KR20070024920A - 인쇄판, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치의제조 방법 - Google Patents

인쇄판, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치의제조 방법 Download PDF

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KR20070024920A
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Abstract

본 발명은 인쇄판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 인쇄판은 요부(凹) 패턴을 구비하는 기판 및 상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성된 보정막을 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 인쇄판을 이용한 평판표시장치의 제조 방법을 제공한다.
이로써, 상기 보정막에 의해 상기 요부(凹) 패턴의 폭이 보정된 상기 인쇄판을 이용하여 더욱 미세하며 정밀도가 향상된 배선을 형성할 수 있다.
인쇄판, 레지스트 패턴, 평판표시장치

Description

인쇄판, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조 방법{Printing plate, fabricating method of the same and method for fabricating the flat panel display using the same}
도 1은 종래의 인쇄판의 요부(凹) 패턴이 형성된 영역의 단면을 확대하여 측정한 사진이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판 및 이의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 공정 순서도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 평판표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 공정 순서도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 패터닝 공정을 설명하기 위한 공정 순서도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
10, 110 : 기판 20, 120 : 보정막
200 : 블랑켓 210 : 레지스트층
210' : 레지스트 패턴 410 : 게이트 전극
430 : 액티브층 440a, 440b : 소스/드레인 전극
450 : 보호막 460 : 화소전극
P : 요부(凹) 패턴
본 발명은 평판표시장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로 미세 패턴을 형성할 수 있는 인쇄판, 상기 인쇄판의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.
오늘날 정보화 시대가 급격하게 변해가면서 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판표시장치의 필요성이 대두되고 있다. 이와 더불어 상기 평판표시장치를 구성하는 소자의 배선은 점점 미세화, 고정밀도화가 요구되고 있다.
종래에는 상기 배선은 포토리소그라피(photolithography) 또는 인쇄법을 통하여 소정의 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트의 패턴에 따라 도전막을 패터닝하여 형성하였다. 여기서, 미세한 배선을 형성하기 위해서는 미세한 패턴을 가지는 레지스트 패턴을 형성하는 것이 중요하다.
이때, 상기 포토리소그라피는 미세한 레지스트 패턴을 형성함에 있어 유리하지만, 노광 및 현상과 같은 복잡한 공정을 수행해야 하므로 양산성이 떨어진다는 문제점을 가지고 있다.
이와 달리 인쇄법은 레지스트 패턴을 형성함에 있어 양산성이 뛰어난 장점을 가졌으나, 미세한 패턴을 형성하는데 어려움이 있다.
이를테면, 상기 인쇄법 중 스크린 인쇄법은 수 십㎛의 레지스트 패턴의 두께 를 가지므로 내식성이 뛰어난 레지스트 패턴을 형성할 수 있으나, 복잡하고 미세한 패턴을 형성하는데 어려움이 있다.
다른 인쇄법 중 옵셋인쇄법은 요부(凹) 패턴을 구비하는 인쇄판을 이용하여 레지스트층을 기판에 전사하여 레지스트 패턴을 형성하는 것으로, 미세한 레지스트 패턴을 형성하기 위해서는 상기 요부(凹) 패턴을 정밀하게 형성하는 것이 중요하다. 그러나, 정밀한 요부(凹) 패턴을 가지는 인쇄판을 형성하는 것이 어렵다.
도 1은 종래의 인쇄판의 요부(凹) 패턴이 형성된 영역의 단면을 확대하여 측정한 사진이다.
도 1에서와 같이, 상기 기판을 습식식각하여 요부(凹) 패턴을 형성함에 있어, 습식 식각의 등방성 식각 특성상 요부(凹) 패턴의 양측 편차(CD-bias)가 발생하여 요부(凹) 패턴의 폭이 증가하게 된다. 즉, 상기 요부(凹) 패턴의 깊이만큼 상기 요부(凹) 패턴의 폭이 2배로 증가하게 된다.
이때, 상기 요부(凹) 패턴의 폭을 줄이기 위해 상기 요부(凹) 패턴의 깊이를 작게 형성하게 되면, 상기 레지스트 패턴의 두께가 작아져서 내식성이 떨어지게 되어, 도전막을 패터닝하여 배선을 형성할 경우에 원하는 형상의 배선을 형성할 수 없다.
본 발명은 고정밀도의 미세한 패턴을 형성할 수 있는 인쇄판 및 그의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
또한, 고정밀도의 미세한 패턴의 배선을 구비하는 평판표시장치의 제조 방법을 제공함에 다른 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 인쇄판을 제공한다. 상기 인쇄판은 요부(凹) 패턴을 구비하는 기판 및 상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성된 보정막을 포함한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 일 측면은 인쇄판의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 전면에 걸쳐 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막 상에 형성하되, 상기 금속막의 일부분을 노출하는 미세 패턴을 구비하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 금속막을 습식식각하고, 상기 레지스트 패턴을 제거하여 상기 기판의 일부분을 노출하는 금속막 패턴을 형성하는 단계; 상기 노출된 기판을 습식식각하고, 상기 금속막 패턴을 제거하여 요부(凹) 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 보정막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 또 다른 일 측면은 평판표시장치의 제조 방법을 제공한다. 상기 제조 방법은 기판을 제공하는 단계; 상기 기판 상에 도전성 물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 및 게이트 배선을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 반도 체층을 형성하는 단계; 상기 액티브층 상에 도전성 물질을 증착하고 패터닝하여 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성하되, 상기 드레인 전극의 일부분을 노출하는 콘텍홀을 구비하는 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 보호막 상에 형성하되, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 도전성 물질을 증착하고 패터닝하여 화소전극을 형성하며,
상기 게이트 전극 및 게이트 배선, 액티브층, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선, 보호막의 콘텍홀, 화소 전극 중 적어도 어느 하나는 요부(凹) 패턴과, 상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성된 보정막을 포함하는 인쇄판을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 수행한 후, 그 결과물에 대한 식각 공정을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 의한 도면들을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어 지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어 지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판 및 이의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 공정 순서도이다.
먼저, 도 2a를 참조하여 설명하면, 기판(10)을 제공한다. 상기 기판(10)은 유리, 플라스틱 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나일 수 있다. 상기 기판(10)상에 금속막(11)을 증착한다. 이때, 상기 금속막(11)은 상기 기판(10)을 식각하기 위한 식각액에 대하여 내성을 가지는 것이 바람직하다. 이는 상기 금속막(11)은 상기 기판(10)에 후술할 요부(凹) 패턴을 형성하기 위한 마스크로 사용되기 때문이다.
상기 금속막(11)상에 통상의 방법을 수행하여 레지스트층을 형성한 후, 노광 및 현상 공정을 수행하여 레지스트 패턴(12)을 형성한다. 이때, 상기 레지스트 패턴에 의해 상기 금속막(11)의 일정 부분(A)이 노출된다.
도 2b를 참조하면, 상기 레지스트 패턴(12)에 따라 노출된 상기 금속막(11)을 습식식각한 후에, 상기 레지스트 패턴(12)을 제거하여 금속막 패턴(11')을 형성한다.
도 2c를 참조하면, 상기 금속막 패턴(11')을 마스크로 하여, 상기 기판(10)을 습식식각하여 요부(凹) 패턴(P)을 형성한다. 이때, 습식식각의 등방성 식각(isotropic etch)특성상, 상기 요부(凹) 패턴(P)의 깊이(h)만큼 상기 요부(凹) 패턴(P)의 양측이 과식각된다. 이로써, 상기 요부(凹) 패턴(P)의 폭이 증가하게 되어 미세한 배선을 형성하는데 어려움이 있다.
도 2d를 참조하면, 상기 금속막 패턴(도 2c의 11')을 제거한다. 이후에, 상기 요부(凹) 패턴(P)을 포함하는 기판(10') 전면에 걸쳐 보정막(20)을 형성한다. 이로써, 상기 요부(凹) 패턴(P)의 형태의 변화 없이 상기 요부(凹) 패턴(P)의 폭만을 보정할 수 있다.
이때, 상기 보정막(20)은 화학기상증착법(CVD) 또는 스퍼터링법을 이용하여 형성할 수 있으며, 이를테면, 상기 화학기상증착법(CVD)은 저압화학기상증착법(LPCVD), 상압화학기상증착법(APCVD) 및 플라즈마화학기상증착법(PECVD)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 방법을 사용할 수 있다.
상기 보정막(20)은 무기계 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 무기계 물질은 질화 실리콘, 산화 실리콘, Si, Cr, Mo, Al 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된 하나일 수 있다.
이때, 상기 보정막(20)의 두께는 요부(凹) 패턴(P)의 깊이이하로 형성하는 것이 바람직하다. 이는 형성하고자 하는 상기 요부(凹) 패턴의 폭이 상기 요부(凹) 패턴의 깊이(h)정도로 증가하기 때문이다. 더욱 바람직하게, 상기 보정막(20)의 두께는 하기의 수학식 1의 조건을 따르는 것이 바람직하다.
Figure 112005048658134-PAT00001
여기서, d는 보정막의 두께이고, h는 요부(凹) 패턴의 깊이이며, w는 설계하고자 하는 요부(凹) 패턴의 폭이다.
이로써, 상기 요부(凹) 패턴(P)의 폭은 상기 보정막(20)의 두께의 2배만큼이 보정되어 미세한 패턴을 가지는 인쇄판을 제조할 수 있다.
더 나아가, 상기 인쇄판을 이용한 평판표시장치의 제조 방법을 설명한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판표시장치의 제조 방법을 설명하기 위해 도시한 공정 순서도이다.
도 3a를 참조하여 설명하면, 기판(100)을 제공한다. 상기 기판(100)은 플라스틱, 유리 또는 금속기판일 수 있으나, 본 발명의 실시예에서는 이에 한정하는 것은 아니다. 상기 기판(100) 상에 게이트 전극 형성용 도전성 물질을 증착하여 도전성막을 형성한다. 이후에, 상기 도전성막을 제 1 패터닝공정을 수행하여 게이트 전극(110) 및 게이트 배선(도면에는 도시하지 않음.)을 형성한다.
도 3b를 참조하면, 상기 게이트 전극(110) 및 게이트 배선을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막(120)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(120)은 질화 실리콘, 산화 실리콘 또는 이들의 적층막으로 형성될 수 있다. 여기서, 상기 게이트 절연막(120)은 화학기상증착법(CVD) 또는 스퍼터링법에 의해 형성될 수 있다.
이후에, 상기 게이트 전극(110)과 대응되는 상기 게이트 절연막(120) 상에 채널층(131)과 오믹 콘텍층(132)을 적층하여 형성한다. 여기서, 상기 채널층(131)은 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있으며, 상기 오믹 콘텍층(132)은 N형 또는 P형 불순물이 도핑되어 있는 비정질 실리콘으로 이루어질 수 있다.
상기 채널층(131)과 오믹 콘텍층(132)의 적층막 상에 소스/드레인 전극 형성용 도전성 물질을 증착하여 도전성막을 형성한 뒤, 상기 도전성막을 제 2 패터닝 공정을 수행하여 소스/드레인 전극(140a, 140b) 및 데이터 배선(도면에는 도시하지 않음.)을 형성한다. 이후에, 상기 소스/드레인 전극(140a, 140b)을 마스크로 하여 상기 채널층(131)과 오믹 콘텍층(132)을 패터닝하여 액티브층(130)을 형성한다.
여기서, 상기 액티브층(130)과 상기 소스/드레인 전극(140a, 140b)을 형성하는 다른 방법으로 상기 상기 채널층(131)과 오믹 콘텍층(132)을 패터닝하여 액티브층(130)을 형성하고, 상기 액티브층(130) 상에 소스/드레인 전극 형성용 도전성 물질을 증착하여 도전성막을 형성한 뒤, 상기 도전성막을 제 3 패터닝 공정을 수행하여 소스/드레인 전극(140a, 140b) 및 데이터 배선을 형성할 수도 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 소스/드레인 전극(140a, 140b) 및 데이터 배선을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 보호막(150)을 형성한 뒤, 상기 보호막(150)의 소정부분을 식각하여 상기 드레인 전극(140b)의 일부분을 노출하도록 제 4 패터닝 공정을 수행하여 콘텍홀을 형성한다. 여기서, 상기 보호막(150)은 질화실리콘, 산화실리콘, 아크릴계 화합물, BCB 또는 PFCB로 이루어질 수 있다.
이후에, 상기 콘텍홀을 통하여 상기 드레인 전극(140b)과 전기적으로 연결되도록 상기 보호막(150) 상에 화소전극 형성용 도전성 물질을 증착한 뒤, 제 5 패터닝 공정을 수행하여 화소전극(160)을 형성한다. 상기 화소전극(160)은 ITO 또는 IZO로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 제 1 내지 제 5 패터닝 공정 중 어느 하나의 공정은 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판을 이용하여 레지스트 패턴을 형성한 후, 그 결과물에 대한 식각 공정을 수행하는 것일 수 있다.
이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판을 이 용한 패터닝 공정을 더욱 상세하게 설명한다.
도 4a를 참조하여 설명하면, 우선 인쇄판(200)을 제공한다. 상기 인쇄판(200)은 요부(凹) 패턴(P)을 구비하는 기판(210)과, 상기 요부(凹) 패턴(P)을 포함하는 기판(210) 전면에 걸쳐 형성된 보정막(220)을 포함한다. 여기서, 상기 보정막(220)은 무기계 물질로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 보정막(220)은 미세한 패턴을 형성하기 위해 상기 요부(凹) 패턴(P)의 폭을 보정하는 역할을 한다.
한편, 블랑켓(300)을 제공한다. 상기 블랑켓(300)의 표면에 통상의 코팅 방법을 수행하여 레지스트층(310)을 형성한다. 여기서, 통상의 코팅 방법이라 하면, 스핀 코팅, 딥코팅, 스프레이 코팅 또는 닥터 블레이드법중에 하나로써, 본 발명의 실시예에서 한정하는 것은 아니다.
도 4b를 참조하면, 상기 블랑켓(300) 표면에 형성된 상기 레지트스트층(310)을 상기 인쇄판(200)으로 전사시켜, 상기 블랑켓(300) 상에 레지스트 패턴(310')이 형성된다. 즉, 상기 인쇄판(200)의 표면으로 상기 블랑켓(300)을 회전시킴으로써, 상기 인쇄판(200)의 철부(凸)에 레지스트층이 전사된다. 이로써, 상기 블랑켓(300)의 표면에는 상기 요부(凹) 패턴(P)의 형태를 가지는 레지스트 패턴(310')이 형성된다.
도 4c를 참조하면, 도전막(410)이 형성된 기판(400)을 제공한다. 상기 도전막(410)상으로 상기 레지스트 패턴(310')이 형성된 블랑켓(300)을 회전시켜, 상기 도전막(410)상에 상기 레지스트 패턴(310')을 전사시킨다. 이로써, 상기 도전막(410)상에 미세한 레지스트 패턴(310')을 형성할 수 있다.
여기서, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 방법은 본 발명의 실시예에 따른 인쇄판을 이용한 리버스 옵셋 인쇄 기법(Reverse offset printing)에 한정하여 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 상기 인쇄판을 이용하여 다른 형태의 옵셋 인쇄 기법(offset printing)에 활용될 수 있다.
도 4d를 참조하면, 상기 레지스트 패턴(310')이 형성되지 않은 상기 도전막(410)을 습식식각 또는 건식식각하여 패터닝한 후, 상기 레지스트 패턴(310')을 제거함으로써, 도전막 패턴(410')을 형성할 수 있다.
다시, 평판표시장치의 제조 방법을 살펴보면, 도면에는 도시하지 않았으나 통상의 방법에 의해 평판표시장치를 제조한다.
이를테면, 상기 평판표시장치가 액정표시장치일경우에는 컬러필터와 투명전극을 구비하는 상부기판을 상기 박막트랜지스터가 형성된 기판과 부착시킨후 액정을 주입하는 단계를 수행하여 액정표시장치를 제조할 수 있다.
또한, 상기 평판표시장치가 유기전계발광표시장치일 경우에는 상기 화소 전극상에 발광층을 포함한 유기층을 형성한 후, 상기 유기층 상에 대향전극을 형성함으로써 유기전계발광표시장치를 제조할 수 있다. 여기서, 상기 유기층은 전하 수송층 또는 전하 주입층을 더욱 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 요부 패턴을 보정막에 의해 보정된 인쇄판을 이용하여 패터닝 공정을 수행함으로써, 더욱 미세하며 정밀도가 뛰어난 배 선을 형성할 수 있다.
또한, 미세한 고정밀도의 배선을 용이하게 제조할 수 있어 복잡한 회로를 구성하는 평판표시장치를 용이하게 제조할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (13)

  1. 요부(凹) 패턴을 구비하는 기판 및
    상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성된 보정막을 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 기판은 유리, 플라스틱 및 금속으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 보정막은 무기계 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 무기계 물질은 질화 실리콘, 산화 실리콘, Si, Cr, Mo, Al 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 인쇄판.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 보정막의 두께는 하기의 수학식 1의 조건을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄판.
    [수학식 1]
    Figure 112005048658134-PAT00002
    여기서, d는 보정막의 두께이고, h는 요부(凹) 패턴의 깊이이며, w는 설계하고자 하는 요부(凹) 패턴의 폭이다.
  6. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판의 전면에 걸쳐 금속막을 형성하는 단계;
    상기 금속막상에 형성하되, 상기 금속막의 일부분을 노출하는 미세 패턴을 구비하는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 노출된 금속막을 습식식각하고, 상기 레지스트 패턴을 제거하여 상기 기판의 일부분을 노출하는 금속막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 노출된 기판을 습식식각하고, 상기 금속막 패턴을 제거하여 요부(凹) 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 보정막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 보정막은 스퍼터링법 또는 화학기상증착법(CVD)에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 보정막은 질화 실리콘, 산화 실리콘, Si, Cr, Mo, Al 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.
  9. 제 6항에 있어서,
    상기 보정막의 두께는 하기의 수학식 1의 조건을 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 인쇄판의 제조 방법.
    [수학식 1]
    Figure 112005048658134-PAT00003
    여기서, d는 보정막의 두께이고, h는 요부(凹) 패턴의 깊이이며, w는 설계하고자 하는 요부(凹) 패턴의 폭이다.
  10. 기판을 제공하는 단계;
    상기 기판 상에 도전성 물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 전극 및 게이트 배선을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 및 게이트 배선을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극과 대응되는 상기 게이트 절연막 상에 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 반도체층 상에 도전성 물질을 증착하고 패터닝하여 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 형성하는 단계;
    상기 소스/드레인 전극 및 데이터 배선을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성하되, 상기 드레인 전극의 일부분을 노출하는 콘텍홀을 구비하는 보호막을 형성하는 단계; 및
    상기 보호막 상에 형성하되, 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되도록 도전성 물질을 증착하고 패터닝하여 화소전극을 형성하며,
    상기 게이트 전극 및 게이트 배선, 액티브층, 소스/드레인 전극 및 데이터 배선, 보호막의 콘텍홀, 화소 전극 중 적어도 어느 하나는 요부(凹) 패턴과, 상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성된 보정막을 포함하는 인쇄판을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 수행한 후, 그 결과물에 대한 식각 공정을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은
    요부(凹) 패턴을 구비하며, 상기 요부(凹) 패턴을 포함하는 기판 전면에 걸쳐 형성된 보정막을 포함하는 인쇄판을 제공하는 단계;
    레지스트층이 도포되어 있는 블랑캣을 제공하는 단계;
    상기 인쇄판으로 상기 레지스트층의 소정부분을 전사시켜, 상기 블랑캣의 표면에 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    도전막이 형성된 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 도전막 상으로 상기 블랑캣상의 상기 레지스트 패턴을 전사하여, 상기 도전막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 보정막은 질화 실리콘, 산화 실리콘, Si, Cr, Mo, Al 및 Cu로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 평판표시장치는 액정표시장치 또는 유기전계발광표시장치인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조 방법.
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US11/413,571 US7781156B2 (en) 2005-08-31 2006-04-28 Printing plate, method of fabricating the same, and method of fabricating flat panel display using the same
CNB2006100784194A CN100506555C (zh) 2005-08-31 2006-05-26 印版,印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法
JP2006149297A JP4542524B2 (ja) 2005-08-31 2006-05-30 印刷板、印刷板を製造する方法及び印刷板を利用した平板表示装置の製造方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008013901A1 (de) 2007-03-14 2008-10-30 Dongbu Hitek Co., Ltd. Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101238093B1 (ko) * 2010-11-29 2013-02-27 노바테크인더스트리 주식회사 고효율 광 추출이 가능한 유리기판 및 그의 제조방법
CN114734717A (zh) * 2022-04-06 2022-07-12 深圳市先地图像科技有限公司 一种tiff图像曝光方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101287385B1 (ko) * 2007-01-31 2013-07-18 엘지디스플레이 주식회사 레지스트 인쇄패턴 장치 및 레지스트 인쇄패턴 장치용클리체 형성방법
KR101300033B1 (ko) * 2007-02-14 2013-08-29 엘지디스플레이 주식회사 레지스트 패턴 인쇄장치 및 레지스트 인쇄패턴 장치용클리체 형성방법
KR101308460B1 (ko) 2007-04-26 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조장치 및 방법
US20090084279A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Toppan Printing Co., Ltd. Relief printing plate and printed matter
CN102114738B (zh) * 2009-12-30 2012-08-08 中国印钞造币总公司 一种双涂层激光数码印刷版及其制版方法
EP2514594A1 (en) * 2011-04-18 2012-10-24 KBA-NotaSys SA Intaglio printing plate, method of manufacturing the same and use thereof
KR101144610B1 (ko) * 2011-08-02 2012-05-11 한국기계연구원 투명 전극의 전도성 메쉬 매설 방법
KR101726641B1 (ko) 2011-08-03 2017-04-26 엘지디스플레이 주식회사 인쇄판의 제조 방법
DE102012013302A1 (de) * 2011-08-11 2013-02-14 Heidelberger Druckmaschinen Ag Druckform
CN104786630B (zh) * 2014-01-20 2018-07-06 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种凹印版、其制作方法及应用
CN104669772A (zh) * 2015-03-19 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种印刷凸版
KR101750361B1 (ko) * 2015-09-17 2017-06-23 한국기계연구원 미세패턴을 갖는 제판 제작방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443840B1 (ko) * 1998-09-01 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의제조방법
KR100586245B1 (ko) * 1998-09-11 2006-10-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 제조 방법
KR100439345B1 (ko) 2000-10-31 2004-07-07 피티플러스(주) 폴리실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 및 제조 방법
JP2002270377A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Seiko Epson Corp 発光パネル及び電子機器
JP4335067B2 (ja) 2001-07-13 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
KR100825315B1 (ko) * 2001-12-29 2008-04-28 엘지디스플레이 주식회사 잉크인쇄용 클리체 및 그 제조방법
KR101007686B1 (ko) * 2003-12-11 2011-01-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 제조방법
KR100976343B1 (ko) * 2003-12-24 2010-08-16 엘지디스플레이 주식회사 인쇄판 제조방법 및 액정표시장치 제조방법
JP2005209756A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Sony Corp 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置
KR100560792B1 (ko) * 2004-03-23 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의제조방법
US20060057478A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Panel for display device and manufacturing method thereof
KR20060118993A (ko) * 2005-05-18 2006-11-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008013901A1 (de) 2007-03-14 2008-10-30 Dongbu Hitek Co., Ltd. Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
KR101238093B1 (ko) * 2010-11-29 2013-02-27 노바테크인더스트리 주식회사 고효율 광 추출이 가능한 유리기판 및 그의 제조방법
CN114734717A (zh) * 2022-04-06 2022-07-12 深圳市先地图像科技有限公司 一种tiff图像曝光方法
CN114734717B (zh) * 2022-04-06 2023-07-14 深圳市先地图像科技有限公司 一种tiff图像曝光方法

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KR20040059093A (ko) 액정표시소자의 제조방법

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