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HINTERGRUND
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Ein
Bildsensor ist ein Halbleiterbauelement zum Umwandeln eines optischen
Bilds in ein elektrisches Signal. Ein Bildsensor kann als ladungsgekoppelter
(CCD) Bildsensor oder als Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter-(CMOS)-Bildsensor
(CIS) klassifiziert werden.
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Der
CIS kann eine Vielzahl von Fotodioden und MOS-Transistoren in einem Bildpunktelement enthalten,
um schaltend sequentiell elektrische Signale von jeweiligen Bildpunktelementen
zu detektieren, um ein Bild zu realisieren.
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Der
CIS kann ferner eine Mikrolinse auf und/oder über einem Farbfilter enthalten,
um die Lichtempfindlichkeit des CIS zu erhöhen. Die Mikrolinse kann halbkreis-/halbkugelförmig ausgebildet werden,
indem aufeinander folgend ein Belichtungsprozess, ein Entwicklungsprozess
und ein Reflow-Prozess auf einem lichtempfindlichen organischen
Material ausgeführt
werden.
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Da
jedoch das lichtempfindliche organische Material schlechte physikalische
Eigenschaften hat, kann die Mikrolinse folglich leicht durch physische Einwirkungen
beschädigt
werden, was in anschließenden
Prozessen wie Packaging und Bumping usw. zu Rissbildung usw. führen kann.
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Da
das lichtempfindliche organische Material eine relativ starke Viskosität hat, kann
ein Fehler auf der Mikrolinse entstehen, wenn Partikel absorbiert werden.
Um diese Erscheinung zu verhindern, kann von einer Passivierungsschicht Gebrauch
gemacht werden, die aus einer Oxidschicht oder einer Nitridschicht,
die eine große
Härte haben,
besteht, oder die Mikrolinse kann aus anorganischem Material gebildet
werden. Da der obere Teil des CIS aus einem lichtempfindlichen organischen
Material gebildet ist, das gegenüber
Hitze von 250°C
oder mehr empfindlich ist, kann durch einen Plasmaprozess eine Grenzflächenfangstelle
auftreten. Demgemäß können derartige
schädliche
Auswirkungen auf die Mikrolinse zur Erzeugung von Dunkelstrom führen.
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ZUSAMMENFASSUNG
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Ausführungsformen
betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das die
Erzeugung eines Dunkelstroms verhindern kann.
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Ausführungsformen
betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das mindestens einen
der folgenden Schritte umfassen kann: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht,
die eine Kontaktfläche über einem
Halbleitersubstrat enthält;
Ausbilden eines Farbfilter-Arrays direkt über der Zwischendielektrikumschicht;
Ausbilden eines Mikrolinsen-Arrays über dem Farbfilter-Array; Ausbilden
einer Deckschicht über
dem Halbleitersubstrat, welches das Mikrolinsen-Array enthält; Ausbilden
einer Kontaktflächenmaske über der
Deckschicht; und dann Freilegen der Kontaktfläche.
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Ausführungsformen
betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das mindestens einen
der folgenden Schritte umfassen kann: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht,
die eine Kontaktfläche über einem
Halbleitersubstrat enthält;
Ausbilden einer Passivierungsschicht über der Zwischendielektrikumschicht;
Ausbilden eines Farbfilter-Arrays über der Passivierungsschicht;
Ausbilden einer Planarisierungsschicht über dem Farbfilter-Array; Ausbilden über der
Planarisierungsschicht eines Mikrolinsen-Arrays, das eine erste
Dielektrikumschicht über
der Planarisierungsschicht und eine über der ersten Dielektrikumschicht
ausgebildete zweite Dielektrikumschicht enthält; Ausbilden einer organischen
Schicht über
dem Halbleitersubstrat, welches das Mikrolinsen-Array enthält; Ausbilden
einer Kontaktflächenmaske über der
organischen Schicht, wobei die Kontaktflächenmaske ein erstes Kontaktflächenloch
enthält,
das einen Teil der oberen Oberfläche
der organischen Schicht freilegt, welcher räumlich der Kontaktfläche entspricht;
Freilegen einer obersten Oberfläche
der Kontaktfläche
durch Ätzen
der organischen Schicht, der zweiten Dielektrikumschicht, der ersten
Dielektrikumschicht und der Passivierungsschicht unter Verwendung
der Kontaktflächenmaske
als Ätzmaske;
und dann gleichzeitiges Entfernen der organischen Schicht und der
Kontaktflächenmaske.
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Ausführungsformen
betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das mindestens einen
der folgenden Schritte umfassen kann: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht,
die eine Kontaktfläche über einem
Halbleitersubstrat enthält;
Ausbilden einer Passivierungsschicht über der Zwischendielektrikumschicht;
Ausbilden eines Farbfilter-Arrays über der Passivierungsschicht;
Ausbilden einer Planarisierungsschicht über dem Farbfilter-Array; Ausbilden über der
Planarisierungsschicht eines Mikrolinsen-Arrays, das eine Vielzahl
von einander berührenden
Mikrolinsen, die eine Nulllücke
zwischen sich aufweisen, enthält,
wobei das Mikrolinsen-Array ferner eine erste Dielektrikumschicht über der
Planarisierungsschicht und eine über
der ersten Dielektrikumschicht ausgebildete zweite Dielektrikumschicht
enthält;
Ausbilden einer Metallschicht über
dem Halbleitersubstrat, welches das Mikro linsen-Array enthält; Ausbilden
einer Kontaktflächenmaske über der
Metallschicht, wobei die Kontaktflächenmaske ein erstes Kontaktflächenloch
enthält, das
einen Teil der oberen Oberfläche
der Metallschicht freilegt, welcher räumlich der Kontaktfläche entspricht;
Freilegen einer obersten Oberfläche
der Kontaktfläche
durch Ätzen
der Metallschicht, der zweiten Dielektrikumschicht, der ersten Dielektrikumschicht
und der Passivierungsschicht unter Verwendung der Kontaktflächenmaske
als Ätzmaske;
Entfernen der Kontaktflächenmaske;
und dann Entfernen der Metallschicht.
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ZEICHNUNGEN
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Die
Beispiele von 1 bis 6 veranschaulichen
ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen.
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BESCHREIBUNG
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Wie
im Beispiel von 1 dargestellt, kann eine Zwischendielektrikumschicht 20 auf
und/oder über
einem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet werden. Ein Lichtdetektionsteil,
der eine Fotodiode und ein Schaltungsgebiet enthält, kann ebenfalls für jedes
Bildpunktelement auf und/oder über
dem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet werden. Der Lichtdetektionsteil,
der die Fotodiode enthält,
kann eine Bauelement-Isolierschicht enthalten, die ein aktives Gebiet und
ein Feldgebiet festlegt, die auf und/oder über dem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet
sind. Jedes Bildpunktelement kann eine Fotodiode für das Empfangen
von Licht zum Erzeugen einer Photoladung und eine CMOS-Schaltung
enthalten, die mit der Fotodiode elektrisch verbunden ist, um die
erzeugte Photoladung in ein elektrisches Signal umzuwandeln.
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Nachdem
die zugehörigen
Bauelemente, welche die Bauelement-Isolierschicht und die Fotodiode enthalten,
ausgebildet wurden, kann eine Zwischendielektrikumschicht 20 auf
und/oder über
dem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet werden. Eine Vielzahl
von Metallleitungen, die elektrisch mit dem Lichtdetektionsteil
verbunden sind, kann in der Zwischendielektrikumschicht 20 ausgebildet
werden. Das Zwischenschichtdielektrikum 20, das die Metallleitungen enthält, kann
mit einer aus einer Vielzahl von Schichten gebildeten Mehrschichtstruktur
ausgebildet werden. Jede Metallleitung kann so ausgebildet werden, dass
sie auf die Fotodiode fallendes Licht nicht abschattet oder anderweitig
abschirmt.
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Eine
Kontaktfläche 21 kann
in der Zwischendielektrikumschicht 20 ausgebildet werden,
während eine
abschließende
Metallleitung der Metallleitungen ausgebildet wird. Eine Passivierungsschicht 30 kann auf
und/oder über
der Zwischendielektrikumschicht 20, welche die Kontaktfläche 21 enthält, ausgebildet werden
und zum Schutz eines Bauelements gegen unerwünschte Feuchtigkeit oder gegen
unerwünschtes
Verkratzen dienen. Beispielsweise kann die Passivierungsschicht 30 mit
einer gestapelten, mehrschichtigen dielektrischen Struktur ausgebildet
werden, die mindestens eine von einer Siliziumoxidschicht, einer
Siliziumnitridschicht und einer Siliziumoxidnitridschicht enthält. Wie
im Beispiel von 1 dargestellt, kann die Passivierungsschicht 30 eine Struktur
haben, die eine erste untere Schicht, die aus einer Tetraethylorthosilikat-Schicht 31 (TEOS)
mit einer Dicke zwischen 1.000 und 5.000 Å gebildet ist, und eine zweite
obere Schicht, die aus einer Nitridschicht 32 mit einer
Dicke zwischen 1.000 und 10.000 Å gebildet, enthält.
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Ein
Farbfilter 40, der eine Vielzahl von Filtern enthält, kann
dann durch einen nachfolgenden Prozess auf und/oder über der
Passivierungsschicht 30 ausgebildet werden. Der Farbfilter 40 kann
auch direkt auf und/oder über
der Zwischendielektrikumschicht 20, welche die Kontaktfläche 21 enthält, ausgebildet
werden, um einen Bildsensor mit reduzierter Dicke und Gesamtgröße zu erhalten.
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Dann
kann ein erster Prozess zum Freilegen einer Kontaktfläche zum
Freilegen der Kontaktfläche 21 ausgeführt werden.
Im ersten Prozess zum Freilegen einer Kontaktfläche können Fotolackstrukturen, die
ein einem Kontaktflächenbereich
entsprechendes Loch haben, auf und/oder über der Passivierungsschicht 30 ausgebildet
werden. Ferner kann die Passivierungsschicht 30 unter Verwendung
der Fotolackstrukturen als Ätzmaske
geätzt
werden, um die oberste Oberfläche
der Kontaktfläche 21 freizulegen.
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Nachdem
der erste Prozess zum Freilegen einer Kontaktfläche ausgeführt wurde, kann dann also ein
Mikrolinsen-Array ausgebildet werden, und dann kann ein zweiter
Prozess zum Freilegen einer Kontaktfläche ausgeführt werden. Der erste Prozess zum
Freilegen einer Kontaktfläche
kann unterlassen werden.
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Dann
kann ein Farbfilter 40 auf und/oder über der Passivierungsschicht 30 ausgebildet
werden und er kann eine Vielzahl von Farbfiltern zum Realisieren
eines Farbbilds enthalten. Derartige Farbfilter können eine
unterschiedliche Farbe wie Rot, Grün und Blau repräsentieren.
Beispiele für
ein Material, das für
den Farbfilter 40 verwendet werden kann, schließen einen
gefärbten
Fotolack ein. Der Farbfilter 40 kann zum Trennen von Farbe
von einfallendem Licht derart auf und/oder über jedem Bildpunktelement
ausgebildet werden, dass benachbarte Farbfilter 40 einander
geringfügig überlappen
können, um
einen Höhenunterschied
zu haben. Zum Ausgleichen dieses Höhenunterschieds kann die Planarisierungsschicht 50 auf
und/oder über
den Farbfiltern 40 ausgebildet werden. Ein Mikrolinsen-Array,
das in einem anschließenden
Prozess auszubilden ist, sollte auf und/oder über einer planarisierten Oberfläche ausgebildet
werden. Daher kann die Planarisierungsschicht 50 auf und/oder über den Farbfiltern 40 ausgebildet
werden, um den durch die überlappenden
Farbfilter 40 verursachten Höhenunterschied zu beseitigen.
Selbstverständlich
kann die Planarisierungsschicht 50 weggelassen werden.
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Eine
erste Dielektrikumschicht 60 zum Ausbilden der Mikrolinsen
kann dann direkt auf und/oder über
den Farbfiltern 40 oder der Planarisierungsschicht 50 ausgebildet
werden. Eine Mikrolinsen-Array-Maske 200 für jedes
Bildpunktelement kann dann auf und/oder über der ersten Dielektrikumschicht 60 ausgebildet
werden. Die Dielektrikumschicht 60 kann aus mindestens
einer von einer Oxidschicht, einer Nitridschicht und einer Nitridoxidschicht
gebildet sein. Beispielsweise kann die erste Dielektrikumschicht 60 aus
einer Oxidschicht wie SiO2 gebildet sein,
die mit einer Dicke zwischen ungefähr 2.000–20.000 Å bei einer Temperatur in einem
Bereich von ungefähr 50–250°C unter Verwendung
von chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), physikalischer Gasphasenabscheidung
(PVD) oder plasmaaktivierter CVD (PECVD) ausgebildet wird.
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Mikrolinsen-Array-Masken 200 können ausgebildet
werden, die eine Vielzahl von Mikrolinsenmasken enthalten, die mit
einem vorbestimmten Abstand beabstandet ausgebildet werden, indem
auf die erste Dielektrikumschicht 60 eine Fotolackschicht aufgetragen
wird und dann ein Strukturierungsprozess und ein Reflow-Prozess
ausgeführt
werden. Dann kann die Mikrolinsenmaske 200 mit einer halbkugelförmigen Form
ausgebildet wer den.
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Wie
im Beispiel von 2 dargestellt, kann dann ein
Start-Mikrolinsen-Array 61 für jedes
Bildpunktelement auf und/oder über
der ersten Dielektrikumschicht 60 ausgebildet werden. Das
Start-Mikrolinsen-Array 61 kann durch Ausführen eines Ätzprozesses
auf der ersten Dielektrikumschicht 60 unter Verwendung
der Mikrolinsen-Array-Masken 200 als Ätzmaske ausgebildet werden.
Das Ätzen
der ersten Dielektrikumschicht 60 kann so ausgeführt werden, dass
eine Fotolackschicht, welche die Mikrolinsen-Array-Maske 200 bildet,
und eine Oxidschicht, welche die erste Dielektrikumschicht 60 bildet,
mit einem Ätzverhältnis von
ungefähr
1:0,7–1:1,3
geätzt werden.
Daher kann das Ätzen
der ersten Dielektrikumschicht 60 zum Ausbilden des Start-Mikrolinsen-Arrays 61 ausgeführt werden,
bis die aus einem Fotolackmaterial gebildete Mikrolinsen-Array-Maske 200 vollständig geätzt ist.
Beispielsweise kann der Ätzprozess
für die
erste Dielektrikumschicht 60 in einer Kammer ausgeführt werden,
indem ein Ätzgas aus
CxHyFz (x,
y und z sind Nullen oder natürliche Zahlen)
und aus einem Inertgas wie mindestens einem von Ar, He, O2 und N2 zugeführt wird.
Insbesondere kann der Ätzprozess
ausgeführt
werden durch Verwenden einer Quellenleistung zwischen ungefähr 600–1400 W
bei 27 MHz und einer Biasleistung zwischen ungefähr 0–500 W bei 2 MHz, die an die
Kammer angelegt werden, und durch Einleiten in die Kammer eines Ätzgases,
das CF4 mit ungefähr 40–120 sccm und ein Inertgas
wie mindestens eines von O2 mit ungefähr 2–20 sccm
und Ar mit ungefähr 200–900 sccm
enthält.
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Die
erste Dielektrikumschicht 60 kann auf eine Dicke zwischen
ungefähr
1.000–19.000 Å geätzt werden,
um das Start-Mikrolinsen-Array 61 auszubilden.
Das Start-Mikrolinsen-Array 61 kann mit einer Dicke zwischen
ungefähr
1.000–6.000 Å ausgebildet werden.
Insbesondere kann der Prozess derart fortgeführt werden, dass die Biasleistung
während
des Ätzprozesses
nicht an die Kammer angelegt wird. Das kann zur Folge haben, dass
die Energie von Ionen, die sich von einem innerhalb der Kammer erzeugten
Plasma zum Halbleitersubstrat 10 bewegen, reduziert wird.
Im Gegenzug kann der Ätzschaden
an der ersten Dielektrikumschicht 60 verringert werden. Ein
Dunkelstrom durch ein während
eines Plasmaprozesses an der Grenzfläche des Halbleitersubstrats 10 erzeugtes
Fangstellenniveau kann ebenfalls verhindert werden.
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Wie
im Beispiel von 2 dargestellt, kann durch den
oben beschriebenen Ätzprozess
das Start-Mikrolinsen-Array 61 mit einer halbkugelförmigen Form
aus einer Niedertemperaturoxidschicht auf und/oder über entsprechenden
Farbfiltern 40 ausgebildet werden. Das Start-Mikrolinsen-Array 61 kann derart
ausgebildet werden, dass jede jeweilige Start-Mikrolinse von einer
benachbarten Start-Mikrolinse getrennt ist, um eine Verschmelzungserscheinung
zu verhindern.
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Wie
im Beispiel von 3 dargestellt, kann dann eine
zweite Dielektrikumschicht 70 auf und/oder über der
Halbleiterschicht 10, die das Mikrolinsen-Array 61 enthält, ausgebildet
werden, um ein Mikrolinsen-Array 80 auszubilden. Die zweite
Dielektrikumschicht 70 kann auf und/oder über der obersten
Oberfläche
der ersten Dielektrikumschicht 60, die das Mikrolinsen-Array 61 enthält, und
außerdem
in Lücken
zwischen benachbarten Start-Mikrolinsen abgeschieden werden. So
kann jede der Start-Mikrolinsen eine benachbarte Start-Mikrolinse direkt
berühren.
Daher kann das Mikrolinsen-Array 80, welches das Start-Mikrolinsen-Array 61 und
die zweite Dielektrikumschicht 70 enthält, mit einer durchgehenden
halbkugelförmigen
Form ohne Lücken
zwischen benachbarten Mikrolinsen ausgebil det werden. Die zweite
Dielektrikumschicht 70 kann aus dem gleichen Material wie
dem der ersten Dielektrikumschicht 60 ausgebildet sein.
Beispielsweise kann die zweite Dielektrikumschicht 70 durch
Abscheiden einer Oxidschicht bis zu einer Dicke zwischen ungefähr 500–20.000 Å bei einer
Temperatur in einem Bereich zwischen ungefähr 50–250°C ausgebildet werden.
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Da
die zweite Dielektrikumschicht 70 mit einer dünnen Dicke
auf und/oder über
den Start-Mikrolinsen 61 und in Lücken zwischen ihnen abgeschieden
wird, kann eine Mikrolinse 80 derart ausgebildet werden,
dass benachbarte Mikrolinsen in direktem Kontakt sein können. Daher
kann eine Lücke
zwischen den Mikrolinsen auf Null reduziert werden, wodurch die
Bildqualität
des Bildsensors verbessert wird.
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Wie
im Beispiel von 4 dargestellt, kann dann eine
Deckschicht 90 auf und/oder über dem Halbleitersubstrat 10,
welches das Mikrolinsen-Array 80 enthält, ausgebildet werden, um
ein Fangstellenniveau zu verhindern, das durch eine während eines Plasmaätzprozesses
erzeugte ultraviolette (UV) Strahlung zwischen dem Halbleitersubstrat 10 und dem
Dielektrikum erzeugt wird.
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Die
Deckschicht 90 kann so abgeschieden werden, dass sie eine
Dicke zwischen ungefähr 100–3.000 Å aufweist,
um sowohl das Mikrolinsen-Array 80 als auch die Zwischendielektrikumschicht 20 zu
bedecken, die auf und/oder über
dem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet sind. Die Deckschicht 90 kann
aus einer organischen unteren Antireflexionsschicht (BARC) ausgebildet
sein. Wenn die Deckschicht 90 als eine organische BARC-Schicht ausgebildet
wird, kann die Deckschicht 90 während des Plasmaätzprozesses
erzeugte UV-Strahlung absorbieren, um ein Fangstellenniveau zu verhindern, das
zwischen dem Halbleitersubstrat 10 und der Dielektrikumschicht
erzeugt wird.
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Alternativ
kann die Deckschicht 90 aus einer Metallschicht ausgebildet
sein, die durch Abscheiden eines Metallmaterials mit einer elektrischen
Leitfähigkeit
von ungefähr
10–6 Ohm/m
oder mehr ausgebildet wird. Solche Metallmaterialien, die für die Deckschicht 90 verwendet
werden können,
schließen
mindestens eines von Al, Ti, W und TiN ein, d. h. Materialien mit
einer elektrischen Leitfähigkeit
von ungefähr 10–6–10–3 Ohm/m.
Wenn die Deckschicht 90 als Metallschicht ausgebildet wird,
kann die Deckschicht 90 während des Plasmaätzprozesses
erzeugte UV-Strahlung reflektieren, um ein Fangstellenniveau zu
verhindern, das zwischen dem Halbleitersubstrat 10 und
der Dielektrikumschicht erzeugt wird.
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Wie
im Beispiel von 5 dargestellt, kann dann eine
Kontaktflächenmaske 100,
die ein Kontaktflächenloch 110 enthält, auf
und/oder über
der Deckschicht 90 ausgebildet werden. Die Kontaktflächenmaske 100 kann
durch Beschichten der Deckschicht 90 mit einem Fotolack
und Strukturieren des Fotolacks ausgebildet werden. Ein Teil der
oberen Oberfläche
der Deckschicht 90, der räumlich der Kontaktfläche 21 entspricht,
kann durch das Kontaktflächenloch 110 freigelegt
sein und die übrige
Deckschicht 90 kann durch die Kontaktflächenmaske 100 bedeckt
sein.
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Dann
können
Teile der Deckschicht 90, des zweiten Dielektrikums 70,
des ersten Dielektrikums 60 und der Passivierungsschicht 30 unter
Verwendung der Kontaktflächenmaske 100 als Ätzmaske geätzt werden,
um das Loch zum Freilegen der Kontaktflächen 23 auszubilden,
das die oberste Oberfläche
der Kontaktfläche 21 freilegt.
Das Loch zum Freilegen der Kon taktflächen 23 kann durch
einen Trockenätzprozess
ausgebildet werden. Beispielsweise kann das Loch zum Freilegen der
Kontaktflächen 23 durch
den selben Ätzprozess
ausgebildet werden, der zum Ausbilden des Mikrolinsen-Arrays 61 verwendet
wird. Insbesondere kann das Loch zum Freilegen der Kontaktflächen 23 durch
einen Ätzprozess ausgebildet
werden, indem eine Quellenleistung zwischen ungefähr 600–1400 W
bei 27 MHz und eine Biasleistung zwischen ungefähr 0–500 W bei 2 MHz verwendet
werden sowie ein Ätzgas
in eine Kammer zugeführt
wird, das aus CxHyFz (x, y und z sind Nullen oder natürliche Zahlen)
und aus einem Inertgas gebildet ist, das aus mindestens einem von
Ar, He, O2 und N2 gebildet
ist. Da UV-Strahlung
erzeugt werden kann, während
der Plasmaätzprozess
ausgeführt wird,
verhindert die Verwendung der Deckschicht 90 die Absorption
der UV-Strahlung durch das Halbleitersubstrat 10. Das heißt, dass,
wenn die Deckschicht 90 eine organische BARC-Schicht ist,
die UV-Strahlung in die Deckschicht 90 aufgenommen wird,
wodurch die Erzeugung eines Dunkelstroms verhindert wird. Alternativ
wird, wenn die Deckschicht 90 eine Metallschicht ist, die
UV-Strahlung von der Deckschicht 90 reflektiert, was ebenfalls
die Erzeugung eines Dunkelstroms verhindert.
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Wie
im Beispiel von 6 dargestellt, kann die Kontaktflächenmaske 100 nach
dem Ätzprozess zum
Freilegen der Kontaktfläche 21 durch
Ausführen eines
Veraschungs-Prozesses bei einer Temperatur im Bereich zwischen ungefähr 0–50°C entfernt
werden. Insbesondere kann die Kontaktflächenmaske 100 unter
Verwendung von O2-Gas bei einer Temperatur
von 0°C
entfernt werden. Dies kann durch Absenken der Temperatur einer unteren
Elektrode ausgeführt
werden, auf der das Halbleitersubstrat 10 aufsitzt.
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Wenn
die Deckschicht 90 aus einer organischen Schicht wie BARC
gebildet ist, kann die Deckschicht 90 gleichzeitig während des
Entfernens der Kontaktflächenmaske 100 entfernt
werden, da sie aus einem organischen Material ausgebildet sind. Das
Entfernen der Kontaktflächenmaske 100 und
der Deckschicht 90 kann typischerweise eine Temperatur von
200°C oder
mehr erfordern, bei der ein Prozess zum Entfernen einer Fotolackschicht
ausgeführt
wurde. Gemäß Ausführungsformen
ist eine solche hohe Temperatur nicht erforderlich, so dass eine
Beschädigung
der Oberfläche
des Mikrolinsen-Arrays 80 durch das Aussetzen an hohe Temperaturen
verhindert werden kann.
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Wenn
die Deckschicht 90 aus einer Metallschicht gebildet ist,
kann die Kontaktflächenmaske 100 zuerst
entfernt werden und das Entfernen der Deckschicht 90 kann
anschließend
ausgeführt
werden. Die aus einem Metallmaterial gebildete Deckschicht 90 kann
unter Verwendung eines Ätzgases entfernt
werden, das ein zu einer Halogen-Gruppe gehörendes Element wie F, Cl usw.
enthält.
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Gemäß Ausführungsformen
kann ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors ein Mikrolinsen-Array
ausbilden, das aus einem anorganischen Material gebildet ist, um
eine Beschädigung
der Mikrolinsen durch nachfolgende Package- und Bump-Prozesse zu verhindern.
Ein solches Verfahren kann lückenlose
Mikrolinsen ausbilden, um die Empfindlichkeit des Bildsensors zu
verbessern. Überdies
kann ein solches Verfahren das Ausbilden einer Deckschicht auf und/oder über der
Oberfläche des
Mikrolinsen-Arrays einschließen,
um die Erzeugung eines Dunkelstroms durch Plasma während nachfolgender
Prozesse zu verhindern und dadurch die Gesamtqualität des Bildsensors
zu verbessern.
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In
der vorliegenden Beschreibung bedeutet jeder Verweis auf "eine Ausführung", "Ausführung", "beispielhafte Ausführung", usw., dass ein
spezielles Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft, welches
bzw. welche in Verbindung mit der Ausführung beschrieben wird, in
mindestens einer Ausführung der
Erfindung enthalten ist. Das Auftreten derartiger Ausdrucksweisen
an verschiedenen Stellen in der Beschreibung verweist nicht notwendig
sämtlich
auf die gleiche Ausführung.
Ferner sei bemerkt, dass, wenn ein besonderes Merkmal, eine Struktur
oder eine Eigenschaft beschrieben wird, es sich innerhalb des Bereichs
der Möglichkeiten
eines Fachmanns befindet, ein derartiges Merkmal, eine Struktur
oder ein Kennmerkmal in Verbindung mit anderen der Ausführungen
zu bewirken.
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Obwohl
hier Ausführungen
beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen
und Ausführungen
durch Fachleute entworfen werden können, welche unter Prinzip
und Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere sind
verschiedene Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen
Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der
Zeichnungen und der beigefügten
Ansprüche
möglich.
Zusätzlich
zu Änderungen
und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative
Verwendungen gleichfalls für
Fachleute ersichtlich.