TWI413244B - 影像感測器及其製造方法 - Google Patents

Description

影像感測器及其製造方法

本發明是有關於一種半導體元件及其製造方法，且特別是有關於一種影像感測器及其製造方法。

影像感測器(image sensor)是將光學資訊轉換為電信號的裝置。影像感測器的種類可大致分為顯像管與固定攝像元件。映像管以電視為中心，廣泛用於將影像處理技術運用的測量、控制、識別等，發展為應用技術。目前，固定攝像元件包括電荷耦合(charged coupled device, CCD)型與互補式金屬氧化半導體(CMOS)型兩種。

CMOS型影像感測器是應用CMOS製造技術，使光學影像轉換為電信號的元件。CMOS感測器與被正在廣泛、大量用作現有影像感測器的CCD型影像感測器比較，具有驅動方式簡便、可實現多種掃描方式、可將信號處理電路製作成單一晶片、節省製造成本及降低電力損耗等優點。由於上述優點，所以近年來，CMOS型影像感測器比CCD型影像感測器更進一步得到大量應用。

在CMOS電晶體影像感測器的製造過程中，存在許多製程問題，而造成CMOS電晶體影像感測器的品質不佳。

舉例來說，於形成彩色濾光陣列(color filter array，CFA)及微透鏡(Micro-len)之前，會先形成暴露出銲墊的開口，以進行晶圓可接受測試(wafer acceptable test)，通過測試的晶圓才會繼續進行後續完成CMOS電晶體影像感測器的 製程。值得注意的是，暴露出銲墊的開口在後續塗佈用以形成彩色濾光陣列的光阻材料時，會導致光阻材料塗佈不均勻或殘留的狀況，而導致CMOS電晶體影像感測器的影像品質下降。

此外，彩色濾光陣列一般是形成在氮化矽保護層上，然而用以形成彩色濾光陣列的光阻材料與氮化矽保護層的黏著力不佳，常會造成彩色濾光陣列中的彩色濾光單元產生剝離(peeling)的現象。另外，形成彩色濾光陣列所進行的顯影製程或是彩色濾光陣列的重工(rework)製程均會造成被開口所暴露出的銲墊受到損害。

有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種影像感測器的製造方法，能有效地移除位於銲墊上的底層。

本發明的另一目的是提供一種影像感測器的製造方法，可避免銲墊受到損害。

本發明的又一目的是提供一種影像感測器，能防止彩色濾光陣列發生剝離的現象。

本發明提出一種影像感測器的製造方法，包括下列步驟。首先，提供半導體基底，半導體基底包括感測器陣列、銲墊及保護層，且保護層覆蓋感測器陣列及銲墊。接著，於半導體基底中形成開口，開口暴露出銲墊，且開口的四周側壁為非與銲墊裸露表面垂直之斜面。然後，於半導體基底上形成底層，且底層覆蓋銲墊及保護層。接下來，於底層上形成彩色濾光陣列，彩色濾光陣列形成於相對應的 感測器陣列上方。之後，於彩色濾光陣列上形成平坦層。再者，移除部份底層，以暴露出銲墊。繼之，於平坦層上形成多個微透鏡。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，保護層的材料例如是氮化物、碳化物或氮氧化物或其任意組合。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，開口的形成方法例如是進行一個蝕刻製程。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，蝕刻製程所使用的蝕刻氣體包括選自C₄ H₈ 、C₂ F₆ 、C₂ F₈ 、CHF₃ 、CH₃ F及CH₂ F₂ 所組成的族群中之至少一種。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，蝕刻製程所使用的蝕刻氣體更包括選自CO、H₂ 、CH₄ 、O₂ 及Ar所組成的族群中之至少一種。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，底層的材料例如是非感光性有機材料。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，非感光性有機材料例如是乙氧基丙酸乙酯(ethyl-3-ethoxy propionate，EEP)、乙酸丙二醇甲酯(propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA)、丙烯酸樹脂(acrylic resin)及多官能基丙烯酸單體(multi-functional acrylic monomers)的其中之一或是其兩種以上的組合。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，部份底層的移除方法例如是進行一個去殘留製程(de-scum process)。

本發明提出另一種影像感測器的製造方法，包括下列步驟。首先，提供半導體基底，半導體基底包括感測器陣列、銲墊及保護層，且保護層覆蓋感測器陣列及銲墊。接著，於半導體基底中形成開口，開口暴露出銲墊，且開口的四周側壁為非與銲墊裸露表面垂直之斜面。然後，於半導體基底上形成底層，且底層覆蓋銲墊及保護層。接下來，於底層上形成彩色濾光陣列，彩色濾光陣列形成於相對應的感測器陣列上方。之後，於彩色濾光陣列上形成平坦層。再者，於平坦層上形成多個聚光鏡。繼之，於半導體基底上形成頂蓋層，且頂蓋層覆蓋聚光鏡、平坦層及底層。隨後，移除部份頂蓋層及部份底層，以暴露出銲墊。

依照本發明的另一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，保護層的材料例如是氮化物、碳化物或氮氧化物或其任意組合。

依照本發明的另一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，開口的形成方法例如是進行一個蝕刻製程。

依照本發明的另一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，蝕刻製程所使用的蝕刻氣體包括選自C₄ H₈ 、C₂ F₆ 、C₂ F₈ 、CHF₃ 、CH₃ F及CH₂ F₂ 所組成的族群中之至少一種。

依照本發明的另一實施例所述，在上述之影像感測器 的製造方法中，蝕刻製程所使用的蝕刻氣體更包括選自CO、H₂ 、CH₄ 、O₂ 及Ar所組成的族群中之至少一種。

依照本發明的另一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，底層的材料例如是非感光性有機材料。

依照本發明的另一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，非感光性有機材料例如是乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙二醇甲酯、丙烯酸樹脂及多官能基丙烯酸單體的其中之一或是其兩種以上的組合。

依照本發明的另一實施例所述，在上述之影像感測器的製造方法中，部份部份頂蓋層及部份底層的移除方法例如是進行一個圖案化製程。

本發明提出一種影像感測器，包括半導體基底、底層、彩色濾光陣列、平坦層及多個微透鏡。半導體基底包括感測器陣列、銲墊及保護層，保護層覆蓋感測器陣列，且於半導體基底具有開口，開口暴露出銲墊，且開口的四周側壁為非與銲墊裸露表面垂直的斜面。底層設置於保護層上。彩色濾光陣列設置於底層上，且彩色濾光陣列形成於相對應的感測器陣列上方。平坦層設置於彩色濾光陣列上。微透鏡設置於平坦層上。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器中，更包括頂蓋層，設置於微透鏡及平坦層上。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器中，底層的材料例如是非感光性有機材料。

依照本發明的一實施例所述，在上述之影像感測器 中，非感光性有機材料包括乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙二醇甲酯、丙烯酸樹脂及多官能基丙烯酸單體的其中之一或是其兩種以上的組合。

基於上述，在本發明所提出之影像感測器的製造方法中，由於暴露出銲墊的開口的四周側壁為非與銲墊裸露表面垂直的斜面，使得形成於側壁上的底層具有均勻的厚度，因此也可同步有效地移除位於銲墊及側壁上的底層，以避免底層殘留在銲墊及側壁底部。

此外，由於本發明所提出之影像感測器的製造方法會形成底層，底層可在形成彩色濾光陣列所進行的顯影製程或是彩色濾光陣列的重工製程中用以保護銲墊，使其不受到損害。

另一方面，在本發明所提出之影像感測器中，因為底層所使用的材料與用以形成彩色濾光陣列的光阻材料具有較佳的附著力，所以能防止彩色濾光陣列發生剝離的現象。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

圖1A至圖1C所繪示為本發明之一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。

首先，請參照圖1A，提供半導體基底100，其例如是矽基底。半導體基底100包括感測器陣列102(示意圖)、銲墊104、圖案化金屬層106及保護層108。

感測器陣列102例如是形成於感測器陣列層110中。 感測器陣列域102中例如是由多個感光二極體(未繪示)所組成。感光二極體例如是具有CMOS電晶體(未繪示)及光感測區(未繪示)，且CMOS電晶體與光感測區電性連接。

銲墊104及圖案化金屬層106例如是形成於感測器陣列層110上。銲墊104形成於感測器陣列102所處的區域之外，用以進行接線之用。銲墊104的材料例如是鋁等金屬，而銲墊104的形成方法例如是物理氣相沈積法。圖案化金屬層106形成於感測器陣列102所處的區域上方，可用來阻擋入射光線的散射。圖案化金屬層106的材料例如是鋁，而圖案化金屬層106的形成方法例如是物理氣相沈積法。

保護層108覆蓋感測器陣列102、銲墊104及圖案化金屬層106。保護層108例如是由氧化物層112與硬介電材料層114所組成。其中，氧化物層112具有平坦化的功效，例如氧化矽；而硬介電材料層114具有防止水氣侵入以及抵擋應力等保護效果，例如氮化物、碳化物、氮氧化物或其任意組合。保護層108的形成方法例如是化學氣相沈積法。

接著，於半導體基底100中形成開口116，開口116暴露出銲墊104，且開口116的四周側壁為非與銲墊104裸露表面垂直的斜面，斜面的斜度愈大愈有利於彩色濾光陣列光阻的塗佈均勻度，可減少條紋(striation)的產生。開口116的形成方法例如是對保護層108進行一個圖案化製程而形成之。在圖案化製程中所使用的蝕刻法例如是乾式 蝕刻法。於開口116的側壁形成斜面的方法例如是藉由調整蝕刻製程中的蝕刻氣體而形成之，所使用的蝕刻氣體包括選自C₄ H₈ 、C₂ F₆ 、C₂ F₈ 、CHF₃ 、CH₃ F及CH₂ F₂ 所組成的族群中之至少一種。此外，蝕刻製程所使用的蝕刻氣體更可選擇性地包括選自CO、H₂ 、CH₄ 、O₂ 及Ar所組成的族群中之至少一種。

然後，請參照圖1B，於半導體基底100上形成底層118，且底層118覆蓋銲墊104及保護層108。底層118的材料例如是非感光性有機材料等類光阻材料，可為乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙二醇甲酯、丙烯酸樹脂及多官能基丙烯酸單體的其中之一或是其兩種以上的組合。底層118的形成方法例如是旋轉塗佈法。此外，在底層118的材料為非感光性有機材料的情況下，可以有效地減少底層118的厚度，進而降低底層118對入射光的所造成的影響。在本實施例中，底層118的厚度例如是600Å。

接下來，於底層118上形成彩色濾光陣列120，彩色濾光陣列120形成於相對應的感測器陣列102上方。彩色濾光陣列120例如包括紅色濾光單元122、綠色濾光單元124、藍色濾光單元126及黑色矩陣128，或上述單元的任意組合。彩色濾光陣列120的材料例如是負型光阻材料，因此彩色濾光陣列120中各個單元的形成方法為此技領域具有通常知識者所周知的光阻塗佈、對準、曝光、顯影等，故於此不再贅述。

之後，於彩色濾光陣列120上形成平坦層130。平坦 層130的材料例如是負型光阻材料。平坦層130的形成方法例如是先塗佈平坦層材料，再使用罩幕進行微影製程(photolithography process)而形成之。

再者，請參照圖1C，移除部份底層118，以暴露出銲墊104。部份底層118的移除方法例如是以平坦層130與彩色濾光陣列120作為罩幕進行一個去殘留製程(descum process)，以移除未被平坦層130與彩色濾光陣列120所覆蓋的底層118。去殘留製程例如是在約100℃的低溫下使用氧電漿進行之，因此不會傷害平坦層130與彩色濾光陣列120。值得注意的是，由於開口116的側壁具有斜面，使得位於開口116之側壁上的底層118具有均勻的厚度。因此，在移除部分底層118的過程中，可防止因底層118的厚度不均而造成底層118殘留在側壁底部的現象出現。

繼之，於平坦層130上形成微透鏡132，且微透鏡132分別形成於相對應的彩色濾光陣列120上方。微透鏡132的材料例如是正型光阻材料。微透鏡132的形成方法如是先塗佈微透鏡材料層(未繪示)，再使用罩幕進行一個微影製程加上高溫熱烘烤(約190~200℃)成圓弧透鏡形而形成之。

隨後，可於微透鏡132與平坦層130上形成頂蓋層134。頂蓋層134的材料例如是氧化物，例如是四乙氧基矽烷(tetraethyl orthosilicate，TEOS)、氧化矽、旋塗玻璃等材料。頂蓋層134的形成方法例如是利用化學氣相沈積法先行成頂蓋材料層(未繪示)，共形地(conformal)覆蓋在整片晶 片上。繼之，再對此頂蓋材料層進行微影製程及蝕刻製程將銲墊104上方的頂蓋材料層再打開(re-open)而形成之。

由上述實施例可知，由於暴露出銲墊104的開口116具有斜面，使得形成於側壁上的底層118具有均勻的厚度，因此可完全移除位於銲墊104上的底層118，以避免底層118殘留在銲墊104。

此外，底層118可在形成彩色濾光陣列120所進行的顯影製程或是彩色濾光陣列120的重工製程中用以保護銲墊104，使其不受到損害。

另外，因為底層118所使用的材料與用以形成彩色濾光陣列120的光阻材料具有較佳的附著力，所以能增加彩色濾光陣列120的附著力，以避免彩色濾光陣列120發生剝離的現象。

接下來，利用圖1C來說明本發明之一實施例的影像感測器。

請參照圖1C，影像感測器包括半導體基底100、底層118、彩色濾光陣列120、平坦層130、微透鏡132及頂蓋層134。半導體基底100包括感測器陣列102、銲墊104、圖案化金屬層106及保護層108，且於半導體基底100具有開口116，開口116暴露出銲墊104，且開口116的四周側壁為非與銲墊104裸露表面垂直的斜面。感測器陣列102例如是形成於感測器陣列層110中。銲墊104及圖案化金屬層106例如是形成於感測器陣列層110上。保護層108覆蓋感測器陣列102及圖案化金屬層106。保護層108例如是由氧化物層112與硬介電材料層114所組成。底層118 設置於保護層108上。彩色濾光陣列120設置於底層118上，且彩色濾光陣列120形成於相對應的感測器陣列102上方。彩色濾光陣列120包括紅色濾光單元122、綠色濾光單元124、藍色濾光單元126及黑色矩陣128。平坦層130設置於彩色濾光陣列120上。微透鏡132設置於平坦層130上。頂蓋層134設置於微透鏡132及平坦層130上。在圖1C中，影像感測器的各構件的材料、設置方式及功能已於前文中進行詳盡地描述，故於此不再贅述。

基於上述，由於影像感測器中暴露出銲墊104的開口116具有非與銲墊104裸露表面垂直的斜面，有助於完全移除位於銲墊104上的底層118，以避免底層118殘留在銲墊104上。

此外，影像感測器中的底層118能提升彩色濾光陣列120的附著力，以避免彩色濾光陣列120發生剝離的現象。

圖2A至圖2D所繪示為本發明之另一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。

首先，請參照圖2A，提供半導體基底200，其例如是矽基底。半導體基底200包括感測器陣列202、銲墊204、圖案化金屬層206及保護層208。感測器陣列202例如是形成於感測器陣列層210中。保護層208例如是由氧化物層212與硬介電材料層214所組成。圖2A中之半導體基底200與圖1A中之半導體底100的各組成構件的材料、設置方式及功能大致相同，故於此不再贅述。

接著，於半導體基底200中形成開口216，開口216暴露出銲墊204，且開口216的四周側壁為非與銲墊204 裸露表面垂直的斜面。開口216的形成方法例如是對保護層208進行一個圖案化製程而形成之。在圖案化製程中所使用的蝕刻法例如是乾式蝕刻法。於開口216的側壁形成斜面的方法例如是藉由調整蝕刻製程中的蝕刻氣體而形成之，所使用的蝕刻氣體包括選自C₄ H₈ 、C₂ F₆ 、C₂ F₈ 、CHF₃ 、CH₃ F及CH₂ F₂ 所組成的族群中之至少一種。此外，蝕刻製程所使用的蝕刻氣體更可選擇性地包括選自CO、H₂ 、CH₄ 、O₂ 及Ar所組成的族群中之至少一種。

然後，請參照圖2B，於半導體基底200上形成底層218，且底層218覆蓋銲墊204及保護層208。底層218的材料例如是非感光性有機材料等類光阻材料，可為乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙二醇甲酯、丙烯酸樹脂及多官能基丙烯酸單體的其中之一或是其兩種以上的組合。底層218的形成方法例如是旋轉塗佈法。此外，在底層218的材料為非感光性有機材料的情況下，可以有效地減少底層218的厚度，進而降低底層218對入射光的所造成的影響。在本實施例中，底層218的厚度例如是600Å。

接下來，於底層218上形成彩色濾光陣列220，彩色濾光陣列220形成於相對應的感測器陣列202上方。彩色濾光陣列220包括紅色濾光單元222、綠色濾光單元224、藍色濾光單元226及黑色矩陣228。彩色濾光陣列220的材料例如是負型光阻材料，而彩色濾光陣列220的形成方法為此技領域具有通常知識者所周知的旋轉塗佈、對準、曝光、顯影等，故於此不再贅述。

之後，於彩色濾光陣列220上形成平坦層230。平坦層230的材料例如是負型光阻材料。平坦層230的形成方法例如是先旋塗平坦材料層(未繪示)，再使用罩幕進行一個微影製程而形成之。

再者，請參照圖2C，於平坦層230上形成微透鏡232，且微透鏡232分別形成於相對應的彩色濾光陣列220上方。微透鏡232的材料例如是正型光阻材料。微透鏡232的形成方法例如是先旋塗微透鏡材料層(未繪示)，再使用罩幕進行一個微影製程加上高溫熱烘烤(約190~200℃)成圓弧透鏡形而形成之。

繼之，於半導體基底上形成頂蓋層234，且頂蓋層234覆蓋微透鏡232、平坦層230及底層218。頂蓋層234的材料例如是氧化物，例如TEOS、氧化矽、旋塗玻璃等材料。頂蓋層234的形成方法例如是利用化學氣相沈積法。

隨後，請參照圖2D，移除部份頂蓋層234及部份底層218，以暴露出銲墊204。部份頂蓋層234及部份底層218的移除方法例如是對部份頂蓋層234及部份底層218進行一個微影製程及蝕刻製程將銲墊204上方的頂蓋層234及底層218再打開。

由上述實施例可知，由於暴露出銲墊204的開口216具有斜面，使得形成於側壁上的底層218具有均勻的厚度，因此位於銲墊204上的底層218可被完全移除，而不會產生底層218殘留在銲墊204上的現象。

此外，底層218可保護銲墊204，使其在形成彩色濾光陣列220所進行的顯影製程或是彩色濾光陣列220的重 工製程中不受到損害。

另外，因為底層218所使用的材料與用以形成彩色濾光陣列220的光阻材料具有較佳的附著力，所以能增加彩色濾光陣列220的附著力，可防止彩色濾光陣列220剝離。

綜上所述，上述實施例至少具有下列優點：1.本發明所提出之影像感測器的製造方法可避免底層殘留在銲墊上。

2.藉由本發明所提出之影像感測器的製造方法能保護銲墊，使其在製程中不受到損害。

3.本發明所提出之影像感測器可有效地防止彩色濾光陣列發生剝離的現象。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200‧‧‧半導體基底

102、202‧‧‧感測器陣列

104、204‧‧‧銲墊

106、206‧‧‧圖案化金屬層

108、208‧‧‧保護層

110、210‧‧‧感測器陣列層

112、212‧‧‧氧化物層

114、214‧‧‧硬介電材料層

116、216‧‧‧開口

118、218‧‧‧底層

120、220‧‧‧感測器陣列

122、222‧‧‧紅色濾光單元

124、224‧‧‧綠色濾光單元

126、226‧‧‧藍色濾光單元

128、228‧‧‧黑色矩陣

130、230‧‧‧平坦層

132、232‧‧‧微透鏡

134、234‧‧‧頂蓋氧化層

圖1A至圖1C所繪示為本發明之一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。

圖2A至圖2D所繪示為本發明之另一實施例的影像感測器的製造流程剖面圖。

100‧‧‧半導體基底

102‧‧‧感測器陣列

104‧‧‧銲墊

106‧‧‧圖案化金屬層

108‧‧‧保護層

110‧‧‧感測器陣列層

112‧‧‧氧化物層

114‧‧‧硬介電材料層

116‧‧‧開口

118‧‧‧底層

120‧‧‧感測器陣列

122‧‧‧紅色濾光單元

124‧‧‧綠色濾光單元

126‧‧‧藍色濾光單元

128‧‧‧黑色矩陣

130‧‧‧平坦層

132‧‧‧微透鏡

134‧‧‧頂蓋氧化層

Claims (19)

1. 一種影像感測器的製造方法，包括：提供一半導體基底，該半導體基底包括一感測器陣列、一銲墊及一保護層，且該保護層覆蓋該感測器陣列及該銲墊；於該半導體基底中形成一開口，該開口暴露出該銲墊，且該開口的四周側壁為非與該銲墊裸露表面垂直之斜面；於該半導體基底上形成一底層，且該底層覆蓋該銲墊及該保護層；於該底層上形成一彩色濾光陣列，該彩色濾光陣列形成於相對應的該感測器陣列上方；於該彩色濾光陣列上形成一平坦層；於形成該彩色濾光陣列及該平坦層後，移除部份該底層，以暴露出該銲墊；以及於該平坦層上形成多個微透鏡。
2. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器的製造方法，其中該保護層的材料包括氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或其任意組合。
3. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器的製造方法，其中該開口的形成方法包括進行一蝕刻製程。
4. 如申請專利範圍第3項所述之影像感測器的製造方法，其中該蝕刻製程所使用的蝕刻氣體包括選自C₄ H₈ 、C₂ F₆ 、C₂ F₈ 、CHF₃ 、CH₃ F及CH₂ F₂ 所組成的族群中之至 少一種。
5. 如申請專利範圍第4項所述之影像感測器的製造方法，其中該蝕刻製程所使用的蝕刻氣體更包括選自CO、H₂ 、CH₄ 、O₂ 及Ar所組成的族群中之至少一種。
6. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器的製造方法，其中該底層的材料包括一非感光性有機材料。
7. 如申請專利範圍第6項所述之影像感測器的製造方法，其中該非感光性有機材料包括乙氧基丙酸乙酯(ethyl-3-ethoxy propionate，EEP)、乙酸丙二醇甲酯(propylene glycol monomethyl ether acetate，PGMEA)、丙烯酸樹脂(acrylic resin)及多官能基丙烯酸單體(multi-functional acrylic monomers)的其中之一或是其兩種以上的組合。
8. 如申請專利範圍第1項所述之影像感測器的製造方法，其中部份該底層的移除方法包括進行一去殘留製程(de-scum process)。
9. 一種影像感測器的製造方法，包括：提供一半導體基底，該半導體基底包括一感測器陣列、一銲墊及一保護層，且該保護層覆蓋該感測器陣列及該銲墊；於該半導體基底中形成一開口，該開口暴露出該銲墊，且該開口的四周側壁為非與該銲墊裸露表面垂直的斜面；於該半導體基底上形成一底層，且該底層覆蓋該銲墊 及該保護層；於該底層上形成一彩色濾光陣列，該彩色濾光陣列形成於相對應的該感測器陣列上方；於該彩色濾光陣列上形成一平坦層；於該平坦層上形成多個微透鏡；於該半導體基底上形成一頂蓋層，且該頂蓋層共形地覆蓋該些微透鏡、該平坦層及該底層；以及移除部份該頂蓋層及部份該底層，以暴露出該銲墊。
10. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器的製造方法，其中該保護層的材料包括氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或其任意組合。
11. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器的製造方法，其中該開口的形成方法包括進行一蝕刻製程。
12. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器的製造方法，其中該蝕刻製程所使用的蝕刻氣體包括選自C₄ H₈ 、C₂ F₆ 、C₂ F₈ 、CHF₃ 、CH₃ F及CH₂ F₂ 所組成的族群中之至少一種。
13. 如申請專利範圍第12項所述之影像感測器的製造方法，其中該蝕刻製程所使用的蝕刻氣體更包括選自CO、H₂ 、CH₄ 、O₂ 及Ar所組成的族群中之至少一種。
14. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器的製造方法，其中該底層的材料包括一非感光性有機材料。
15. 如申請專利範圍第14項所述之影像感測器的製造方法，其中該非感光性有機材料包括乙氧基丙酸乙酯、乙 酸丙二醇甲酯、丙烯酸樹脂及多官能基丙烯酸單體的其中之一或是其兩種以上的組合。
16. 如申請專利範圍第9項所述之影像感測器的製造方法，其中部份該頂蓋層及部份該底層的移除方法包括進行一圖案化製程。
17. 一種影像感測器，包括：一半導體基底，該半導體基底包括一感測器陣列、一銲墊及一保護層，該保護層覆蓋該感測器陣列，且於該半導體基底具有一開口，該開口暴露出該銲墊，且該開口的四周側壁為非與該銲墊裸露表面垂直的斜面；一底層，設置於該保護層上；一彩色濾光陣列，設置於該底層上，且該彩色濾光陣列形成於相對應的該感測器陣列上方；一平坦層，設置於該彩色濾光陣列上；多個微透鏡，設置於該平坦層上；及一頂蓋層，共形地設置於該些微透鏡及該平坦層上。
18. 如申請專利範圍第17項所述之影像感測器，其中該底層的材料包括一非感光性有機材料。
19. 如申請專利範圍第18項所述之影像感測器，其中該非感光性有機材料包括乙氧基丙酸乙酯、乙酸丙二醇甲酯、丙烯酸樹脂及多官能基丙烯酸單體的其中之一或是其兩種以上的組合。