CN101419975A - 图像传感器及其制造方法 - Google Patents
图像传感器及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101419975A CN101419975A CNA2008101705540A CN200810170554A CN101419975A CN 101419975 A CN101419975 A CN 101419975A CN A2008101705540 A CNA2008101705540 A CN A2008101705540A CN 200810170554 A CN200810170554 A CN 200810170554A CN 101419975 A CN101419975 A CN 101419975A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating barrier
- lenticule
- seed crystal
- photodiode
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 85
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：在半导体衬底中形成的光电二极管；在半导体衬底上方形成的第一绝缘层，该第一绝缘层包括在空间上与光电二极管的位置相对应的籽晶图样；在籽晶图样上方形成的由有机材料组成的下部微透镜；在下部微透镜上方形成的第二绝缘层；在第二绝缘层上方形成的第三绝缘层；在第三绝缘层上方形成的滤色器；以及在滤色器上方形成的上部微透镜。
Description
本申请基于35 U.S.C 119要求第10-2007-0105940号(于2007年10月22日递交)韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种半导体技术，更具体地，涉及一种图像传感器及其制造方法。
背景技术
图像传感器是用来将光学图像转换为电信号的半导体器件，图像传感器可以分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。CMOS图像传感器在每个单位像素中包括光电二极管和MOS晶体管，这样，在开关模式(switching mode)下顺序检测各个单位像素的电信号，从而显示图像。由于CMOS图像传感器中的设计规则已经逐渐减少，所以单位像素的尺寸减小，从而填充系数(占空系数，fill factor)可能被减小。
发明内容
本发明实施例涉及一种图像传感器以及制造该图像传感器的方法，该方法使用双微透镜来最大化填充系数。
本发明实施例涉及一种图像传感器，该图像传感器可以包括以下之中的至少一个：在半导体衬底中形成的光电二极管，该光电二极管分别设置在单位像素中；在半导体衬底上和/或上方设置的第一绝缘层，该第一绝缘层包括在空间上与光电二极管的位置相对应的籽晶图样；第一微透镜，该第一微透镜通过用有机材料涂覆第一绝缘层形成在籽晶图样上和/或上方；在包括第一微透镜的有机材料上和/或上方设置的第二绝缘层；以及在第二绝缘层上和/或上方顺序设置的过滤器(filter)和第二微透镜。
本发明实施例涉及一种图像传感器，该图像传感器可以包括以下之中的至少一个：在半导体衬底中形成的光电二极管；在半导体衬底上方形成的第一绝缘层，该第一绝缘层包括在空间上与光电二极管的位置相对应的籽晶图样；由有机材料组成的下部微透镜，该下部微透镜形成在籽晶图样上方；在下部微透镜上方形成的第二绝缘层；在第二绝缘层上方形成的第三绝缘层；在第三绝缘层上方形成的滤色器(color filter)；在滤色器上方形成的上部微透镜。
本发明实施例涉及一种制造图像传感器的方法，该方法可以包括下列中的至少之一：在半导体衬底中形成光电二极管，该光电二极管分别设置在单位像素中；在半导体衬底上和/或上方形成第一绝缘层；通过部分蚀刻第一绝缘层来在绝缘层上和/或上方形成空间上与光电二极管的位置相对应的籽晶图样；形成覆盖籽晶图样的第一微透镜；在包括第一微透镜的半导体衬底的整个表面上和/或上方形成第二绝缘层；以及然后在第二绝缘层上和/或上方顺序形成过滤器和第二微透镜。
本发明实施例涉及一种制造图像传感器的方法，该方法可以包括下列中的至少之一：在半导体衬底中形成光电二极管；在半导体衬底上方形成第一绝缘层；通过部分蚀刻第一绝缘层来形成空间上与光电二极管的位置相对应的第一绝缘层籽晶图样；在籽晶图样上方形成下部微透镜；在下部微透镜上方顺序形成第二绝缘层和第三绝缘层；在第三绝缘层上方形成空间上相应于下部微透镜的滤色器；在滤色器上方形成空间上与滤色器的位置相对应的上部微透镜。
本发明实施例涉及一种制造图像传感器的方法，该方法可以包括下列中的至少之一：在半导体衬底中形成限定有源区和场区(fieldregion)的隔离层；在半导体衬底中形成光电二极管；在半导体衬底上方形成电连接至光电二极管的晶体管；在包括光电二极管、晶体管和隔离层的整个半导体衬底上方形成金属前介电层(pre-metaldielectric layer)；在金属前介电层上方形成第一绝缘层；形成空间上相应于光电二极管的第一绝缘层籽晶图样；通过在籽晶图样上方形成有机层来形成下部微透镜；在下部微透镜上方顺序形成第二绝缘层和第三绝缘层；在第三绝缘层上方形成空间上相应于下部微透镜的滤色器；以及然后在滤色器上方形成空间上与滤色器的位置相对应的上部微透镜。
附图说明
实例图1到图6示出了制造根据本发明实施例的图像传感器的方法。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述根据本发明实施例的图像传感器及其制造方法。在附图中，为了方便和清楚的描述，各个层的厚度或尺寸将被放大、省略或示意性地示出。各个元件的尺寸不代表元件的实际尺寸。
如实例图1所示，根据本发明实施例的图像传感器可以包括形成隔离层15，该隔离层15限定了在半导体衬底10中被隔离的有源区和场区。然后在半导体衬底10中形成用于接收光以产生光电子的光电二极管20。然后在半导体衬底10的单位像素的有源区上和/或上方形成CMOS电路30，该CMOS电路30被电连接至光电二极管20以将接收到的光电子转换为电信号。然后在包括光电二极管20和CMOS电路30的半导体衬底10上和/或上方形成PMD层40。PMD层40包括金属线和电连接至金属线的接触插塞(contactplug)。然后在PMD层40上和/或上方形成第一绝缘层50。第一绝缘层50可以由氧化膜或氮化膜制成。例如，第一绝缘层50由非掺杂硅酸盐玻璃(undoped silicate glass)(USG)膜制成。第一绝缘层50可以包括金属线，并且进一步包括电连接至金属线的接触插塞。第一绝缘层50的金属线和接触插塞被形成以致不遮蔽在光电二极管20之上入射的光。意味着，可以在引导(guide)入射光的第一绝缘层50的区域周围形成金属线和接触插塞。
如实例图2所示，然后通过用光刻胶膜涂覆第一绝缘层50的最上表面并然后曝光和显影该光刻胶膜来在第一绝缘层50上和/或上方形成光刻胶图样200。光刻胶图样200形成在空间上与光电二极管20的位置相对应的区域中。意味着，光刻胶图样200覆盖形成光电二极管20的区域并暴露剩余的区域。
如实例图3所示，然后通过使用光刻胶图样200作为蚀刻掩模部分蚀刻第一绝缘层50至预定的深度来在单位像素中的第一绝缘层50上和/或上方形成籽晶图样(seed pattern)55。从而，在除了被光刻胶图样200覆盖的区域外的剩余区域中去除部分第一绝缘层50至预定的深度。从而，形成包括籽晶图样55的第一绝缘图样51。籽晶图样55在空间上与分别形成在单位像素中的光电二极管20的位置相对应。当蚀刻第一绝缘层50时，通过调整光刻胶图样200的蚀刻选择性来形成具有矩形或梯形横截面的籽晶图样55。
如实例图4所示，然后用诸如热固性树脂(thermosetting resin)的有机材料来涂覆包括籽晶图样55的第一绝缘图样51的最上表面。通过用有机材料涂覆第一绝缘图样51的最上表面，形成有机材料层60，该有机材料层60具有与籽晶图样55的横截面相对应的部分。从而，与籽晶图样55的横截面相对应的部分有机材料层60在籽晶图样55上和/或上方形成第一微透镜65。由于籽晶图样55形成具有矩形或梯形的横截面，所以形成在籽晶图样55上和/或上方的第一微透镜65可以形成具有半球状的横截面。第一微透镜65被形成以在空间上相应于光电二极管20的位置，从而最大化填充系数。意味着，由于第一微透镜65邻近光电二极管20形成，所以第一微透镜65可以更有效地聚集光，从而尽管光电二极管20的区域减小，但提高了填充系数。此外，使用自对准方法(self-alignmentmethod)形成第一微透镜65具有半球状的横截面，这样，最大化了光聚集率(light concentration rate)。意味着，当用有机材料涂覆包括籽晶图样55的第一绝缘图样51的上部表面时，由于下部的籽晶图样(underlying seed pattern)55的梯形形状，使得覆盖在籽晶图样55上的有机材料形成具有半球状的横截面，这样，提高了第一微透镜65的光聚集率。
如实例图5所示，在形成第一微透镜65之后，在包括第一微透镜65的有机材料层60上和/或上方顺序形成第二绝缘层70和第三绝缘层80。意味着，在包括第一微透镜65的半导体衬底10的整个表面上和/或上方首先形成第二绝缘层70，然后在第二绝缘层70上和/或上方形成第三绝缘层80。由于下部结构引起在包括第一微透镜65的有机层60上和/或上方形成的第二绝缘层70的最上表面不均匀(即，不平坦)，所以对第二绝缘层70的最上表面实施平坦化(planarization)。其后，在第二绝缘层70被平坦化的最上表面上和/或上方形成第三绝缘层80。第二绝缘层70和第三绝缘层80由氧化膜或氮化膜制成。可以在第二绝缘层70和第三绝缘层80中形成金属线，该金属线被电连接至第一绝缘层50的金属线。
如实例图6所示，然后可以在第三绝缘层80上和/或上方顺序形成滤色器90和第二微透镜100。使用包括感光材料和颜料(pigment)或感光材料和染料的滤色器材料经由旋涂工艺(spincoating process)形成滤色器90。其后，使用图样掩模来曝光滤色器材料并进行显影，从而产生滤色器90。滤色器90被分别形成以在空间上与光电二极管20的位置相对应，并用来从入射光中分离出(separate)颜色。例如，每个滤色器90是红、绿和蓝滤色器中的一种。然后，通过应用由具有高光透射率的氧化硅膜制成的感光光刻胶(photosensitive photoresist)首先形成空间上相应于单位像素的角形透镜图样(angled lens pattern)来在滤色器90上和/或上方形成第二微透镜100。然后图样化感光光刻胶以从而通过对图样化的感光光刻胶实施回流工艺(reflow process)来形成具有半球状横截面的第二微透镜100。第二微透镜100用来使光聚集在光电二极管20上和/或上方，其中在每个单位像素中形成一个第二微透镜100，而光电二极管20设置在半导体衬底10中的第二微透镜100下面。
因此，如实例图6所示，根据本发明实施例的图像传感器包括器件隔离层15，该器件隔离层15形成在半导体衬底10中以限定有源区。在半导体衬底10中形成接收光以产生光电子的光电二极管20，每个光电二极管设置在每个单位像素中。在半导体衬底10上和/或上方形成CMOS电路30以便光电二极管20和CMOS电路30分别设置在每个单位像素中，其中CMOS电路30被电连接至光电二极管20以将接收到的光电子转换为电信号。在包括光电二极管20的半导体衬底10上和/或上方设置金属前介电(PMD)层40。在PMD层40上和/或上方形成包括籽晶图样55的第一绝缘图样51。例如，第一绝缘图样51和籽晶图样55可以由非掺杂硅酸盐玻璃(USG)膜组成。可以在空间上与光电二极管20相对应的区域上和/或上方分别形成具有梯形横截面的籽晶图样55。在包括籽晶图样55的第一绝缘图样51上和/或上方形成有机材料层60。有机材料层60由热固性树脂组成。由于下部籽晶图样55的突出(梯形的)形状，使得形成在籽晶图样55上和/或上方的部分有机材料层60可以形成具有半球状的横截面。形成在籽晶图样55上和/或上方的这部分有机材料层60形成第一微透镜65。在第一微透镜65上和/或上方顺序形成第二绝缘层70和第三绝缘层80。然后在第三绝缘层80上和/或上方形成滤色器90以从入射光中分离出颜色。第二微透镜100被分别设置在单位像素中的滤色器90上和/或上方，并用来使传输至光电二极管20的光聚集。在根据本发明实施例的图像传感器中，在光电二极管20上和/或上方分别形成第一微透镜65和第二微透镜100，从而最大化图像传感器的填充系数。
通过前述的说明可以明了，本发明实施例提供了一种图像传感器及其制造方法，其中，在分别形成于单位像素中的光电二极管上和/或上方形成双(上部和下部)微透镜以提高填充系数。在形成于光电二极管上和/或上方的绝缘层中形成第一或下部微透镜，并在光电二极管上和/或上方形成第二或上部微透镜，从而在图像传感器之上入射的光经由第一和第二微透镜聚集两次以提高填充系数。此外，第一微透镜形成在具有梯形横截面的籽晶图样上和/或上方，这样，无需任何附加的工艺，第一微透镜就可以形成具有半球状的横截面。因此，提高光电二极管的光聚集率是可能的。
尽管本文中描述了多个实施例，但是应该理解，本领域技术人员可以想到多种其他修改和实施例，他们都将落入本公开的原则的精神和范围内。更特别地，在本公开、附图、以及所附权利要求的范围内，可以在主题结合排列的排列方式和/或组成部分方面进行各种修改和改变。除了组成部分和/或排列方面的修改和改变以外，可选的使用对本领域技术人员来说也是显而易见的选择。
Claims (20)
1.一种图像传感器，包括：
光电二极管，形成在半导体衬底中；
第一绝缘层，形成在所述半导体衬底上方，所述第一绝缘层包括在空间上与所述光电二极管的位置相对应的籽晶图样；
下部微透镜，由有机材料组成并形成在所述籽晶图样上方；
第二绝缘层，形成在所述下部微透镜上方；
第三绝缘层，形成在所述第二绝缘层上方；
滤色器，形成在所述第三绝缘层上方；以及
上部微透镜，形成在所述滤色器上方。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，包括所述籽晶图样的所述第一绝缘层包含非掺杂硅酸盐玻璃(USG)。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述籽晶图样形成具有矩形横截面和梯形横截面中的一种。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述有机材料包含热固性树脂。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述下部微透镜形成具有半球状的横截面。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述上部微透镜和所述下部微透镜被形成以在空间上相应于光电二极管的位置。
7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层包括氧化膜和氮化膜中的一种。
8.根据权利要求1所述的图像传感器，进一步包括：
隔离层，限定了所述半导体衬底中的有源区和场区；
CMOS电路，被电连接至在所述半导体衬底的所述有源区上方形成的所述光电二极管；以及
金属前介电层，形成在包括所述光电二极管和所述CMOS电路的整个半导体衬底上方。
9.一种制造图像传感器的方法，包括：
在半导体衬底中形成光电二极管；
在所述半导体衬底上方形成第一绝缘层；
通过部分蚀刻所述第一绝缘层来形成在空间上与所述光电二极管的位置相对应的第一绝缘层籽晶图样；
在所述籽晶图样上方形成下部微透镜；
在所述下部微透镜上方顺序形成第二绝缘层和第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上方形成空间上与所述下部微透镜相对应的滤色器；以及然后
在所述滤色器上方形成空间上与所述滤色器的位置相对应的上部微透镜。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述籽晶图样包括：
在所述第一绝缘层的最上表面的区域上方形成光刻胶图样，其中所述区域在空间上与所述光电二极管的位置相对应；以及然后
使用所述光刻胶图样作为蚀刻掩模来部分蚀刻所述第一绝缘层。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述籽晶图样形成具有矩形横截面和梯形横截面中的一种。
12.根据权利要求9所述的方法，其中，通过用有机材料涂覆包括所述籽晶图样的所述第一绝缘层来形成具有半球形状的所述第一微透镜。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，包括所述籽晶图样的所述第一绝缘层包含非掺杂硅酸盐玻璃(USG)。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述有机材料包含热固性树脂。
15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二绝缘层和所述第三绝缘层包括氧化膜和氮化膜中的一种。
16.一种制造图像传感器的方法，包括：
在半导体衬底中形成限定有源区和场区的隔离层；
在所述半导体衬底中形成光电二极管；
在所述半导体衬底上方形成电连接至所述光电二极管的晶体管；
在包括所述光电二极管、所述晶体管和所述隔离层的整个半导体衬底上方形成金属前介电层；
在所述金属前介电层上方形成第一绝缘层；
形成空间上相应于所述光电二极管的第一绝缘层籽晶图样；
通过在所述籽晶图样上方形成有机层来形成下部微透镜；
在所述下部微透镜上方顺序形成第二绝缘层和第三绝缘层；
在所述第三绝缘层上方形成空间上相应于所述下部微透镜的的滤色器；以及然后
在所述滤色器上方形成空间上与所述滤色器的位置相对应的上部微透镜。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述晶体管包括CMOS电路。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，包括所述籽晶图样的所述第一绝缘层包含非掺杂硅酸盐玻璃(USG)。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，所述籽晶图样形成具有矩形横截面和梯形横截面中的一种。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，所述有机材料包含热固性树脂。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070105940 | 2007-10-22 | ||
| KR1020070105940A KR100882732B1 (ko) | 2007-10-22 | 2007-10-22 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101419975A true CN101419975A (zh) | 2009-04-29 |
Family
ID=40562585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2008101705540A Pending CN101419975A (zh) | 2007-10-22 | 2008-10-21 | 图像传感器及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7972891B2 (zh) |
| KR (1) | KR100882732B1 (zh) |
| CN (1) | CN101419975A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111933652A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-13 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Cis的微透镜的形成方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012023251A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Sony Corp | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法、電子機器 |
| US20220352232A1 (en) * | 2021-04-28 | 2022-11-03 | Stmicroelectronics Ltd. | Micro lens arrays and methods of formation thereof |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3405620B2 (ja) * | 1995-05-22 | 2003-05-12 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置 |
| US6221687B1 (en) * | 1999-12-23 | 2001-04-24 | Tower Semiconductor Ltd. | Color image sensor with embedded microlens array |
| KR100872289B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2008-12-05 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 수광특성을 향상시킨 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 |
| KR100617065B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-08-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서의 제조방법 |
| KR20060073186A (ko) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| KR100672702B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2007-01-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| JP2006196626A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、及びその製造方法、並びにカメラ |
| KR100703376B1 (ko) * | 2005-05-10 | 2007-04-03 | 삼성전자주식회사 | 매설된 렌즈를 갖는 이미지 센서 및 그 제조 방법 |
| KR100769131B1 (ko) * | 2005-12-30 | 2007-10-23 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서의 제조 방법 |
| US7368779B2 (en) * | 2006-01-04 | 2008-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Hemi-spherical structure and method for fabricating the same |
-
2007
- 2007-10-22 KR KR1020070105940A patent/KR100882732B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-10-16 US US12/252,461 patent/US7972891B2/en active Active
- 2008-10-21 CN CNA2008101705540A patent/CN101419975A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111933652A (zh) * | 2020-08-14 | 2020-11-13 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | Cis的微透镜的形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100882732B1 (ko) | 2009-02-06 |
| US20090101952A1 (en) | 2009-04-23 |
| US7972891B2 (en) | 2011-07-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100540421B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR100790981B1 (ko) | 칼라필터, 칼라필터 어레이 및 그의 제조방법과 이미지센서 | |
| US7446294B2 (en) | True color image by modified microlens array | |
| JP4939206B2 (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
| CN107039470A (zh) | 图像传感器器件 | |
| US20080159658A1 (en) | Image Sensor and Method for Manufacturing The Same | |
| EP1705706B1 (en) | Solid-state imaging device | |
| KR100832710B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
| CN101404289B (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| US20180269247A1 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
| JP2013251292A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR20050106939A (ko) | 프리즘을 구비한 시모스 이미지센서 및 그 제조방법 | |
| CN101431090B (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| CN101419975A (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| JP4153426B2 (ja) | 集積イメージセンサを製造するための方法 | |
| JP4435606B2 (ja) | 固体撮像装置及びカメラ | |
| US20120261731A1 (en) | Image sensor | |
| CN101266989B (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| CN102569327B (zh) | 内置菲涅耳透镜的图像传感器及其制造方法 | |
| CN100524687C (zh) | 制造图像传感器的方法 | |
| JP2014179446A (ja) | 半導体撮像素子およびその製造方法 | |
| CN101211949B (zh) | 图像传感器及其制造方法 | |
| TWI275188B (en) | Image sensor having reduced stress color filters and method of making | |
| US9721983B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US20240120357A1 (en) | Image sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Open date: 20090429 |