KR100593157B1 - 크랙 발생을 억제할 수 있는 이미지센서 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 칩 커팅시 마이크로렌즈 보호막에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 포토다이오드 및 메탈라인이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 칩 커팅이 이루어지는 스크라이브 레인에서의 상기 보호막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
이미지센서, OCL, CFA, ML, 스크라이브 레인, LTO막, 크랙(Crack), 필링(Peeling).

Description

크랙 발생을 억제할 수 있는 이미지센서 제조 방법{METHOD FOR FABRICATION OF IMAGE SENSOR CAPABLE OF DECREASING CRACK}
도 1은 LTO막 형성 공정이 완료된 종래의 이미지센서를 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 LTO막에 크랙이 발생한 것을 도시한 사진.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
SUB : 기판 OCL1 : 제1오버코팅 레이어
OCL2 : 제2오버코팅 레이어 CFA : 칼라필터 어레이
ML : 마이크로렌즈 LTO : 보호막
X : 칩 커팅이 이루어지는 스크라이브 레인
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 마이크로렌즈의 보호막으로 이용되는 LTO(Low Temperature Oxide)막에서의 크랙(Crack) 발생을 억제할 수 있는 이미지센서 제조 방법에 관한 것이다.
CMOS 이미지센서는 현재 모바일 폰(Mobile phone), PC(Personal Computer)용 카메라(Camera) 및 전자기기 등에서 광범위하게 사용되고 있는 디바이스(Device)이다. CMO 이미지센서는 기존에 이미지센서로 사용되던 CCD(Charge Coupled Device)에 비해 구동방식이 간편하며, 신호 처리 회로(Signal Processing Circuit)를 한 칩에 집적할 수 있어서 SOC(System On Chip)이 가능하므로 모듈의 소형화를 가능하게 한다.
또한, 기존에 셋-업(Set-up)된 CMOS 기술을 호환성 있게 사용할 수 있으므로 제조 단가를 낮출 수 있는 등 많은 장점을 가지고 있다.
도 1은 LTO막 형성 공정이 완료된 종래의 이미지센서를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 포토다이오드와 트랜지스터 및 메탈라인 형성 공정이 완료된 기판(SUB)에 메탈라인 등의 형성에 따른 기판의 단차를 제거하기 위한 제1오버코팅 레이어(Over Coating Layer; 이하 OCL1이라 함)가 형성되어 있으며, OCL1 상에는 RGB 또는 YMgCy의 구성을 갖는 칼라필터 어레이(Color Filter Array; 이하 CFA라 함)가 형성되어 있으며, CFA의 형성에 따른 기판의 단차를 제거하기 위한 제2오버코팅 레이어(Over Coating Layer; 이하 OCL2라 함)가 형성되어 있으며, OCL2 상에는 입사되는 광을 포토다이오드로 집광시키기 위한 마이크로렌즈(Micro lens; 이하 ML이라 함)가 형성되어 있으며, ML 상에는 ML의 긁힘 등을 방지하기 위한 보호막인 LTO막이 형성되어 있다.
일반적인 CMOS 이미지센서의 CFA와 ML을 형성한 후, 습기나 파티클(Particle) 및 약간의 열적 스트레스(Thermal stress) 등과 같은 외부의 어택(Attack)으로부터 CFA와 ML을 보호하기 위해 저온 증착에 의해 ML의 변형을 방지할 수 있는 LTO막을 사용한다.
하지만, LTO막도 외부의 강한 스트레스나 칩 커팅(Cutting, sawing)시 LTO막에 크랙이 발생하여 칩을 패키징(Packaging)하지 못하거나, 크랙된 LTO막 조각들이 웨이퍼의 다른 칩들로 이동하고 부착된다. 다른 칩들에 부착된 LTO막 조각들은 파티클 역할을 하며, 디스플레이 이미지(Display image)의 변형을 가져오게 된다.
도 1에서 도면부호 'S'는 칩 커팅이 이루어지는 영역 즉, 스크라이브 레인(Scribe lane)을 나타낸다.
칩 커팅 시 도 1에서 직사각형의 점선으로 표시된 부분을 커팅하게 된다. 이렇게 커팅이 이루어지는 부분에서는 LTO막에 대한 스트레스가 강하게 가해지며, 이로 인해 크랙이 발생한다.
도 2는 LTO막에 크랙이 발생한 것을 도시한 사진이다.
도 2를 참조하면, LTO막에 크랙의 일종인 도면부호 'P'와 같이 필링(Peeling) 현상이 발생한 것을 확인할 수 있다.
이렇게 필링이 발생한 부위로는 수분이 침투하여 하부의 OCL2를 부풀어 오르 게 하고, LTO막의 크랙은 걷잡을 수 없이 확산되어 WBP(Water Bubble Point) 페일(Fail)이 발생한다. 이는 열 및 습도(Thermal and humidity)와 관련된 능력 페일(Qualification fail)을 초래한다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, 칩 커팅시 마이크로렌즈 보호막에 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있는 이미지센서 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 포토다이오드 및 메탈라인이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계; 상기 마이크로렌즈 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 칩 커팅이 이루어지는 스크라이브 레인에서의 상기 보호막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 이미지센서 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 CFA와 ML 및 LTO를 형성한 후, 칩 커팅이 이루어지는 영역 즉, 스크라이브 레인의 LTO막을 선택적으로 제거함으로써, 칩 커팅시 그 주변의 LTO막으로 스트레스가 가해져 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있도록 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 3a 내지 도 3e는 본 발명의 일실시예에 따른 CMOS 이미지센서 제조 공정을 도시한 단면도로서, 이를 참조하여 본 발명의 LTO막 형성 공정을 살펴본다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 포토다이오드 및 트랜지스터와 복수의 메탈라인이 형성된 기판(SUB) 상에 OCL1을 형성한다. OCL1은 메탈라인 형성에 따라 발생된 단차를 제거하기 위한 것이다.
OCL1 상에 CFA를 형성한다. CFA는 RGB 또는 YMgCy의 구성을 포함할 수 있다. CFA 상에 CFA 형성에 따라 발생된 단차를 제거하기 위해 OCL2를 형성한다. 이어서, OCL2 상에 ML을 형성한다.
ML 상에 보호막으로 LTO막을 형성한다.
이 때, 스크라이브 레인은 OCL1에서 ML 까지는 서로 분리되어 있고, LTO막이 이 분리된 부분을 채우고 있다.
LTO막 상에 포토레지스트(PR)을 도포한다. 포토레지스트(PR)는 LTO막을 식각하기 위한 마스크 형성용이며, 포지티브(Positive) 또는 네가티브(Negative) 타입을 모두 사용할 수 있다.
포토레지스트(PR)는 10000Å ∼ 15000Å 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 쿼즈(Q, Quartz) 바탕에 크롬(Cr)이 도금된 마스크(MK)를 이용하여 포토레지스트(PR)를 선택적으로 노광한다(EXP).
도면부호 'X'는 칩 커팅이 이루어지는 스크라이브 레인을 나타내며, 도면부호 'Y'는 커팅 영역에서 LTO막을 선택적으로 제거할 부분을 나타낸다.
여기서 사용된 포토레지스트(PR)는 포지티브 타입이므로 노광이 이루어진 부분에서 광 가교 반응이 일어나고, 광 가교 반응이 일어난 부분이 현상에 의해 제거됨으로써, 도 3c에 도시된 바와 같이 스크라이브 레인 영역(Z)만을 노출시키는 포토레지스트 패턴(PR')이 형성된다.
만일, 포토레지스트(PR)가 네가티브 타입이라면, 마스크(MK)에서 크롬(Cr)은 그 역의 형상으로 도금될 것이다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 패턴(PR')을 식각마스크로 LTO막을 식각하여 스크라이브 레인 영역에서 LTO막이 제거된 형상(C)을 얻는다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 포토레지스트 스트립(Photo resist strip) 공정을 실시하여 포토레지스트 패턴(PR')을 제거한다.
따라서, 도면부호 'X'와 같이 칩 커팅이 이루어지는 스크라이브 레인에서 LTO막이 제거되어 있으므로, 칩 커팅 시 LTO의 크랙 발생이 억제된다,
전술한 바와 같이 이루어지는 본 발명은, 칩 커팅이되는 부분에서의 LTO막을 미리 제거함으로써, 칩 커팅에 따른 LTO막에서의 크랙 발생을 억제할 수 있음을 실시예를 통해 알아보았다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으 나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
예컨대, 상기한 본 발명의 실시예에서는 CMOS 이미지센서를 그 예로 하였으나, 이외에도 수광부와 마이크로렌즈를 갖는 모든 이미지센서에도 적용이 가능하다.
상술한 본 발명은, 이미지센서의 불량 발생을 줄여, 수율을 높이는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 포토다이오드 및 메탈라인이 형성된 기판 상에 마이크로렌즈를 형성하는 단계;
    상기 마이크로렌즈 상에 보호막을 형성하는 단계; 및
    칩 커팅이 이루어지는 스크라이브 레인에서의 상기 보호막을 선택적으로 제거하는 단계
    를 포함하는 이미지센서 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호막은 LTO막을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호막을 선택적으로 제거하는 단계는,
    상기 보호막 상에 포토레지스트를 도포하는 딘계와,
    상기 포토레지스트를 선택적으로 노광 및 현상하여 상기 스크라이브 레인 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 보호막을 식각하는 단계와,
    상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 네가티브 타입 또는 포지티브 타입인 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 포토레지스트를 10000Å 내지 15000Å의 두께로 도포하는 것을 특징으로 하는 이미지센서 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20040080274A (ko) * 2003-03-11 2004-09-18 삼성전자주식회사 건식 식각과 이면 연마를 이용한 웨이퍼 다이싱 방법

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