JP2006032896A - Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
【課題】 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 イメージセンサーは、フォトダイオードと各種のトランジスタとが形成された下部層と、前記下部層上に形成されたパッド絶縁層と、前記パッド絶縁層上に形成されるマイクロレンズであって、非平坦的な表面を有してなる第１絶縁層と、ドーム形状を形成すべく、第１絶縁層における突出した部分の上面及び側面を被覆する第２絶縁層と、を含んでいるような上記マイクロレンズと、前記マイクロレンズ上に形成される平坦化層と、前記平坦化層上に形成されるカラーフィルターと、を備えている。
【選択図】 図３
【解決手段】 イメージセンサーは、フォトダイオードと各種のトランジスタとが形成された下部層と、前記下部層上に形成されたパッド絶縁層と、前記パッド絶縁層上に形成されるマイクロレンズであって、非平坦的な表面を有してなる第１絶縁層と、ドーム形状を形成すべく、第１絶縁層における突出した部分の上面及び側面を被覆する第２絶縁層と、を含んでいるような上記マイクロレンズと、前記マイクロレンズ上に形成される平坦化層と、前記平坦化層上に形成されるカラーフィルターと、を備えている。
【選択図】 図３
Description
本発明はイメージセンサーに関し、特に、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサー及びその製造方法に関するものである。本発明は、広範囲の用途に適しているけれども、とりわけ、素子の集積度を高める用途に適している。
一般的に、イメージセンサーは、光学的映像を電気的信号に変換させる半導体装置である。より詳しくは、電荷結合素子（ＣＣＤ）は、複数の金属酸化物半導体（ＭＯＳ）のキャパシタを有しており、これらのそれぞれは互いに近接して形成されていて、各キャパシタでは、キャリア電荷が貯蔵されると共に転送される。相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサーは、ＣＭＯＳ技術を使用し、画素数に対応した数である多数のＭＯＳトランジスタを形成してなる素子であって、周辺回路として制御回路及び信号処理回路を用いていて、ＭＯＳトランジスタを使用したスイッチング方式を採用し、各出力を順次検出するような素子である。
しかしながら、ＣＣＤには、その駆動方式が複雑で、電力消費量も大きく、また、マスク工程数が極めて多くて製造工程が複雑であるという短所がある。さらに、信号処理回路をＣＣＤチップ内に具現化することができないので、ワンチップ化は困難である。昨今、このような短所を克服するために、サブミクロンのＣＭＯＳ製造技術を用いたＣＭＯＳイメージセンサーについて、その開発が発展途上にある。ＣＭＯＳイメージセンサーに用いられる画素には、様々なタイプがある。しかし、最も広く用いられているのは、３−トランジスタ（３−Ｔ）の画素と、４−トランジスタ（４−Ｔ）の画素である。３−Ｔの画素は、３つの主たるトランジスタと、１つのフォトダイオードとから構成されており、また、４−Ｔの画素は、４つの主たるトランジスタと、１つのフォトダイオードとから構成されている。
図１は、一般的な４−Ｔ型のＣＭＯＳイメージセンサーについて、単位画素を示した回路図である。図示の如く、４−Ｔ型のＣＭＯＳイメージセンサーにおける単位画素は、光感知素子であるフォトダイオード（ＰＤ）と、４つのＮＭＯＳ型のトランジスタ（Ｔｘ，Ｒｘ，Ｄｘ，Ｓｘ）とを含んでいる。ここで、トランスファ・トランジスタ（Ｔｘ）は、フォトダイオード（ＰＤ）にて生成された光電荷を、浮遊検出ノード（Floating sensing node：ＦＳＮ）へ転送する。リセット・トランジスタ（Ｒｘ）は、信号検出のため、浮遊検出ノード（ＦＳＮ）に貯蔵されている電荷を放電する。そして、ドライブ・トランジスタ（Ｄｘ）はソースフォロワとして働き、セレクト・トランジスタ（Ｓｘ）はスイッチング及びアドレッシングのために使用される。また、ＤＣゲートは、トランジスタのゲート電位として常に一定電圧が印加される補助的なトランジスタで、これによりトランジスタには一定の電流が流れるようになっている。なお、ＶDDは駆動電源電圧、Ｖssは接地電圧、出力は単位画素の出力電圧である。
以下、添付図面を参照しつつ従来技術によるＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法について説明する。図２Ａ及び図２Ｂは、従来技術によるＣＭＯＳイメージセンサーの製造工程を示した断面図であって、マイクロレンズを製作する段階を中心に図示した図面である。
まず、図２Ａに示すように、フォトダイオードとトランジスタとが形成されている下部層１０の上に、パッド絶縁層１１を形成して、ＣＭＯＳイメージセンサーの単位画素を形成する。次に、図面には示していないが、下部層１０内の金属配線を露出させるように、パッド絶縁層１１を選択的に除去する。金属配線は、トランジスタを外部素子に接続するために使用される。
それから、着色フォトレジストを塗布し、これを露光及び現像工程によって処理することで、カラーフィルタ層１２を形成する。次に、均一なマイクロレンズを形成できるように、マイクロレンズ平坦化層１３を形成する。そして、マイクロレンズ平坦化層１３上にフォトレジスト（ＰＲ）を塗布し、これを露光及び現像工程によって処理することで、フォトレジスト（ＰＲ）をパターニングする。
次に、図２Ｂに示すように、熱処理工程によってパターニングされたフォトレジスト（ＰＲ）を処理することで、フォトレジストにリフロー工程を施して、ドーム形状のマイクロレンズ１４を形成する。こうして、従来技術によるＣＭＯＳイメージセンサーの製造は完了する。
しかしながら、上記した従来技術によるＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法には次のような問題点があった。第一に、フォトレジストをリフロー工程によって処理することで、マイクロレンズは形成されている。しかしながら、リフロー工程の制御は難しく、マイクロレンズをドーム形状に製作することは容易ではない。第二に、素子の集積度が高まると、マイクロレンズの曲率半径も小さくしなければならず、このために、より薄いフォトレジストを形成する必要がある。しかし、フォトレジストは、ある特定の厚さよりも薄く形成することができない。ゆえに、マイクロレンズの曲率半径の縮小には限界があるため、素子の集積化は困難になる。
本発明は、従来技術の制約や不都合に起因する１又は複数の問題点を実質的に解決できるような、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサー及びその製造方法を提供する。
本発明の目的は、マイクロレンズの曲率半径を小さくし、もって素子の集積度を高められるような、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサー及びその製造方法を提供することである。
上述した本発明の目的及びその他の利点を達成するために、本発明による相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサーは、フォトダイオードと各種のトランジスタとが形成された下部層と、前記下部層上に形成されたパッド絶縁層と、前記パッド絶縁層上に形成されるマイクロレンズであって、非平坦的な表面を有してなる第１絶縁層と、ドーム形状を形成すべく、第１絶縁層における突出した部分の上面及び側面を被覆する第２絶縁層と、を含んでいるような上記マイクロレンズと、前記マイクロレンズ上に形成される平坦化層と、前記平坦化層上に形成されるカラーフィルターと、を備えている。
本発明の別の観点による、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）の製造方法は、フォトダイオードと各種のトランジスタとが形成された下部層上に、パッド絶縁層を形成する段階と、前記パッド絶縁層上に、非平坦的な表面を有してなる第１絶縁層を形成する段階と、高密度プラズマ蒸着工程を用いて、前記第１絶縁層上に第２絶縁層を蒸着する段階と、前記第２絶縁層を追加的に蒸着して、第１絶縁層の非平坦的な表面における突出した部分にかぶさるように、ドーム形状を形成する段階と、第２絶縁層をエッチバックして、第２絶縁層が、第１絶縁層における突出した部分の上面及び側面を被覆するドーム形状になるようにすることで、第１絶縁層における突出した部分と該部分を被覆する第２絶縁層とから構成されるマイクロレンズを形成する段階と、を備えている。
前述した本発明によるＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法によれば次のような効果が得られる。第一に、マイクロレンズは、フォトレジストから形成するのではなく、絶縁層を用いて形成するので、マイクロレンズの曲率を調節できると共に、小さいサイズのマイクロレンズを製造することが可能になって、このため、素子の集積度を高めることができる。
第二に、マイクロレンズをカラーフィルターの下方に形成することで、マイクロレンズとフォトダイオードとの間の距離を近づけることができる。このため、マイクロレンズを通過した光は、フォトダイオードまで円滑に伝達されるようになり、集光効率が向上する。
第三に、互いに屈折率が異なっている酸化物層と窒化物層とから、マイクロレンズを形成するので、マイクロレンズを通過する光の屈折角は大きくなる。従って、マイクロレンズを通過した光は、フォトダイオードまで円滑に伝達されるようになり、集光効率が向上する。
以下、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサー及びその製造方法の好適な実施例について、添付図面に基づいて詳細に説明する。図面において、対応する要素には、同一の参照符号を付している。
図３は、本発明によるＣＭＯＳイメージセンサーの構造を示した図である。下部層２０上には、フォトダイオードと各種のトランジスタとが形成されていて、該下部層の上には、パッド絶縁層２１が形成されている。そして、パッド絶縁層２１の上には、マイクロレンズ２４が形成されている。マイクロレンズ２４は、非平坦的な表面を有してなる第１絶縁層２２と、該第１絶縁層２２の非平坦的な表面における突出した部分の上面及び側面を被覆して、ドーム形状を呈してなる、第２絶縁層２３とから構成されている。
ここで、第１絶縁層２２は窒化物層から形成し、第２絶縁層２３は酸化物層から形成することが好ましい。さらに、マイクロレンズ２４の上には、カラーフィルターを均一に形成できるように、平坦化層２５が形成される。そして、平坦化層２５の上に、カラーフィルター２６が形成される。以下、上述した構造を備えてなるＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法について詳細に説明する。
図４Ａ〜図４Ｆは、ＣＭＯＳイメージセンサーについての、本発明の実施形態による製造工程を示した断面図である。まず、図４Ａに示すように、フォトダイオードとトランジスタとが形成されている下部層２０の上に、パッド絶縁層２１を形成して、ＣＭＯＳイメージセンサーの単位画素を形成する。次に、図面には示していないが、下部層２０内の金属配線を露出させるように、パッド絶縁層２１を選択的に除去する。金属配線は、トランジスタを外部素子に接続するために使用される。
次に、パッド絶縁層２１の上に、第１絶縁層２２を形成する。それから、第１絶縁層２２の上にフォトレジスト（ＰＲ）を塗布し、これを露光及び現像工程によって処理することで、フォトレジスト（ＰＲ）をパターニングする。このとき、第１絶縁層２２としては、窒化珪素（ＳｉＮ）を使用することが好ましい。
続いて、図４Ｂに示すように、パターニングしたフォトレジスト（ＰＲ）をマスクとして使用して、第１絶縁層２２をエッチングする。しかしながら、第１絶縁層２２は、これを完全にエッチング除去するのではなく、所定の厚さが残されるようにエッチング工程を制御して、第１絶縁層２２に非平坦的な表面を持たせるようにする。このとき、第１絶縁層２２は完全にはエッチング除去されないため、第１絶縁層２２の下方に形成されている、パッド絶縁層２１や金属配線が露出することはない。
次に、フォトレジスト（ＰＲ）を除去した後、図４Ｃに示すように、高密度プラズマ（High Deposition Plasma：以下、ＨＤＰ）工程を実行し、これにより、第１絶縁層２２とは相違した屈折率を持つような第２絶縁層２３を全面に蒸着する。このとき、第２絶縁層２３としては、酸化物層を用いることが好ましい。ＨＤＰ工程には、狭い面積の構造物上に山形状に蒸着物が形成されるという特性があるために、第１絶縁層２２における突出した部分の上には、山形状の第２絶縁層２３が形成される。
次に、図４Ｄに示すように、第２絶縁層２３をさらに追加的に蒸着することによって、第１絶縁層２２における窪んだ部分の上には平坦面を形成させる一方、第１絶縁層２２における突出した部分の上にはドーム形状を形成させる。第２絶縁層２３を酸化物層で形成する場合には、前述の追加的な蒸着工程として、Ｏ3蒸着工程を用いる。
次に、エッチバック工程を用いて、第２絶縁層２３をエッチングする。そして、図４Ｅに示すように、第１絶縁層２２における突出した部分の上面及び側面を、第２絶縁層２３が被覆して、ドーム形状を呈する状態にする。ここで、エッチバック工程は、２０〜２００ｓｃｃｍのＡｒと、５〜２０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8と、３０〜５０ｓｃｃｍのＣＨ3Ｆと、２０〜５０ｓｃｃｍのＯ2とからなる混合ガス雰囲気下において、３００Ｗの上部バイアス、５０〜１５０Ｗの範囲の下部バイアス、１００〜２００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力の条件下において実行する。こうして、第１絶縁層２２と第２絶縁層２３とから構成されてなる、マイクロレンズ２４が形成される。
さらに、図４Ｆに示すように、マイクロレンズ２４を含む全面に、平坦化層２５を形成する。そして、平坦化層２５上に、着色フォトレジストを塗布し、これを露光及び現像工程によって処理することで、カラーフィルタ層２６を形成する。以上により、ＣＭＯＳイメージセンサーが完成する。
以上説明した内容を通じて当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。従って、本発明は、特許請求の範囲及びその均等物に含まれる範囲において、そうした本発明に対する変更及び修正を包含するものである。
２０ 下部層
２１ パッド絶縁層
２２ 第１絶縁層
２３ 第２絶縁層
２４ マイクロレンズ
２５ 平坦化層
２６ カラーフィルター
２１ パッド絶縁層
２２ 第１絶縁層
２３ 第２絶縁層
２４ マイクロレンズ
２５ 平坦化層
２６ カラーフィルター
Claims (9)
- 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサーであって、このセンサが、
フォトダイオードと各種のトランジスタとが形成された下部層と、
前記下部層上に形成されたパッド絶縁層と、
前記パッド絶縁層上に形成されるマイクロレンズであって、非平坦的な表面を有してなる第１絶縁層と、ドーム形状を形成すべく、第１絶縁層における突出した部分の上面及び側面を被覆する第２絶縁層と、を含んでいるような上記マイクロレンズと、
前記マイクロレンズ上に形成される平坦化層と、
前記平坦化層上に形成されるカラーフィルターと、
を備えていることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサー。 - 前記第１絶縁層と第２絶縁層とは互いに異なる屈折率を有していることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
- 前記第１絶縁層は窒化物層から形成され、第２絶縁層は酸化物層から形成されていることを特徴とする請求項２に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
- 相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）のイメージセンサーを製造する方法であって、この方法が、
フォトダイオードと各種のトランジスタとが形成された下部層上に、パッド絶縁層を形成する段階と、
前記パッド絶縁層上に、非平坦的な表面を有してなる第１絶縁層を形成する段階と、
高密度プラズマ蒸着工程を用いて、前記第１絶縁層上に第２絶縁層を蒸着する段階と、
前記第２絶縁層を追加的に蒸着して、第１絶縁層の非平坦的な表面における突出した部分にかぶさるように、ドーム形状を形成する段階と、
第２絶縁層をエッチバックして、第２絶縁層が、第１絶縁層における突出した部分の上面及び側面を被覆するドーム形状になるようにすることで、第１絶縁層における突出した部分と該部分を被覆する第２絶縁層とから構成されるマイクロレンズを形成する段階と、
を備えていることを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法。 - 前記エッチバックする段階は、２０〜２００ｓｃｃｍのＡｒと、５〜２０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8と、３０〜５０ｓｃｃｍのＣＨ3Ｆと、２０〜５０ｓｃｃｍのＯ2とからなる混合ガス雰囲気下において、３００Ｗの上部バイアス、５０〜１５０Ｗの範囲の下部バイアス、１００〜２００ｍＴｏｒｒの範囲の圧力の条件下において実行されることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法。
- 前記パッド絶縁層上に、非平坦的な面を有してなる第１絶縁層を形成する段階が、
パッド絶縁層上に第１絶縁層を蒸着する段階と、
前記第１絶縁層上にフォトレジストを塗布し、これを露光及び現像工程によってパターニングする段階と、
前記パターニングしたフォトレジストをマスクとして使用して、第１絶縁層をエッチングする段階であって、完全にはエッチングせず、下層に形成されているパッド絶縁層が露出することがないように、所定の厚さの第１絶縁層を残すような上記エッチングする段階と、
を備えていることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法。 - 前記第１絶縁層は窒化物層から形成されていることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法。
- 前記第２絶縁層は酸化物層から形成され、前記第２絶縁層の追加的な蒸着工程には、Ｏ3蒸着工程を用いることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法。
- 上記製造方法が、さらに、
前記マイクロレンズを形成した後に、その全面に平坦化層を形成する段階と、
前記平坦化層上にカラーフィルターを形成する段階と、
を備えていることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＯＳイメージセンサーの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040055106A KR100617065B1 (ko) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006250298A Division JP4674302B2 (ja) | 2004-07-15 | 2006-09-15 | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006032896A true JP2006032896A (ja) | 2006-02-02 |
| JP3992714B2 JP3992714B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=35598584
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004376939A Expired - Fee Related JP3992714B2 (ja) | 2004-07-15 | 2004-12-27 | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 |
| JP2006250298A Expired - Fee Related JP4674302B2 (ja) | 2004-07-15 | 2006-09-15 | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006250298A Expired - Fee Related JP4674302B2 (ja) | 2004-07-15 | 2006-09-15 | Ｃｍｏｓイメージセンサー及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7253018B2 (ja) |
| JP (2) | JP3992714B2 (ja) |
| KR (1) | KR100617065B1 (ja) |
| DE (1) | DE102004062972A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI413244B (zh) * | 2008-07-04 | 2013-10-21 | United Microelectronics Corp | 影像感測器及其製造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217454A (ja) * | 2004-01-27 | 2005-08-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置 |
| KR100685881B1 (ko) * | 2004-06-22 | 2007-02-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US7648851B2 (en) * | 2006-03-06 | 2010-01-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating backside illuminated image sensor |
| KR100760922B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2007-09-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 실리콘 산화막을 이용한 씨모스 이미지 센서의마이크로렌즈 및 그 제조방법 |
| KR100802305B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-02-11 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 제조방법 |
| KR100871553B1 (ko) * | 2007-03-14 | 2008-12-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| US20080237761A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for enhancing light sensitivity for backside illumination image sensor |
| KR100872988B1 (ko) * | 2007-08-02 | 2008-12-08 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP2009049973A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Ｃｍｏｓイメージセンサパッケージ |
| KR100882732B1 (ko) * | 2007-10-22 | 2009-02-06 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR101338354B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2013-12-16 | 광주과학기술원 | 마이크로렌즈의 제조방법 |
| CN102592984B (zh) * | 2012-03-09 | 2016-12-14 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器 |
| FR3009889B1 (fr) * | 2013-08-23 | 2016-12-23 | Commissariat Energie Atomique | Photodiode a haut rendement quantique |
| FR3009888B1 (fr) | 2013-08-23 | 2015-09-18 | Commissariat Energie Atomique | Photodiode spad a haut rendement quantique |
| KR102498582B1 (ko) | 2018-02-26 | 2023-02-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 파티션 패턴들을 가진 이미지 센서 |
| CN109951929A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-06-28 | 珠海纳金科技有限公司 | 一种手动光控装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960000223B1 (ko) * | 1990-11-16 | 1996-01-03 | 가부시키가이샤 도시바 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
| JPH05335533A (ja) | 1992-05-27 | 1993-12-17 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH06118224A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-04-28 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置のガラスフィルタ |
| US5384231A (en) * | 1993-08-24 | 1995-01-24 | Eastman Kodak Company | Fabricating lens array structures for imaging devices |
| JP3813215B2 (ja) | 1995-09-25 | 2006-08-23 | ソニー株式会社 | 光学部品およびその製造方法 |
| KR100223853B1 (ko) * | 1996-08-26 | 1999-10-15 | 구본준 | 고체촬상소자의 구조 및 제조방법 |
| US6171883B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-01-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Image array optoelectronic microelectronic fabrication with enhanced optical stability and method for fabrication thereof |
| US6221687B1 (en) * | 1999-12-23 | 2001-04-24 | Tower Semiconductor Ltd. | Color image sensor with embedded microlens array |
| KR20010061341A (ko) | 1999-12-28 | 2001-07-07 | 박종섭 | 이미지센서의 제조 방법 |
| JP4802364B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2011-10-26 | ソニー株式会社 | 半導体層のドーピング方法、薄膜半導体素子の製造方法、及び半導体層の抵抗制御方法 |
| JP4703883B2 (ja) * | 2001-04-09 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR100465540B1 (ko) | 2001-12-29 | 2005-01-13 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 노치 필터를 갖는 이미지센서 |
| JP2003204050A (ja) | 2002-01-08 | 2003-07-18 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| TWI228636B (en) | 2002-01-11 | 2005-03-01 | Pentax Corp | Projection aligner |
| JP2004079608A (ja) * | 2002-08-12 | 2004-03-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
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-
2004
- 2004-07-15 KR KR1020040055106A patent/KR100617065B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-12-27 JP JP2004376939A patent/JP3992714B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-28 US US11/022,827 patent/US7253018B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-28 DE DE102004062972A patent/DE102004062972A1/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-09-15 JP JP2006250298A patent/JP4674302B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-19 US US11/583,037 patent/US7598554B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI413244B (zh) * | 2008-07-04 | 2013-10-21 | United Microelectronics Corp | 影像感測器及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20060012001A1 (en) | 2006-01-19 |
| DE102004062972A1 (de) | 2006-02-16 |
| JP2007049175A (ja) | 2007-02-22 |
| KR100617065B1 (ko) | 2006-08-30 |
| US7598554B2 (en) | 2009-10-06 |
| KR20060006201A (ko) | 2006-01-19 |
| US7253018B2 (en) | 2007-08-07 |
| JP3992714B2 (ja) | 2007-10-17 |
| JP4674302B2 (ja) | 2011-04-20 |
| US20070034982A1 (en) | 2007-02-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060609 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060619 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060915 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070625 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070724 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130803 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |