DE102008013901A1 - Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

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Abstract

Ein Bildsensor umfasst eine über einem Halbleitersubstrat ausgebildete Zwischendielektrikumschicht; ein über der Zwischendielektrikumschicht ausgebildetes Farbfilter-Array; eine über dem Farbfilter ausgebildete Planarisierungsschicht; und ein Mikrolinsen-Array mit einer durchgängigen, lückenlosen Form, das über der Planarisierungsschicht ausgebildet ist und räumlich dem Farbfilter-Array entspricht. Das Mikrolinsen-Array ist aus einer ersten Dielektrikumschicht und einer über der ersten Dielektrikumschicht ausgebildeten zweiten Dielektrikumschicht gebildet.

Description

  • BILDSENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
  • Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der am 14. März 2007 eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2007-0024920 , die hiermit durch Bezugnahme vollständig aufgenommen wird.
  • HINTERGRUND
  • Ein Bildsensor ist ein Halbleiterbauelement zum Umwandeln eines optischen Bilds in ein elektrisches Signal. Ein Bildsensor kann als ein ladungsgekoppelter (CCD) Bildsensor oder als Komplementär-Metall-Oxid-Silizium (CMOS) Bildsensor klassifiziert werden.
  • Ein CMOS-Bildsensor kann eine Fotodiode und einen MOS-Transistor in einem Bildpunktelement einschließen, um sequentiell elektrische Signale jedes Bildpunktelements zu detektieren und dadurch ein Bild zu realisieren.
  • Herstellungsprozesse für einen CMOS-Bildsensor können das Ausbilden einer Mikrolinse durch Strukturieren und anschließendes Verfließen eines organischen Fotolacks auf und/oder über einem Halbleitersubstrat umfassen, das ein Bildpunktelement und relevante Bauelemente umfasst. Doch kann der organische Fotolack schlechte physikalische Eigenschaften haben und daher kann die Mikrolinse leicht durch physische Einwirkung beschädigt werden, was bei nachfolgenden Prozessen wie ein Einhäusungs- und Bump-Prozess usw. zu Rissen usw. führen kann. Die relative Zähflüssigkeit des organischen Fotolacks ist groß, so dass ein Fehler der Mikrolinse entstehen kann, wenn ein Partikel absorbiert wird.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das mindestens einen der folgenden Schritte umfassen kann: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht, die eine Kontaktfläche über einem mit einem Bildpunkt ausgebildeten Halbleitersubstrat umfasst; sequentielles Ausbilden eines Farbfilters und einer Planarisierungsschicht über der Zwischendielektrikumschicht; Ausbilden einer ersten Dielektrikumschicht über der Planarisierungsschicht; Ausbilden einer Mikrolinsen-Array-Maske über der ersten Dielektrikumschicht; Ausbilden eines Start-Mikrolinsen-Arrays durch Ätzen der ersten Dielektrikumschicht unter Verwendung der Mikrolinsen-Array-Maske als Ätzmaske; Ausbilden eines Mikrolinsen-Arrays durch Abscheiden einer zweiten Dielektrikumschicht über dem Start-Mikrolinsen-Array und in Zwischenräumen zwischen benachbarten Start-Mikrolinsen; und dann Freilegen der Kontaktfläche. Gemäß Ausführungsformen erfolgt das Ätzen der ersten Dielektrikumschicht in einer Kammer, die mit einer Quellenleistung von 600 W bis 1400 W bei 27 MHz und einer Biasleistung zwischen 0 W bis 500 W bei 2 MHz arbeitet.
  • Ausführungsformen betreffen einen Bildsensor, der mindestens eines von Folgendem umfassen kann: eine über einem Halbleitersubstrat ausgebildete Zwischendielektrikumschicht; ein über der Zwischendielektrikumschicht ausgebildetes Farbfilter-Array; eine über dem Farbfilter ausgebildete Planarisierungsschicht; und ein Mikrolinsen-Array mit einer durchgängigen, lückenlosen Form, das über der Planarisierungsschicht ausgebildet ist und räumlich dem Farbfilter-Array entspricht. Gemäß Ausführungsformen umfasst das Mikrolinsen-Array eine erste Dielektrikumschicht sowie eine zweite Dielektrikumschicht, die über der ersten Dielektrikumschicht ausgebildet ist.
  • Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors, das mindestens einen der folgenden Schritte umfassen kann: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht, die eine Metall-Kontaktfläche über einem Halbleitersubstrat umfasst; Ausbilden eines Farbfilter-Arrays über der Zwischendielektrikumschicht; Ausbilden einer Planarisierungsschicht über dem Farbfilter; sequentielles Ausbilden einer ersten Dielektrikumschicht und einer Mikrolinsen-Array-Maske über der Planarisierungsschicht; Ausbilden eines Start-Mikrolinsen-Arrays über der ersten Dielektrikumschicht; Ausbilden eines Mikro[linse]n-Arrays mit einer durchgängigen, lückenlosen Form durch Abscheiden einer zweiten Dielektrikumschicht über dem Start-Mikrolinsen-Array und in Zwischenräumen zwischen benachbarten Start-Mikrolinsen; Ausbilden einer Kontaktflächenmaske über dem Mikrolinsen-Array; Ausbilden eines Kontaktflächenlochs durch Freilegen der Metall-Kontaktfläche; und dann Entfernen der Kontaktflächenmaske.
  • ZEICHNUNGEN
  • Die Beispiele von 1 bis 5 veranschaulichen ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen.
  • BESCHREIBUNG
  • Wie im Beispiel von 1 dargestellt, kann eine Zwischendielektrikumschicht 11 auf und/oder über einem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet werden. Ein Fotosensor, der eine Fotodiode umfasst, kann auf und/oder über dem Halbleitersubstrat 10 für jeweils ein Bildpunktelement ausgebildet werden. Zur Erläuterung eines Fotosensors, der die Fotodiode umfasst, kann eine Bauelement-Isolierschicht, die einen aktiven Bereich und einen Feldbereich festlegt, auf und/oder über dem Halbleiter substrat 10 ausgebildet werden. Eine Fotodiode zum Empfangen von Licht und zum Erzeugen einer Fotoladung und ein entsprechender damit verbundener Transistor zum Umwandeln der empfangenen Fotoladung in ein elektrisches Signal können in einem Bildpunktelement des Halbleitersubstrats 10 ausgebildet werden.
  • Nachdem die relevanten Bauelemente einschließlich der Bauelement-Isolierschicht und der Fotodiode ausgebildet wurden, kann eine Zwischendielektrikumschicht 11, die eine Metallleitung einschließt, auf und/oder über dem Halbleitersubstrat 10 ausgebildet werden. Die Zwischendielektrikumschicht 11 kann eine mehrschichtige Struktur haben. Die Metallleitung kann mit dem Bildpunktelement elektrisch verbunden sein. Ferner kann die Metallleitung so ausgebildet werden, dass sie nicht das in die Fotodiode einfallende Licht abschattet.
  • Nach dem Ausbilden einer Metallleitung, d. h. Kontaktfläche 60 in der Zwischendielektrikumschicht 11, kann dann die Passivierungsschicht 20 auf und/oder über der die Kontaktfläche 60 einschließenden Zwischendielektrikumschicht 11 ausgebildet werden. Die Passivierungsschicht 20 kann zum Schutz eines Bauelements gegen Feuchtigkeit, Kratzer usw. dienen. Die Passivierungsschicht 20 kann mindestens eine von einer Siliziumoxidschicht, Siliziumnitridschicht und Siliziumoxinitridschicht umfassen. Die Passivierungsschicht kann auch mit einer gestapelten, mehrschichtigen Struktur ausgebildet werden. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht mit einer gestapelten, mehrschichtigen Struktur ausgebildet werden, die eine TEOS-Schicht 21 mit einer Dicke zwischen ungefähr 1.000 Å und 5.000 Å und eine Nitridschicht 22 mit einer Dicke zwischen ungefähr 1.000 Å und 10.000 Å umfasst.
  • Der Farbfilter 30 kann dann auf und/oder über der Passivierungsschicht 20 ausgebildet werden. Alternativ kann der Farbfilter 30 auf und/oder über der Zwischendielektrikumschicht 11 ausgebildet werden, die die Kontaktfläche 60 umfasst, um einen Bildsensor mit einer reduzierten Dicke und Größe zu erhalten.
  • Ein erster Kontaktflächenprozess zum Freilegen der obersten Oberfläche der Kontaktfläche 60 kann auf der Passivierungsschicht 20 ausgeführt werden. Der erste Öffnungsprozess kann eine Fotolackstruktur ausbilden, die ein Loch aufweist, das räumlich dem Bereich der Kontaktfläche 60 auf der Passivierungsschicht 20 entspricht. Die Passivierungsschicht 20 kann unter Verwendung der Fotolackstruktur als Ätzmaske geätzt werden, um die Kontaktfläche 60 freizulegen. Nach Ausführung des ersten Öffnungsprozesses kann ein Mikrolinsen-Array ausgebildet werden und es kann wieder mit einem zweiten Kontaktflächenprozess fortgeschritten werden. Hier kann der erste Kontaktflächenöffnungsprozess unterlassen werden. Nachstehend wird der Fall beispielsweise beschrieben, in dem der erste Kontaktflächenprozess unterlassen wird.
  • Wie im Beispiel von 1 dargestellt, kann der Farbfilter 30 auf und/oder über der Passivierungsschicht 20 ausgebildet werden und eine Vielzahl von Farbfiltern zum Realisieren eines Farbbildes umfassen. Der Farbfilter 30 kann gefärbte Fotolacke umfassen oder aus ihnen gebildet, so dass jeder Farbfilter in jedem Bildpunktelement ausgebildet ist, um Farben vom Lichteinfall zu bestimmen. Farbfilter 30 kann aus einer Vielzahl von jeweils eine andere Farbe wie Rot, Grün und Blau repräsentierenden Farbfiltern derart ausgebildet werden, dass nebeneinander liegende Farbfilter 30 einander ein wenig überlagern, um eine Stufe zu bilden. Um die Stufe von Farbfilter 30 zu ergänzen, kann eine Planarisierungsschicht 40 auf und/oder über dem Farbfilter 30 ausgebildet werden. Ein durch einen nachfolgenden Prozess ausgebildetes Mikrolinsen-Array kann auf und/oder über der planarisierten Schicht 40 ausgebildet werden. Dementsprechend kann die auf Farbfilter 30 zurückzuführende Stufe entfernt werden, so dass die Planarisierungsschicht 40 auf und/oder über dem Farbfilter 30 ausgebildet werden kann.
  • Dann können die erste Dielektrikumschicht 50 und die Mikrolinsen-Array-Maske 70 zum Ausbilden eines Mikrolinsen-Arrays sequentiell auf und/oder über dem Farbfilter 30 ausgebildet werden. Die erste Dielektrikumschicht 50 kann aus mindestens einer von einer Oxidschicht, Nitridschicht und Oxinitridschicht ausgebildet werden. Beispielsweise kann die erste Dielektrikumschicht 50 ausgebildet werden, indem eine Oxidschicht wie SiO2 bei einer Temperatur von ungefähr 50°C bis 250°C unter Verwendung von einem der Verfahren CVD, PVD, PEDVD usw. aufgebracht wird. Die erste Dielektrikumschicht 50 kann mit einer Dicke zwischen 2.000 Å und 20.000 Å ausgebildet werden.
  • Mikrolinsen-Array-Masken 70 können beabstandet auf und/oder über der ersten Dielektrikumschicht 50 ausgebildet werden, so dass sie jeweils räumlich den pro Bildpunktelement ausgebildeten Farbfiltern 30 entsprechen. Beispielsweise kann zum Ausbilden der Mikrolinsen-Array-Maske 70 eine Fotolackschicht auf und/oder über der ersten Dielektrikumschicht 50 ausgebildet und pro Bildpunktelement strukturiert werden. Dann kann ein Reflow-Prozess auf der strukturierten Fotolackschicht ausgeführt werden, um das Ausbilden von Mikrolinsen-Array-Masken 70 mit einer halbkugelförmigen Form zu ermöglichen.
  • Wie im Beispiel von 2 dargestellt, kann das Start-Mikrolinsen-Array 51 auf und/oder über einem oberen Bereich der ersten Dielektrikumschicht 50 ausgebildet werden. Das Start-Mikrolinsen-Array 51 kann durch Realisieren eines Ätzprozesses auf der ersten Dielektrikumschicht 50 unter Verwendung der Mikrolinsen-Array-Maske 70 als Ätzmaske ausgebildet werden.
  • Das Ätzen der ersten Dielektrikumschicht 50 zum Ausbilden des Start-Mikrolinsen-Arrays 51 kann unter Verwendung eines Ätzselektivitätsverhältnisses zwischen der die Mikrolinsen-Array-Maske 70 bildenden Fotolackschicht und der die erste Dielektrikumschicht 50 bildenden Oxidschicht erfolgen. Beispielsweise kann das Ätzselektivitätsverhältnis zwischen der Mikrolinsen-Array-Maske 70 und der ersten Dielektrikumschicht 50 1:0,7 bis 1:1,3 betragen. Dementsprechend kann das Ätzen der ersten Dielektrikumschicht 50 zum Ausbilden des Start-Mikrolinsen-Arrays 51 ausgeführt werden, bis die die Mikrolinsen-Array-Maske 70 bildende Fotolackschicht vollständig geätzt ist. Insbesondere kann der Ätzprozess auf der ersten Dielektrikumschicht 50 in einer Kammer unter Verwendung eines Ätzgases aus CxHyFz (x, y und z sind 0 oder natürliche Zahlen) und aus einem Inertgas wie mindestens eines von Ar, He, O2 und N2 ausgeführt werden. Beispielsweise können eine Quellenleistung zwischen 600 W und 1400 W bei 27 MHz und eine Biasleistung zwischen 0 W und 500 W bei 2 MHz an die Kammer angelegt werden und das Ätzgas aus CF4-Gas mit 40 sccm bis 120 sccm und O2-Gas mit 2 sccm bis 20 sccm oder Ar-Gas mit 200 sccm bis 900 sccm können in die Kammer eingeleitet werden.
  • Die erste Dielektrikumschicht 50 kann mit einer Dicke zwischen 1.000 Å und 19.000 Å geätzt werden. Das Start-Mikrolinsen-Array 51 kann dann auf dem oberen Bereich der ersten Dielektrikumschicht 50 ausgebildet werden. Beispielsweise kann das Start-Mikrolinsen-Array 51 mit einer Dicke zwischen 2.000 Å und 6.000 Å ausgebildet werden. Insbesondere kann der Prozess derart fortgesetzt werden, dass die Biasleistung nicht im Innern der Kammer angelegt wird, wenn die erste Dielektrikumschicht 50 geätzt wird. Folglich wird die Energie von Ionen, die sich von einem in der Kammer erzeugten Plasma zum Halbleitersubstrat 10 bewegen, niedrig, wodurch es ermöglicht wird, die Beschädigung der ersten Dielektrikumschicht 50 durch den Ätzprozess zu reduzieren. Dadurch kann das Auftreten eines Dunkelstroms durch ein Einfangniveau verhindert werden, das von einer Übergangsstelle des Halbleitersubstrats 10 erzeugt wird, die während eines Plasmaprozesses erzeugt wird.
  • Wie im Beispiel von 2 dargestellt, kann durch den Ätzprozess das Start-Mikrolinsen-Array 51 mit einer halbkugelförmigen Form auf und/oder über dem Farbfilter 30 für jedes Bildpunktelement ausgebildet werden. Das Start-Mikrolinsen-Array 51 kann derart ausgebildet werden, dass jede jeweilige Start-Mikrolinse von einer benachbarten Start-Mikrolinse beabstandet ist.
  • Wie im Beispiel von 3 dargestellt, kann dann die zweite Dielektrikumschicht 53 auf und/oder über dem Start-Mikrolinsen-Array 51 aufgebracht werden, um Mikrolinsen-Array 55 auszubilden. Das Mikrolinsen-Array 55 kann derart ausgebildet werden, dass jede jeweilige Mikrolinse eine benachbarte Mikrolinse hinsichtlich ihres Rands direkt berührt, weil die zweite Dielektrikumschicht 53 auf und/oder über dem Start-Mikrolinsen-Array 51 und in Zwischenräumen zwischen benachbarten Start-Mikrolinsen ausgebildet ist. Im Wesentlichen kann das Mikrolinsen-Array 55 mit einer durchgängigen, lückenlosen Form ausgebildet werden.
  • Die zweite Dielektrikumschicht 53 kann aus derselben Substanz wie die erste Dielektrikumschicht 50 gebildet sein. Beispielsweise kann die zweite Dielektrikumschicht 53 durch Abscheiden einer Oxidschicht mit einer Dicke zwischen 500 Å und 20.000 Å bei einer Temperatur zwischen 50°C und 250°C ausgebildet werden. Die zweite Dielektrikumschicht 55 kann abgeschieden werden, bis eine Stufe einer Start-Mikrolinse die einer benachbarten Start-Mikrolinse berührt. Folglich wird eine Lücke zur benachbarten Mikrolinse 55 auf das Niveau einer Nulllücke reduziert, was eine Wirkung hat, die die Bildqualität des Bildsensors verbessern kann.
  • Wie im Beispiel von 5 dargestellt, kann dann durch Aufbringen und anschließendes Strukturieren einer Fotolackschicht die Kontaktflächenmaske 80 auf und/oder über der zweiten Dielektrikumschicht 50 ausgebildet werden, welche das Mikrolinsen-Array 55 umfasst. Die Kontaktflächenmaske 80 kann selektiv einen Bereich der Oberseite der zweiten Dielektrikumschicht 53 freilegen, der räumlich der Kontaktfläche 60 entspricht. Ein Loch 61, das die Kontaktfläche 60 freilegt, kann dann ausgebildet werden, in dem die zweite Dielektrikumschicht 53, die erste Dielektrikumschicht 50 und die Passivierungsschicht 20 unter Verwendung der Kontaktflächenmaske als Ätzmaske entfernt werden. Das Loch 61 kann unter Verwendung desselben Prozesses wie dem beim Ausbilden des Start-Mikrolinsen-Arrays 51 verwendeten Ätzprozess ausgebildet werden. Das Kontaktflächenloch 61 kann durch Anlegen einer Quellenleistung zwischen 600 W und 1400 W bei 27 MHz und einer Biasleistung zwischen 0 W und 500 W bei 2 MHz an die Kammer und durch Einleiten eines Ätzgases, das CxHyFz (x, y und z sind 0 oder natürliche Zahlen) und ein Inertgas wie mindestens eines von Ar, He, O2 und N2 umfasst oder aus ihnen gebildet ist, ausgebildet werden.
  • Nachdem die Kontaktfläche 60 freigelegt wurde, kann dann die Kontaktflächenmaske 80 unter Verwendung eines Veraschungs-Prozesses bei einer Temperatur zwischen 0°C und 50°C entfernt werden. Beispielsweise kann die Kontaktflächenmaske 80 durch Verwendung von O2-Gas bei einer Temperatur von 0°C entfernt werden. Insbesondere kann die beim Entfernen der Kontaktflächenmaske 80 bereitgestellte Temperatur durch Senken einer Temperatur einer unteren Elektrode in einer Kammer erbracht werden, in der das Halbleitersubstrat 10 in sicherer Weise abgesetzt ist. Obgleich das Entfernen einer Fotolackschicht im Allgemeinen bei einer Temperatur über 200°C ausgeführt werden kann, kann das Entfernen der Kontaktflächenmaske 80 gemäß Ausführungsformen bei einer Temperatur von 0°C ausgeführt werden, wodurch ermöglicht wird, die Beschädigung einer Oberfläche des Mikrolinsen-Arrays 55 durch eine Umgebungstemperatur zu verhindern.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors gemäß Ausführungsformen kann ein Mikrolinsen-Array ausbilden, das aus einer anorganischen Substanz gebildet ist, wodurch ermöglicht wird, eine Beschädigung des Mikrolinsen-Arrays durch nachfolgende Einhäusungs- und Bump-Prozesse usw. zu verhindern.
  • Ätzschäden am Mikrolinsen-Array aufgrund eines Plasmaätzprozesses können ebenfalls während des Ausbildens des Mikrolinsen-Arrays verhindert werden, wodurch ermöglicht wird, das Auftreten von Dunkelstrom während der Plasmabearbeitung zu verhindern.
  • In der vorliegenden Beschreibung bedeutet jeder Verweis auf "eine Ausführung", "Ausführung", "beispielhafte Ausführung", usw., dass ein spezielles Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft, welches bzw. welche in Verbindung mit der Ausführung beschrieben wird, in mindestens einer Ausführung der Erfindung enthalten ist. Das Auftreten derartiger Ausdrucksweisen an verschiedenen Stellen in der Beschreibung verweist nicht notwendig sämtlich auf die gleiche Ausführung. Ferner sei bemerkt, dass, wenn ein besonderes Merkmal, eine Struktur oder eine Eigenschaft beschrieben wird, es sich innerhalb des Bereichs der Möglichkeiten eines Fachmanns befindet, ein derartiges Merkmal, eine Struktur oder ein Kennmerkmal in Verbindung mit anderen der Ausführungen zu bewirken.
  • Obwohl Ausführungen hierin beschrieben wurden, sei bemerkt, dass zahlreiche weitere Abwandlungen und Ausführungen durch Fachleute entworfen werden können, welche unter Prinzip und Umfang der vorliegenden Offenbarung fallen. Insbesondere sind viele Änderungen und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen der fraglichen Kombinationsanordnung innerhalb des Umfangs der Offenbarung, der Zeichnungen und der beigefügten Ansprüche möglich. Zusätzlich zu Änderungen und Abwandlungen der Bauteile und/oder der Anordnungen sind alternative Verwendungen gleichfalls für Fachleute ersichtlich.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - KR 10-2007-0024920 [0001]

Claims (20)

  1. Verfahren, umfassend: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht, die eine Kontaktfläche über einem mit einem Bildpunkt ausgebildeten Halbleitersubstrat umfasst; sequentielles Ausbilden eines Farbfilters und einer Planarisierungsschicht über der Zwischendielektrikumschicht; Ausbilden einer ersten Dielektrikumschicht über der Planarisierungsschicht; Ausbilden einer Mikrolinsen-Array-Maske über der ersten Dielektrikumschicht; Ausbilden eines Start-Mikrolinsen-Arrays durch Ätzen der ersten Dielektrikumschicht unter Verwendung der Mikrolinsen-Array-Maske als Ätzmaske; Ausbilden eines Mikrolinsen-Arrays durch Abscheiden einer zweiten Dielektrikumschicht über dem Start-Mikrolinsen-Array und in Zwischenräumen zwischen benachbarten Start-Mikrolinsen; und dann Freilegen der Kontaktfläche, wobei das Ätzen der ersten Dielektrikumschicht in einer Kammer unter Verwendung einer Quellenleistung zwischen 600 W und 1400 W bei 27 MHz und einer Biasleistung zwischen 0 W und 500 W bei 2 MHz erfolgt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Freilegen der Kontaktfläche umfasst: Ausbilden einer Kontaktflächenmaske, die selektiv eine zweite Dielektrikumschicht freilegt, die räumlich der Kontaktfläche entspricht; Ätzen eines oberen Bereichs der Kontaktfläche unter Verwendung der Kontaktflächenmaske; und dann Entfernen der Kontaktflächenmaske.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Kontaktflächenmaske unter Verwendung von O2-Gas bei einer Temperatur zwischen 0°C und 50°C entfernt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem das Ätzen der ersten Dielektrikumschicht das Zuführen in die Kammer eines Ätzgases umfasst, das CxHyFz und mindestens eines von Ar, He, O2 und N2 umfasst.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem nach dem Ausbilden der Zwischendielektrikumschicht eine Passivierungsschicht über der Zwischendielektrikumschicht ausgebildet wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Passivierungsschicht mindestens eine von einer Siliziumoxidschicht, Siliziumnitridschicht und Siliziumoxinitridschicht umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, bei dem die Passivierungsschicht eine gestapelte, mehrschichtige Struktur hat.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem die gestapelte, mehrschichtige Struktur eine untere Passivierungsschicht aus einer TEOS-Schicht mit einer Dicke zwischen ungefähr 1.000 Å und 5.000 Å und eine obere Passivierungsschicht aus einer Nitridschicht mit einer Dicke zwischen ungefähr 1.000 Å und 10.000 Å umfasst.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die erste Dielektrikumschicht und die zweite Dielektrikumschicht mindestens eine von einer Oxidschicht, Nitridschicht und Oxinitridschicht umfassen.
  10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem das Start-Mikrolinsen-Array mit einer Dicke zwischen ungefähr 2.000 Å und 6.000 Å ausgebildet wird.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem ein Ätzselektivitätsverhältnis zwischen der Mikrolinsen-Array-Maske und der ersten Dielektrikumschicht zwischen 1:0,7 und 1:1,3 beträgt.
  12. Verfahren, umfassend: Ausbilden einer Zwischendielektrikumschicht, die eine Metall-Kontaktfläche über einem Halbleitersubstrat umfasst; Ausbilden eines Farbfilter-Arrays über der Zwischendielektrikumschicht; Ausbilden einer Planarisierungsschicht über dem Farbfilter; sequentielles Ausbilden einer ersten Dielektrikumschicht und einer Mikrolinsen-Array-Maske über der Planarisierungsschicht; Ausbilden eines Start-Mikrolinsen-Arrays über der ersten Dielektrikumschicht; Ausbilden eines Mikrolinsen-Arrays mit einer durchgängigen, lückenlosen Form durch Abscheiden einer zweiten Dielektrikumschicht über dem Start-Mikrolinsen-Array und in Zwischenräumen zwischen benachbarten Start-Mikrolinsen; Ausbilden einer Kontaktflächenmaske über dem Mikrolinsen-Array; Ausbilden eines Kontaktflächenlochs durch Freilegen der Metall-Kontaktfläche; und dann Entfernen der Kontaktflächenmaske.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die erste Dielektrikumschicht das Abscheiden einer Oxidschicht mit einer Dicke zwischen 2.000 Å und 20.000 Å bei einer Temperatur von unge fähr 50°C bis 250°C unter Verwendung von mindestens einem der Verfahren CVD, PVD und PEDVD umfasst.
  14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei dem die Mikrolinsen-Array-Maske eine Vielzahl von Mikrolinsenmasken umfasst, die beabstandet über der ersten Dielektrikumschicht ausgebildet werden und räumlich einem jeweiligen Farbfilter im Farbfilter-Array entsprechen.
  15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei dem das Ausbilden des Start-Mikrolinsen-Arrays das Ausführen eines Ätzprozesses auf der ersten Dielektrikumschicht unter Verwendung der Mikrolinsen-Array-Maske als Ätzmaske umfasst.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 15, bei dem das Ausbilden der zweiten Dielektrikumschicht das Abscheiden einer Oxidschicht mit einer Dicke zwischen 500 Å und 20.000 Å bei einer Temperatur zwischen 50°C und 250°C über dem Start-Mikrolinsen-Array und in Zwischenräumen zwischen benachbarten Start-Mikrolinsen umfasst.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, bei dem die Kontaktflächenmaske durch einen Veraschungs-Prozess unter Verwendung von O2-Gas bei einer Temperatur von 0°C entfernt wird.
  18. Vorrichtung, umfassend: eine über einem Halbleitersubstrat ausgebildete Zwischendielektrikumschicht; ein über der Zwischendielektrikumschicht ausgebildetes Farbfilter-Array; eine über dem Farbfilter ausgebildete Planarisierungsschicht; und ein Mikrolinsen-Array mit einer durchgängigen, lückenlosen Form, das über der Planarisierungsschicht ausgebildet ist und räumlich dem Farbfilter-Array entspricht, wobei das Mikrolinsen-Array eine erste Dielektrikumschicht sowie eine über der ersten Dielektrikumschicht ausgebildete zweite Dielektrikumschicht umfasst.
  19. Vorrichtung nach Anspruch 18, bei der die erste Dielektrikumschicht und die zweite Dielektrikumschicht beide jeweils mindestens eine von einer Oxidschicht, Nitridschicht und Oxinitridschicht umfassen.
  20. Vorrichtung nach Anspruch 18 oder 19, bei der die zweite Dielektrikumschicht eine Dicke zwischen 500 Å und 20.000 Å hat.
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