JPH10326885A

JPH10326885A - 固体撮像素子

Info

Publication number: JPH10326885A
Application number: JP9134612A
Authority: JP
Inventors: Takashi Fukusho; 孝福所
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-05-26
Filing date: 1997-05-26
Publication date: 1998-12-08

Abstract

(57)【要約】【課題】集光効率を高めて感度向上を図ると共に、受
光センサ部上に遮光膜を設けることなくスミアをなくす
ようにした固体撮像素子の提供が望まれている。【解決手段】シリコン基板（基体）２の表層部に設け
られて光電変換をなす受光センサ部３と、受光センサ部
３から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部５
と、シリコン基板２上に絶縁膜を介して設けられた転送
電極８、１０とを備えてなる。受光センサ部３上におけ
る、転送電極８、１０の側壁面にはこれを覆って層間絶
縁膜１１が設けられている。層間絶縁膜１１に囲まれた
箇所には透明膜１２が埋め込まれている。透明膜１２の
屈折率は、層間絶縁膜１１の屈折率より大である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、受光センサ部への
集光効率を高め、感度特性やスミア特性の向上を図った
固体撮像素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、固体撮像素子においてはその小型
化や画素の高密度化が一層進み、これに伴って受光エリ
アが縮小され、感度低下やスミアの増加などの特性劣化
を招いている。感度低下の対策としては、例えばオンチ
ップレンズを設け、受光センサ部での集光効率を高める
といったことが提案され、一部に実施されている。ま
た、スミア対策としては、通常は遮光膜を受光センサ部
の直上にまで張り出して形成するといったことがなされ
ている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
オンチップレンズを設けて集光効率を上げたものにおい
ても、転送電極等の段差を解消しないと遮光膜やその上
のカラーフィルタ等の加工均一性が悪化してしまい、ス
ミアの増加や微少感度ムラの劣化を招いてしまう。ま
た、遮光膜を受光センサ部の直上にまで張り出して形成
したものについては、このように遮光膜を張り出して形
成すると当然受光センサ部での集光効率が低下してしま
い、やはり感度低下を招いてしまって前述した小型化や
画素の高密度化に対応するのが困難になってしまう。さ
らに、よりスミアを防ぐべく、遮光膜の張り出しを受光
センサ部の近傍位置となるように極端に低く形成すると
いったことも考えられるが、その場合には画像欠陥が増
加してしまい、しかも、この遮光膜形成のための加工に
より受光センサ部がエッチングダメージや不純物汚染を
受けてしまって画質が劣化してしまう。

【０００４】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、集光効率を高めて感度向
上を図るとともに、受光センサ部上に遮光膜を設けるこ
となくスミアをなくすようにした固体撮像素子を提供す
ることにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子で
は、基体の表層部に設けられて光電変換をなす受光セン
サ部と、該受光センサ部から読み出された信号電荷を転
送する電荷転送部と、前記基体上の、前記電荷転送部の
略直上位置に絶縁膜を介して設けられた転送電極とを備
えてなり、前記受光センサ部上における、前記転送電極
の側壁面に該側壁面を覆って層間絶縁膜が設けられ、か
つ前記受光センサ部上における、前記層間絶縁膜に囲ま
れた箇所に透明膜が埋め込まれ、前記透明膜の屈折率
が、層間絶縁膜の屈折率より大であることを前記課題の
解決手段とした。

【０００６】この固体撮像素子によれば、転送電極の側
壁面に層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜に囲まれた
箇所に透明膜が埋め込まれ、前記透明膜の屈折率が層間
絶縁膜の屈折率より大であることから、透明膜表面に斜
めに入射し、該透明膜表面と前記層間絶縁膜との間の界
面に到る光が、該界面で反射して受光センサ部上に入射
するようになる。また、このように透明膜の周りに層間
絶縁膜を配したことによって透明膜に入射した光が受光
センサ部の外に洩れるのを防止したことから、該透明膜
上に遮光膜を配する必要がなくなる。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の固体撮像素子を詳
しく説明する。図１（ａ）、（ｂ）は本発明の固体撮像
素子の第１実施形態例を示す図であり、（ａ）は固体撮
像素子の概略構成を示す要部平面図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線矢視断面図である。図１（ａ）、（ｂ）におい
て符号１は固体撮像素子、２はシリコン基板（基体）で
ある。シリコン基板２には、図１（ｂ）に示すようにそ
の表層部に光電変換をなす受光部（図示略）が形成さ
れ、さらにこの受光部の上にホール蓄積部（図示略）が
形成されている。そして、これら受光部とホール蓄積部
とから、ＨＡＤ（Holl Accumulation Diode ）構造の受
光センサ部３が形成されている。

【０００８】この受光センサ部３の一方の側には、読み
出しゲート４を介して電荷転送部５が形成され、他方の
側にはチャネルストップ６を介して別の電荷転送部５が
形成されている。そして、このような構成により受光セ
ンサ部３で光電変換されて得られた信号電荷は、読み出
しゲート４を介して電荷転送部５に読み出され、さらに
該電荷転送部５にて転送されるようになっている。

【０００９】また、シリコン基板２の表面部には、熱酸
化法やＣＶＤ法等によって形成されたＳｉＯ₂からなる
絶縁膜７が設けられている。なお、この絶縁膜７につい
てはＳｉＯ₂膜からなる単層膜でなく、ＳｉＯ₂膜−Ｓ
ｉＮ膜−ＳｉＯ₂膜の三層からなるいわゆるＯＮＯ構造
の積層膜としてもよい。絶縁膜７の上には前記電荷転送
部５の略直上位置に第１ポリシリコンからなる第１の転
送電極８が形成されている。この第１の転送電極８の表
面上には、該転送電極８を覆ってＳｉＯ₂からなる電極
絶縁膜９が形成されている。なお、図１（ｂ）には示さ
ないものの、第１の転送電極８とは一部が重なり合う状
態で、図１（ａ）に示したように第２ポリシリコンから
なる第２の転送電極１０が形成されており、この第１の
転送電極１０の表面上にもこれ覆ってＳｉＯ₂からなる
電極絶縁膜（図示略）が形成されている。

【００１０】また、これら第１の転送電極８、第２の転
送電極１０の上面および側壁面には、図１（ｂ）に示し
たようにこれらの面を覆って層間絶縁膜１１が設けられ
ている。このような構成により層間絶縁膜１１は、図１
（ａ）に示したように第１の転送電極８、第２の転送電
極１０に囲まれた受光センサ部３の直上部分において
は、筒状（この例では四角筒状）に形成されたものとな
っている。層間絶縁膜１１を形成する絶縁膜として具体
的には、ＢＰＳＧ（ホウ素リンシリケートガラス）やＳ
ＯＧ（スピンオングラス）、バイアス高密度Ｐ−ＳｉＯ
等の屈折率が１．４５程度のもの、あるいはこれらにＦ
（フッ素）を添加してその屈折率を少し小さくしたもの
などが用いられるが、この例では屈折率が１．４５程度
のＳｉＯ₂系酸化膜が用いられている。

【００１１】この筒状に形成された層間絶縁膜１１に囲
まれた箇所、すなわち図１（ｂ）に示すように受光セン
サ部３の直上箇所には、透明膜１２が埋め込まれてい
る。この透明膜１２は、前記層間絶縁膜１１の屈折率よ
り大きい屈折率を有する材料からなるもので、この例で
はバイアス高密度プラズマＣＶＤ法による平坦化Ｐ−Ｓ
ｉＮ膜（屈折率２．０）によって形成されている。な
お、この透明膜１２としては、前記平坦化Ｐ−ＳｉＮ膜
に代えて、酸素を多く含んだシリコンや、ポリシリコン
などからなる膜を用いることもできる。また、これら層
間絶縁膜１１、透明膜１２は、リフローやオーバーエッ
チング等の平坦化処理がなされており、これによってそ
の上面、さらには層間絶縁膜１１の側面（透明膜１２と
の界面側の面）が平滑化されている。

【００１２】層間絶縁膜１１の上には、これを覆ってア
ルミニウムやアルミニウム合金などからなる遮光膜１３
が形成されており、これによって遮光膜１３は、図１
（ａ）に示すように受光センサ部３の直上位置の大部分
を外側に臨ませた状態で、すなわち受光センサ部３の直
上に矩形の開口部を有した状態で形成されたものとなっ
ている。この遮光膜１３および前記透明膜１２の上に
は、これらを覆ってパッシベーション膜１４が形成され
ている。また、パッシベーション膜１４の上には樹脂等
からなるカラーフィルタ層１５が形成され、さらにその
上にはオンチップレンズと称される凸状の透明樹脂等か
らなるレンズ層１６が形成されている。ここで、カラー
フィルタ層１５およびレンズ層１６は、共に屈折率が
１．５〜１．６程度の材料によって形成されたものであ
る。

【００１３】このような固体撮像素子１を作製するに際
し、特に層間絶縁膜１１、透明膜１２を形成するには、
第１の転送電極８、第２の転送電極１０に熱酸化法等に
よって電極絶縁膜９を形成した後、前述したようにＢＰ
ＳＧ（ホウ素リンシリケートガラス）やＳＯＧ（スピン
オングラス）、バイアス高密度Ｐ−ＳｉＯ等から選ばれ
たＳｉＯ₂系酸化物をその成膜法に基づいて成膜しさら
にこれをリフロー処理などによって平坦化する。その
後、第１の転送電極８上、第２の転送電極１０上、およ
びこれらの側壁面に堆積した部分を覆った状態でレジス
トパターンを形成し、さらにこのレジストパターンをマ
スクにして受光センサ部３上に堆積した膜をエッチング
により除去し、層間絶縁膜１１を得る。

【００１４】次いで、前述したようにバイアス高密度プ
ラズマＣＶＤ法によって平坦化Ｐ−ＳｉＮ膜を堆積形成
し、さらにこれにＣＭＰ法やレジストエッチバック法に
よってグローバル平坦化処理を施し、図１（ｂ）に示し
たように受光センサ部３の直上における、層間絶縁膜１
１に囲まれた箇所にのみこの平坦化Ｐ−ＳｉＮ膜を残し
て透明膜１２を得る。

【００１５】このようにして層間絶縁膜１１、透明膜１
２を形成した後には、従来と同様にして第１の転送電極
８、第２の転送電極１０等を覆って遮光膜１３をする。
なお、この遮光膜１３については、固体撮像素子１の周
辺回路における配線と同一の層として形成することも可
能である。続いてＰ−ＳｉＮ膜等からなるパッシベーシ
ョン膜１４を形成し、さらに染色法やカラーレジスト塗
布によってカラーフィルタ層１５を形成し、その後、レ
ンズ層１６を形成する。ここで、レンズ層１６の形成に
ついては、熱溶融性透明樹脂や常温無加熱でＣＶＤ可能
な高密度ＳｉＮを堆積させ、さらにその上部にレジスト
を設けた後、このレジストを熱リフロー処理して所望の
曲率を有する凸レンズ形状にし、さらにこれをマスクに
して前記堆積層をエッチングし、レジストを除去してレ
ンズ層１６を得るといったエッチバック転写等が用いら
れる。

【００１６】このようにして得られる固体撮像素子１に
よれば、レンズ層１６で集光され、さらにカラーフィル
タ層１５、パッシベーション膜１４を透過して透明膜１
２に入射した光がさらに絶縁膜７を透過した後受光セン
サ部３に到り、ここで光電変換がなされる。また、図１
（ｂ）中二点鎖線による矢印で示したごとく、透明層１
２の表面に対して斜めに入射し、そのまま該透明膜１２
表面と層間絶縁膜１１との間の界面に到る光も、該界面
で反射して受光センサ部３上に入射するようになってい
る。

【００１７】すなわち、この例では、透明膜１２の表面
と受光センサ部３の表面および絶縁膜７の表面とが平行
であり、透明膜１２の表面と層間絶縁膜１１の側面（透
明膜１２との界面）とのなす角が直角であるとした場合
に、レンズ層１６の曲率や該レンズ層１６、カラーフィ
ルタ層１５、パッシベーション膜１４の屈折率が、透明
膜１２に入射した光の該透明膜１２表面に対する角度θ
₁が４６．５°より大きい角度となるように予め調整さ
れている。

【００１８】そして、このようにθ₁が４６．５°より
大きい角度となるように調整され、したがって層間絶縁
膜１１の側面に対する入射角θ₁（図１（ｂ）中二点鎖
線で示した入射光と一点鎖線で示した層間絶縁膜１１の
側面に対する法線とのなす角）が４６．５°より大きい
角度となるように調整されており、また、透明膜１２の
屈折率ｎ₁が２．０、層間絶縁膜１１の屈折率ｎ₂が
１．４５であることから、以下の式に示されるスネルの
法則により、前述したように透明膜１２を透過してこれ
と層間絶縁膜１１との界面に到った光が、全て全反射し
て受光センサ部３に入射するのである。ｎ₁・ｓｉｎθ₁＝ｎ₂・ｓｉｎθ₂ （スネルの法則）

【００１９】つまり、図２に示すスネルの法則の説明図
において、屈折角θ₂が９０°を越えると光が全反射に
なるとすれば、θ₂に９０°を代入し、さらにｎ₁＝
２．０、ｎ₂＝１．４５とすることにより、２．０×ｓ
ｉｎθ₁＝１．４５×ｓｉｎ９０°となり、ｓｉｎ９０
°＝１であることから、ｓｉｎθ₁＝１．４５／２．０
となり、これから全反射するための臨界的な角度である
θ₁＝４６．５°が求まるのである。よって、前述した
ごとく透明膜１２に入射した光の該透明膜１２表面に対
する角度θ₁が前記の臨界的な角度である４６．５°よ
り大きい角度となることにより、透明膜１２を透過して
これと層間絶縁膜１１との界面に到った光が、全て全反
射して受光センサ部３に入射するようになる。

【００２０】したがって、この固体撮像素子１にあって
は、透明膜１２に入射した光を全て受光センサ部３に入
射させることができることにより、集光効率を高めて感
度を格段に向上させることができる。また、受光センサ
部３上に透明膜１２が埋め込まれてこれが平坦化されて
いることにより、該透明膜１２と層間絶縁膜１１とがほ
ぼ面一となり、したがって第１の転送電極８、第２の転
送電極１０による段差が解消されてこれらの上に形成さ
れる遮光膜１３やカラーフィルタ層１５などの加工均一
性が向上し、スミアの増加や微少感度ムラの劣化を防止
することができる。

【００２１】さらに、透明膜１２の周りに層間絶縁膜１
１を配したことによって透明膜１２に入射した光が受光
センサ部３の外に洩れるのを防止したことから、該透明
膜１２上に遮光膜１３を配する必要がなくなり、これに
より従来のごとく遮光膜を受光センサ部３の直上にまで
張り出す必要がなくなる。よって、遮光膜１３の開口部
を広く形成することができ、その分この開口部内に臨む
受光センサ部３の面積を大きくして集光効率を高めるこ
とができる。また、このように遮光膜１３に張り出しを
設けていないので、従来のごとくこれが受光センサ部３
の近傍位置となるように極端に低く形成された場合に、
画像欠陥が増加してしまい、しかも、この遮光膜形成の
ための加工により受光センサ部３がエッチングダメージ
や不純物汚染を受けてしまって画質が劣化してしまうと
いった不都合も防ぐことができる。

【００２２】また、光の入射経路（光路）となる、受光
センサ部３の直上部においては、レンズ層１６の外側か
ら順に、屈折率が１．０の空気、屈折率が１．５〜１．
６程度のレンズ層１６およびカラーフィルタ層１５、屈
折率が２．０の透明層１２、屈折率が３．８のシリコン
からなる受光センサ部３と、該受光センサ部３側に行く
にしたがってその屈折率が高くなっているので、これら
光の経路内においては、斜めに入射した光についても材
質の異なる層間の界面を透過する際に全反射が起こら
ず、受光センサ部３の表面に対しより垂直に近い角度で
入射するように屈折していく。したがって、より高い集
光効率を得ることができるとともに、反射に起因する特
性の低下などを防止することができる。また、受光セン
サ部３の直上に位置する透明膜１２をＰ−ＳｉＮ膜から
形成していることから、該Ｐ−ＳｉＮ膜が水素化を促進
することによってダーク成分の低減化を図ることができ
る。

【００２３】図３は本発明の固体撮像素子の第２実施形
態例を示す図であり、図１（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面に
相当する図である。図３において符号２０は固体撮像素
子であり、この固体撮像素子２０が図１（ａ）、（ｂ）
に示した固体撮像素子１と異なるところは、主に、受光
センサ部３と透明膜１２との間に、図１（ｂ）に示した
絶縁層７に代えて減圧ＣＶＤ法による窒化ケイ素膜（以
下、ＳｉＮ膜と記す）２１を設けた点である。このよう
に絶縁層７に代えてＳｉＮ膜２１を設けたことにより、
このＳｉＮ膜２１はその屈折率が２．０であることか
ら、同じく屈折率が２．０の平坦化Ｐ−ＳｉＮ膜からな
る透明層１２との間の界面で屈折が起こらず、したがっ
てここでの反射を確実に防止することができる。れてな
る

【００２４】また、このようなＳｉＮ膜２１を設けた固
体撮像素子２０を作製するには、シリコン基板２にイオ
ン注入等によって不純物を注入しさらにこれを拡散さ
せ、受光センサ部３、読み出しゲート４、電荷転送部
５、チャネルストップ６をそれぞれ形成する。続いて、
熱酸化法やＣＶＤ法によりシリコン基板２表面にＳｉＯ
₂膜、あるいはＳｉＯ₂膜−ＳｉＮ膜−ＳｉＯ₂膜の三
層からなるＯＮＯ構造の積層膜を形成して絶縁膜７を得
る。

【００２５】次いで、ＣＶＤ法によって第１ポリシリコ
ンを堆積し、さらにこれを公知のフォトリソグラフィー
技術、エッチング技術によってパターニングし、第１の
転送電極８を形成する。続いて、熱酸化法やＣＶＤ法等
によって該第１の転送電極８の表面に電極絶縁膜９を形
成する。さらに、第１の転送電極８の形成と同様にし
て、第２ポリシリコンからなる第２の転送電極８を加工
形成し、さらにこれの表面に電極絶縁膜（図示略）を形
成する。なお、転送電極を三層以上の構造とする場合に
は、このような工程を層分繰り返すことによってこれを
形成する。

【００２６】次いで、公知のフォトリソグラフィー技
術、エッチング技術によって受光センサ部３上の絶縁膜
７を除去し、さらに減圧ＣＶＤ法によってＳｉＮ膜２１
を全面に形成する。次いで、先の第１実施形態例の場合
と同様にして層間絶縁膜１１を形成する。このとき、第
１の転送電極８と第２の転送電極１０との間にはマスク
の合わせずれなどに起因して、図３に示したようにその
側壁面がずれて形成されてしまうことがある。しかし、
本実施形態例では、先の第１実施形態例と同様に、層間
絶縁膜１１にリフロー処理などを施し、これにより図３
に示したように、特に第１の転送電極８、第２の転送電
極１０の側壁面に堆積した膜を平坦化する。

【００２７】次いで、第１実施形態例と同様にして受光
センサ部３上に堆積した膜をエッチングにより除去し、
層間絶縁膜１１を得る。このとき、先にＳｉＮ膜２１を
全面に形成していることにより、このＳｉＮ膜２１がエ
ッチングストッパとして機能し、これにより受光センサ
部３などにエッチングダメージが与えられることが防が
れている。このようにして層間絶縁膜１１を形成した
ら、第１実施形態例と同様にして透明層１２を形成し、
さらに遮光膜１３、パッシベーション膜１４、カラーフ
ィルタ層１５、レンズ層１６を順次形成する。

【００２８】このように、第２実施形態例の固体撮像素
子２０にあっては、透明層１２と受光センサ部３との間
に、絶縁層７に代えてＳｉＮ膜２１を設けたことから、
前述したように透明層１２と該ＳｉＮ膜２１との間の界
面での屈折を防止することができ、しかも、層間絶縁膜
１１形成時の受光センサ部３上のエッチングの際に、Ｓ
ｉＮ膜２１をエッチングストッパとして機能させること
ができるとともに、受光センサ部３などにエッチングダ
メージが与えられるのを防止するものとしても機能させ
ることができる。

【００２９】なお、前記実施形態例では遮光膜１３を設
けたが、レンズ層１６等により固体撮像素子に入射した
光を確実に透明膜１２に入射させることができる場合に
は、この遮光膜１３を設けなくてもよい。また、絶縁膜
７を三層からなるＯＮＯ構造とした場合には、層間絶縁
膜１１の形成に先立ち、最上部のＳｉＯ₂膜を除去して
二層目のＳｉＮ膜を露出させておき、このＳｉＮ膜を層
間絶縁膜１１形成時のエッチングストッパとして機能さ
せてもよい。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の固体撮像素
子は、転送電極の側壁面に層間絶縁膜を設け、該層間絶
縁膜に囲まれた箇所に透明膜を埋め込み、前記透明膜の
屈折率を層間絶縁膜の屈折率より大としたものであるか
ら、透明膜表面に斜めに入射し、該透明膜表面と前記層
間絶縁膜との間の界面に到る光を、該界面で反射させて
受光センサ部上に入射させることができ、これにより集
光効率を高めて感度を格段に向上させることができる。
したがって、特性低下を招くことなく、固体撮像素子の
小型化や画素の高密度化を図ることができる。

【００３１】また、このように透明膜の周りに層間絶縁
膜を配したことによって透明膜に入射した光が受光セン
サ部の外に洩れるのを防止したことから、該透明膜上に
遮光膜を配する必要がなくなり、これにより従来のごと
く遮光膜を受光センサ部の直上にまで張り出す必要がな
くなる。よって、遮光膜の開口部を広く形成することが
でき、その分この開口部内に臨む受光センサ部の面積を
大きくして集光効率を高めることができる。また、この
ように遮光膜に張り出しを設ける必要がないので、従来
のごとくこれが受光センサ部の近傍位置となるように極
端に低く形成された場合に、画像欠陥が増加してしま
い、しかも、この遮光膜形成のための加工により受光セ
ンサ部がエッチングダメージや不純物汚染を受けてしま
って画質が劣化してしまうといった不都合も防ぐことが
できる。さらに、受光センサ部上に位置する遮光膜の張
出部分については通常その上面、下面の両方に低反射膜
を設ける必要があるが、本発明の固体撮像素子にあって
は遮光膜に張り出しを設ける必要がないので、当然低反
射膜を設ける工程が不要になり、したがって生産性を向
上してコストダウンを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の固体撮像素子の第１実施形態例を示す
図であり、（ａ）は固体撮像素子の概略構成を示す要部
平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図である。

【図２】スネルの法則の説明図である。

【図３】本発明の固体撮像素子の第２実施形態例を示す
図であり、図１（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面に相当する図
である。

【符号の説明】

１、２０固体撮像素子２シリコン基板（基体）
３受光センサ部５電荷転送部７絶縁膜８第１の電荷転送
電極１０第２の電荷転送電極１１層間絶縁膜１
２透明膜１５カラーフィルタ層１６レンズ層２１窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体の表層部に設けられて光電変換をな
す受光センサ部と、該受光センサ部から読み出された信
号電荷を転送する電荷転送部と、前記基体上の、前記電
荷転送部の略直上位置に絶縁膜を介して設けられた転送
電極とを備えてなり、前記受光センサ部上における、前記転送電極の側壁面に
該側壁面を覆って層間絶縁膜が設けられ、かつ前記受光
センサ部上における、前記層間絶縁膜に囲まれた箇所に
透明膜が埋め込まれ、前記透明膜の屈折率が、層間絶縁膜の屈折率より大であ
ることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】前記基体がシリコンからなり、かつ、前
記透明膜上にカラーフィルタ層、レンズ層が設けられて
なり、レンズ層およびカラーフィルタ層、透明層、受光センサ
部は、レンズ層およびカラーフィルタ層側から受光セン
サ部側に行くにしたがってその屈折率が高くなっている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】前記受光センサ部と透明膜との間に、減
圧ＣＶＤ法による窒化ケイ素膜が形成されてなることを
特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。