KR100882732B1 - 이미지 센서 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시예에 따른 이미지 센서는, 반도체 기판에 단위화소 별로 배치된 포토다이오드; 상기 반도체 기판 상에 배치된 제1 절연층; 상기 포토다이오드에 대응하도록 상기 제1 절연층에 배치된 시드 패턴; 상기 시드 패턴 상에 배치된 제1 마이크로 렌즈; 상기 제1 마이크로 렌즈를 포함하는 제1 절연층 상에 배치된 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층 상에 배치된 제2 마이크로 렌즈를 포함한다.
이미지 센서, 포토다이오드, 마이크로 렌즈
Description
실시예에서는 이미지 센서 및 그 제조방법이 개시된다.
이미지 센서는 광학적 영상(Optical Image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체 소자로서, 크게 전하결합소자(charge coupled device:CCD) 이미지 센서와 씨모스(Complementary Metal Oxide Silicon:CMOS) 이미지 센서(CIS)를 포함한다.
씨모스 이미지 센서는 단위 화소 내에 포토다이오드와 모스트랜지스터를 형성시킴으로써 스위칭 방식으로 각 단위 화소의 전기적 신호를 순차적으로 검출하여 영상을 구현한다.
씨모스 이미지 센서에서 디자인 룰이 점차 감소됨에 따라 단위 픽셀의 사이즈가 감소하여 필 팩터가 감소될 수 있다.
실시예에서는 이중의 마이크로 렌즈를 채용하여 필 팩터를 향상시킬 수 있는 이미지 센서 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 이미지 센서는, 반도체 기판에 단위화소 별로 배치된 포토다이오드; 상기 반도체 기판 상에 배치된 제1 절연층; 상기 포토다이오드에 대응하도록 상기 제1 절연층에 배치된 시드 패턴; 상기 시드 패턴 상에 배치된 제1 마이크로 렌즈; 상기 제1 마이크로 렌즈를 포함하는 제1 절연층 상에 배치된 제2 절연층; 및 상기 제2 절연층 상에 배치된 제2 마이크로 렌즈를 포함한다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법은, 반도체 기판에 단위화소 별로 포토다이오드를 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계; 상기 포토다이오드에 대응하는 상기 제1 절연층 상에 시드 패턴을 형성하는 단계; 상기 시드 패턴을 덮는 제1 마이크로 렌즈를 형성하는 단계; 상기 제1 마이크로 렌즈를 포함하는 제1 절연층 상에 제2 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 절연층 상에 제2 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 의한 이미지 센서 및 그 제조방법에 의하면, 포토다이오드의 상부에 마이크로 렌즈가 이중으로 형성되어 필 팩터를 향상시킬 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서 및 그 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
실시예의 설명에 있어서, 각 층의 "상/위(on/over)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상/위(on/over)는 직접(directly)와 또는 다른 층을 개재하여(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 6은 실시예에 따른 이미지 센서를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하여, 반도체 기판(10)에는 포토다이오드(20)가 단위화소 별로 배치되어 있다. 상기 반도체 기판(10)에는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(20) 및 상기 포토다이오드(20)와 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회로(30)가 단위화소 별로 형성될 수 있다.
상기 포토다이오드(20)를 포함하는 반도체 기판(10) 상에는 PMD층(40)이 배치되어 있다.
상기 PMD층(40) 상에는 시드 패턴(55)을 포함하는 제1 절연층 패턴(51)이 배치되어 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층 패턴(51) 및 시드 패턴(55)은 USG(Undoped silicate glass)막로 형성될 수 있다. 또한, 상기 시드 패턴(55)은 사다리꼴 형태로 형성될 수 있다.
상기 시드 패턴(55)을 포함하는 제1 절연층 패턴(51) 상에는 유기물층(60)이 배치되어 있다. 예를 들어, 상기 유기물층(60)은 열경화성 수지로 형성될 수 있다.
상기 시드 패턴(55) 상에 배치되는 유기물층(60)은 상기 시드 패턴(55)의 돌출된 형태에 의하여 반구 형태로 형성될 수 있다. 상기 시드 패턴(55) 상에 형성된 유기물층을 제1 마이크로 렌즈(65)라고 칭한다.
상기 제1 마이크로 렌즈(65)를 포함하는 제1 절연층 패턴(51) 상에 제2 절연층(70) 및 제3 절연층(80)이 배치되어 있다. 예를 들어, 상기 제2 및 제3 절연층(80)은 산화막 또는 질화막으로 형성될 수 있다.
상기 제3 절연층(80)에는 컬러필터(90)가 배치되어 있다. 상기 컬러필터(90)는 단위화소마다 각각 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낼수 있다. 예를 들어, 상기 컬러필터(90)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue) 중 어느 하나일 수 있다.
상기 컬러필터(90) 상에는 제2 마이크로 렌즈(100)가 배치되어 있다. 상기 제2 마이크로 렌즈(100)는 단위화소 마다 돔 형태로 형성되어 상기 포토다이오드(20)로 광을 집광할 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서에 의하면 포토다이오드 상부에 제1 마이크로 렌즈 및 제2 마이크로 렌즈가 이중으로 형성되어 필팩터를 향상시킬 수 있다.
도 1 내지 도 6을 참조하여 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 설명한다.
도 1을 참조하여, 포토다이오드(20)가 형성된 반도체 기판(10) 상에 제1 절연층(50)이 형성된다.
상기 반도체 기판(10)에는 액티브 영역과 필드 영역을 정의하는 소자분리막이 형성되어 있다. 그리고 상기 액티브 영역에는 빛을 수광하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(20) 및 상기 포토다이오드(20)와 연결되어 수광된 광전하를 전기신호를 변환하는 씨모스 회로(30)가 단위화소 별로 형성될 수 있다.
상기 포토다이오드(20)를 포함하는 반도체 기판(10) 상에는 PMD(pre-metal dielectric)층(40)이 형성될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 PMD층(40)에는 단위화소와 금속배선을 연결하는 콘택 플러그가 형성될 수 있다.
상기 PMD층(40)을 포함하는 반도체 기판(10) 상에 제1 절연층(50)이 형성된다. 상기 제1 절연층(50)은 산화막 또는 질화막으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 절연층(50)은 USG(Undoped silicate glass)막으로 형성될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 제1 절연층(50)에는 하부의 콘택 플러그와 연결되는 금속배선이 형성될 수 있다. 상기 금속배선은 포토다이오드(20)로 입사되는 빛을 가리지 않도록 의도적으로 레이아웃되어 형성될 수 있다.
도 2를 참조하여, 상기 제1 절연층(50) 상에 포토레지스트 패턴(200)이 형성된다. 상기 포토레지스트 패턴(200)은 상기 제1 절연층(50) 상에 포토레지스트막을 코팅한 후 노광 및 현상하여 형성된다.
상기 포토레지스트 패턴(200)은 상기 포토다이오드(20)에 대응하는 상기 제1 절연층(50)의 표면은 가리고 나머지 영역은 노출시키도록 형성될 수 있다.
도 3을 참조하여, 상기 제1 절연층(50) 상에 시드 패턴(55)이 단위화소 별로 형성된다. 상기 시드 패턴(55)은 상기 포토레지스트 패턴(200)을 식각 마스크로 사 용하여 상기 제1 절연층(50)을 일정 깊이로 식각하여 형성될 수 있다.
그러면, 상기 포토레지스트 패턴(200)에 의하여 가려진 영역을 제외한 나머지 제1 절연층(50)은 일정 깊이로 제거되어 제1 절연층 패턴(51)이 형성된다. 그리고, 상기 포토레지스트 패턴(200)에 의하여 가려진 영역은 그대로 남아있게 되어 시드 패턴(55)을 형성하게 된다. 따라서, 상기 시드 패턴(55)은 단위화소 별로 형성된 상기 포토다이오드(20)에 대응되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 시드 패턴(55)은 사다리꼴 형태로 형성될 수 있다. 이는 상기 제1 절연층(50)의 식각시 상기 포토레지스트 패턴(200)과의 식각 선택비를 조절함으로써 형성할 수 있다.
도 4를 참조하여, 상기 시드 패턴(55)을 포함하는 제1 절연층 패턴(51) 상에 제1 마이크로 렌즈(65)를 포함하는 유기물층(60)이 형성된다. 예를 들어, 상기 유기물층(60)은 열경화성 수지(Thermal resin)로 형성될 수 있다.
상기 제1 절연층 패턴(51) 상에 유기물 물질을 코팅하면 상기 시드 패턴(55)을 포함하는 제1 절연층 패턴(51)의 형태에 따라 제1 마이크로 렌즈(65)를 포함하는 유기물층(60)이 형성된다. 즉, 상기 유기물 물질을 상기 제1 절연층 패턴(51) 상에 코팅하면 상기 시드 패턴(55)의 형태에 따라 상기 유기물 물질이 코팅되므로 상기 시드 패턴(55) 상에는 제1 마이크로 렌즈(65)가 형성될 수 있다. 이때, 상기 시드 패턴(55)이 사다리꼴 형태로 형성되어 있으므로 상기 시드 패턴(55) 상에 형성되는 제1 마이크로 렌즈(65)는 반구 형태로 형성될 수 있다.
상기와 같이 포토다이오드(20)의 상부에 형성된 제1 마이크로 렌즈(65)에 의 하여 상기 포토다이오드(20)의 필팩터를 향상시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 마이크로 렌즈(65)가 상기 포토다이오드(20)와 근접하도록 형성되어 있으므로, 상기 포토다이오드(20)의 면적이 작아지더라도 상기 제1 마이크로 렌즈(65)에 의하여 빛을 집광할 수 있으므로 필 팩터를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 마이크로 렌즈(65)는 셀프 얼라인(self-align) 방식에 의하여 반구 형태로 형성되므로 집광율을 향상시킬 수 있다. 즉, 상기 시드 패턴(55)을 포함하는 제1 절연층 패턴(51) 상에 유기물 물질을 코팅하면 상기 시드 패턴(55)의 사다리꼴 형태에 의하여 상기 시드 패턴(55)에 코팅되는 유기물 물질은 반구 형태로 형성되므로 제1 마이크로 렌즈(65)의 집광율은 향상될 수 있다.
도 5를 참조하여, 상기 제1 마이크로 렌즈(65)를 포함하는 반도체 기판(10) 상에 제2 절연층(70) 및 제3 절연층(80)이 형성된다.
상기 제2 절연층(70)은 상기 제1 마이크로 렌즈(65)를 포함하는 반도체 기판(10) 상에 형성되고, 상기 제3 절연층(80)은 상기 제2 절연층(70) 상에 형성된다. 예를 들어, 상기 제2 및 제3 절연층(80)은 산화막 또는 질화막으로 형성될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 제2 절연층(70) 및 상기 제3 절연층(80)에는 상기 제1 절연층(50)의 금속배선과 연결되는 금속배선이 형성될 수 있다.
도 6을 참조하여, 상기 제3 절연층(80) 상에 컬러필터(90) 및 제2 마이크로 렌즈(100)가 형성된다.
상기 컬러필터(90)는 감광물질 및 안료 또는 감광물질 및 염료를 포함하는 컬러필터용 물질(미도시)을 스핀 코팅 공정등을 통해 상기 반도체 기판(10) 상에 형성한다. 이어서, 상기 컬러필터용 물질을 패턴 마스크(미도시)에 의하여 노광한 후 현상하여 컬러필터를 형성한다.
상기 컬러필터(90)는 상기 포토다이오드(20) 상부 영역에 각각 형성되어 입사하는 빛으로부터 색을 분리해 낼수 있다. 예를 들어, 상기 컬러필터(90)는 레드(Red), 그린(Green) 및 블루(Blue) 중 어느 하나일 수 있다.
상기 컬러필터(90) 상에 제2 마이크로 렌즈(100)가 형성될 수 있다. 상기 제2 마이크로 렌즈(100)는 광투과도가 높은 실리콘 산화막 계열의 감광성 포토레지스트를 도포한 후 패터닝 공정을 수행하여 각각의 단위화소에 대응하는 각진 형태의 렌즈 패턴을 형성한다. 그리고 리플로우 공정(reflow)을 하면 돔(Dome) 형태의 제2 마이크로 렌즈(100)가 형성된다.
상기 제2 마이크로 렌즈(100)는 단위화소 마다 하나씩 형성되어 하부에 배치된 반도체 기판(10)의 포토다이오드(20)로 광을 집광할 수 있다.
실시예에 따른 이미지 센서의 제조방법에 의하면, 단위화소 별로 형성된 포토다이오드 상부에 마이크로 렌즈가 이중으로 형성되어 필팩터를 향상시킬 수 있다. 즉, 상기 포토다이오드의 상부 영역에 형성된 절연층에 제1 마이크로 렌즈가 형성되고, 상기 포토다이오드의 최상부 영역에 제2 마이크로 렌즈가 형성되어 이미지 센서로 입사된 빛은 상기 제2 및 제2 마이크로 렌즈를 통해 이중으로 집광될 수 있으므로 필팰터를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 제1 마이크로 렌즈는 사다리꼴 형태로 형성된 시드 패턴 상에 형 성되므로 별도의 추가 공정 없이 반구형태로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 포토다이오드의 집광율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 실시예는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 실시예의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 이미지 센서의 제조공정을 나타내는 단면도이다.
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- 반도체 기판에 단위화소 별로 포토다이오드를 형성하는 단계;상기 반도체 기판 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 포토다이오드에 대응하는 상기 제1 절연층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 상기 제1 절연층을 일정깊이로 식각하여 제1 절연층 패턴을 형성하고 상기 포토다이오드에 대응하는 영역에 사다리꼴 형태의 시드 패턴을 형성하는 단계;상기 시드 패턴 및 제1 절연층 패턴 상에 유기물 물질을 코팅하여 상기 시드 패턴 상에 제1 마이크로 렌즈를 형성하는 단계;상기 제1 마이크로 렌즈를 포함하는 제1 절연층 패턴 상에 제2 절연층 및 3 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 마이크로 렌즈에 대응하는 상기 제3 절연층 상에 컬러필터를 형성하는 단계; 및상기 컬러필터 상에 제2 마이크로 렌즈를 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 마이크로 렌즈는 셀프 얼라인 방식에 의하여 상기 시드패턴의 주변에 반구형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 이미지센서의 제조방법.
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- 제6항에 있어서,상기 제1 마이크로 렌즈는 열경화성 수지로 형성되는 이미지 센서의 제조방법.
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|---|---|---|---|---|
| JPH08316448A (ja) * | 1995-05-22 | 1996-11-29 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
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| KR20040008925A (ko) * | 2002-07-19 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수광특성을 향상시킨 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR20070087858A (ko) * | 2005-12-30 | 2007-08-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 |
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