プラズマ方式を利用して、該プラズマソースの温度を−２０℃〜１００℃の範囲の温度にすることを特徴とする請求項１又は２に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを除去するステップにおいて、
ポジティブフォトレジストの再処理において使用される溶剤によって前記フォトレジストパターンを除去することを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記プラズマソースとしてＯ２が用いられることを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エッチバック工程の際、前記オーバーコート層プラグが除去された金属配線の上に金属酸化膜が形成されることを特徴とする請求項５に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記プラズマソースとしてＨｅ又はＮ２が用いられることを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第１のオーバーコート層が、１０００Å〜２００００Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトレジストパターンを除去するステップの後に、洗浄するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記洗浄するステップにおいて、酢酸又は２．３％のＴＭＡＨが用いられることを特徴とする請求項９に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記保護膜が、酸化膜と窒化膜との積層構造であることを特徴とする請求項１又は２に記載のイメージセンサの製造方法。
- 受光領域である第１の領域及びパッドの形成領域である第２の領域を含むイメージセンサの製造方法において、
フォトダイオードを含む下部構造上の前記第２の領域に金属配線を形成するステップと、
前記金属配線が形成された前記下部構造上に保護膜を形成するステップと、
前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、
前記第１の領域の保護膜上にカラーフィルタを形成し、かつ前記カラーフィルタのうち、最も先に形成するカラーの形成の際、選択的パターニングにより、該形成されるカラーとは分離して前記第２の領域の前記オープン部にカラーフィルタプラグを形成するステップと、
前記第１の領域の前記カラーフィルタ上に、オーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、
前記カラーフィルタプラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記カラーフィルタプラグを除去するために、エッチバック工程を行うステップと、
前記フォトレジストパターンを除去するステップと、
を含む、イメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、
前記エッチバック工程後に残留する厚さが、前記マイクロレンズを十分にマスキングできる程度の厚さに形成されることを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックするステップにおいて、
プラズマ方式を利用し、該プラズマソースの温度を−２０℃〜１００℃の範囲の温度にすることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを除去するステップにおいて、
ポジティブフォトレジストの再処理において使用される溶剤によって前記フォトレジストパターンを除去することを特徴とする請求項１４に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記プラズマソースとしてＯ２が用いられることを特徴とする請求項１４に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エッチバック工程の際、前記カラーフィルタプラグが除去された金属配線の上に、金属酸化膜が形成されることを特徴とする請求項１６に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記プラズマソースとしてＨｅ又はＮ２が用いられることを特徴とする請求項１４に記載のイメージセンサの製造方法。
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