JP2003273341A - イメージセンサ用半導体素子の製造方法 - Google Patents
イメージセンサ用半導体素子の製造方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製作工程中のボンディングパッドの特性
低下及びマイクロレンズの変形が防止できるイメージセ
ンサ用半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１０２上に下部絶縁膜１０４を形成
する工程と、下部絶縁膜１０４上にボンディングパッド
１０６を形成する工程と、下部絶縁膜１０４上に上部絶
縁膜１０８を形成する工程と、上部絶縁膜１０８を選択
的に除去する工程と、上部絶縁膜１０８上に保護層１１
０を形成する工程と、保護層１１０上に多数のカラーフ
ィルタ素子１１２を形成する工程と、平面層１１４を形
成する工程と、多数のマイクロレンズ１１６を平面層１
１４上に形成する工程とを含むことを特徴とする。保護
層１１０はマイクロレンズ１１６の形成前又は形成後に
選択的に除去できる。
低下及びマイクロレンズの変形が防止できるイメージセ
ンサ用半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１０２上に下部絶縁膜１０４を形成
する工程と、下部絶縁膜１０４上にボンディングパッド
１０６を形成する工程と、下部絶縁膜１０４上に上部絶
縁膜１０８を形成する工程と、上部絶縁膜１０８を選択
的に除去する工程と、上部絶縁膜１０８上に保護層１１
０を形成する工程と、保護層１１０上に多数のカラーフ
ィルタ素子１１２を形成する工程と、平面層１１４を形
成する工程と、多数のマイクロレンズ１１６を平面層１
１４上に形成する工程とを含むことを特徴とする。保護
層１１０はマイクロレンズ１１６の形成前又は形成後に
選択的に除去できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の製造
方法に関し、特に、マイクロレンズを有するイメージセ
ンサ用半導体素子の製造方法に関する。
方法に関し、特に、マイクロレンズを有するイメージセ
ンサ用半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、大部分の通信装備は音声信号だけ
ではなく、画像信号まで処理するように要求されてお
り、従って、全般的にカラーイメージセンサを採択して
いる。
ではなく、画像信号まで処理するように要求されてお
り、従って、全般的にカラーイメージセンサを採択して
いる。
【０００３】一般的に、カラーイメージセンサは各々金
属パターンを有する多数のピクセル、多数のカラーフィ
ルタ素子及び多数のマイクロレンズを含む。金属パター
ンはセル電極及びボンディングパッドを有する。カラー
フィルタ素子はセル電極の上部に配置された誘電体層上
に形成される。マイクロレンズはカラーフィルタ素子の
上部に位置し、入射光をカラーフィルタ素子上に集光す
る役割をする。
属パターンを有する多数のピクセル、多数のカラーフィ
ルタ素子及び多数のマイクロレンズを含む。金属パター
ンはセル電極及びボンディングパッドを有する。カラー
フィルタ素子はセル電極の上部に配置された誘電体層上
に形成される。マイクロレンズはカラーフィルタ素子の
上部に位置し、入射光をカラーフィルタ素子上に集光す
る役割をする。
【０００４】イメージセンサ用半導体素子は単価が高い
ため、その生産歩留まりはある程度無視されてきた。し
かし、最近の過剰供給はイメージセンサの付加価値性を
弱化させ、現在は生産歩留まりの重要性が強調されてい
る。マイクロレンズの曲率半径はイメージセンサの生産
歩留まりを決定する主要要素の一つである。
ため、その生産歩留まりはある程度無視されてきた。し
かし、最近の過剰供給はイメージセンサの付加価値性を
弱化させ、現在は生産歩留まりの重要性が強調されてい
る。マイクロレンズの曲率半径はイメージセンサの生産
歩留まりを決定する主要要素の一つである。
【０００５】図１〜図９は、イメージセンサ用半導体素
子の従来の製作工程を順次に示す断面図である。
子の従来の製作工程を順次に示す断面図である。
【０００６】図１において、ＣＣＤ（charge coupled d
evice）または光ダイオードのような光電変換素子（図
示せず）及び論理回路（図示せず）が配列された基板２
上に下部絶縁膜４が形成される。図２において、下部絶
縁膜４上に金属物質を形成した後、金属物質にフォトリ
ソグラフィを用いることによって、ボンディングパッド
６を含む金属パターンが絶縁膜上に形成されるようにす
る。この時、下部絶縁膜４の一部は金属パターンによっ
て選択的に露出される。
evice）または光ダイオードのような光電変換素子（図
示せず）及び論理回路（図示せず）が配列された基板２
上に下部絶縁膜４が形成される。図２において、下部絶
縁膜４上に金属物質を形成した後、金属物質にフォトリ
ソグラフィを用いることによって、ボンディングパッド
６を含む金属パターンが絶縁膜上に形成されるようにす
る。この時、下部絶縁膜４の一部は金属パターンによっ
て選択的に露出される。
【０００７】図３において、蒸着のような方法を用いて
ボンディングパッド６及び基板２上に平らな上部絶縁膜
８を形成する。図４において、上部絶縁膜８上に第１感
光性物質をコーティングして選択的に除去することによ
って、少なくとも一つのカラーフィルタ素子１０が絶縁
膜上に形成されるようにする。多数のカラーフィルタ素
子１０が、例えば三つ又は四つの互いに異なるタイプで
前記絶縁膜上に形成されるまで、他の第１感光性物質の
コーティング及び除去が繰返される。三つのタイプのカ
ラーフィルタ素子が存在する場合は、三つのカラーフィ
ルタ素子はそれぞれ赤色、緑色、青色であろう。
ボンディングパッド６及び基板２上に平らな上部絶縁膜
８を形成する。図４において、上部絶縁膜８上に第１感
光性物質をコーティングして選択的に除去することによ
って、少なくとも一つのカラーフィルタ素子１０が絶縁
膜上に形成されるようにする。多数のカラーフィルタ素
子１０が、例えば三つ又は四つの互いに異なるタイプで
前記絶縁膜上に形成されるまで、他の第１感光性物質の
コーティング及び除去が繰返される。三つのタイプのカ
ラーフィルタ素子が存在する場合は、三つのカラーフィ
ルタ素子はそれぞれ赤色、緑色、青色であろう。
【０００８】図５において、上部絶縁膜８上に第２感光
性物質をコーティングして選択的に除去することによ
り、カラーフィルタ素子１０を覆う平面層１２が形成さ
れるようにする。図６において、基板２上に第３感光性
物質をコーティングして選択的に除去することにより、
第３感光性物質が平面層１２上でカラーフィルタ素子１
０の上方にのみ残るようにする。続いて、熱処理によっ
て第３感光性物質はマイクロレンズ１４を形成し、それ
ぞれのマイクロレンズ１４は同じ曲率半径を有する。そ
れぞれのマイクロレンズ１４はカラーフィルタ素子１０
の内の一つと対応する。
性物質をコーティングして選択的に除去することによ
り、カラーフィルタ素子１０を覆う平面層１２が形成さ
れるようにする。図６において、基板２上に第３感光性
物質をコーティングして選択的に除去することにより、
第３感光性物質が平面層１２上でカラーフィルタ素子１
０の上方にのみ残るようにする。続いて、熱処理によっ
て第３感光性物質はマイクロレンズ１４を形成し、それ
ぞれのマイクロレンズ１４は同じ曲率半径を有する。そ
れぞれのマイクロレンズ１４はカラーフィルタ素子１０
の内の一つと対応する。
【０００９】図７において、マイクロレンズ１４が形成
された基板２上に薄い酸化膜１６を形成する。続いて、
図８に示すように、酸化膜にフォトリソグラフィを用い
ることによって、ボンディングパッド６の該当部分に露
出されるように酸化膜１６及び上部絶縁膜８の一部を除
去する。フォトリソグラフィとは、幾何学的形状のパタ
ーンをフォトレジストと呼ぶ感光性物質の薄膜に移す工
程である。一般的に、フォトリソグラフィはコーティン
グ、露光、現像、ベーキング（ｂａｋｉｎｇ）及びエッ
チングステップを含む。
された基板２上に薄い酸化膜１６を形成する。続いて、
図８に示すように、酸化膜にフォトリソグラフィを用い
ることによって、ボンディングパッド６の該当部分に露
出されるように酸化膜１６及び上部絶縁膜８の一部を除
去する。フォトリソグラフィとは、幾何学的形状のパタ
ーンをフォトレジストと呼ぶ感光性物質の薄膜に移す工
程である。一般的に、フォトリソグラフィはコーティン
グ、露光、現像、ベーキング（ｂａｋｉｎｇ）及びエッ
チングステップを含む。
【００１０】マイクロレンズ１４又はカラーフィルタ素
子１０の製造工程中には上部絶縁膜８がボンディングパ
ッド６を保護する。ボンディングパッド６が前記工程で
露出されれば、その特性が悪化する恐れがある。ボンデ
ィングパッド６の特性悪化はワイヤボンディングの弱化
による歩留まりの低下、またはワイヤボンディングの破
壊によるイメージセンサの寿命短縮を招く。
子１０の製造工程中には上部絶縁膜８がボンディングパ
ッド６を保護する。ボンディングパッド６が前記工程で
露出されれば、その特性が悪化する恐れがある。ボンデ
ィングパッド６の特性悪化はワイヤボンディングの弱化
による歩留まりの低下、またはワイヤボンディングの破
壊によるイメージセンサの寿命短縮を招く。
【００１１】フォトリソグラフィ工程において、上部絶
縁膜８が選択的に除去されている時には、マイクロレン
ズ１４、平面層１２及びカラーフィルタ素子１０のよう
な感光性物質は保護しなければならないので、酸化膜１
６が採択される。しかし、酸化膜１６の形成工程はカラ
ーフィルタ素子１０或いはマイクロレンズ１４の変形に
よる歩留まりの低下を招く可能性がある。図９は、酸化
膜１６の形成工程で変形されたマイクロレンズ１４を示
す。
縁膜８が選択的に除去されている時には、マイクロレン
ズ１４、平面層１２及びカラーフィルタ素子１０のよう
な感光性物質は保護しなければならないので、酸化膜１
６が採択される。しかし、酸化膜１６の形成工程はカラ
ーフィルタ素子１０或いはマイクロレンズ１４の変形に
よる歩留まりの低下を招く可能性がある。図９は、酸化
膜１６の形成工程で変形されたマイクロレンズ１４を示
す。
【００１２】感光性物質で製作されるカラーフィルタ素
子１０及びマイクロレンズ１４は、一般的に約２００℃
より高い温度で変形される。従って、感光性物質の変形
を防ぐためには、２００℃より低い温度で酸化膜１６を
形成しなければならない。しかし、このような相対的に
低い温度では、酸化膜１６の厚さが不均一である可能性
が高く、酸化膜１６の形成工程で発生するパーティクル
の量を最小化することは困難である。このような欠点が
イメージセンサ用半導体素子の従来製作方法においての
歩留まりの低下を招いていた。
子１０及びマイクロレンズ１４は、一般的に約２００℃
より高い温度で変形される。従って、感光性物質の変形
を防ぐためには、２００℃より低い温度で酸化膜１６を
形成しなければならない。しかし、このような相対的に
低い温度では、酸化膜１６の厚さが不均一である可能性
が高く、酸化膜１６の形成工程で発生するパーティクル
の量を最小化することは困難である。このような欠点が
イメージセンサ用半導体素子の従来製作方法においての
歩留まりの低下を招いていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、製作工程中のボンディングパッドの特性低下及びマ
イクロレンズの変形が防止できるイメージセンサ用半導
体素子の製造方法を提供することである。
は、製作工程中のボンディングパッドの特性低下及びマ
イクロレンズの変形が防止できるイメージセンサ用半導
体素子の製造方法を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によるイメージセ
ンサ用半導体素子の製造方法は、基板上に下部絶縁膜を
形成する工程と、前記下部絶縁膜上にボンディングパッ
ドを形成する工程と、前記ボンディングパッドを覆うた
めに前記下部絶縁膜上に上部絶縁膜を形成する工程と、
前記ボンディングパッドの最上部を露出させるために前
記上部絶縁膜を選択的に除去する工程と、前記ボンディ
ングパッドの露出部分をシールドするために前記上部絶
縁膜上に保護層を形成する工程と、前記保護層上に多数
のカラーフィルタ素子を形成する工程と、前記カラーフ
ィルタ素子を覆うために平面層を形成する工程と、多数
のマイクロレンズを前記平面層上に形成する工程とを含
むことを特徴とする。保護層はマイクロレンズの形成前
又は形成後に選択的に除去することができる。
ンサ用半導体素子の製造方法は、基板上に下部絶縁膜を
形成する工程と、前記下部絶縁膜上にボンディングパッ
ドを形成する工程と、前記ボンディングパッドを覆うた
めに前記下部絶縁膜上に上部絶縁膜を形成する工程と、
前記ボンディングパッドの最上部を露出させるために前
記上部絶縁膜を選択的に除去する工程と、前記ボンディ
ングパッドの露出部分をシールドするために前記上部絶
縁膜上に保護層を形成する工程と、前記保護層上に多数
のカラーフィルタ素子を形成する工程と、前記カラーフ
ィルタ素子を覆うために平面層を形成する工程と、多数
のマイクロレンズを前記平面層上に形成する工程とを含
むことを特徴とする。保護層はマイクロレンズの形成前
又は形成後に選択的に除去することができる。
【００１５】本発明によるイメージセンサ用半導体素子
を製造する異なる方法は、基板上に下部絶縁膜を形成す
る工程と、前記下部絶縁膜上にボンディングパッドを形
成する工程と、前記ボンディングパッドを覆うために、
前記下部絶縁膜上に上部絶縁膜を形成する工程と、前記
ボンディングパッド上に位置する前記上部絶縁膜の厚さ
を減少させるために、前記上部絶縁膜を選択的に除去す
る工程と、前記上部絶縁膜上に多数のカラーフィルタ素
子を形成する工程と、前記カラーフィルタ素子を覆うた
めに平面層を形成する工程と、前記ボンディングパッド
を露出させるために、厚さが減少された上部絶縁膜を選
択的に除去する工程と、多数のマイクロレンズを前記平
面層上に形成する工程とを含むことを特徴とする。前記
多数のマイクロレンズの形成後、厚さが減少された前記
上部絶縁膜を選択的に除去することもできる。
を製造する異なる方法は、基板上に下部絶縁膜を形成す
る工程と、前記下部絶縁膜上にボンディングパッドを形
成する工程と、前記ボンディングパッドを覆うために、
前記下部絶縁膜上に上部絶縁膜を形成する工程と、前記
ボンディングパッド上に位置する前記上部絶縁膜の厚さ
を減少させるために、前記上部絶縁膜を選択的に除去す
る工程と、前記上部絶縁膜上に多数のカラーフィルタ素
子を形成する工程と、前記カラーフィルタ素子を覆うた
めに平面層を形成する工程と、前記ボンディングパッド
を露出させるために、厚さが減少された上部絶縁膜を選
択的に除去する工程と、多数のマイクロレンズを前記平
面層上に形成する工程とを含むことを特徴とする。前記
多数のマイクロレンズの形成後、厚さが減少された前記
上部絶縁膜を選択的に除去することもできる。
【００１６】本発明によるイメージセンサ用半導体素子
を製造するさらに異なる方法は、基板上に下部絶縁膜を
形成する工程と、前記下部絶縁膜上にボンディングパッ
ドを形成する工程と、前記ボンディングパッドを覆うた
めに前記下部絶縁膜上に上部絶縁膜を形成する工程と、
前記ボンディングパッドの最上部を露出させるために前
記上部絶縁膜を選択的に除去する工程と、金属酸化層を
形成するために前記ボンディングパッドの露出部位を酸
化させる工程と、前記上部絶縁膜上に多数のカラーフィ
ルタ素子を形成する工程と、前記カラーフィルタ素子を
覆うために平面層を形成する工程と、多数のマイクロレ
ンズを前記平面層上に形成する工程とを含むことを特徴
とする。
を製造するさらに異なる方法は、基板上に下部絶縁膜を
形成する工程と、前記下部絶縁膜上にボンディングパッ
ドを形成する工程と、前記ボンディングパッドを覆うた
めに前記下部絶縁膜上に上部絶縁膜を形成する工程と、
前記ボンディングパッドの最上部を露出させるために前
記上部絶縁膜を選択的に除去する工程と、金属酸化層を
形成するために前記ボンディングパッドの露出部位を酸
化させる工程と、前記上部絶縁膜上に多数のカラーフィ
ルタ素子を形成する工程と、前記カラーフィルタ素子を
覆うために平面層を形成する工程と、多数のマイクロレ
ンズを前記平面層上に形成する工程とを含むことを特徴
とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１０〜図１７を参照して、本発
明の好適な実施例によるイメージセンサ用半導体素子の
製造方法を詳細に説明する。図面において、同一部品に
は同一参照番号を付与し説明する。
明の好適な実施例によるイメージセンサ用半導体素子の
製造方法を詳細に説明する。図面において、同一部品に
は同一参照番号を付与し説明する。
【００１８】本発明の好適な実施例では、ボンディング
パッドを露出させた後、ボンディングパッドをシールド
するための保護層が形成され、続いて保護層上にカラー
フィルタ素子、平面層及びマイクロレンズが順次に形成
される。結果的に、保護層の形成工程において、マイク
ロレンズ及びカラーフィルタ素子は影響を受けない。
パッドを露出させた後、ボンディングパッドをシールド
するための保護層が形成され、続いて保護層上にカラー
フィルタ素子、平面層及びマイクロレンズが順次に形成
される。結果的に、保護層の形成工程において、マイク
ロレンズ及びカラーフィルタ素子は影響を受けない。
【００１９】図１０において、蒸着により基板１０２上
に下部絶縁膜１０４が形成される。基板１０２は、ＣＣ
Ｄ（charge coupled device）又は光ダイオードのよう
な光電変換素子（図示せず）及び論理回路（図示せず）
を含む。図１１において、下部絶縁膜１０４上に金属物
質を形成した後、金属物質にフォトリソグラフィを用い
ることによって、ボンディングパッド１０６を含む金属
パターンが絶縁膜上に形成される。この時、下部絶縁膜
１０４の一部は金属パターンを通じて選択的に露出され
る。
に下部絶縁膜１０４が形成される。基板１０２は、ＣＣ
Ｄ（charge coupled device）又は光ダイオードのよう
な光電変換素子（図示せず）及び論理回路（図示せず）
を含む。図１１において、下部絶縁膜１０４上に金属物
質を形成した後、金属物質にフォトリソグラフィを用い
ることによって、ボンディングパッド１０６を含む金属
パターンが絶縁膜上に形成される。この時、下部絶縁膜
１０４の一部は金属パターンを通じて選択的に露出され
る。
【００２０】図１２において、ボンディングパッド１０
６を覆うために、蒸着によって下部絶縁膜１０４上に上
部絶縁膜１０８を形成した後、上部絶縁膜１０８を平坦
化させる。図１３において、ボンディングパッド１０６
の上部を露出させるために、上部絶縁膜１０８にフォト
リソグラフィを適用した後、ボンディングパッド１０６
の露出された部分をシールドするために、薄い保護層１
１０が上部絶縁膜１０８上に形成される。保護層１１０
は、好ましくは酸化物、窒化物、又は酸化窒化物で製作
され、１００〜１０００Åの厚さを有するのが望まし
い。
６を覆うために、蒸着によって下部絶縁膜１０４上に上
部絶縁膜１０８を形成した後、上部絶縁膜１０８を平坦
化させる。図１３において、ボンディングパッド１０６
の上部を露出させるために、上部絶縁膜１０８にフォト
リソグラフィを適用した後、ボンディングパッド１０６
の露出された部分をシールドするために、薄い保護層１
１０が上部絶縁膜１０８上に形成される。保護層１１０
は、好ましくは酸化物、窒化物、又は酸化窒化物で製作
され、１００〜１０００Åの厚さを有するのが望まし
い。
【００２１】フォトリソグラフィとは、幾何学的形状の
パターンをフォトレジストと呼ぶ感光性物質の薄膜に移
す工程である。一般的に、フォトリソグラフィは、コー
ティング、露光、現像、ベーキング及びエッチングステ
ップを含む。即ち、フォトリソグラフィは上部絶縁膜１
０８に感光性物質をコーティングする工程、フォトマス
クを用いて感光性物質を露光する工程、感光性物質を現
像する工程、感光性物質をベーキングする工程及びベー
キングされた感光性物質をエッチングマスクとして用い
て上部絶縁膜１０８をエッチングする工程を含む。
パターンをフォトレジストと呼ぶ感光性物質の薄膜に移
す工程である。一般的に、フォトリソグラフィは、コー
ティング、露光、現像、ベーキング及びエッチングステ
ップを含む。即ち、フォトリソグラフィは上部絶縁膜１
０８に感光性物質をコーティングする工程、フォトマス
クを用いて感光性物質を露光する工程、感光性物質を現
像する工程、感光性物質をベーキングする工程及びベー
キングされた感光性物質をエッチングマスクとして用い
て上部絶縁膜１０８をエッチングする工程を含む。
【００２２】図１４において、保護層１１０上に第１感
光性物質をコーティングして選択的に除去することによ
って、少なくとも一つのカラーフィルタ素子１１２が保
護層上に形成されるようにする。多数のカラーフィルタ
素子１１２が、例えば三つ又は四つの互いに異なるタイ
プで前記保護層１１０上に形成されるまで、他の第１感
光性物質のコーティング及び除去が繰返される。三つの
タイプのカラーフィルタ素子が存在する場合、三つのカ
ラーフィルタ素子は各々赤色、緑色及び青色であろう。
ここで、第１感光性物質は、好ましくはネガ型フォトレ
ジスト（negative photoresist）である。
光性物質をコーティングして選択的に除去することによ
って、少なくとも一つのカラーフィルタ素子１１２が保
護層上に形成されるようにする。多数のカラーフィルタ
素子１１２が、例えば三つ又は四つの互いに異なるタイ
プで前記保護層１１０上に形成されるまで、他の第１感
光性物質のコーティング及び除去が繰返される。三つの
タイプのカラーフィルタ素子が存在する場合、三つのカ
ラーフィルタ素子は各々赤色、緑色及び青色であろう。
ここで、第１感光性物質は、好ましくはネガ型フォトレ
ジスト（negative photoresist）である。
【００２３】図１５において、保護層１１０上に第２感
光性物質をコーティングして選択的に除去することによ
って、カラーフィルタ素子１１２を覆う平面層１１４が
形成される。第２感光性物質は、好ましくはポジ型フォ
トレジスト（positive photoresist）である。図１６に
おいて、保護層１１０にフォトリソグラフィを用いるこ
とによって、平面層１１４で覆われた部分以外の保護層
１１０がボンディングパッド１０６及びその周りの上部
から除去される。
光性物質をコーティングして選択的に除去することによ
って、カラーフィルタ素子１１２を覆う平面層１１４が
形成される。第２感光性物質は、好ましくはポジ型フォ
トレジスト（positive photoresist）である。図１６に
おいて、保護層１１０にフォトリソグラフィを用いるこ
とによって、平面層１１４で覆われた部分以外の保護層
１１０がボンディングパッド１０６及びその周りの上部
から除去される。
【００２４】図１７において、基板１０２上に第３感光
性物質をコーティングして選択的に除去することによっ
て、第３感光性物質が平面層１１４上でカラーフィルタ
素子１１２の上にのみ残るようにする。続いて、熱処理
によって第３感光性物質はマイクロレンズ１１６を形成
し、それぞれのマイクロレンズ１１６は同じ曲率半径を
有する。第３感光性物質は、好ましくはポジ型フォトレ
ジストである。
性物質をコーティングして選択的に除去することによっ
て、第３感光性物質が平面層１１４上でカラーフィルタ
素子１１２の上にのみ残るようにする。続いて、熱処理
によって第３感光性物質はマイクロレンズ１１６を形成
し、それぞれのマイクロレンズ１１６は同じ曲率半径を
有する。第３感光性物質は、好ましくはポジ型フォトレ
ジストである。
【００２５】カラーフィルタ素子１１２、平面層１１４
及びマイクロレンズ１１６のような感光性物質より先に
保護層１１０が形成されるため、感光性物質に影響を与
えることなく、保護層１１０を十分に高い温度で形成す
ることができる。また、カラーフィルタ素子１１２が完
成された後で保護層１１０が除去されるので、カラーフ
ィルタ素子１１２の製造工程中にボンディングパッド１
０６は保護できる。従って、本実施例による方法の生産
歩留まりは、従来方法の生産歩留まりと比べて効果的に
向上する。
及びマイクロレンズ１１６のような感光性物質より先に
保護層１１０が形成されるため、感光性物質に影響を与
えることなく、保護層１１０を十分に高い温度で形成す
ることができる。また、カラーフィルタ素子１１２が完
成された後で保護層１１０が除去されるので、カラーフ
ィルタ素子１１２の製造工程中にボンディングパッド１
０６は保護できる。従って、本実施例による方法の生産
歩留まりは、従来方法の生産歩留まりと比べて効果的に
向上する。
【００２６】本発明の好適な実施例の第１変形として、
保護層はマイクロレンズが完成された後で選択的に除去
されても良い。第１変形は実質的に本発明の好適な実施
例と同じ効果を提供する。
保護層はマイクロレンズが完成された後で選択的に除去
されても良い。第１変形は実質的に本発明の好適な実施
例と同じ効果を提供する。
【００２７】第２変形として、保護層は除去されず、ボ
ンディングパッド上に残っていても良い。この場合、プ
ローブにかかる力（probing force）を増加すれば、プ
ローブテストを半導体素子に適用することができ、ボン
ディング力及びボンディング温度を増加させれば、信頼
性のあるワイヤボンディングも可能である。
ンディングパッド上に残っていても良い。この場合、プ
ローブにかかる力（probing force）を増加すれば、プ
ローブテストを半導体素子に適用することができ、ボン
ディング力及びボンディング温度を増加させれば、信頼
性のあるワイヤボンディングも可能である。
【００２８】第３変形として、ボンディングパッドを酸
化させることによって、保護層の形成工程を省略するこ
とができる。ボンディングパッドを１〜１０％の酸素含
有量及び２００〜４５０℃の温度で酸化させると、３０
〜１２０Åの厚さを有する金属酸化層がボンディングパ
ッド上に形成される。ボンディングパッド上に形成され
た金属酸化層は、保護層の代わりに十分に役割を果たす
ことができる。
化させることによって、保護層の形成工程を省略するこ
とができる。ボンディングパッドを１〜１０％の酸素含
有量及び２００〜４５０℃の温度で酸化させると、３０
〜１２０Åの厚さを有する金属酸化層がボンディングパ
ッド上に形成される。ボンディングパッド上に形成され
た金属酸化層は、保護層の代わりに十分に役割を果たす
ことができる。
【００２９】第４変形として、ボンディングパッド上の
上部絶縁膜を完全に除去するのではなく、その厚さだけ
を減少させることによって、製造工程を簡素化すること
ができる。ボンディングパッドを露出させるために、マ
イクロレンズの完成前または後に上部絶縁膜の厚さを減
少させた部分を完全に除去することができ、逆に、除去
しないでボンディングパッド上にそのまま残すこともで
きる。
上部絶縁膜を完全に除去するのではなく、その厚さだけ
を減少させることによって、製造工程を簡素化すること
ができる。ボンディングパッドを露出させるために、マ
イクロレンズの完成前または後に上部絶縁膜の厚さを減
少させた部分を完全に除去することができ、逆に、除去
しないでボンディングパッド上にそのまま残すこともで
きる。
【００３０】上記において、本発明の好適な実施の形態
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
について説明したが、本発明の請求範囲を逸脱すること
なく、当業者は種々の改変をなし得るであろう。
【００３１】
【発明の効果】カラーフィルタ素子、平面層及びマイク
ロレンズのような感光性物質に先立って保護層が形成さ
れるため、感光性物質に影響を与えることなく、保護層
を十分に高い温度で形成することができる。また、後で
保護層を除去する時にはカラーフィルタ素子が完成され
た後で保護層が除去されるので、カラーフィルタ素子の
製造工程中にボンディングパッドを保護することができ
る。従って、本実施例による方法の生産歩留まりは従来
方法の歩留まりと比べて効果的に向上できる。
ロレンズのような感光性物質に先立って保護層が形成さ
れるため、感光性物質に影響を与えることなく、保護層
を十分に高い温度で形成することができる。また、後で
保護層を除去する時にはカラーフィルタ素子が完成され
た後で保護層が除去されるので、カラーフィルタ素子の
製造工程中にボンディングパッドを保護することができ
る。従って、本実施例による方法の生産歩留まりは従来
方法の歩留まりと比べて効果的に向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図２】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図３】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図４】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図５】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図６】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図７】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図８】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図９】イメージセンサ用半導体素子を製造する従来の
一工程を示す断面図である
一工程を示す断面図である
【図１０】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
【図１１】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
【図１２】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
【図１３】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
【図１４】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
【図１５】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
【図１６】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
ンサ用半導体素子の一製造工程を示す断面図である
【図１７】本発明の好適な実施の形態によるイメージセ
ンサ用半導体素子の製造工程を順次に示す断面図である
ンサ用半導体素子の製造工程を順次に示す断面図である
２、１０２：基板
４、１０４：下部絶縁膜
６、１０６：ボンディングパッド
８、１０８：上部絶縁膜
１０、１１２：カラーフィルタ素子
１２、１１４：平面層
１４、１１６：マイクロレンズ
１６：酸化膜
１１０：保護層
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BA45 BB02 BB10 BB28
BB46
4M118 AA10 BA02 BA10 EA14 EA18
GC08 GD04 GD07 HA30
5C024 AX01 CY47 DX01 EX25 EX43
EX52 GX02
Claims (11)
- 【請求項１】 イメージセンサ用半導体素子の製造方法
であって、 基板上に下部絶縁膜を形成する工程と、 前記下部絶縁膜上にボンディングパッドを形成する工程
と、 前記ボンディングパッドを覆うために、前記下部絶縁膜
上に上部絶縁膜を形成する工程と、 前記ボンディングパッドの最上部を露出させるために、
前記上部絶縁膜を選択的に除去する工程と、 前記ボンディングパッドの露出部分をシールドするため
に、前記上部絶縁膜上に保護層を形成する工程と、 前記保護層上に多数のカラーフィルタ素子を形成する工
程と、 前記カラーフィルタ素子を覆うために、平面層を形成す
る工程と、 多数のマイクロレンズを前記平面層上に形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記マイクロレンズの形成工程前に、前
記平面層で覆われた部分を除いた前記保護層を除去する
ことによって、前記ボンディングパッド及びその周りを
露出させる工程を更に含むことを特徴とする請求項１に
記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記マイクロレンズの形成工程後に、前
記平面層で覆われた部分を除いた前記保護層を除去する
ことによって、前記ボンディングパッド及びその周りを
露出させる工程を更に含むことを特徴とする請求項１に
記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記保護層は酸化物、窒化物、及び酸化
窒化物で構成されたグループから選択されることを特徴
とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項５】 前記保護層は１００〜１０００Åの厚さ
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子
の製造方法。 - 【請求項６】 前記カラーフィルタ素子はネガ型フォト
レジスト材料で形成され、前記平面層及び前記マイクロ
レンズはポジ型フォトレジスト材料で形成されることを
特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。 - 【請求項７】 イメージセンサ用半導体素子を製造する
方法であって、 基板上に下部絶縁膜を形成する工程と、 前記下部絶縁膜上にボンディングパッドを形成する工程
と、 前記ボンディングパッドを覆うために、前記下部絶縁膜
上に上部絶縁膜を形成する工程と、 前記ボンディングパッド上に位置する前記上部絶縁膜の
厚さを減少させるために、前記上部絶縁膜を選択的に除
去する工程と、 前記上部絶縁膜上に多数のカラーフィルタ素子を形成す
る工程と、 前記カラーフィルタ素子を覆うために平面層を形成する
工程と、 ボンディングパッドを露出させるために、厚さが減少さ
れた上部絶縁膜を選択的に除去する工程と、 多数のマイクロレンズを前記平面層上に形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項８】 厚さが減少された前記上部絶縁膜は前記
多数のマイクロレンズの形成後、選択的に除去されるこ
とを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方
法。 - 【請求項９】 イメージセンサ用半導体素子を製造する
方法であって、 基板上に下部絶縁膜を形成する工程と、 前記下部絶縁膜上にボンディングパッドを形成する工程
と、 前記ボンディングパッドを覆うために前記下部絶縁膜上
に上部絶縁膜を形成する工程と、 前記ボンディングパッドの最上部を露出させるために前
記上部絶縁膜を選択的に除去する工程と、 金属酸化層を形成するために前記ボンディングパッドの
露出部位を酸化させる工程と、 前記上部絶縁膜上に多数のカラーフィルタ素子を形成す
る工程と、 前記カラーフィルタ素子を覆うために平面層を形成する
工程と、 多数のマイクロレンズを前記平面層上に形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 【請求項１０】 前記金属酸化物層は、２００〜４５０
℃の温度及び１〜１０％の酸素含有量下で形成されるこ
とを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方
法。 - 【請求項１１】 前記金属酸化物層は、約３０〜１２０
Åの厚さを有することを特徴とする請求項１０に記載の
半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0013804A KR100462757B1 (ko) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | 이미지 센서용 반도체 소자 제조 방법 |
| KR2002-013804 | 2002-03-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273341A true JP2003273341A (ja) | 2003-09-26 |
| JP3825721B2 JP3825721B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=28036062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002179252A Expired - Fee Related JP3825721B2 (ja) | 2002-03-14 | 2002-06-20 | イメージセンサ用半導体素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100462757B1 (ja) |
| CN (1) | CN100343945C (ja) |
| TW (1) | TW550829B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129952A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Mangnachip Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| JP2006253422A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2007073966A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Magnachip Semiconductor Ltd | Ｌｔｏ保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 |
| US7405376B2 (en) * | 2003-11-06 | 2008-07-29 | Disco Corporation | Processing apparatus using laser beam |
| KR100868647B1 (ko) | 2007-08-27 | 2008-11-12 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100877879B1 (ko) * | 2002-07-15 | 2009-01-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조방법 |
| US7507598B2 (en) * | 2003-06-06 | 2009-03-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor fabrication method and structure |
| TWI222178B (en) * | 2003-11-12 | 2004-10-11 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of image sensor device |
| KR100504563B1 (ko) | 2004-08-24 | 2005-08-01 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100606902B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2006-08-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR20060077709A (ko) | 2004-12-30 | 2006-07-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 |
| KR100672707B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 본딩패드 형성방법 |
| KR100660323B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2006-12-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 제조방법 |
| US7829965B2 (en) | 2005-05-18 | 2010-11-09 | International Business Machines Corporation | Touching microlens structure for a pixel sensor and method of fabrication |
| KR100649031B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100664790B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100685894B1 (ko) * | 2005-06-27 | 2007-02-26 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 제조 방법 |
| KR100640981B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2006-11-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100752162B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-08-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100698070B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-03-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
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| KR100720479B1 (ko) * | 2005-11-09 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100720491B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100654052B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2006-12-05 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100720527B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100769126B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
| KR100731132B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100731134B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100733706B1 (ko) * | 2006-08-01 | 2007-06-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR100818526B1 (ko) * | 2006-12-20 | 2008-03-31 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100866248B1 (ko) * | 2006-12-23 | 2008-10-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
| JP4457142B2 (ja) * | 2007-10-17 | 2010-04-28 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子、カメラモジュールおよび電子情報機器 |
| US20090124037A1 (en) * | 2007-11-13 | 2009-05-14 | United Microelectronics Corp. | Method of preventing color striation in fabricating process of image sensor and fabricating process of image sensor |
| JP5477595B2 (ja) * | 2009-04-27 | 2014-04-23 | 日産化学工業株式会社 | フルオレン骨格を有する光重合性ポリマーを用いる感光性組成物 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812904B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1996-02-07 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像素子の製造方法 |
| JP2863422B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1999-03-03 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| KR960006203B1 (ko) * | 1992-12-24 | 1996-05-09 | 금성일렉트론주식회사 | 고체 촬상 소자 제조방법 |
| JP2802733B2 (ja) * | 1995-06-07 | 1998-09-24 | エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド | カラー固体撮像素子及びその製造方法 |
| TW396645B (en) * | 1998-06-16 | 2000-07-01 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of CMOS sensor devices |
| KR100521970B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2006-01-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 패드 금속의 표면 보호를 위한 이미지센서 제조방법 |
| KR20000032734A (ko) * | 1998-11-17 | 2000-06-15 | 김영환 | 고체촬상소자의 제조방법 |
| JP2000164836A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Nikon Corp | 固体撮像装置等の半導体装置の製造方法 |
| KR20000041461A (ko) * | 1998-12-22 | 2000-07-15 | 김영환 | 개선된 이미지센서 제조방법 |
| KR20010008983A (ko) * | 1999-07-06 | 2001-02-05 | 김영환 | 고체 촬상 소자의 제조 방법 |
| US6344369B1 (en) * | 2000-07-03 | 2002-02-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process |
| KR100646080B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2006-11-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스이미지센서 제조방법 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005129952A (ja) * | 2003-10-24 | 2005-05-19 | Mangnachip Semiconductor Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| JP4603851B2 (ja) * | 2003-10-24 | 2010-12-22 | クロステック・キャピタル，リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | Ｃｍｏｓイメージセンサの製造方法 |
| US7405376B2 (en) * | 2003-11-06 | 2008-07-29 | Disco Corporation | Processing apparatus using laser beam |
| JP2006253422A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Sony Corp | 固体撮像装置 |
| JP2007073966A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Magnachip Semiconductor Ltd | Ｌｔｏ保護膜の省略が可能なイメージセンサの製造方法 |
| KR100868647B1 (ko) | 2007-08-27 | 2008-11-12 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
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