KR960006203B1 - 고체 촬상 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 종래 고체 촬상 소자 제조를 설명하기 위한 공정 단면도.
제 2 도는 본 발명의 고체 촬상 소자 제조를 설명하기 위한 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2 : 패드
3 : 게이트 4 : 평탄층
5 : 염색층 6 : 톱층
20 : 보호막 21 : 마이크로 렌즈
22 : 포토 레지스트
본 발명은 고체 촬상 소자(CCD)의 컬러 필터(Color Filter)에 관한 것으로, 특히 톱 코팅층(Top Coating Layer)의 손상(Damage)을 억제하기에 적당하도록 한 고체 촬상 소자 제조 방법에 관한 것이다.
종래의 기술은 제 1 도(A)와 같이 기판(1)위에 패드(Pad)(2) 및 게이트(폴리실리콘)(3)를 패터닝(Patterning)하고, 전표면에 평탄층(4)을 도포한 후 (B)와 같이 패드(2) 영역을 제외한 평탄층(3) 표면에 염색층(5)을 코팅하여 패터닝한다.
다음, (C)와 같이 패드(2) 영역을 제외한 표면에 톱층(6)을 코팅한 후 (D)와 같이 톱층(6) 표면에 마이크로 렌즈(μ-lens)(7)를 패터닝하고,(E)와 같이 톱층(6) 영역 표면에 포토 레지스트(Photo Resist)(8)를 형성한다.
이어서, 상기 패드(2) 영역의 평탄층(4)을 제거한 후 (F)와 같이 상기 포토 레지스트(8)를 제거한다.
그러나, 이와같은 종래의 기술에 있어서는 (F)공정에서 포토 레지스트(8)를 제거할 때 각 마이크로 렌즈(7) 사이의 톱층(6)이 손상되므로서 틈(Crack)이 발생하므로 염색층(5)이 탈색된다.
본 발명은 이와같은 종래의 결점을 감안하여 안출한 것으로, 패드 오픈 공정시 톱 코팅층의 손상을 억제하므로써 소자 특성을 개선시킬 수 있는 고체 촬상 소자 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이하에서 이와같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제 2 도는 본 발명의 공정 단면도로, 제 2 도(A)와 같이 기판(1) 위에 패드(2) 및 게이트(3)를 형성하고, (B)와 같이 평탄층(4) 및 염색층(5)을 형성한 후 (C)와 같이 톱층(6)을 형성하기까지는 종래와 같다.
다음, (D)와 같이 톱층(6) 표면에 보호막(20)을 형성한 후 (E)와 같이 보호막(20) 표면에 마이크로 렌즈(21)를 패터닝하고, (F)와 같이 보호막(20) 영역 표면이 도포되도록 포토 레지스트(22)를 코팅한 후 드라이 애싱(Dry Ashing)으로 패드(2) 영역의 평탄층(4)을 제거하고, (G)와 같이 상기 포토 레지스트(22)를 제거한다. 단, 상기 보호막(20) 형성은 마이크로 렌즈(21)와 같은 뭍질을 코팅한 후 자외선(UV)으로 노광 시키므로써 투명하게 되도록 하고, 160℃∼200℃에서 베이킹(Baking)을 실시하므로 유리와 같이 투명하게 되도록 한다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명은 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 톱층(6) 및 마이크로 렌즈(21) 사이에 보호막(20)을 형성하므로써 포토레지스트(22) 제거시 각 마이크로 렌즈(21) 사이의 톱층(6)에 틈이 발생되지 않으므로 소자 특성이 개선된다.
둘째, 보호막(20)의 두께로 마이크로 렌즈(6)의 촛점 거리를 조정할 수 있으므로 효율적이며 그 촛점 거리를 짧게 실현할 수 있다.
Claims (2)
- 기판(1) 위에 패드(2) 및 게이트(3)를 패터닝하고, 전표면에 평탄층(4)을 도포한 후 패드(2) 영역을 제외한 표면에 염색층(5)을 패터닝하는 단계와, 상기 패드(2) 영역을 제외한 표면에 톱층(6) 및 보호막(20)을 차례로 형성한 후 보호막(20) 표면에 마이크로 렌즈(21)를 패터닝하고, 보호막(20) 영역 표면에 포토 레지스트(22)를 형성하는 단계와, 상기 패드(2) 영역의 평탄층(4)을 제거하고, 포토 레지스트(20)를 제거하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 고체 촬상 소자 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 보호막(20)은 마이크로 렌즈(21)와 같은 물질을 코팅하고, 자외선으로 노광시킨 후 160℃∼200℃에서 베이킹하여 형성하는 고체 촬상 소자 제조 방법.
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