JP3263617B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
方法に関するものである。
をダイシングにより各チップに分割する際に必要なスク
ライブラインと、ワイヤボンディングに必要なボンディ
ングパッドを有している。このような半導体装置の製造
工程においては、各チップに分割する前に、予め、スク
ライブライン上及び該ボンディングパッド部上のパッシ
ベーション膜(例えば、シリコン酸化膜、シリコンナイ
トライド膜等)を除去しておく。その一つの方法とし
て、図3に示すものがある。
にボンディングパッド2及びスクライブライン3が形成
され、それらを覆うように、パッシベーション膜4が形
成された上に、フォトレジスト5を塗布し、該ボンディ
ングパッド2及びスクライブライン3上を開口するよう
に、露光によって、フォトレジストパターンを形成す
る。
ターンに形成されたフォトレジスト5をマスクにプラズ
マエッチング等により、該スクライブライン2上及びボ
ンディングパッド3上のパッシベーション膜4を除去
し、続いて、フォトレジスト5を剥離する。
のフォトレジストパターンでは、パッシベーション膜が
数百nm程度の薄い膜であれば特に問題はないが、数μ
mのオーダーになると、フォトレジストでボンディング
パッド部上を露光し、現像する際に、現像液やレジスト
残渣がフォトレジストパターン内部に残留し、それがパ
ッシベーション膜のエッチング時に悪影響を及ぼして、
異常エッチングやエッチング残渣等の原因となる。
パッド及びスクライブラインの一部と、それらを覆うパ
ッシベーション膜を選択除去する場合の従来のフォトレ
ジストパターン(点線部)を示す図であり、同(b)は
同(a)におけるB−B断面図であり、従来技術では、
上記のようなレジスト残渣6がボンディングパッド部上
に残っていることを示している。
離した後の半導体装置の断面図である。図2(c)に示
すように、パッシベーション膜のボンディングパッドの
開口部内に剥離液やエッチング残渣7が残っており、こ
れが原因でボンディングパッドの腐食やワイヤーボンド
剥がれ等の品質劣化を招く。
でのパッシベーション膜のエッチング残渣やレジスト残
渣、剥離液の残渣等を完全に除去し、ボンディングパッ
ド部の腐食やワイヤーボンド剥がれ等の無い高品質な半
導体装置を提供することを目的とするものである。
半導体装置は、ボンディングパッド及びスクライブライ
ンが設けられた基板表面にパッシベーション膜を有する
半導体装置において、上記ボンディングパッドが形成さ
れる第1の領域と上記スクライブラインとなる第2の領
域上のパッシベーション膜が開口され、且つ、上記第1
の領域と第2の領域の開口部とが繋がれており、各ボン
ディングパッドの上記第1の領域と上記第2の領域の開
口部の繋ぎ部の幅が上記第1の領域の開口部の幅より狭
いことを特徴とする。
は、ボンディングパッド及びスクライブラインが設けら
れた基板表面にパッシベーション膜を有する半導体装置
において、上記ボンディングパッドが形成される第1の
領域と上記スクライブラインとなる第2の領域上のパッ
シベーション膜が開口され、且つ、上記第1の領域と第
2の領域の開口部とが繋がれており、各ボンディングパ
ッドの上記第1の領域の開口部の角部が鈍角であること
を特徴とする。
は、各ボンディングパッドの第1の領域の開口部の角部
が鈍角であることを特徴とする請求項1に記載の半導体
装置である。また、請求項4記載の本発明の半導体装置
は、上記パッシベーション膜がシリコン酸化膜、シリコ
ンナイトライド膜又は有機高分子膜或いはこれらの積層
膜であることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の
半導体装置である。
スクライブラインとがパッシベーション膜を除去したパ
ターンで繋がれているため、レジストの現像液や剥離液
の液切れが良く、現像後や剥離後の洗浄度が増す。それ
によって、エッチング残渣やレジスト残渣、剥離液残渣
が発生しなくなる。
口部のパターンの角度を鈍角にした場合、更に、上述の
液切れや洗浄度が向上する。
いて詳細に説明する。
導体装置のボンディングパッド部及びスクライブライン
の一部を示す図であり、図1(b)は図1(a)のA−
A断面を示している。即ち、ボンディングパッド形成
後、パッシベーション膜を堆積し、スクライブラインと
ボンディングパッド部の開口のための、フォトレジスト
のマスクを形成した後の状態を示している。更に、図1
(c)はパッシベーション膜をエッチング除去後、フォ
トレジスト5を剥離した後の状態を示す図である。
1上に形成されたボンディングパッド、3はスクライブ
ライン、4は基板1及びボンディングパッド2及びスク
ライブライン3の表面を覆うパッシベーション膜、5は
パッシベーション膜を選択除去するためのフォトレジス
トである。
3上とボンディングパッド2上のパッシベーション膜4
が開口され、且つ、2つの領域の開口部が繋がって一つ
の開口部となっていることを特徴とする。
の製造工程を説明する。
ブライン3を有する基板1全面に有機高分子膜からなる
パッシベーション膜4を形成する。この際、有機高分子
膜の代わりにシリコン酸化膜又はシリコンナイトライド
膜あるいは、これらの積層膜を用いてもよい。
後、図1(a)の点線で示すように、ボンディングパッ
ド2が形成される領域及びスクライブライン3となる領
域が繋ぐように、フォトレジスト5を露光、現像により
パターニングする(図1(b))。この際、図1(b)
に示すように、パターンの内角が鈍角であるようなパタ
ーンにすることにより、更に液切れや洗浄度が向上す
る。
スト5をマスクに、プラズマエッチング等を用いてパッ
シベーション膜4をエッチングする。その後、フォトレ
ジスト5を剥離する(図1(c))。
は、ボンディングパッド形成領域上及びスクライブライ
ン形成領域上のパッシベーション膜を除去され、且つ、
この二つの領域の開口部が繋がれているため、レジスト
の現像液や剥離液の液切れが良く、現像後や剥離後の洗
浄度が増す。それによって、エッチング残渣やレジスト
残渣、剥離液残渣が発生しなくなる。
用いることにより、パッシベーション膜がボンディング
パッド領域上とスクライブライン領域上で開口部を有
し、且つ、この開口部が繋がれているため、レジストの
現像液や剥離液の液切れがよく、現像後やフォトレジス
トの剥離後の洗浄度が増すことになる。それによって、
エッチング残渣やレジスト残渣、剥離液残渣等が発生し
なくなり、半導体装置の品質が向上する。
ターンの角度を鈍角にした場合、更に液切れや洗浄度が
向上するため、その効果を増すことができる。
置で、カラーフィルタやマイクロレンズを直接チップ上
に形成した場合、パッシベーション膜(この場合、主に
有機高分子膜)の膜厚が数μmのオーダーとなり、エッ
チング残りやレジスト残渣、剥離液残渣等がより発生し
やすくなるが、この場合も本発明を用いることによっ
て、高品質な半導体装置を実現することができる。
示す上面図であり、(b)はレジストパターンが形成さ
れた状態の(a)におけるA−A断面図であり、(c)
はレジストパターンが剥離された後の(a)におけるA
−A断面図である。
(b)はレジストパターンが形成された状態の(a)に
おけるB−B断面図であり、(c)はレジストパターン
が剥離された後の(a)におけるB−B断面図である。
する工程を示す図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 ボンディングパッド及びスクライブライ
ンが設けられた基板表面にパッシベーション膜を有する
半導体装置において、 上記ボンディングパッドが形成される第1の領域と上記
スクライブラインとなる第2の領域上のパッシベーショ
ン膜が開口され、且つ、上記第1の領域と第2の領域の
開口部とが繋がれており、各ボンディングパッドの上記
第1の領域と上記第2の領域の開口部の繋ぎ部の幅が上
記第1の領域の開口部の幅より狭いことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項2】 ボンディングパッド及びスクライブライ
ンが設けられた基板表面にパッシベーション膜を有する
半導体装置において、 上記ボンディングパッドが形成される第1の領域と上記
スクライブラインとなる第2の領域上のパッシベーショ
ン膜が開口され、且つ、上記第1の領域と第2の領域の
開口部とが繋がれており、各ボンディングパッドの上記
第1の領域の開口部の角部が鈍角であることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項3】 各ボンディングパッドの上記第1の領域
の開口部の角部が鈍角であることを特徴とする請求項1
に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 上記パッシベーション膜がシリコン酸化
膜、シリコンナイトライド膜又は有機高分子膜或いはこ
れらの積層膜であることを特徴とする請求項1、2又は
3に記載の半導体装置。
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3263617B2 (ja) |
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US20040115341A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-06-17 | Rantala Juha T. | Adhesion promoter and wetting agent |
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- 1996-12-20 JP JP34068596A patent/JP3263617B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-21 US US08/915,852 patent/US5864170A/en not_active Expired - Lifetime
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KR19980063427A (ko) | 1998-10-07 |
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