KR100749365B1 - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, LTO(low thermal oxide)를 사용하지 않고도, 마이크로 렌즈의 손상을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이를 위한 본 발명에 의한 이미지 센서는, 패드부 및 포토다이오드부를 포함하는 기판; 상기 패드부의 기판 상에 형성된 패드금속; 상기 패드금속을 포함한 상기 기판 상에, 상기 패드금속의 일부를 노출시키도록 형성된 패시베이션층; 및 상기 포토다이오드부의 패시베이션층 상에 차례로 형성된 컬러필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 포함한다.
이미지 센서, LTO, OCL, 마이크로 렌즈, 감광막 패턴
Description
도 1a 내지 도 1f는 종래기술에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
도 2 및 도 3은 종래기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 구조를 나타내는 단면도.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도.
도 6a 및 도 6b는 도 5c의 패드부 및 포토다이오드부를 나타낸 평면 사진도.
도 7a 및 도 7b는 도 5e의 패드부 및 포토다이오드부를 나타낸 평면 사진도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
20: 반도체 기판 200: 패드금속
201: TiN막 202: TEOS
203: 패시베이션층 204: 하부OCL
205: CFA 206: 상부OCL
207: 마이크로 렌즈 208: 감광막 패턴
208a: 경화된 감광막 패턴
본 발명은 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 LTO를 사용하지 않고도, 마이크로 렌즈의 손상을 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지 센서(image sensor)는 광학적 영상(optical image)을 전기적 신호로 변환시키는 반도체 소자로써, 크게 전하 결합 소자(charge coupled device; CCD)와 씨모스(CMOS; complementary metal oxide silicon) 이미지 센서로 구분된다.
상기 CCD는 빛의 신호를 전기적 신호로 변환하는 복수개의 포토 다이오드(photo diode; PD)가 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 매트릭스 형태로 배열된 각 수직 방향의 포토 다이오드 사이에 형성되어 상기 각 포토 다이오드에서 생성된 전하를 수직방향으로 전송하는 복수개의 수직 방향 전하 전송 영역(vertical charge coupled device; VCCD)과, 상기 각 수직 방향 전하 전송 영역에 의해 전송된 전하를 수평방향으로 전송하는 수평 방향 전하 전송 영역(horizontal charge coupled device; HCCD) 및 상기 수평방향으로 전송된 전하를 센싱하여 전기적인 신호를 출 력하는 센스 증폭기(sense amplifier)를 구비하여 구성된 것이다.
그러나, 이와 같은 CCD는 구동 방식이 복잡하고, 전력 소비가 클 뿐만 아니라, 다단계의 포토 공정이 요구되므로 제조 공정이 복잡한 단점을 갖고 있다. 또한, 상기 CCD는 제어 회로, 신호 처리 회로, 아날로그/디지털 변환 회로(A/D converter) 등을 전하 결합 소자 칩에 집적시키기가 어려워 제품의 소형화가 곤란하다는 단점을 갖는다.
최근에는 상기 CCD의 단점을 극복하기 위한 차세대 이미지 센서로서 CMOS 이미지 센서가 주목을 받고 있다.
상기 CMOS 이미지 센서는 제어 회로 및 신호 처리 회로 등을 주변 회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 단위 화소의 수량에 해당하는 모스 트랜지스터들을 반도체 기판에 형성함으로써, 상기 모스 트랜지스터들에 의해 각 단위 화소의 출력을 순차적으로 검출하는 스위칭 방식을 채용한 소자이다.
즉, 상기 CMOS 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스 트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
상기 CMOS 이미지 센서는 CMOS 제조 기술을 이용하므로 비교적 적은 전력 소모, 비교적 적은 포토 공정 스텝 수에 따른 단순한 제조공정 등과 같은 장점을 갖는다. 또한, 상기 CMOS 이미지 센서는 제어 회로, 신호 처리 회로, 아날로그/디지털 변환 회로 등을 CMOS 이미지 센서 칩에 집적시킬 수가 있으므로 제품의 소형화가 용이하다는 장점을 갖고 있다.
따라서, 상기 CMOS 이미지 센서는 현재 디지털 스틸 카메라(digital still camera), 디지털 비디오 카메라 등과 같은 다양한 응용 부분에 널리 사용되고 있다.
한편, 이러한 CMOS 이미지 센서를 구현하기 위해서는 외부에서의 빛을 포토다이오드까지 집속하여 모아주는 집광부의 역할이 매우 중요하다. 집광부는 컬러필터 어레이(color filter array; CFA) 및 마이크로 렌즈(microlens; ML) 등으로 구성되어 있으며, 이들은 유기 물질로 구성되어 있어서, 이들의 위로 물리적 또는 화학적으로 보호해줄 수 있는 보호막이 필요한데, 주로 저온산화막(low thermal oxide; LTO)이 사용된다. 상기 LTO는 일반적으로 170 내지 300℃미만의 온도로 증착된다.
도 1a 내지 도 1f는 종래기술에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 패드부 및 포토다이오드부를 포함하는 반도체 기판(10)을 제공한 다음, 상기 반도체 기판(10)의 패드부에 패드금속(100)을 형성한다. 상기 패드금속(100)은 Al으로 이루어질 수 있으며, 그 표면에는 TiN막(101)이 형성될 수 있다.
이어서, 상기 패드금속(100)이 형성된 반도체 기판(10) 상에 TEOS(102) 등의 산화막 및 질화막 등의 패시베이션(passivation)층(103)을 순차적으로 형성한다.
그 다음에, 상기 패시베이션층(103) 상에 상기 패드금속(100)의 일부와 대응하는 부분을 노출시키는 제1감광막 패턴(104)을 형성한다.
도 1b를 참조하면, 상기 제1감광막 패턴(104)을 식각 마스크로 이용하여, 상기 패시베이션층(103)을 식각한 후, O2 에슁(ashing) 공정 등을 통해 상기 제1감광막 패턴(104)을 제거한다. 이어서, 결과물에 세정공정을 수행한다.
도 1c를 참조하면, 상기 포토다이오드부의 패시베이션층(103) 상에 하부오버코팅층(over coating layer; OCL)(105), 컬러필터 어레이(color filter array; CFA)(106), 상부오버코팅층(107) 및 마이크로 렌즈(microlens; ML)(108)를 순차적으로 형성한다.
도 1d를 참조하면, 상기 마이크로 렌즈(108)를 포함한 전체구조 상부에 저온산화막(low thermal oxide; LTO)(109)을 증착한다. 상기 LTO는, 마이크로 렌즈(108) 등의 집광부를 보호해주며, 170 내지 300℃미만의 저온에서 8,000Å 정도의 두께로 증착되는 것이 일반적이다.
도 1e를 참조하면, 상기 저온산화막(109) 상에 상기 패드금속(100)의 일부와 대응하는 부분을 노출시키는 제2감광막 패턴(110)을 형성한다.
도 1f를 참조하면, 상기 제2감광막 패턴(110)을 식각 마스크로 이용하여, 상기 LTO(109), TEOS(102) 및 TiN막(101)을 식각하여 상기 패드금속(100)의 일부를 노출시킨다. 이어서, O2 에슁 공정 등을 통해 상기 제2감광막 패턴(110)을 제거한 다음, 그로부터 얻어지는 결과물에 세정공정을 수행한다.
그러나, 상술한 바와 같은 종래기술에 따른 이미지 센서의 제조방법에 있어서는, 다음과 같은 문제점이 발생한다. 도 2 및 도 3은 종래기술에 따른 문제점을 설명하기 위한 단면도이다.
종래기술에 따른 이미지 센서의 제조방법에 있어서는, LTO(109)의 열악한 스텝 커버리지 특성으로 인해, 상기 제2감광막 패턴(110)을 제거하는 O2 에슁 공정 시, 도 2에 도시한 바와 같이, 상부OCL(107)쪽으로 O2 플라즈마 가스가 유입되어, 상기 상부OCL(107)의 비등방성 식각이 일어나게 된다. 이로 인해, 패시베이션층(103)과 LTO(109) 사이에 공간이 발생되며, 후속적으로 수행되는 패키지 공정 등에서 열적 또는 물리적 스트레스가 가해질 경우, 상기 LTO(109)와 그 하부막의 경계에서 필링(peeling) 현상이 발생되는 문제가 있다.
그리고, 상기한 제2감광막 패턴(110)의 에슁 처리시, 상기 LTO(109)에 크랙(crack)이 존재하는 경우, 도 3에 도시한 바와 같이, O2 플라즈마 가스에 의한 마이크로 렌즈의 손상이 발생하여, 공정 불량을 유발하게 된다.
또한, 마이크로 렌즈(108)상에 형성되는 상기 LTO(109)는, 상기 마이크로 렌즈(108)를 통해 포토다이오드로 들어가는 빛의 통과거리를 더욱 증가시키는 역할을 함으로써, 이미지 센서의 광특성을 저하시키는 문제가 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은, LTO를 사용하지 않고도, 마이크로 렌즈의 손상을 방지할 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서는,
패드부 및 포토다이오드부를 포함하는 기판;
상기 패드부의 기판 상에 형성된 패드금속;
상기 패드금속을 포함한 상기 기판 상에, 상기 패드금속의 일부를 노출시키도록 형성된 패시베이션층; 및
상기 포토다이오드부의 패시베이션층 상에 차례로 형성된 컬러필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 포함한다.
여기서, 상기 패드금속은 Al으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 패드금속의 상부에 형성된 TiN막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 패시베이션층의 하부에 형성된 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 마이크로 렌즈는 네가티브 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 이미지 센서의 제조방법은,
패드부 및 포토다이오드부를 포함하는 기판의 패드부 상에 패드금속을 형성 하는 단계;
상기 패드금속을 포함한 기판 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;
상기 포토다이오드부의 패시베이션층 상에 컬러필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 차례로 형성하는 단계;
그로부터 얻어지는 결과물 상에 상기 패드금속의 일부와 대응하는 부분을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계;
상기 감광막 패턴을 마스크로 이용한 식각공정으로 상기 패드금속의 일부를 노출시킴과 동시에, 상기 감광막 패턴의 표면을 소정두께만큼 경화시키는 단계;
상기 경화된 감광막 패턴부분을 선택적으로 제거하는 단계; 및
상기 경화된 감광막 패턴의 제거후 잔류된 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함한다.
여기서, 상기 패드금속은 Al을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 패드금속의 상부에는 TiN막이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 패시베이션층을 형성하기 전에,
상기 패드금속을 포함한 기판 상에 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 마이크로 렌즈는 네가티브 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 감광막 패턴은 포지티브 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 경화된 감광막 패턴의 제거는, 싱글 스프레이 툴(single spray tool) 장비를 이용한 습식각 공정으로 진행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 습식각 공정은, 하이드록실 아민(Hydroxyl Amine)계열의 습식 케미칼을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 경화된 감광막 패턴의 제거후 잔류된 감광막 패턴의 제거는, 신나(thinner)를 솔벤트(solvent)로 사용하는 습식각 공정으로 진행하는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
이미지 센서의 구조
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 구조를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 패드부 및 포토다이오드부를 포함하는 반도체 기판(20)을 구비한다.
상기 반도체 기판(20)의 패드부에는 패드금속(200)이 형성되어 있다. 상기 패드금속(200)은 Al으로 이루어질 수 있으며, 그 표면에는 TiN막(201)이 형성되어 있을 수 있다.
상기 패드금속(200)을 포함한 반도체 기판(20) 상에는, 상기 패드금속(200)의 일부를 노출시키는 TEOS(202) 등의 산화막, 및 질화막 등의 패시베이션(passivation)층(203)이 순차적으로 형성되어 있다.
상기 포토다이오드부의 패시베이션층(203) 상에는, 하부오버코팅층(over coating layer; OCL)(204), 컬러필터 어레이(color filter array; CFA)(205), 상부OCL(206) 및 마이크로 렌즈(microlens; ML)(207)가 순차적으로 형성되어 있다.
상기 하부 및 상부OCL(204, 206) 및 마이크로 렌즈(207)는 네가티브 포토레지스트(negative PR)로 이루어질 수 있으며, 이는 아주 단단하게 경화되어 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 의한 이미지 센서에는, LTO가 형성되어 있지 않기 때문에, LTO 존재로 인해 발생할 수 있는 LTO의 필링(peeling) 현상 및 LTO에 존재하는 크랙 등으로 인한 마이크로 렌즈(207)의 손상 등을 방지할 수 있다.
또한, 0.13㎛ 이하의 CMOS 이미지 센서 제품에서는 포토다이오드까지의 빛의 통과거리를 줄이기 위한 노력이 다양하게 이루어지고 있는데, 본 발명의 실시예에 의하면, LTO의 형성을 생략함으로써, LTO 두께만큼의 빛의 통과거리를 줄이고, 상기 LTO의 존재없이 직접 마이크로 렌즈(207)에서 빛을 수광시킬 수 있어, 이미지 센서의 광특성을 향상시킬 수 있다.
이미지 센서의 제조방법
이하에서는, 전술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법을 설명하기 위한 공정별 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 패드부 및 포토다이오드부를 포함하는 반도체 기판(20)을 제공한 다음, 상기 반도체 기판(20)의 패드부에 패드금속(200)을 형성한다. 상기 패드금속(200)은 Al으로 이루어질 수 있으며, 그 표면에는 TiN막(201)이 형성될 수 있다.
이어서, 상기 패드금속(200)이 형성된 반도체 기판(20) 상에 TEOS(202) 등의 산화막, 및 질화막 등의 패시베이션(passivation)층(203)을 순차적으로 형성한다.
그 다음에, 상기 포토다이오드부의 패시베이션층(203) 상에 하부오버코팅층(over coating layer; OCL)(204), 컬러필터 어레이(color filter array; CFA)(205), 상부OCL(206) 및 마이크로 렌즈(microlens; ML)(207)를 순차적으로 형성한다. 상기 상부OCL(206) 및 마이크로 렌즈(207)는 네가티브 포토레지스트(negative PR)로 이루어질 수 있으며, 이는 아주 단단하게 경화되어 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 마이크로 렌즈(208)를 포함한 전체구조 상부에, 상기 패드금속(200)의 일부와 대응하는 부분을 노출시키는 감광막 패턴(208)을 형성한다. 상기 감광막 패턴(208)은, 일반적인 포지티브 포토레지스트(positive PR)로 이루어질 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 감광막 패턴(208)을 식각 마스크로 이용하여, 상기 패드부의 패시베이션층(203), TEOS(202) 및 TiN막(201)을 식각하여 상기 패드금속 (200)의 일부를 노출시킨다. 이 때, 과도한 식각 타겟량에 의해서, 상기 감광막 패턴(208)의 표면이 소정 두께만큼 경화되며, 상기 패드부에는 산화 물질, TiN 및 Al 등에 의해 메탈릭 폴리머(metallic polymer)가 발생하여 금속패드(200) 주변부에 흡착된다. 도 5c에서 미설명한 도면부호 208a는 경화된 감광막 패턴을 나타낸 것이다.
여기서, 도 6a 및 도 6b는 도 5c의 패드부 및 포토다이오드부를 나타낸 평면 사진도이다. 먼저, 도 6a를 참조하면, 상기 패드금속(200)을 노출시키기 위한 식각 공정이 완료됨에 따라, 패드부 주변에 메탈릭 폴리머가 발생한 것을 확인할 수 있다. 그리고, 도 6b는 포토다이오드부에 형성된 감광막 패턴이 과도한 식각 타겟량에 의해 경화되어 있음을 보여주고 있다.
도 5d를 참조하면, 상기 경화된 감광막 패턴(208a)을 선택적으로 제거한다.
상기 경화된 감광막 패턴(208a)의 제거는, 싱글 스프레이 툴(single spray tool) 장비를 이용한 습식각 공정으로 진행하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 습식각 공정은, 하이드록실 아민(Hydroxyl Amine)계열의 습식 케미칼을 이용하여 수행하는 것이 바람직하다. 상기한 습식 케미칼은 메탈 반응억제제(metal inhibitor)를 가지고 있어, Al 재질의 패드금속(200)에 대해서는 손상을 입히지 않으며, 메탈릭 폴리머에 대해서는 우수한 제거 능력을 가지고 있다.
상기한 바와 같이, 배쓰 타입(bath type)이 아닌, 싱글 스프레이 툴을 사용하여 상기 경화된 감광막 패턴(208a)만을 선택적으로 제거할 수 있으므로, 마이크로 렌즈(207) 부분에 손상이 일어날 염려가 없다.
도 5e를 참조하면, 상기 경화된 감광막 패턴(208a)의 제거에 의해 노출된 감광막 패턴(208), 즉 경화되지 않은 감광막 패턴(208)을 선택적으로 제거한다. 상기 감광막 패턴(208)은 포지티브 포토레지스트로 이루어져 있으므로, 신나(thinner)를 솔벤트(solvent)로 사용하는 습식각 공정을 통해 제거하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 감광막 패턴(208)의 하부에 존재하는 상부OCL(206) 및 마이크로 렌즈(207)는, 상기한 신나를 솔벤트로 사용하는 습식각 공정에 의해 제거되지 않는 네가티브 포토레지스트(negative PR)로 이루어져 있으므로, 상기 감광막 패턴(208)의 제거 시, 상기 상부OCL(206) 및 마이크로 렌즈(207)는 손상되거나 제거되지 않는다. 이후, 그로부터 얻어지는 결과물에 세정공정을 수행한다.
여기서, 도 7a 및 도 7b는 도 5e의 패드부 및 포토다이오드부를 나타낸 평면 사진도이다. 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 상기 감광막 패턴(208)의 제거 및 세정공정이 완료됨에 따라, 감광막 패턴(208) 및 식각 잔류물이 완전히 제거되어 있음을 확인할 수 있고, 또한 패드부의 패드금속(200) 및 포토다이오드부의 마이크로 렌즈(207)의 표면에 손상이 발생되지 않았음을 육안상으로 확인할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는, 마이크로 렌즈(207)의 형성 후에, 감광막 패턴(208)을 이용한 식각공정으로 패드금속(200)을 노출시킴과 동시에, 상기 감광막 패턴(208)의 표면을 소정 두께만큼 경화시킨다. 그리고, 상기 경화된 감광막 패턴(208a) 및 경화되지 않은 감광막 패턴(208)을 각각 선택적으로 제거함으로써, 마이크로 렌즈(207)의 손상없이, LTO가 생략된 패드금속(200)의 오픈 공정 을 가능케 할 수 있다.
즉, 본 발명은 LTO를 형성하지 않고도, 마이크로 렌즈(207)의 손상없이 패드금속(200)을 노출시킬 수 있어, 상기 LTO 존재로 인해 발생할 수 있는 LTO의 필링(peeling) 현상 및 LTO에 존재하는 크랙 등으로 인한 마이크로 렌즈(207)의 손상 등을 방지할 수 있다.
그리고, 패드금속(200)의 오픈공정이, 종래에는 두 번의 포토공정을 통해 이루어졌던 것에 비하여, 본 발명의 실시예에서는 한 번의 포토공정을 통해 패드금속(200)을 오픈시킬 수 있으므로, 공정 단순화를 통한 비용 절감 효과를 기대할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명의 실시예에 의하면, 상술한 바와 같이 LTO의 형성을 생략함으로써, LTO 두께만큼의 빛의 통과거리를 줄이고, 상기 LTO의 존재없이 직접 마이크로 렌즈(207)에서 빛을 수광시킬 수 있어, 이미지 센서의 광특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, LTO를 형성하지 않고도, 마이크로 렌즈의 손상없이 패드금속을 노출시킬 수 있으므로, LTO 존재로 인해 발생할 수 있는 LTO의 필링(peeling) 현상 및 LTO에 존재하는 크랙(crack) 등으로 인한 마이크로 렌즈의 손상을 방지할 수 있다.
그리고, 상기한 패드금속의 오픈공정이, 종래에는 두 번의 포토공정을 통해 이루어졌던 것에 비하여, 본 발명의 실시예에서는 한 번의 포토공정을 통해 이루어질 수 있으므로, 공정 단순화를 통한 비용 절감 효과를 기대할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기한 바와 같이 LTO의 형성을 생략함으로써, LTO 두께만큼의 빛의 통과거리를 줄이고, 상기 LTO의 존재없이 직접 마이크로 렌즈에서 빛을 수광시킬 수 있으므로, 이미지 센서의 광특성을 향상시킬 수 있다.
Claims (14)
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- 패드부 및 포토다이오드부를 포함하는 기판의 패드부 상에 패드금속을 형성하는 단계;상기 패드금속을 포함한 기판 상에 패시베이션층을 형성하는 단계;상기 포토다이오드부의 패시베이션층 상에 컬러필터 어레이 및 마이크로 렌즈를 차례로 형성하는 단계;그로부터 얻어지는 결과물 상에 상기 패드금속의 일부와 대응하는 부분을 노출시키는 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 감광막 패턴을 마스크로 이용한 식각공정으로 상기 패드금속의 일부를 노출시킴과 동시에, 상기 감광막 패턴의 표면을 소정두께만큼 경화시키는 단계;상기 경화된 감광막 패턴부분을 선택적으로 제거하는 단계; 및상기 경화된 감광막 패턴의 제거후 잔류된 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 패드금속은 Al을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 패드금속의 상부에는 TiN막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 패시베이션층을 형성하기 전에,상기 패드금속을 포함한 기판 상에 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 마이크로 렌즈는 네가티브 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 감광막 패턴은 포지티브 포토레지스트를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 경화된 감광막 패턴의 제거는, 싱글 스프레이 툴(single spray tool) 장비를 이용한 습식각 공정으로 진행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제12항에 있어서,상기 습식각 공정은, 하이드록실 아민(Hydroxyl Amine)계열의 습식 케미칼을 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
- 제6항에 있어서,상기 경화된 감광막 패턴의 제거후 잔류된 감광막 패턴의 제거는, 신나(thinner)를 솔벤트(solvent)로 사용하는 습식각 공정으로 진행하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 제조방법.
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