KR100654052B1 - Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 - Google Patents
Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100654052B1 KR100654052B1 KR1020050131435A KR20050131435A KR100654052B1 KR 100654052 B1 KR100654052 B1 KR 100654052B1 KR 1020050131435 A KR1020050131435 A KR 1020050131435A KR 20050131435 A KR20050131435 A KR 20050131435A KR 100654052 B1 KR100654052 B1 KR 100654052B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pad
- film
- image sensor
- cleaning
- ashing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 title abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen(.) Chemical compound [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 CMOS(Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서의 제조방법에 관한 것으로, 패드(pad)를 형성한 이후에, 산화막(passivation oxide)과 질화막(passivation nitride)을 도포하는 공정과; 수소 어닐(Hydrogen anneal, sinter) 공정과; 사진 및 식각에 의해 픽셀 영역(pixel block)의 상기 질화막을 선택적으로 제거하는 공정 및 제1 세정 공정과; 패드 영역(pad block)의 상기 질화막과 상기 산화막을 제거하여 상기 패드를 오픈하는 공정 및 제2 세정 공정과; 패드 보호막을 도포하는 공정과; 상기 패드 보호막 도포 후의 컬러 필터 어레이(color filter array) 공정, 평탄화(planarization) 공정, 마이크로렌즈(microlens) 공정과; 상기 패드 영역의 상기 패드 보호막을 제거하는 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법에 의하여 픽셀 영역의 써클 디펙트(circle defect)를 제거하여 CMOS 이미지 센서의 품질을 높이고, 빛에 대한 반사도를 줄여서 CMOS 이미지 센서의 감도를 높이는 효과가 있다.
패드 보호막, PE TEOS 막, 열 경화성 수지 막
Description
도 1a 내지 도 1h는 종래기술에 의한 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 도 2i는 본 발명의 일 실시예에 의한 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 나타낸 단면도이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 CMOS(Complementary Metal Oxide Silicon) 이미지 센서의 제조방법에 관한 것이며 특히, 금속 배선층으로부터 패드(pad)를 형성한 이후의 공정에 관한 것이다.
CMOS 이미지 센서의 특성은 외부의 빛 입자를 광 다이오드(photo diode)가 받아들이는 감도(Sensitivity)에 좌우된다. 이러한 감도는 마이크로렌즈(microlens)와 광 다이오드 사이의 거리 및 막질 특성에 기인하는 바가 크다. 그런데 종래의 픽셀 영역(pixel block)의 질화막(passivation nitride)의 경우는 금속층(metal layer)처럼 빛을 완전히 반사하지는 않지만, 산화막(passivation oxide)에 비하여 상대적으로 빛의 상당부분을 차단하여 반사시키는 특성을 가진다. 따라서, CMOS 이미지 센서의 감도가 떨어지는 문제점이 발생한다.
한편, 일반적으로 CMOS 이미지 센서의 경우에는 저조도의 특성을 향상시키기 위한 수소 어닐(Hydrogen anneal, sinter) 공정을 일반적인 반도체 제조공정과 달리 산화막의 적층 이후에 하지 않고, 저조도 특성을 보다 향사시키기 위하여 질화막의 적층 이후에 한다. 이는 층간 스트레스(stress)에 약한 질화막과 관련하여 웨이퍼 엣지 영역에서 여러 가지 문제를 야기한다.
이하 도 1a 내지 도 1h를 참조하여 종래기술에 의한 CMOS 이미지 센서의 제조방법의 문제점을 설명한다. 특히, 도 1a 내지 도 1h는 패드 형성 후 마이크로렌즈 를 형성하여 패드를 오픈하기까지의 공정을 나타내고 있다.
우선 도 1a에서는 패드(110)가 형성된 후, 산화막(120)과 질화막(130)이 도포된 상태이다. 한편, 웨이퍼의 엣지 영역에는 웨이퍼 안쪽의 실제 메인 칩(main chip) 영역과 달리 여러 사진 공정을 거치면서 사진 공정상 웨이퍼 엣지 처리로 인해 불규칙한 상태의 웨이퍼 엣지 잔존막(100)이 존재하게 된다. 불규칙하게 형성되어 있는 웨이퍼 엣지 잔존막(100)으로 인하여 웨이퍼의 엣지 영역은 접착력이 좋지 않게 된다.
도 1b에서 보는 것처럼, CMOS 이미지 센서의 경우에는 이 상태에서 질소와 산소 가스가 적당 비율 포함된 가스를 사용하는 열처리 공정인 수소 어닐을 진행한다. 이러한 열처리 과정에서 웨이퍼 엣지에 남아있던 질화막(130)의 층간 스트레스 심화 또는 웨이퍼 엣지 잔존막(100) 중 FSG(fluorinate silicate glass)에 포 함된 플루오린 이온(Fluorine ion)이 올라와서 웨이퍼 엣지에 남아있던 질화막(130)이 써클(circle) 형태로 들뜨는 웨이퍼 엣지 필링(wafer edge peeling, 140)을 유발하게 된다. 또한, 열처리 과정에서 웨이퍼 엣지에서 필링(peeling)된 디펙트(defect)가 튀면서 웨이퍼 안쪽의 픽셀 영역으로 전이되는 문제점이 발생되는데, 이렇게 웨이퍼 안쪽으로 전이된 입자를 써클 디펙트(circle defect, 145)라고 한다.
도 1c에서는 이러한 써클 디펙트를 제거하기 위해 스크러빙(scrubbing)을 진행한 후 사진 및 식각 공정을 통해 패드(110) 영역을 오픈한다. 이후 패드 애싱(ashing) 단계, 솔벤트 클리닝(solvent cleaning) 단계, 경화(final cure) 단계로 구성되는 세정 및 패드(110) 처리 공정을 한다. 앞서 써클 디펙트(145) 제거를 위해 스크러빙 세정 공정을 하였더라도, 여전히 제거되지 않는 써클 디펙트(145)는 존재하게 된다.
도 1d는 패드 보호막(150)을 도포한 상태이다. 패드 보호막(150)은 PE TEOS 막 또는 열 경화성 수지 (thermo setting resin) 막이며, 그 두께는 200 내지 600 옹스트롬(Å) 정도로 얇게 도포하여 이후에 패드(110) 오픈이 용이하도록 한다.
도 1e는 컬러 사진 공정에 의해 컬러 필터 어레이(color filter array, 160)을 형성한 상태를 보여준다. 도 1f는 평탄화 층 사진 공정에 의해 평탄화 층(170)이 형성된 상태를 나타내며, 도 1g는 마이크로렌즈 공정으로서, 열 공정(thermal reflow)에 의해서 볼록하게 마이크로렌즈(180)를 형성한 상태를 나타낸다. 마지막으로 도 1h에서 패드(110) 영역의 패드 보호막(150)을 식각하여 패드(110)를 오픈 시킨 상태로서, 이후 프로빙 테스트(probing test)가 가능하다.
본 발명의 목적은 CMOS 이미지 센서의 픽셀 영역의 질화막을 제거함으로써 감도를 획기적으로 높이는 동시에, 웨이퍼 엣지 영역에서 발생하여 픽셀 영역으로 전이된 써클 디펙트를 제거하여 이미지 센서의 품질 및 수율을 향상시키는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공함에 있다.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 패드를 형성한 이후에, 산화막과 질화막을 도포하는 공정과; 수소 어닐 공정과; 사진 및 식각에 의해 픽셀 영역의 상기 질화막을 선택적으로 제거하는 공정 및 제1 세정 공정과; 패드 영역(pad block)의 상기 질화막과 상기 산화막을 제거하여 상기 패드를 오픈하는 공정 및 제2 세정 공정과; 패드 보호막을 도포하는 공정과; 상기 패드 보호막 도포 후의 컬러 필터 어레이 공정, 평탄화(planarization) 공정, 마이크로렌즈 공정과; 상기 패드 영역의 상기 패드 보호막을 제거하는 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법을 제공한다. 여기서, 상기 제1 세정 공정은 애싱 단계와 솔벤트 클리닝(solvent cleaning) 단계로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제2 세정 공정은 1차 애싱 단계, 솔벤트 클리닝 단계, 2차 애싱 단계로 구성되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 패드 보호막은 PE TEOS(plasma enhanced tetra ethyl ortho silicate) 막 또는 열 경화성 수지(thermo setting resin) 막인 것이 바람직하다. 그리고, 상기 패드 보호막의 두께는 200 내지 600 옹스트롬(Å) 인 것이 바람직하다. 한편, 상기 PE TEOS 막은 건식 식각(dry etch)에 의해 제거되는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 열 경화성 수지 막은 산소 애싱(Oxygen ashing)에 의해 제거되는 것이 바람직하다.
이하 도 2a 내지 도 2i를 참조하여 본 발명의 일 실시예를 상세히 설명한다. 도 2a 내지 도 2d는 패드(210)를 형성한 이후의 공정을 나타낸 단면도이다.
도 2a에서는 패드(210)를 형성한 후, 산화막(220)과 질화막(230)을 차례로 도포한 상태이다. 산화막(220)을 도포한 후에는 평탄화(chemical mechanical planarization) 공정을 거친 후, 질화막(230)을 도포한다. 한편, 웨이퍼의 엣지 영역에는 웨이퍼 안쪽의 실제 메인 칩(main chip) 영역과 달리 여러 사진 공정을 거치면서 사진 공정상 웨이퍼 엣지 처리로 인해 불규칙한 상태의 웨이퍼 엣지 잔존막(200)이 존재하게 된다. 불규칙하게 형성되어 있는 웨이퍼 엣지 잔존막(200)으로 인하여 웨이퍼의 엣지 영역은 접착력이 좋지 않게 된다.
도 2b는 질소와 산소 가스가 적당 비율 포함된 가스를 사용하는 열처리 공정인 수소 어닐을 한 상태이다. 이러한 열처리 과정에서 웨이퍼 엣지에 남아있던 질화막(230)의 층간 스트레스 심화 또는 웨이퍼 엣지 잔존막(200) 중 FSG(Fluorinated silicate glass)에 포함된 플루오린 이온(Fluorine ion)이 올라와서 웨이퍼 엣지에 남아있던 질화막(230)이 써클(230) 형태로 들뜨는 웨이퍼 엣지 필링(240)을 유발하게 된다. 또한, 열처리 과정에서 웨이퍼 엣지에서 필링된 디펙트(defect)가 튀면서 웨이퍼 안쪽의 픽셀 영역으로 전이되어 써클 디펙트(245)를 발생시킨다.
도 2c는 사진 및 식각 공정에 의해 웨이퍼의 픽셀 영역에 있는 질화막(230)만을 식각해낸 상태를 나타낸다. 즉, 본 발명에서는 웨이퍼 엣지 안쪽의 패드 영역과 웨이퍼의 메인 칩(main chip) 영역에 존재하는 ISP 논리 영역(Image Signal Processor Logic Block)의 질화막(230)은 식각하지 않고 픽셀 영역의 질화막만 제거한다. 따라서, 픽셀 영역의 질화막(230)에 존재하는 써클 디펙트(245)도 함께 제거되어 CMOS 이미지 센서의 품질을 높일 수 있다.
또한, 산화막(220)에 비해 빛 입자에 대한 반사율이 상대적으로 큰 질화막(230)을 픽셀 영역에서 제거함으로써 CMOS 이미지 센서의 감도를 높이는 효과가 있다.
이러한 질화막의 선택적 식각 공정 이후에 1차 세정 공정이 뒤따르는데, 애싱과 솔벤트 클리닝만을 한다.
도 2d에 나타낸 것처럼, 사진 및 식각 공정으로 1차 패드 영역의 질화막(230)과 산화막(220)을 모두 식각한 다음, 2차 세정은 1차 애싱, 솔벤트 클리닝, 2차 애싱의 순서대로 2차 세정 공정을 진행한다.
2차 세정은 1차 세정 공정과 달리 패드가 오픈된 후이므로, 애싱을 한 번 더 진행하여 (2차 애싱) 패드 외관을 좀 더 깨끗하게 하고 패드 부식(pad corrosion)을 방지하도록 한다.
그 다음, 도 2e에서 보는 것처럼 기판 전체에 패드 보호막(250)을 형성한다. 패드 보호막은 PE TEOS(plasma enhanced tetra ethyl ortho silicate) 막 또는 열 경화성 수지(thermo setting resin) 막인 것이 바람직하다.
패드 보호막(250)은 그 두께를 200 내지 600 옹스트롬(Å)으로 하여 마이크로렌즈 공정 이후에 패드 영역의 패드 보호막 제거가 용이하도록 한다.
그 다음 컬러 사진 공정에 의해 픽셀 영역에 컬러 필터 어레이(260)를 형성하고(도 2f), 평탄화 층 사진 공정에 의해 평탄화 층(270)을 형성한 다음(도 2g), 마이크로렌즈 사진 공정을 진행한 후 열 공정(thermal reflow)에 의해 마이크로렌즈(280)를 볼록하게 형성한다(도 2h). 마지막으로 패드 보호막(250)을 제거하여 패드(210)를 오픈한다. 이때 패드 보호막(250)이 PE TEOS 막일 경우 건식 식각(dry etch)으로 제거하고, 패드 보호막(250)이 열 경화성 수지막일 경우에는 산소 애싱에 의해 제거한다.
지금까지 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위 내에서 변형된 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그러므로 여기서 설명한 본 발명의 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 범위는 상술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
본 발명에 따르면, CMOS 이미지 센서의 제조방법에서는 픽셀 영역의 질화막을 식각함으로써 픽셀 영역의 써클 디펙트도 동시에 제거하여 CMOS 이미지 센서의 품질을 높이고, 빛에 대한 반사도를 줄여서 CMOS 이미지 센서의 감도를 높이는 효과가 있다.
Claims (7)
- CMOS 이미지 센서의 제조방법으로서,패드를 형성한 이후에, 산화막과 질화막을 도포하는 공정과;수소 어닐 공정과;사진 및 식각에 의해 픽셀 영역의 상기 질화막을 선택적으로 제거하는 공정 및 제1 세정 공정과;패드 영역의 상기 질화막과 상기 산화막을 제거하여 상기 패드를 오픈하는 공정 및 제2 세정 공정과;패드 보호막을 도포하는 공정과;상기 패드 보호막 도포 후의 컬러 필터 어레이 공정, 평탄화 공정, 마이크로렌즈 공정과;상기 패드 영역의 상기 패드 보호막을 제거하는 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에서,상기 제1 세정 공정은 애싱 단계와 솔벤트 클리닝 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에서,상기 제2 세정 공정은 1차 애싱 단계, 솔벤트 클리닝 단계, 2차 애싱 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항에서,상기 패드 보호막은 PE TEOS(plasma enhanced tetra ethyl ortho silicate) 막 또는 열 경화성 수지(thermo setting resin) 막인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 4 항에서,상기 패드 보호막의 두께는 200 내지 600 옹스트롬(Å)인 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 4 항에서,상기 PE TEOS 막은 건식 식각(dry etch)에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
- 제 4 항에서,상기 열 경화성 수지 막은 산소 애싱에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서의 제조방법.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050131435A KR100654052B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
| US11/644,221 US7611921B2 (en) | 2005-12-28 | 2006-12-21 | Method for manufacturing CMOS image sensor which improves sensitivity by removing a passivation membrane in a pixel region of the CMOS image sensor |
| CN2006101701803A CN1992205B (zh) | 2005-12-28 | 2006-12-25 | Cmos图像传感器的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050131435A KR100654052B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100654052B1 true KR100654052B1 (ko) | 2006-12-05 |
Family
ID=37732132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050131435A KR100654052B1 (ko) | 2005-12-28 | 2005-12-28 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7611921B2 (ko) |
| KR (1) | KR100654052B1 (ko) |
| CN (1) | CN1992205B (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100806777B1 (ko) | 2006-11-29 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100840646B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-06-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100847830B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서의 제조 방법 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7317579B2 (en) | 2005-08-11 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing graded-index microlenses |
| KR100731134B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100866248B1 (ko) * | 2006-12-23 | 2008-10-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서의 제조방법 |
| KR100872981B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2008-12-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조방법 |
| US7724439B2 (en) * | 2007-10-24 | 2010-05-25 | Aptina Imaging Corporation | Lens, a lens array and imaging device and system having a lens, and method of forming the same |
| KR20090064799A (ko) * | 2007-12-17 | 2009-06-22 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
| KR101545630B1 (ko) * | 2008-12-26 | 2015-08-19 | 주식회사 동부하이텍 | 후면 수광 이미지센서의 제조방법 |
| KR20100076525A (ko) * | 2008-12-26 | 2010-07-06 | 주식회사 동부하이텍 | 후면 수광 이미지센서의 제조방법 |
| US9013612B2 (en) | 2010-08-20 | 2015-04-21 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with antireflective layers |
| US20230029075A1 (en) * | 2019-12-23 | 2023-01-26 | Ams Ag | Semiconductor device with a bond pad and a sandwich passivation layer and manufacturing method thereof |
| CN111916393B (zh) * | 2020-08-11 | 2022-04-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 半导体器件的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030073985A (ko) * | 2002-03-14 | 2003-09-19 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서용 반도체 소자 제조 방법 |
| KR20050011955A (ko) * | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 캡핑레이어의 들뜸 현상을 방지한 시모스이미지센서의 제조방법 |
| KR20050041176A (ko) * | 2003-10-30 | 2005-05-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서의 제조방법 |
| KR20050121415A (ko) * | 2004-06-22 | 2005-12-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서의 금속패드 산화 방지 방법 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483096A (en) | 1991-11-07 | 1996-01-09 | Seiko Instruments Inc. | Photo sensor |
| JP3084910B2 (ja) | 1992-03-18 | 2000-09-04 | ヤマハ株式会社 | 配線形成法 |
| JP3561084B2 (ja) | 1995-07-24 | 2004-09-02 | シャープ株式会社 | 回路内蔵受光素子、電子部品、光ピックアップ装置および回路内蔵受光素子の製造方法 |
| US6107191A (en) | 1997-11-07 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of creating an interconnect in a substrate and semiconductor device employing the same |
| JP3296312B2 (ja) * | 1999-01-06 | 2002-06-24 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US6582988B1 (en) * | 1999-09-30 | 2003-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for forming micro lens structures |
| TW525223B (en) | 1999-12-14 | 2003-03-21 | United Microelectronics Corp | Method for removing photoresist and residual polymer from polysilicon gate |
| KR100390822B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서에서의 암전류 감소 방법 |
| KR100533166B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2005-12-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 보호용 저온산화막을 갖는 씨모스이미지센서및 그 제조방법 |
| TW513809B (en) * | 2002-02-07 | 2002-12-11 | United Microelectronics Corp | Method of fabricating an image sensor |
| US6803250B1 (en) | 2003-04-24 | 2004-10-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Image sensor with complementary concave and convex lens layers and method for fabrication thereof |
| KR20050011951A (ko) | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 캡핑레이어의 들뜸 현상을 방지한 시모스이미지센서의 제조방법 |
| KR20050079495A (ko) | 2004-02-06 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 이미지 소자의 패드 형성 방법 |
| KR100504563B1 (ko) | 2004-08-24 | 2005-08-01 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서 제조 방법 |
| US7193289B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Damascene copper wiring image sensor |
| KR100807214B1 (ko) * | 2005-02-14 | 2008-03-03 | 삼성전자주식회사 | 향상된 감도를 갖는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
-
2005
- 2005-12-28 KR KR1020050131435A patent/KR100654052B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2006
- 2006-12-21 US US11/644,221 patent/US7611921B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-25 CN CN2006101701803A patent/CN1992205B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030073985A (ko) * | 2002-03-14 | 2003-09-19 | 동부전자 주식회사 | 이미지 센서용 반도체 소자 제조 방법 |
| KR20050011955A (ko) * | 2003-07-24 | 2005-01-31 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 캡핑레이어의 들뜸 현상을 방지한 시모스이미지센서의 제조방법 |
| KR20050041176A (ko) * | 2003-10-30 | 2005-05-04 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서의 제조방법 |
| KR20050121415A (ko) * | 2004-06-22 | 2005-12-27 | 동부아남반도체 주식회사 | 이미지 센서의 금속패드 산화 방지 방법 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100806777B1 (ko) | 2006-11-29 | 2008-02-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100840646B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-06-24 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 제조 방법 |
| KR100847830B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-07-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지센서의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7611921B2 (en) | 2009-11-03 |
| US20070148805A1 (en) | 2007-06-28 |
| CN1992205B (zh) | 2011-01-12 |
| CN1992205A (zh) | 2007-07-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100654052B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100654051B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조방법 | |
| KR100533166B1 (ko) | 마이크로렌즈 보호용 저온산화막을 갖는 씨모스이미지센서및 그 제조방법 | |
| US7294524B2 (en) | Method for fabricating image sensor without LTO-based passivation layer | |
| US6344369B1 (en) | Method of protecting a bond pad structure, of a color image sensor cell, during a color filter fabrication process | |
| US7973347B2 (en) | Complementary metal oxide silicon image sensor and method of fabricating the same | |
| KR100843968B1 (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
| KR100731134B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 | |
| KR100806778B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
| US8084289B2 (en) | Method of fabricating image sensor and reworking method thereof | |
| KR100640981B1 (ko) | 이미지 센서의 제조방법 | |
| US20060126005A1 (en) | Method for reforming color filter array of a CMOS image sensor | |
| US7687305B2 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR100997678B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서의 제조 방법 | |
| TWI473257B (zh) | 影像感測元件的製造方法及其重工方法 | |
| KR100731132B1 (ko) | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 및 그 제조 방법 | |
| US20080057723A1 (en) | Image sensor and method for manufacturing the same | |
| KR100947929B1 (ko) | 이미지 센서 제조방법 | |
| US20080160663A1 (en) | Method for manufacturing of cmos image sensor | |
| KR100827489B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100940726B1 (ko) | 이미지센서의 제조방법 | |
| TWI413244B (zh) | 影像感測器及其製造方法 | |
| KR100800818B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| KR20090035926A (ko) | Ｃｍｏｓ이미지 센서 소자의 제조 방법 | |
| KR20100137673A (ko) | 이미지센서의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111020 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |