KR102498582B1 - 파티션 패턴들을 가진 이미지 센서 - Google Patents

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Abstract

파티션 패턴들을 가진 이미지 센서가 제공된다. 상기 이미지 센서는 포토다이오드들을 가진 기판; 상기 기판의 제1면 상의 반사 방지층; 상기 반사 방지층 상의 파티션 패턴들; 상기 파티션 패턴들의 상부 내에 형성된 그루브들; 상기 파티션 패턴들 사이의 컬러 필터들; 및 상기 컬러 필터들 상의 마이크로 렌즈들을 포함할 수 있다. 상기 그루브들은 에어 갭을 제공할 수 있다. 상기 마이크로 렌즈들은 상기 파티션 패턴들에 의해 서로 물리적으로 분리될 수 있다.

Description

파티션 패턴들을 가진 이미지 센서{Image Sensor Including Partition Patterns}
본 발명은 이미지 센서, 이미지 센서 형성 방법, 및 이미지 센서를 포함하는 전자 장치에 관한 것으로서, 특히 파티션 패턴들을 포함하는 이미지 센서, 이미지 센서 형성 방법, 및 이미지 센서를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
최근 정보 통신 산업 발달과 전자 기기의 디지털 화에 따라 디지털 카메라, 캠코더, 휴대폰, PCS(personal communication system), 게임기기, 경비용 카메라, 의료용 마이크로 카메라 등 다양한 분야에서 성능이 향상된 이미지 센서들이 사용 되고 있다. 이미지 센서는 다수의 픽셀들을 포함하고, 다수의 픽셀들은 각각 포토다이오드, 컬러 필터, 및 마이크로 렌즈를 포함한다. 일반적으로, 다수의 픽셀들은 각각, 픽셀들을 광학적으로 격리시키기 위한 그리드 패턴을 포함한다. 그러나, 그리드 패턴만으로는 충분히 빛을 가이딩(guiding)할 수 없으므로 양자화 효율(quantumefficiency) 및 크로스-토크(cross-talk) 현상을 충분히 개선시키기 어렵다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 파티션 패턴들을 포함하는 이미지 센서를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 파티션 패턴들을 포함하는 이미지 센서를 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 파티션 패턴들을 포함하는 이미지 센서를 가진 전자 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다양한 과제들은 이상에서 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당 업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서는 포토다이오드들을 가진 기판; 상기 기판의 제1면 상의 반사 방지층; 상기 반사 방지층 상의 파티션 패턴들; 상기 파티션 패턴들의 상부 내에 형성된 그루브들; 상기 파티션 패턴들 사이의 컬러 필터들; 및 상기 컬러 필터들 상의 마이크로 렌즈들을 포함할 수 있다. 상기 그루브들은 에어 갭을 제공할 수 있다. 상기 마이크로 렌즈들은 상기 파티션 패턴들에 의해 서로 물리적으로 분리될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서는 포토다이오드들을 가진 기판; 상기 기판의 제1면 상의 반사 방지층; 상기 반사 방지층 상의 파티션 패턴들; 상기 파티션 패턴들 사이의 컬러 필터들; 상기 컬러 필터들 상의 마이크로 렌즈들; 및 상기 마이크로 렌즈들의 표면 상의 플레어 방지층을 포함할 수 있다. 상기 파티션 패턴들은 상기 컬러 필터들보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다.
기타 실시 예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 컬러 필터들 및 마이크로 렌즈들이 광학적 및 물리적으로 더욱 격리될 수 있으므로, 보다 효율적인 광 가이딩 효과(light guidingeffect)가 구현될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 광 가이딩 효과가 개선되므로, 크로스-토크 현상 및 광각 응답(RAR, ray angle response)이 개선될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 광 시프트(light shift)가 작아지므로, 그림자 현상(shading effect)이 개선될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 미세 픽셀에서 양자화(QE, quantumefficiency) 손실(loss)가 적어질 수 있고, 그리드 패턴들의 수평 폭을 증가시킬 수 있으므로, 빛의 회절(diffraction) 현상이 제거 또는 완화될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 광 가이딩 효과가 개선되므로, 하프 쉴드 위상 감지 오토 포커스(half shield phase difference auto-focus) 기능이 구현될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 마이크로 렌즈들의 굴절률이 조절될 수 있으므로 마이크로 렌즈들의 초점 거리도 조절될 수 있다.
기타 언급되지 않은 본 발명의 다양한 실시예들에 의한 효과들은 본문 내에서 언급될 것이다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 이미지 센서를 개략적으로 도시한 블럭도이다.
도 2a 내지 3H는 본 발명의 다양한 실시예들에 의한 이미지 센서들을 개략적으로 도시한 종단면도들이다.
도 4a 내지 7d는 본 발명의 다양한 실시예들에 의한 이미지 센서들을 형성하는 방법들을 개략적으로 도시한 종단면도들이다.
도 8은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 이미지 센서들을 포함하는 전자 장치를 개략적으로 도시한 다이아그램이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 ‘포함한다(comprises)’ 및/또는 ‘포함하는(comprising)’은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
명세서 전문에 걸쳐 동일한 참조 부호는 동일한 구성 요소를 지칭한다. 따라서, 동일한 참조 부호 또는 유사한 참조 부호들은 해당 도면에서 언급 또는 설명되지 않았더라도, 다른 도면을 참조하여 설명될 수 있다. 또한, 참조 부호가 표시되지 않았더라도, 다른 도면들을 참조하여 설명될 수 있다.
도 1은 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예에 따른 이미지 센서(800)를 개략적으로 도시한 블럭도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상의 일 실시예 의한 이미지 센서는 다수의 픽셀들이 매트릭스 구조로 배열된 픽셀 어레이(pixel array, 810), 상관 이중 샘플러(correlated double sampler, CDS, 820), 아날로그-디지털 컨버터(analog-digital converter, ADC, 830), 버퍼(Buffer, 840), 로우 드라이버(row driver, 850), 타이밍 제너레이터(timing generator, 860), 제어 레지스터(control register, 870), 및 램프 신호 제너레이터(ramp signal generator, 880)를 포함할 수 있다.
픽셀 어레이(810)는 매트릭스 구조로 배열된 다수의 픽셀 블록들(815)을 포함할 수 있다. 다수의 픽셀 블록들(815)은 각각 광학적 이미지 정보를 전기적 이미지 신호로 변환하여 컬럼 라인들(column lines)을 통하여 상관 이중 샘플러(820)로 전송할 수 있다. 다수의 픽셀 블록들(815)은 로우 라인들(row lines) 중 하나 및 컬럼 라인들(column lines) 중 하나와 각각 연결될 수 있다. 예를 들어, 다수의 픽셀 블록들(815)은 각각, 매트릭스 모양으로 배열된 레드 픽셀, 그린 픽셀, 및 블루 픽셀을 포함할 수 있다.
상관 이중 샘플러(820)는 픽셀 어레이(810)의 픽셀 블록들(815)로부터 수신된 전기적 이미지 신호를 유지(hold) 및 샘플링할 수 있다. 예를 들어, 상관 이중 샘플러(820)는 타이밍 제너레이터(860)로부터 제공된 클럭 신호에 따라 기준 전압 레벨과 수신된 전기적 이미지 신호의 전압 레벨을 샘플링하여 그 차이에 해당하는 아날로그적 신호를 아날로그-디지털 컨버터(830)로 전송할 수 있다.
아날로그-디지털 컨버터(830)는 수신된 아날로그 신호를 디지털 신호로 변환하여 버퍼(840)로 전송할 수 있다.
버퍼(840)는 수신된 디지털 신호를 래치(latch)하고 및 순차적으로 외부의 영상 신호 처리부로 출력할 수 있다. 버퍼(840)는 디지털 신호를 래치하기 위한 메모리 및 디지털 신호를 증폭하기 위한 감지 증폭기를 포함할 수 있다.
로우 드라이버(850)는 타이밍 제너레이터(860)의 신호에 따라 픽셀 어레이(810)의 다수의 픽셀 블록들(815)을 구동할 수 있다. 예를 들어, 로우 드라이버(850)는 다수의 로우 라인들(row lines) 중 하나의 로우 라인(row line)을 선택하기 위한 선택 신호들 및/또는 구동하기 위한 구동 신호들을 생성할 수 있다.
타이밍 제너레이터(860)는 상관 이중 샘플러(820), 아날로그-디지털 컨버터(830), 로우 드라이버(850), 및 램프 신호 제너레이터(880)를 제어하기 위한 타이밍 신호를 생성할 수 있다.
컨트롤 레지스터(870)는 버퍼(840), 타이밍 제너레이터(860), 및 램프 신호 제너레이터(880)를 컨트롤하기 위한 컨트롤 신호(들)을 생성할 수 있다.
램프 신호 제너레이터(880)는 타이밍 제너레이터(860)의 컨트롤에 따라 버퍼(840)로부터 출력되는 이미지 신호를 제어하기 위한 램프 신호를 생성할 수 있다.
도 2a 내지 3H는 본 발명의 다양한 실시예들에 의한 이미지 센서들(100A-100P)을 개략적으로 도시한 종단면도들이다. 도 2a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100A)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 제1면, 예를 들어, 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 및 마이크로 렌즈들(70)을 포함할 수 있다.
기판(10)은 단결정 실리콘 웨이퍼, SOI (silicon on insulator) 웨이퍼, 또는 에피택셜 성장된 단결정 실리콘 층을 포함할 수 있다.
포토다이오드들(20)은 기판(10) 내에 주입된 인(P, phosphorous) 또는 비소(As, arsenic) 같은 N-형 이온들 및/또는 보론(B, boron) 같은 P-형 이온들을 포함할 수 있다.
반사 방지층(30)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산화 질화물 같은 무기물 층을 포함할 수 있다. 반사 방지층(30)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
컬러 필터들(50)은 파티션 패턴들(60)에 의해 서로 이격되어 상면도에서 섬(island) 모양의 매트릭스 배열을 가질 수 있다. 컬러 필터들(50)은 각각, 레드, 그린, 또는 블루 중 하나의 안료(pigment) 및 베이스 레진을 포함할 수 있다.
파티션 패턴들(60)은 컬러 필터들(50)을 서로 이격시키도록 상면도에서 메시(mesh) 모양으로 배열될 수 있다. 따라서, 파티션 패턴들(60)은 포토다이오드들(20)의 사이의 스페이스들과 수직으로 정렬될 수 있다. 파티션 패턴들(60)은 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리실록산, 아크릴, 에폭시 또는 기타 고분자 유기물들, 또는 실리콘 산화물 같은 무기 절연성 물질을 가질 수 있다.
마이크로 렌즈들(70)은 컬러 필터들(50) 상에 반구형으로 형성, 배열될 수 있다. 마이크로 렌즈들(70)은 포토다이오드들(20)에 대응하도록 광학적 및 물리적으로 서로 분리될 수 있다.
파티션 패턴들(60)은 컬러 필터들(50)의 상면들 보다 낮게 리세스된 그루브들(65)을 포함할 수 있다. 즉, 그루브들(65)을 파티션 패턴들(60)의 상부들 내에 상면도에서 메시(mesh) 모양을 가질 수 있다. 그루브들(65)은 파티션 패턴들(60)의 상부 내에 에어 갭들(air gaps)을 제공할 수 있다. 에어 갭들은 약 1.0 정도의 굴절율을 가지므로, 에어 갭들을 파티션 패턴들(60)보다 굴절률이 낮다. 따라서, 그루브들(65)은 마이크로 렌즈들(70)을 통해 컬러 필터들(50)로 입사하는 빛들을 보다 효율적으로 포토다이오드들(20)로 향하도록 가이딩할 수 있다. 그루브들(65)에 의해 마이크로 렌즈들(70)은 보다 더 광학적 및 물리적으로 서로 분리될 수 있다. 부가하여, 마이크로 렌즈들(70)은 그루브들(65)에 의해 물리적으로 서로 분리될 수 있다.
마이크로 렌즈들(70)은 파티션 패턴들(60)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마이크로 렌즈들(70)은 파티션 패턴들(60)과 물질적으로 연속할 수 있고 물리적으로 일체화될 수 있다.
파티션 패턴들(60) 및 마이크로 렌즈들(70)은 폴리스티렌계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 또는 그들의 공중합계 수지 같은 고분자 물질, 또는 실리콘 산화물계 또는 실리콘 질화물계 무기물을 포함할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100B)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 및 마이크로 렌즈들(70)을 포함할 수 있다. 그리드 패턴들(40)은 상면도에서 파티션 패턴들(60)과 수직으로 중첩하도록 메시(mesh) 모양으로 배열될 수 있다. 따라서, 그리드 패턴들(40) 및 파티션 패턴들(60)은 함께 컬러 필터들(50)을 광학적 및 물리적으로 분리할 수 있고, 및 포토다이오드들(20)의 사이의 스페이스들과 수직으로 정렬, 중첩될 수 있다. 그리드 패턴들(40)은 텅스텐(W) 같은 금속을 포함할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100C)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 및 플레어 방지층들(80)을 포함할 수 있다. 플레어 방지층들(80)은 마이크로 렌즈들(70)의 반구형 표면들 상에 전체적으로 컨포멀하게 형성될 수 있다. 플레어 방지층들(80)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다. 플레어 방지층들(80)은 마이크로 렌즈들(70)보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 마이크로 렌즈들(70)이 약 1.56 정도의 굴절률을 가진 경우, 플레어 방지층들(80)은 약 1.4 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 플레이 방지층들(80)의 중앙부들의 두께는 외곽부들의 두께보다 두꺼울 수 있다. 플레어 방지층들(80)도 그루브들(65)에 의해 물리적으로 분리될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 플레어 방지층들(80)은 그루브들(65) 내부를 부분적 또는 완전히 채울 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 플레어 방지층들(80)은 그루브들(65) 내부를 채우고, 서로 물리적으로 분리되지 않을 수 있다.
도 2d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100D)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 및 플레어 방지층들(80)을 포함할 수 있다. 이미지 센서(100D)는 도 2a 내지 2c에 도시된 이미지 센서들(100A-100C)을 참조하면 이해될 수 있을 것이다.
도 2a 내지 2d에 도시된 이미지 센서들(100A-100D)에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 다양한 곳에 위치할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 컬러 필터들(50)의 상면들보다 낮게 위치할 수 있다. 다른 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 컬러 필터들(50)의 상면들과 사실상 유사할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 컬러 필터들(50)의 상면들보다 높은 레벨에 위치할 수 있다.
도 2e를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100E)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 제1면, 예를 들어, 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 및 마이크로 렌즈들(70)을 포함할 수 있다. 도 2a의 이미지 센서(100A)과 비교하여, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)이 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 즉, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)은 물질적 및 물리적으로 서로 구분(distinguished) 또는 분리(separated)될 수 있다. 파티션 패턴들(60)은 컬러 필터들(50)보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가질 수 있고, 및 마이크로 렌즈들(70)은 컬러 필터들(50)보다 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터들(50)이 약 1.4 정도의 굴절률을 가질 경우, 파티션 패턴들(60)은 약 1.2 정도의 굴절률을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 경계면과 컬러 필터들(50)의 상면들은 유사한 레벨에 위치할 수 있다.
도 2f를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100F)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 및 마이크로 렌즈들(70)을 포함할 수 있다. 이미지 센서(100F)는 도 2b 및 2e의 이미지 센서들(100B, 100E)을 참조하여 이해될 수 있을 것이다.
도 2g를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100G)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 및 플레어 방지층들(80)을 포함할 수 있다. 이미지 센서(100G)는 도 2c 및 2e의 이미지 센서들(100C, 100E)을 참조하여 이해될 수 있을 것이다.
도 2h를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100H)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 및 플레어 방지층들(80)을 포함할 수 있다. 이미지 센서(100H)는 도 2d 및 2e의 이미지 센서들(100D, 100E)을 참조하여 이해될 수 있을 것이다.
도 3a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100I)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 및 플레어 방지층들(80)을 포함할 수 있다.
상면도에서, 파티션 패턴들(60)은 컬러 필터들(50)을 섬 모양으로 분리하도록 메시 형태로 배열될 수 있다. 종단면도에서, 파티션 패턴들(60)은 컬러 필터들(50)의 수직 두께보다 큰 높이를 가진 댐(dam) 모양을 가질 수 있다. 파티션 패턴들(60)의 외측 부분들은 컬러 필터들(50)의 외측 부분들과 부분적으로 수직으로 중첩할 수 있다. 즉, 파티션 패턴들(60)은 각각, 상대적으로 좁은 폭을 갖는 하부 및 상대적으로 넓은 폭을 갖는 상부를 포함하는 역 계단 모양일 수 있다. 파티션 패턴들(60)의 하부들은 컬러 필터들(50)의 측면들과 접촉할 수 있다. 파티션 패턴들(60)의 상부들은 컬러 필터들(50)의 상면들의 외곽 영역들 상에 배치될 수 있다. 즉, 파티션 패턴들(60)의 상부들은 컬러 필터들(50)의 상면들과 접촉하는 역계단 모양의 하면들을 가질 수 있다.
파티션 패턴들(60)의 상부들 내에 그루브들(65)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 플레어 방지층들(80)이 파티션 패턴들(60)의 상부들 내에 형성된 그루브들(65)을 채울 수 있다. 따라서, 플레어 방지층들(80)도 그루브들(65)을 가질 수 있다.
도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100J)는 도 3a에 도시된 이미지 센서(100J)와 비교하여, 경사진 측벽들을 갖는 파티션 패턴들(60)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 파티션 패턴들(60)의 상부들은 각각, 상대적으로 폭이 좁은 최상부 및 상대적으로 폭이 넓은 하상부를 가질 수 있다. 제조 공정에 의하여, 파티션 패턴들(60)의 측벽들은 경사질 수 있고, 및 마이크로 렌즈들(70)의 필링 특성이 개선될 수 있다. 도 2a 내지 2h에 도시된 이미지 센서들(100A-100H)의 파티션 패턴들(60)도 포지티브(+) 경사를 가질 수 있다. 따라서, 도 2a 내지 2h에 도시된 이미지 센서들(100A-100H)의 컬러 필터들(50)은 네거티브(-) 경사를 가질 수 있다.
도 3c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100K)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 반사 방지층(30) 상의 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 및 플레어 방지층들(80)을 포함할 수 있다. 파티션 패턴들(60)은 컬러 필터들(50) 사이의 그리드 패턴들(40) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 그리드 패턴들(40)과 파티션 패턴들(60)의 하부의 측벽이 수직으로 정렬될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100L)는 도 3c에 도시된 이미지 센서(100K)와 비교하여, 경사진 측벽들을 갖는 파티션 패턴들(60)을 포함할 수 있다.
도 3e를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100M)는 기판(10) 내에 형성된 포토다이오드들(20), 기판(10)의 상면 상의 반사 방지층(30), 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 및 플레어 방지층들(80)을 포함할 수 있다.
파티션 패턴들(60)은 그리드 패턴들(40)을 완전히 덮도록 그리드 패턴들(40)보다 넓은 수평 폭 및 높은 수직 두께 (또는 높이)를 가질 수 있다. 즉, 파티션 패턴들(60)은 그리드 패턴들(40)의 측벽들을 둘러싸고 및 상면들이 노출되지 않도록 덮을 수 있다. 즉, 컬러 필터들(50)은 파티션 패턴들(60)에 의해 그리드 패턴들(40)과 접촉하지 않고 이격될 수 있다.
파티션 패턴들(60)의 상면들과 컬러 필터들(50)의 상면들은 실질적으로 평탄할 수 있다. (co-planar) 예를 들어, 파티션 패턴들(60)과 컬러 필터들(50)은 실질적으로 동일한 높이(또는 수직 두께)를 가질 수 있다.
마이크로 렌즈들(70)은 그리드 패턴들(40) 및 파티션 패턴들(60)에 의해 서로 분리 및 이격되어 상면도에서 섬(island) 모양의 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.
파티션 패턴들(60)의 상부들 내에 그루브들(65)이 형성될 수 있다. 그루브들(65)의 하단부는 컬러 필터들(50)의 상면들보다 낮은 레벨에 위치할 수 있다. 그루브들(65)에 의해 마이크로 렌즈들(70)은 보다 더 광학적 및 물리적으로 서로 분리될 수 있다. 플레어 방지층들(80)은 그루브들(65)을 부분적 또는 완전히 채울 수 있다. 즉, 플레이 방지층들(80)은 물리적으로 연속할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 플레어 방지층들(80)도 그루브들(65)에 의해 물리적으로 분리될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100N)는 도 3e에 도시된 이미지 센서(100M)와 비교하여, 경사진 측벽들을 갖는 파티션 패턴들(60)을 포함할 수 있다.
도 3g를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100O)는 도 2b에 도시된 이미지 센서(100O)와 비교하여, 컬러 필터들(50)의 일부들이 그리드 패턴들(40)의 상부에 형성될 수 있다. 예를 들어, 파티션 패턴들(60)의 폭은 그리드 패턴들(40)의 폭보다 작을 수 있다.
도 3h를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서(100P)는 도 3g에 도시된 이미지 센서(100O)와 비교하여, 플레어 방지층들(80)을 더 포함할 수 있다.
도 3a 내지 3d에 및 3g 내지 3h에 도시된 이미지 센서들(100I-100L, 100O-100P)에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 다양한 곳에 위치할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 컬러 필터들(50)의 상면들보다 낮게 위치할 수 있다. 다른 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 컬러 필터들(50)의 상면들과 사실상 동일하거나 유사할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 마이크로 렌즈들(70)의 가상적인 경계면들은 컬러 필터들(50)의 상면들보다 높은 레벨에 위치할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예들에 의한 이미지 센서들(100A-100P)에서, 그리드 패턴들(40), 컬러 필터들(50), 파티션 패턴들(60), 마이크로 렌즈들(70), 플레어 방지층들(80), 및 그루브들(65)의 제원(예를 들어, 수평 폭, 수직 두께, 높이, 표면 곡률 등)은 다양하게 변화 및 응용될 수 있다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법을 설명하는 종단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법은 기판(10) 내에 포토다이오드들(20)을 형성하고, 기판(10)의 상면 상에 반사 방지층(30)을 형성하고, 및 반사 방지층(30) 상에 오프닝들(Op)을 갖는 파티션 패턴들(60)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
기판(10)은 단결정 실리콘 웨이퍼, SOI (silicon on insulator) 웨이퍼, 또는 에피택셜 성장된 단결정 실리콘 층을 포함할 수 있다.
포토다이오드들(20)을 형성하는 것은 이온 임플란트 공정을 수행하여 기판(10) 내에 인(P, phosphorous) 또는 비소(As, arsenic) 같은 N-형 이온들 및/또는 보론(B, boron) 같은 P-형 이온들을 주입하는 것을 포함할 수 있다.
반사 방지층(30)을 형성하는 것은 증착 공정을 수행하여 실리콘 질화물 층, 실리콘 산화물 층, 또는 실리콘 산화 질화물 층을 다층 또는 다층으로 형성하는 것을 포함할 수 있다.
파티션 패턴들(60)을 형성하는 것은 증착 공정을 수행하여 반사 방지층(30) 상에 파티션 물질층을 형성하고, 및 포토리소그래피 공정 및 패터닝 공정을 수행하여 파티션 물질층을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 파티션 물질층을 형성하는 것은 폴리스티렌계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리실록산 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 또는 그들의 공중합계 수지 같은 고분자 물질, 또는 유동성을 가진(flowable) 실리콘 산화물계 또는 실리콘 질화물계 무기물 층을 형성하고, 및 가열, 건조, 및 경화하는 것을 포함할 수 있다. 오프닝들(Op)은 포토다이오드들(20)과 수직으로 정렬하여 반사 방지층(30)의 표면을 노출할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 방법은 오프닝들(Op) 내에 컬러 필터들(50)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 컬러 필터들(50)을 형성하는 것은 각각, 레드, 그린, 또는 블루 중 하나의 안료(pigment) 및 베이스 레진을 포함하는 고분자 유기물 패턴들을 형성하고, 및 고분자 유기물 패턴들을 가열 건조하는 것을 포함할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 상기 방법은 컬러 필터들(50) 및 파티션 패턴들(60) 상에 오버 코팅층(70a)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 오버-코팅 층(70a)을 형성하는 것은 폴리스티렌계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리실록산 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 또는 그들의 공중합계 수지 같은 고분자 물질, 또는 유동성을 가진(flowable) 실리콘 산화물계 또는 실리콘 질화물계 무기물 층을 형성하고, 및 가열, 건조, 및 경화하는 것을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 파티션 패턴들(60)과 오버 코팅층(70a)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 파티션 패턴들(60)과 오버 코팅층(70a) 사이의 경계면은 존재하지 않을 수 있다.
도 4d를 참조하면, 상기 방법은 오버-코팅 층(70a) 상에 마스크 패턴(M)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 마스크 패턴(M)을 형성하는 것은 포토리소그래피 공정을 수행하여 포토레지스트 같은 고분자 유기물 층을 형성하고, 및 가열하여 반구형(hemi-spherical) 모양으로 리플로우하는 것을 포함할 수 있다.
이후, 도 2a를 참조하면, 상기 방법은 에치-백 공정을 수행하여 마스크 패턴(M)을 제거하고, 및 마이크로 렌즈들(70)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 에치-백 공정은 마스크 패턴(M)을 제거하기 위한 산소(O2) 및 오버-코팅 층(70a)을 식각하기 위한 식각 가스를 모두 포함할 수 있다. 식각 가스는 CF4, CHF3, 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 에치-백 공정에서, 오버-코팅 층(70a)은 마스크 패턴(M)의 프로파일을 따라 식각될 수 있다. 그러므로, 마이크로 렌즈들(70)은 마스크 패턴(M)처럼 반구형 모양을 가질 수 있다. 에치-백 공정에 의해 파티션 패턴들(60)의 상부에 그루브들(65)이 형성될 수 있다. 그루브들(65)의 하단부는 컬러 필터들(50)의 상면들보다 낮게 리세스될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법은 마이크로 렌즈들(70)을 형성한 후, 도 2c를 참조하여, 플레어 방지층들(80)을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다. 플레어 방지층들(80)을 형성하는 것은 마이크로 렌즈들(70) 상에 컨포멀하게 플레어 방지 물질층을 형성한 후, 에치-백 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 에치-백 공정에 의해 플레어 방지층들(80)이 서로 물리적으로 분리될 수 있다.
도 5a 내지 5d는 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법을 설명하는 종단면도들이다.
도 5a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법은 기판(10) 내에 포토다이오드들(20)을 형성하고, 기판(10)의 제1 면, 예를 들어 상면 상에 반사 방지층(30)을 형성하고, 및 반사 방지층(30) 상에 오프닝들(Op)을 갖는 그리드 패턴들(40)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
그리드 패턴들(40)을 형성하는 것은 증착 공정을 수행하여 반사 방지층(30) 상에 그리드 물질층을 형성하고, 및 포토리소그래피 공정 및 패터닝 공정을 수행하여 그리드 물질층을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 그리드 패턴들(40)은 텅스텐(W) 같은 금속을 포함할 수 있다. 그리드 패턴들(40)은 상면도에서 메시 모양을 가질 수 있다. 오프닝들(Op)은 포토다이오드들(20)과 수직으로 정렬하여 반사 방지층(30)의 표면을 노출할 수 있다.
도 5b를 참조하면, 상기 방법은 오프닝들(Op) 내에 컬러 필터들(50)을 형성하고, 및 컬러 필터들(50)을 덮는 오버-코팅 층(70a)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
도 5c를 참조하면, 상기 방법은 오버-코팅 층(70a) 상에 마스크 패턴(M)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
도 5d를 참조하면, 상기 방법은 에치-백 공정을 수행하여 마이크로 렌즈들(70)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 마이크로 렌즈들(70)은 마스크 패턴(M)처럼 반구형 모양을 가질 수 있다.
이후, 도 2d 또는 2h를 참조하면, 상기 방법은 마이크로 렌즈들(70) 상에 플레어 방지층들(80)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 플레어 방지층들(80)을 형성하는 것은 저온 산화 (low temperature oxidation) 공정 또는 저온 산화물 증착 공정을 수행하여 마이크로 렌즈들(70)의 표면들 상에 컨포멀한 산화물 층을 형성하고, 및/또는 에치-백 공정을 수행하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어, 플레어 방지층들(80)의 중앙부의 두께는 외곽부의 두께보다 두꺼울 수 있다. 플레이 방지층(80)은 마이크로 렌즈들(70)과 함께 초점 거리(focus distance)를 늘리거나 줄일 수 있다. 따라서, 이미지 센서의 빛의 집중도가 높이거나 낮아질 수 있고, 따라서 이미지 센서의 픽셀들의 집적도에 따른 이미지 해상력을 개선시킬 수 있다.
도 6a 내지 6d는 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법을 설명하는 종단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법은 기판(10) 내에 포토다이오드들(20)을 형성하고, 기판(10)의 제1 면 상에 반사 방지층(30)을 형성하고, 반사 방지층(30) 상에 오프닝들(Op)을 가진 그리드 패턴들(40)을 형성하고, 오프닝들(Op) 내에 컬러 필터들(50)을 형성하고, 및 컬러 필터들(50)을 덮는 파티션 물질층(60a)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 컬러 필터들(50)은 그리드 패턴들(40)과 직접적으로 접촉할 수 있다. 컬러 필터들(50)은 그리드 패턴들(40)과 부분적으로 수직으로 중첩할 수 있다. 파티션 물질층(60a)은 감광성 고문자 유기물, 예를 들어 감광성 폴리이미드를 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서, 파티션 물질층(60a)은 비감광성 고분자 유기물 또는 실리콘 산화물 같은 무기물을 포함할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 상기 방법은 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정을 수행하여 컬러 필터들(50)의 상면들을 노출하는 오프닝들(Op)을 가진 파티션 패턴들(60)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상면도에서, 파티션 패턴들(60)은 그리드 패턴들(40)과 중첩하는 메시(mesh) 모양을 가질 수 있다.
도 6c를 참조하면, 상기 방법은 오프닝들(Op)을 채우고 파티션 패턴들(60)을 덮는 오버-코팅 층(70a)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
도 6d를 참조하면, 상기 방법은 도 5c를 참조하여, 오버-코팅 층(70a)상에 반구형 마스크 패턴(M)을 형성하고, 및 에치-백 공정을 수행하여 마이크로 렌즈들(70)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 이 공정에서, 파티션 패턴들(60)의 상부가 부분적으로 제거되어 그루브들(65)이 형성될 수 있다.
이후, 상기 방법은 마이크로 렌즈들(70) 상에 플레어 방지층들(80)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 이미지 센서 형성 방법은, 파티션 패턴(60)의 측벽을 경사지게 식각하는 것을 포함할 수 있다.
도 7a 내지 7d는 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법을 설명하는 종단면도이다.
도 7a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 이미지 센서를 형성하는 방법은, 기판(10) 내에 포토다이오드들(20)을 형성하고, 기판(10)의 상면 상에 반사 방지층(30)을 형성하고, 반사 방지층(30) 상에 그리드 패턴들(40)을 형성하고, 및 노출된 반사 방지층(30) 및 그리드 패턴들(40)을 덮는 파티션 물질층(60a)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 파티션 물질층(60a)은 컬러 필터들(50)보다 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 파티션 물질층(60a)은 약 1.3 이하의 굴절률을 갖는 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 상기 방법은 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정을 수행하여 파티션 물질층(60a)을 패터닝하는 것을 포함할 수 있다. 파티션 물질층(60a)은 파티션 패턴들(60)로 패터닝될 수 있다. 파티션 패턴들(60)은 그리드 패턴들(40)을 완전히 감쌀 수 있다. 예를 들어, 파티션 패턴들(60)은 그리드 패턴들(40)보다 넓은 수평 폭 및 높은 수직 두께(또는 높이)를 가질 수 있다. 상면도에서 파티션 패턴들(60)과 그리드 패턴들(40)은 완전히 수직으로 중첩하도록 메시 모양으로 배열될 수 있다. 파티션 패턴들(60)은 반사 방지층(30)의 상면을 선택적으로 노출하는 오프닝들(Op)을 정의할 수 있다. 오프닝들(Op)은 포토다이오드들(20)과 수직으로 정렬할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 상기 방법은 파티션 패턴들(60)에 의해 정의된 오프닝들(Op) 내에 컬러 필터들(50)을 형성하고, 및 컬러 필터들(50) 및 파티션 패턴들(60) 상에 오버-코팅 층(70a)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 컬러 필터들(50)의 상면들과 파티션 패턴들(50)의 상면들은 평탄할 수 있다. (co-planar) 본 발명의 다른 실시예에서, 컬러 필터들(50)의 상면들은 파티션 패턴들(50)의 상면들과 다른 레벨에 위치할 수 있다. 오버-코팅 층(70a)는 파티션 패턴들(60)보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 예를 들어, 오버-코팅 층(70a)은 약 1.56 이상의 굴절률을 갖는 고분자 유기물 또는 실리콘 산화물 같은 무기물을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 오버-코팅 층(70a)은 실리콘 산화물을 포함할 수 있다.
도 7d를 참조하면, 상기 방법은 도 5c를 참조하여, 오버-코팅 층(70a)상에 반구형 마스크 패턴(M)을 형성하고, 및 에치-백 공정을 수행하여 마이크로 렌즈들(70)을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 이 공정에서, 파티션 패턴들(60)의 상부가 부분적으로 제거되어 그루브들(65)이 형성될 수 있다.
이후, 상기 방법은 마이크로 렌즈들(70) 상에 플레어 방지층들(80)을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 이미지 센서 형성 방법은, 파티션 패턴(60)의 측벽을 경사지게 식각하는 것을 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서(900)를 가진 전자 장치를 개략적으로 도시한 다이아그램이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서(900)를 가진 전자 장치는 정지 영상 또는 동영상을 촬영할 수 있는 카메라를 포함할 수 있다. 전자 장치는 광학 시스템(910, 또는, 광학 렌즈), 셔터 유닛(911), 이미지 센서(900) 및 셔터 유닛(911)을 제어/구동하는 구동부(913) 및 신호 처리부(912)를 포함할 수 있다. 이미지 센서(900)는 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서들(100A-100C) 중 하나를 포함할 수 있다.
광학 시스템(910)은 피사체로부터의 이미지 광(입사광)을 이미지 센서(900)의 픽셀 어레이(도 1의 참조 부호 '810' 참조)로 안내할 수 있다. 광학 시스템(910)은 복수의 광학 렌즈를 포함할 수 있다. 셔터 유닛(911)은 이미지 센서(900)에 대한 광 조사 기간 및 차폐 기간을 제어할 수 있다. 구동부(913)는 이미지 센서(900)의 전송 동작과 셔터 유닛(911)의 셔터 동작을 제어할 수 있다. 신호 처리부(912)는 이미지 센서(800)로부터 출력된 신호에 관해 다양한 종류의 신호 처리를 수행한다. 신호 처리 후의 이미지 신호(Dout)는 메모리 등의 저장 매체에 저장되거나, 모니터 등에 출력될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 기판
20: 포토다이오드
30: 반사 방지층
40: 그리드 패턴
Op: 오프닝
50: 컬러 필터
70a: 오버-코팅 층
70: 마이크로 렌즈
60a: 파티션 층
60: 파티션 패턴
M: 마스크 패턴
80: 플레어 방지층

Claims (20)

  1. 포토다이오드들을 가진 기판;
    상기 기판의 제1면 상의 반사 방지층;
    상기 반사 방지층 상의 그리드 패턴들, 상기 그리드 패턴들은 금속을 포함하고;
    상기 그리드 패턴들의 상면들 및 측면들을 감싸는 파티션 패턴들, 상기 파티션 패턴들의 상부들 내에 에어 갭들을 제공하는 그루브들이 형성되고;
    상기 파티션 패턴들 사이의 컬러 필터들, 상기 파티션 패턴들의 상면들과 상기 컬러 필터들의 상면들은 평탄하고;
    상기 컬러 필터들 상의 마이크로 렌즈들; 및
    상기 마이크로 렌즈들의 표면들 상에 컨포멀하게 형성된 플레어 방지층을 포함하고,
    상기 마이크로 렌즈들은 상기 그루브들에 의해 서로 물리적으로 분리되고,
    상기 파티션 패턴들의 상기 상부 내에 제공된 상기 에어 갭들의 하단들은 컬러 필터들의 상기 상면들보다 낮은 레벨에 위치하고,
    상기 그리드 패턴들, 상기 파티션 패턴들, 및 상기 그루브들은 상면도에서 메시 모양으로 배열된 이미지 센서.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. ◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 파티션 패턴들은 상기 컬러 필터들보다 낮은 굴절률을 갖는 고분자 유기물 또는 무기물을 포함하는 이미지 센서.
  6. ◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 마이크로 렌즈들은 상기 컬러 필터들보다 낮은 굴절률을 갖는 이미지 센서.
  7. ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 파티션 패턴들은 상기 마이크로 렌즈들보다 낮은 굴절률을 갖는 이미지 센서.
  8. ◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 파티션 패턴들과 상기 마이크로 렌즈들은 물질적 및 물리적으로 연속하도록 동일한 물질을 포함하는 이미지 센서.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 포토다이오드들을 가진 기판;
    상기 기판의 제1면 상의 반사 방지층;
    상기 반사 방지층 상의 그리드 패턴들, 상기 그리드 패턴들은 금속을 포함하고;
    상기 그리드 패턴들 상의 파티션 패턴들, 상기 파티션 패턴들의 상부들 내에 에어 갭들을 제공하는 그루브들이 형성되고;
    상기 그리드 패턴들 사이 및 상기 파티션 패턴들의 하부들 사이의 컬러 필터들;
    상기 컬러 필터들 상의 마이크로 렌즈들, 상기 마이크로 렌즈들은 상기 그리드 패턴들의 상기 상부들 사이에 위치하고; 및
    상기 마이크로 렌즈들의 표면들 상에 컨포멀하게 형성된 플레어 방지층을 포함하고,
    상기 마이크로 렌즈들은 상기 파티션 패턴들 및 상기 그루브들에 의해 서로 물리적으로 분리되고,
    상기 그리드 패턴들, 상기 파티션 패턴들, 및 상기 그루브들은 상면도에서 메시 모양으로 배열되고, 및
    상기 파티션 패턴들의 상기 하부들은 상대적으로 작은 수평 폭을 갖고 및 상기 파티션 패턴들의 상기 상부들은 상대적으로 큰 수평 폭을 갖는 이미지 센서.
  14. ◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제13항에 있어서,
    상기 파티션 패턴들의 상기 하부들의 상기 폭은 상기 그리드 패턴들의 폭 보다 작은 이미지 센서.
  15. 포토다이오드들을 가진 기판;
    상기 기판의 제1면 상의 반사 방지층;
    상기 반사 방지층 상의 그리드 패턴들, 상기 그리드 패턴들은 금속을 포함하고;
    상기 그리드 패턴들의 상면들 및 측면들을 감싸는 파티션 패턴들, 상기 파티션 패턴들의 상부들 내에 에어 갭들을 제공하는 그루브들이 형성되고;
    상기 파티션 패턴들 사이의 컬러 필터들, 상기 파티션 패턴들의 상면들과 상기 컬러 필터들의 상면들은 평탄하고;
    상기 컬러 필터들 상의 마이크로 렌즈들; 및
    상기 마이크로 렌즈들의 표면 상의 플레어 방지층을 포함하고,
    상기 파티션 패턴들은 상기 컬러 필터들보다 낮은 굴절률을 갖고,
    상기 마이크로 렌즈들은 상기 그루브들에 의해 서로 물리적으로 분리되고,
    상기 파티션 패턴들의 상기 상부 내에 제공된 상기 에어 갭들의 하단들은 컬러 필터들의 상기 상면들보다 낮은 레벨에 위치하고,
    상기 그리드 패턴들은 수직한 측벽들을 갖고,
    상기 파티션 패턴들은 경사진 측벽들을 갖고, 및
    상기 그리드 패턴들, 상기 파티션 패턴들, 및 상기 그루브들은 상면도에서 메시 모양으로 배열된 이미지 센서.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제15항에 있어서,
    상기 파티션 패턴들은 상기 컬러 필터들보다 낮은 굴절률을 갖는 고분자 유기물 또는 무기물을 포함하는 이미지 센서.
  20. ◈청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제15항에 있어서,
    상기 파티션 패턴들은 상기 마이크로 렌즈들보다 낮은 굴절률을 갖는 이미지 센서.
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102506837B1 (ko) * 2017-11-20 2023-03-06 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US11557618B2 (en) * 2019-04-24 2023-01-17 Seiko Epson Corporation Solid-state image sensor and image reading device
US10847564B1 (en) 2019-07-24 2020-11-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Charge release layer to remove charge carriers from dielectric grid structures in image sensors
US11245823B2 (en) * 2019-08-13 2022-02-08 Omnivision Technologies, Inc. Fully buried color filter array of image sensor
CN211320102U (zh) * 2019-09-23 2020-08-21 神盾股份有限公司 集成光学传感器
KR20210040654A (ko) * 2019-10-04 2021-04-14 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
US10957731B1 (en) * 2019-10-04 2021-03-23 Visera Technologies Company Limited Sensor device and method for manufacturing the same
KR20210055418A (ko) * 2019-11-07 2021-05-17 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
KR20210078632A (ko) * 2019-12-18 2021-06-29 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20210144983A (ko) * 2020-05-21 2021-12-01 삼성전자주식회사 Led 디스플레이 장치
KR20210157029A (ko) * 2020-06-19 2021-12-28 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
CN111754876B (zh) * 2020-06-28 2022-06-21 昆山国显光电有限公司 一种显示面板以及显示装置
US20220013560A1 (en) * 2020-07-07 2022-01-13 Visera Technologies Company Limited Image sensor
KR20220014951A (ko) * 2020-07-29 2022-02-08 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20220020587A (ko) 2020-08-12 2022-02-21 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
US11569291B2 (en) * 2020-11-05 2023-01-31 Visera Technologies Company Limited Image sensor and method forming the same
US11538839B2 (en) * 2020-11-10 2022-12-27 Visera Technologies Company Limited Solid-state image sensor including patterned structure for decreasing petal flares
US20230029820A1 (en) * 2021-08-02 2023-02-02 Visera Technologies Company Limited Image sensor and method of forming the same
CN114640763A (zh) * 2022-02-28 2022-06-17 北京极感科技有限公司 屏下摄像头传感器、图像处理方法、电子设备及存储介质

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012227476A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2015185844A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司ＶｉｓＥｒａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ ソリッドステート撮像装置とその製造方法
JP2016063043A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010061341A (ko) 1999-12-28 2001-07-07 박종섭 이미지센서의 제조 방법
JP4123667B2 (ja) * 2000-01-26 2008-07-23 凸版印刷株式会社 固体撮像素子の製造方法
CA2403094C (en) * 2000-03-17 2011-07-12 Zograph, Llc High acuity lens system
JP2002280534A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2002280533A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
JP2002299594A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Toppan Printing Co Ltd 赤外線反射膜を有する固体撮像素子及びその製造方法
US7196391B2 (en) * 2002-02-05 2007-03-27 E-Phocus, Inc. MOS or CMOS sensor with micro-lens array
KR20050016285A (ko) * 2002-07-09 2005-02-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 고체 촬상 소자 및 그 제조 방법
KR100617065B1 (ko) 2004-07-15 2006-08-30 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
DE112005003327T5 (de) * 2005-01-04 2007-11-29 I Square Reserch Co., Ltd., Mukoh Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
US7473946B2 (en) * 2006-02-22 2009-01-06 International Business Machines Corporation CMOS structure and method including multiple crystallographic planes
JP2007324321A (ja) * 2006-05-31 2007-12-13 Fujifilm Corp カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法
JP2008066702A (ja) * 2006-08-10 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像素子及びカメラ
KR101550866B1 (ko) * 2009-02-09 2015-09-08 삼성전자주식회사 광학적 크로스토크를 개선하기 위하여, 절연막의 트렌치 상부만을 갭필하여 에어 갭을 형성하는 이미지 센서의 제조방법
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
CN102893400B (zh) * 2010-05-14 2015-04-22 松下电器产业株式会社 固体摄像装置及其制造方法
JP4880794B1 (ja) * 2011-04-22 2012-02-22 パナソニック株式会社 固体撮像装置とその製造方法
US20130293751A1 (en) * 2012-05-03 2013-11-07 Aptina Imaging Corporation Imaging systems with separated color filter elements
TWI669809B (zh) 2012-05-30 2019-08-21 日商新力股份有限公司 Imaging element, imaging device, manufacturing device and method
US9582287B2 (en) * 2012-09-27 2017-02-28 Intel Corporation Processor having multiple cores, shared core extension logic, and shared core extension utilization instructions
US9502453B2 (en) * 2013-03-14 2016-11-22 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging devices
TWI668849B (zh) 2013-03-25 2019-08-11 新力股份有限公司 固體攝像元件、攝像裝置及電子裝置
JP6278608B2 (ja) * 2013-04-08 2018-02-14 キヤノン株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6192379B2 (ja) * 2013-06-18 2017-09-06 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US10056426B2 (en) * 2013-07-08 2018-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for fabricating a light guiding grid
US9130077B2 (en) * 2013-08-15 2015-09-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure of dielectric grid with a metal pillar for semiconductor device
KR101463963B1 (ko) * 2013-09-17 2014-11-27 (주)실리콘화일 이미지 센서 칩
CN113972230A (zh) * 2014-10-01 2022-01-25 索尼半导体解决方案公司 光检测装置以及电子设备
JP2016100347A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器
US9704901B2 (en) * 2015-01-16 2017-07-11 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging devices
US10462431B2 (en) * 2015-04-10 2019-10-29 Visera Technologies Company Limited Image sensors
US10319760B2 (en) * 2015-07-20 2019-06-11 Visera Technologies Company Limited Image sensor
US10636826B2 (en) * 2015-10-26 2020-04-28 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic device
KR102423813B1 (ko) * 2015-11-27 2022-07-22 삼성전자주식회사 반도체 소자
US9947700B2 (en) * 2016-02-03 2018-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device and electronic device
TWI744286B (zh) * 2016-02-26 2021-11-01 日商富士軟片股份有限公司 感放射線性組成物、光學濾波器、積層體、圖案形成方法、固體攝像元件、圖像顯示裝置及紅外線感測器
US10163949B2 (en) * 2016-03-17 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Image device having multi-layered refractive layer on back surface
JP6789653B2 (ja) * 2016-03-31 2020-11-25 キヤノン株式会社 光電変換装置およびカメラ
KR20170128731A (ko) * 2016-05-13 2017-11-23 삼성전자주식회사 이미지 센서
AR106485A1 (es) * 2016-10-28 2018-01-17 Barone Hector Daniel Prótesis para la reparación de un vaso sanguíneo y método de implante
KR102604687B1 (ko) * 2017-02-01 2023-11-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
JP2018166159A (ja) * 2017-03-28 2018-10-25 キヤノン株式会社 デバイスおよび電子機器、輸送機器
US10163974B2 (en) * 2017-05-17 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of forming absorption enhancement structure for image sensor
KR102495573B1 (ko) * 2017-07-21 2023-02-03 삼성전자주식회사 이미지 센서
US10510787B2 (en) * 2017-10-19 2019-12-17 Semiconductor Components Industries, Llc Structures and methods of creating clear pixels
KR102427639B1 (ko) * 2017-11-13 2022-08-01 삼성전자주식회사 이미지 센싱 소자
KR102524415B1 (ko) * 2018-03-21 2023-04-24 에스케이하이닉스 주식회사 Pd 바이어스 패턴들을 갖는 이미지 센서
KR102507207B1 (ko) * 2018-04-11 2023-03-09 에스케이하이닉스 주식회사 낮은 굴절률을 갖는 패싱 필터를 포함하는 이미지 센서

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012227476A (ja) * 2011-04-22 2012-11-15 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2015185844A (ja) * 2014-03-20 2015-10-22 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司ＶｉｓＥｒａ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏｍｐａｎｙ Ｌｉｍｉｔｅｄ ソリッドステート撮像装置とその製造方法
JP2016063043A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法

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