JP2007073966A - Lto保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】受光領域である第1の領域及びパッドの形成領域である第2の領域を含むイメージセンサの製造方法において、前記第1の領域に金属配線と保護膜を形成するステップと、前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、前記第1の領域に第1のオーバーコート層を形成し、かつ、前記第2の領域の前記オープン部にオーバーコート層プラグを形成するステップと、前記第1の領域の前記第1のオーバーコート層上にカラーフィルタ、及びマイクロレンズを順に形成するステップと、前記オーバーコート層プラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、前記オーバーコート層プラグを除去するステップと、前記フォトレジストパターンを除去するステップとを含む。
【選択図】なし
Description
402 エッチング停止膜
403 酸化膜
404 窒化膜
407B OCL1
408 カラーフィルタ
409 OCL2
410 マイクロレンズ
411A,411B フォトレジストパターン
412 金属酸化膜
Claims (20)
- 受光領域である第1の領域及びパッドの形成領域である第2の領域を含むイメージセンサの製造方法において、
フォトダイオードを含む下部構造上の前記第2の領域に金属配線を形成するステップと、
前記金属配線が形成されたプロファイルに沿って保護膜を形成するステップと、
前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、
前記第1の領域に第1のオーバーコート層を形成し、かつ、前記第2の領域の前記オープン部にオーバーコート層プラグを形成するステップと、
前記第1の領域の前記第1のオーバーコート層上にカラーフィルタ、第2のオーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、
前記オーバーコート層プラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記オーバーコート層プラグを除去するため、エッチバック工程を行うステップと、
前記フォトレジストパターンを除去するステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、
前記エッチバック工程後に残留する厚さが、前記マイクロレンズを十分にマスキングできる程度の厚さに形成されることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックするステップにおいて、
プラズマ方式を利用して、前記プラズマソースの温度を−20℃〜100℃の範囲の温度にすることを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを除去するステップにおいて、
ポジティブPRシンナー再作業用シンナーソルベント処理を行うことを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記プラズマソースとしてO2が用いられることを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エッチバック工程の際、前記オーバーコート層プラグが除去された金属配線の上に金属酸化膜が形成されることを特徴とする請求項5に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記プラズマソースとしてHe又はN2が用いられることを特徴とする請求項3に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記第1のオーバーコート層が、1000Å〜20000Åの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記マイクロレンズが、その上にLTO膜の形成工程が省略されてあることを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記フォトレジストパターンを除去するステップの後に、洗浄するステップをさらに含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記洗浄するステップにおいて、酢酸又は2.3%のTMAHが用いられることを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記保護膜が、酸化膜と窒化膜との積層構造であることを特徴とする請求項1又は2に記載のイメージセンサの製造方法。
- 受光領域である第1の領域及びパッドの形成領域である第2の領域を含むイメージセンサの製造方法において、
フォトダイオードを含む下部構造上の前記第2の領域に金属配線を形成するステップと、
前記金属配線が形成されたプロファイルに沿って保護膜を形成するステップと、
前記保護膜を選択的にエッチングし、パッドコンタクトが形成される前記金属配線を露出させるオープン部を形成するステップと、
前記第1の領域の保護膜上にカラーフィルタを形成し、かつ前記カラーフィルタのうち、最も先に形成するカラーの形成の際、前記第2の領域の前記オープン部にカラーフィルタプラグを形成するステップと、
前記第1の領域の前記カラーフィルタ上に、オーバーコート層及びマイクロレンズを順に形成するステップと、
前記カラーフィルタプラグを露出させるフォトレジストパターンを形成するステップと、
前記カラーフィルタプラグを除去するために、エッチバック工程を行うステップと、
前記フォトレジストパターンを除去するステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを形成するステップにおいて、
前記エッチバック工程後に残留する厚さが、前記マイクロレンズを十分にマスキングできる程度の厚さに形成されることを特徴とする請求項13に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記エッチバックするステップにおいて、
プラズマ方式を利用し、前記プラズマソースの温度を−20℃〜100℃の範囲の温度にすることを特徴とする請求項13又は14に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記フォトレジストパターンを除去するステップにおいて、
ポジティブPRシンナー再作業用シンナーソルベント処理を行うことを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサの製造方法。 - 前記プラズマソースとしてO2が用いられることを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記エッチバック工程の際、前記カラーフィルタプラグが除去された金属配線の上に、金属酸化膜が形成されることを特徴とする請求項17に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記プラズマソースとしてHe又はN2が用いられることを特徴とする請求項15に記載のイメージセンサの製造方法。
- 前記マイクロレンズが、その上にLTO膜の形成工程が省略されていることを特徴とする請求項13又は14に記載のイメージセンサの製造方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277800A (ja) * | 2007-05-03 | 2008-11-13 | Dongbu Hitek Co Ltd | イメージセンサの製造方法 |
JP2013201291A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Nec Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2014150290A (ja) * | 2007-02-23 | 2014-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロレンズ保護パターンを有する撮像素子、カメラモジュール |
JP2014204048A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
JP2015041711A (ja) * | 2013-08-22 | 2015-03-02 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9466640B2 (en) | 2014-02-20 | 2016-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor apparatus |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100853096B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-08-19 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
KR100823031B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2008-04-17 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
JP2008270500A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
KR100872988B1 (ko) * | 2007-08-02 | 2008-12-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
US20090124037A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | United Microelectronics Corp. | Method of preventing color striation in fabricating process of image sensor and fabricating process of image sensor |
KR20090064799A (ko) * | 2007-12-17 | 2009-06-22 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
ITRM20080610A1 (it) | 2008-11-13 | 2010-05-14 | Aptina Imaging Corp | Procedimento per passivazione in umido di piazzole di unione per protezione contro un trattamento successivo basato su tmah. |
US9324755B2 (en) | 2014-05-05 | 2016-04-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with reduced stack height |
US9818776B2 (en) | 2015-04-08 | 2017-11-14 | Semiconductor Components Industries, Llc | Integrating bond pad structures with light shielding structures on an image sensor |
US10217783B2 (en) | 2015-04-08 | 2019-02-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Methods for forming image sensors with integrated bond pad structures |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521780A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
JPH06302794A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子の製法 |
JP2000164836A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Nikon Corp | 固体撮像装置等の半導体装置の製造方法 |
JP2001339059A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2002176156A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2002314057A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Canon Inc | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像システム |
JP2003229551A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2003273341A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Tobu Denshi Kk | イメージセンサ用半導体素子の製造方法 |
JP2006066858A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Dongbuanam Semiconductor Inc | イメージセンサの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6344369B1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-02-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process |
US6632700B1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to form a color image sensor cell while protecting the bonding pad structure from damage |
TWI222178B (en) * | 2003-11-12 | 2004-10-11 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of image sensor device |
TWI234186B (en) * | 2004-06-08 | 2005-06-11 | Powerchip Semiconductor Corp | Color image sensor device and fabrication method thereof |
KR100672707B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 본딩패드 형성방법 |
-
2005
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-
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- 2006-09-08 TW TW095133160A patent/TWI306665B/zh active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521780A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-01-29 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
JPH06302794A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像素子の製法 |
JP2000164836A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Nikon Corp | 固体撮像装置等の半導体装置の製造方法 |
JP2001339059A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2002176156A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sony Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
JP2002314057A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Canon Inc | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像システム |
JP2003229551A (ja) * | 2002-02-01 | 2003-08-15 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2003273341A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Tobu Denshi Kk | イメージセンサ用半導体素子の製造方法 |
JP2006066858A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Dongbuanam Semiconductor Inc | イメージセンサの製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014150290A (ja) * | 2007-02-23 | 2014-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロレンズ保護パターンを有する撮像素子、カメラモジュール |
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