KR101300033B1 - 레지스트 패턴 인쇄장치 및 레지스트 인쇄패턴 장치용클리체 형성방법 - Google Patents

레지스트 패턴 인쇄장치 및 레지스트 인쇄패턴 장치용클리체 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레지스트 패턴 인쇄방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세패턴의 불량이 없는 레지스트 패턴 인쇄장치에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 다수의 홈과 돌출 패턴으로 구성되는 클리체의 홈에 상기 돌출 패턴과 동일 평면을 이루도록 전사방지층을 형성하는 것이다. 이때, 상기 전사방지층은 인쇄용 블랑켓의 표면에너지에 비해 낮은 표면에너지를 갖는 테프론을 사용하는 것이 바람직하다.
이로 인하여, 기존과 같이 인쇄용 블랑켓의 전사 패턴이 클리체 홈의 바닥면에 일부 전사되거나, 홈의 측면을 타고 홈 내부로 흘러내리게 됨으로써 발생되었던 패턴 불량과 같은 문제점을 방지하게 된다.
테프론, 클리체, 인쇄용 블랑켓, 역 오프셋(reverse offset) 인쇄패턴

Description

레지스트 패턴 인쇄장치 및 레지스트 인쇄패턴 장치용 클리체 형성방법{Resist pattern printing device and method of forming cliche}
도 1a ~ 1d는 종래의 역 오프셋(reverse offset) 방식을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 도면.
도 2a ~ 2c는 레지스트 미세패턴의 불량이 발생되는 모습을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 클리체의 모습을 개략적으로 도시한 도면.
도 4a ~ 4d는 본 발명의 실시예에 따른 클리체를 사용하여 역 오프셋(reverse offset) 방식의 레지스트 패턴을 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 도 4b의 A영역을 확대 도시한 도면.
도 6a ~ 6g는 본 발명의 실시예에 따른 클리체 형성 과정을 개략적으로 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
120 : 클리체 122 : 홈
124 : 돌출 패턴 126 : 전사방지층
128a, 128b : 모서리부
본 발명은 레지스트 패턴 인쇄방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 미세패턴의 불량이 없는 레지스트 패턴 인쇄장치에 관한 것이다.
액정표시소자(Liquid Crystal Display Device)와 같은 평판표시소자에서는 각각의 화소에 박막트랜지스터와 같은 소자가 구비되어 평판표시소자를 구동하게 된다. 그런데, 액정표시소자와 같은 평판표시소자에 있어서 레지스트 패턴 형성 공정은 제조된 소자의 성능에 크게 영향을 미치는 중요한 공정이다. 이에 따라 최근에는 소자의 성능을 향상시킬 수 있는 연구가 진행되고 있는데, 특히 미세금속패턴을 형성하여 소자의 성능을 향상시키고자 하는 다양한 시도가 전개되고 있다.
현재까지 가장 일반적인 레지스트 패턴 형성 공정은 감광성물질인 PR(photoresist)을 도포한 후 마스크를 사용하여 노광하고 현상하는 방식을 사용하고 있으나, 이는 공정이 지나치게 복잡할 뿐만 아니라 복수개의 패턴이 형성되는 소자의 경우에는 각 패턴을 형성하기 위해서 각각의 공정이 수행되어야 하기 때문에 제조비용이 상승하여 바람직하지 않다.
따라서, 최근에는 인쇄방법을 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는 방법이 제안된 바 있는데, 도 1a 내지 도 1d에 이러한 과정이 도시되어 있다.
도 1a ~ 1d는 레지스트 패턴 형성방법을 도시한 것으로, 역 오프셋(reverse offset) 방식을 이용하여 패턴을 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1a에 도시한 바와 같이, 전사롤러(31)의 외주면을 따라 밀착되도록 형성되어 있는 인쇄용 블랑켓(blanket : 30)의 외주면을 따라 레지스트(32)를 코팅한다.
이어서, 도 1b에 도시한 바와 같이, 레지스트(32)가 코팅되어 있는 인쇄용 블랑켓(30)을 인쇄용테이블(40) 상에 놓여 있는 클리체(cliche : 20)의 상면으로 회전시킨다.
이때, 상기 클리체(20)에는 기판 위에 형성하고자 하는 패턴에 대응하도록 특정 위치에 다수의 홈(22)이 형성되어 있다. 따라서, 클리체(20)의 홈(22)과 홈(22) 사이에는 돌출 패턴(24)이 구비되어 일종의 요철 형상을 이루고 있다.
상기 레지스트(32)가 코팅되어 있는 인쇄용 블랑켓(30)이 요철 형상의 클리체(20)의 표면에 접촉하도록 회전하게 되면, 클리체(20)에 형성된 다수의 홈(22) 사이에 구비된 돌출 패턴(24)과 접촉하는 레지스트(32)의 경우, 인쇄용 블랑켓(30)에 비하여 부착력이 양호한 돌출 패턴(24)으로 전사되며, 상기 레지스트(32)는 클리체(20)에 형성된 홈(22)과는 접촉하지 않기 때문에 이 부분의 레지스트(32)는 그대로 인쇄용 블랑켓(30)의 외주면에 잔존하여 전사 패턴(34)을 이룬다.
이에 따라, 인쇄용 블랑켓(30)의 외주면을 따라 코팅되었던 레지스트(32) 중에서 클리체(20)의 돌출 패턴(24)과 접촉하고 있던 부분의 레지스트(32)는 제거되고, 홈(22) 부분에 대응하는 다수의 전사 패턴(34)을 형성하게 된다.
이어서, 다수의 전사 패턴(34)이 형성되어 있는 인쇄용 블랑켓(30)을 기판(10)의 전면에 형성된 피처리층(11)의 표면과 접촉시킨 상태에서 회전시키면, 도 1c에 도시된 것과 같이 인쇄용 블랑켓(30)에 일정하게 형성된 전사 패턴(34)이 피처리층(11)의 표면으로 전사된다. 이와 같이 피처리층(11)의 표면으로 전사된 전사 패턴(34)을 UV 등으로 조사하여 경화처리하면, 도 1d에 도시된 것과 같이, 피처리층(11)의 전면에는 일정한 레지스트 패턴(34a)이 형성된다.
이때, 전사롤러(31)의 외주면을 따라 밀착되도록 형성되어 있는 인쇄용 블랑켓(30)은 일정 탄성을 갖는 실리콘 또는 고무재질로 구성하는 것이 일반적이다. 따라서, 상기 인쇄용 블랑켓(30)에 전사 패턴(34)을 형성하는 과정에서, 인쇄용 블랑켓(30)의 외주면을 따라 코팅되었던 레지스트(32)가 클리체(20)에 형성된 홈(22)과 접촉하지 않아야 함에도 불구하고 도 2a에 도시한 바와 같이, 상기 레지스트(32)가 클리체(20)에 형성된 홈(22)의 바닥면과 일부 접촉되어 홈(22) 바닥에 레지스트(32)가 전사되거나 또는, 도 2b에 도시한 바와 같이 레지스트(32)가 상기 클리체(20)의 홈(22)의 모서리와 접촉되면서, 레지스트 일부가 홈(22)의 측면을 타고 홈(22) 내부로 흘러내리게 된다.
이로 인하여, 상기 인쇄용 블랑켓(30)의 외주면에 형성되는 전사 패턴(34)의형태가 완전치 못한 형태로 형성되므로 이는, 도 2c에 도시한 바와 같이, 기판(도 2b의 10)의 피처리층(도 2b의 11)으로 전사되는 전사 패턴(34) 역시 패턴(34)의 일부가 뜯겨진 형태로 구성되는 패턴 불량이 발생하게 되는 문제를 야기하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 레지스트 미세패턴의 불량이 없는 레지스트 패턴 인쇄장치 및 이를 제조하는 방법 또한 제공하고자 하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 인쇄용테이블과; 상기 인쇄용테이블 상에 놓이며, 다수의 홈과 돌출 패턴이 구성되어 상기 홈에 전사방지층이 형성된 클리체와; 상기 클리체의 상면으로 회전하면서 외주면에 코팅된 레지스트를 전사하는 인쇄용 블랑켓을 포함하며, 상기 전사방지층의 상부면은 상기 돌출 패턴의 상부면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치를 제공한다.
이때, 상기 전사방지층은 상기 전사방지층과 상기 돌출 패턴과의 경계에, 상기 돌출패턴 보다 돌출된 모서리부가 구성되는 것을 특징으로 하며, 상기 모서리부는 상기 레지스트 두께의 약 1/2 ~ 1/3 정도로 돌출되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 전사방지층의 표면에너지는 상기 인쇄용 블랑켓의 표면에너지 보다 낮은 것을 특징으로 하며, 상기 인쇄용 블랑켓의 표면에너지는 20 ~ 23 mJ/cm2 인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 전사방지층은 테프론(teflon)이며, 표면에너지는 13 ~ 18 mJ/cm2 인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 금속층을 형성하는 단계와; 상기 금속층 상에 감광패턴을 형성하는 단계와; 상기 감광패턴을 마스크로 상기 금속층을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계와; 상기 금속패턴을 마스크로 상기 기판을 식각하여 다수의 홈과 돌출 패턴을 형성하는 단계와; 상기 다수의 홈의 바닥면에 전사방지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 전사방지층의 상부면은 상기 돌출 패턴의 상부면과 동일 평면을 이루도록 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치용 클리체 형성방법을 제공한다.
이때, 상기 전사방지층을 형성하는 단계는, 상기 감광패턴 및 상기 금속패턴이 형성된 기판의 전면에 테프론을 코팅하는 단계와, 상기 감광패턴과 상기 금속패턴 및 상기 감광패턴 상부의 상기 테프론을 모두 제거한 후, 상기 기판의 돌출 패턴을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 에칭하는 단계는 상기 돌출 패턴이 상기 테프론과 동일 평면을 이루도록 에칭하여, 상기 테프론의 모서리부가 돌출되는 것을 특징으로 한다.
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이하, 첨부하는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 클리체의 모습을 개략적으로 도시한 도면이다.
도시한 바와 같이, 클리체(120)는 특정 위치에 다수의 홈(122)이 형성되며, 상기 홈(122)과 홈(122) 사이에는 돌출 패턴(124)이 구비된 일종의 요철 형상으로 구성한다.
이때, 상기 홈(122)에는 전사방지층(126)이 형성되어 상기 전사방지층(126)의 상부면은 상기 돌출 패턴(124)의 상부면과 동일 평면을 이루도록 상기 홈(122)을 가득 메우고 있는 것을 특징으로 하는데, 상기 전사방지층(126)은 상기 인쇄용 블랑켓(130)의 표면에너지 보다 표면에너지가 낮은 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 일예로 테프론(teflon)이 있다.
또한, 상기 전사방지층(126)의 양측 가장자리인 클리체(120)의 돌출 패턴(124)과 전사방지층(126)의 경계부위에 모서리(edge)부(128a, 128b)를 형성하는데, 상기 모서리부(128a, 128b)는 돌출 패턴(124)의 상부면과 동일 평면을 이루는 전사방지층(126)의 상부면에서 뾰족하게 돌출된 형태로 구성한다.
이때, 상기 모서리부(128a, 128b)는 상기 인쇄용 블랑켓(고 4a의 130)의 외주면에 코팅되는 레지스트(도 4a의 132)의 두께의 약 1/2 ~ 1/3 만큼 돌출되도록 구성한다.
이러한, 모서리부(128a, 128b)를 통해 상기 인쇄용 블랑켓(도 4a의 130)에 잔존하는 전사 패턴(도 4b의 134)의 형성을 더욱 손쉽게 한다. 이는 도 4a ~ 4b를 참조하여 좀더 자세히 설명하도록 하겠다.
도 4a ~ 4d는 본 발명의 실시예에 따른 클리체를 사용하여 역 오프셋(reverse offset) 방식의 레지스트 패턴을 형성하는 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4a에 도시한 바와 같이, 전사롤러(131)의 외주면을 따라 밀착되도록 형성된 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면을 따라 레지스트(132)를 코팅 처리한다.
이때, 상기 레지스트(132)는 레지스트 공급부(136)로부터 전사롤러(131)와 함께 일정하게 회전하는 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면을 따라 균일하게 도포시키는 방법을 통하여 코팅한다.
이어서, 도 4b에 도시한 바와 같이, 레지스트(132)가 균일하게 코팅된 인쇄용 블랑켓(130)을 클리체(120)가 놓여져 있는 인쇄용테이블(140) 상부에 위치하여, 상기 클리체(120) 상면으로 회전시킨다.
이때, 클리체(120)는 앞서 전술한 바와 같이, 기판(도 4c의 110) 위에 형성하고자 하는 패턴에 대응하도록 다수의 홈(122)과 돌출 패턴(124)이 구비된 요철 형상이며, 상기 홈(122)에는 상기 돌출 패턴(124)의 상부면과 동일 평면을 이루도록 전사방지층(126)인 테프론이 형성되어 있다.
따라서, 레지스트(132)가 코팅되어 있는 인쇄용 블랑켓(130)이 요철 형상의 클리체(120)의 표면에 압력을 가하며 접촉하면서 회전하게 되는데, 상기 클리체(120)에 형성된 돌출 패턴(124)과 접촉하는 레지스트(132)의 경우, 인쇄용 블랑켓(130)에 비하여 부착력이 양호한 돌출 패턴(124)으로 전사되어 하나의 패턴(134b)을 이루게 된다.
이때, 클리체(120)의 홈(122)에 형성된 전사방지층(126)과 접촉하는 레지스트(132)의 경우에는 그대로 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면에 잔존하여 전사 패 턴(134)을 이루게 되는데, 이는 상기 전사방지층(126)인 테프론과 레지스트(132)의 접촉성이 인쇄용 블랑켓(130)과 레지스트(132)의 접촉성에 비해 약하기 때문이다.
일반적으로 테프론의 표면에너지는 13 ~ 18 mJ/cm2 으로, 실리콘 또는 고무재질로 구성되는 인쇄용 블랑켓(130)의 표면에너지인 20 ~ 23 mJ/cm2에 비해 낮은데 여기서, 표면에너지가 낮다는 것은 잉크, 접착제 및 코팅의 부착력이 낮다는 것을 의미한다.
따라서, 레지스트(132)가 상기 클리체(120) 홈(122)에 형성된 테프론과 접촉되면, 레지스트(132)는 접촉성이 낮은 테프론에 전사되지 않고 그대로 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면에 잔존하여 전사 패턴(134)을 이루게 되는 것이다.
이에 따라, 클리체(120)의 표면을 따라 인쇄용 블랑켓(130)이 1회 회전하면, 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면을 따라 코팅되었던 레지스트(132) 중에서 클리체(120)의 돌출 패턴(124)과 접촉하고 있던 부분의 레지스트(132)는 상기 돌출 패턴(124) 상으로 전사되어 패턴(134b)을 이루게 되므로 상기 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면에서 제거되고, 홈(122) 부분에 대응하는 균일한 다수의 전사 패턴(134)만이 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면에 형성된다.
이때, 상기 전사방지층의 양측 가장자리 즉, 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 클리체(120)의 돌출 패턴(124)과 상기 전사방지층(126)의 경계부위에 형성된 모서리부(128a, 128b)는 상기 인쇄용 블랑켓(130)의 외주면에 코팅되는 레지스트(132)의 두께의 약 1/2 ~ 1/3 만큼 돌출되도록 구성하므로, 상기 인쇄용 블랑켓(130)에 잔존하게 되는 전사 패턴(도 4b의 134)과, 클리체(120)로 전사되는 패턴(134b)과의 경계를 정의하게 된다.
따라서, 상기 인쇄용 블랑켓(130)에 잔존하는 전사 패턴(도 4b의 134)의 형성을 더욱 손쉽게 한다.
이어서, 균일한 다수의 전사 패턴(134)이 형성되어 있는 인쇄용 블랑켓(130)을 기판(110)의 전면에 형성된 피처리층(111)의 표면과 접촉시킨 상태에서 회전시키면, 도 4c에 도시된 것과 같이 인쇄용 블랑켓(130)에 일정하게 형성된 전사 패턴(134)이 피처리층(111)의 표면으로 전사된다.
이때, 상기 전사 패턴(134)과 상기 기판(110) 간의 접촉성이 상기 인쇄용 블랑켓(130)과 상기 전사 패턴(134) 간의 접촉성에 비해 더 좋기 때문에, 상기 기판(110)의 피처리층(111)의 표면으로 상기 인쇄용 블랑켓(130)에 형성된 전사 패턴(134)이 전사되는 것이다.
이와 같이 피처리층(111)의 표면으로 전사된 전사 패턴(134)을 UV 등으로 조사하여 경화 처리하면, 도 4d에 도시된 것과 같이, 피처리층(111)의 전면에는 일정한 레지스트 패턴(134a)이 형성된다.
상기 피처리층(111)은 박막트랜지스터의 게이트 전극, 소스/드레인 전극, 게이트 라인, 화소 전극과 같은 금속 패턴을 형성하기 위한 금속층이거나, 또는 산화실리콘이나 질화실리콘과 같은 절연층일 수 있다. 피처리층(111)의 상면에 일정한 형태로 형성된 레지스트 패턴(134a)은 상술한 레지스트 패턴형성 공정에서 레지스트 역할을 수행하여, 그 하부에 노출된 피처리층(111)을 에칭하면 원하는 패턴을 갖는 금속층(전극구조) 또는 절연층(컨택홀)을 형성할 수 있다.
전술한 바와 같이, 다수의 홈(122)과 돌출 패턴(124)으로 구성되는 클리체(120)의 홈(122)에 상기 돌출 패턴(124)과 동일 평면을 이루도록 전사방지층(126)을 형성함으로써, 기존과 같이 인쇄용 블랑켓(130)의 전사 패턴(134)이 클리체(120) 홈(122)의 바닥면에 일부 전사되거나, 홈(122)의 측면을 타고 홈(122) 내부로 흘러내리게 됨으로써 발생되었던 패턴 불량과 같은 문제점을 방지하게 된다.
한편, 본 발명에서 전사방지층(126)으로 테프론을 사용하는 것을 전술하였으나 이는, 상기 인쇄용 블랑켓(130)의 표면에너지 보다 낮은 어떠한 재료라도 가능하며, 도 6a ~ 6g를 참조하여 본 발명에 따른 클리체를 구성하는 방법에 대해 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 6a ~ 6g는 본 발명의 실시예에 따른 클리체 형성 과정을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 투명절연기판(211) 상에 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 니켈(Ni) 등의 금속 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 금속층(212)을 형성한다.
다음으로, 도 6b에 도시한 바와 같이 상기 금속층(212)이 형성된 기판(211)의 전면에 PR을 도포하여 감광층(214)을 형성한다.
다음으로, 상기 감광층(214)의 이격된 상부에 투과부와 차단부로 구성된 마스크(미도시)를 위치시킨다. 상기 차단부는 빛을 완전히 차단하는 기능을 하고, 상 기 투과부는 빛을 투과시켜 빛에 의해 감광층(214)이 완전히 노광되도록 하여, 노광된 감광층(214) 내에 화학적 변화가 일어나게 된다.
이때, 상기 감광층(214)이 포지티브(positive)형일 경우, 상기 차단부는 클리체(도 4b의 120)의 돌출 패턴(도 4b의 124)에 대응하는 영역과, 투과부는 클리체(도 4b의 120)의 홈(도 4b의 122)에 대응하는 영역에 위치하도록 한다.
이는 감광층(214)이 네가티브(negative)형일 경우, 상기 차단부는 상기 클리체(도 4b의 120)의 홈(도 4b의 122)에 대응하는 영역에 위치하고, 상기 투과부는 상기 클리체(도 4b의 120)의 돌출 패턴(도 4b의 124)에 대응하는 영역에 위치하도록 한다.
다음으로, 도 6c에 도시한 바와 같이 상기 마스크(미도시)의 상부로 빛을 조사하여, 하부의 감광층(도 6b의 214)을 노광하고 현상하는 공정을 진행하여 감광패턴(216)을 형성하고, 도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 감광패턴(216)을 마스크로 상기 금속층(도 6c의 212)을 식각하여 금속패턴(218)을 형성한다. 이때, 금속패턴(218)을 마스크로 하여 노출된 기판(211)까지 식각하여 기판(211)에 다수의 홈(122)을 형성하므로써, 상기 기판(211) 표면은 다수의 홈(122)과 돌출 패턴(124a)이 구성된 요철 형상을 이루게 된다.
다음으로, 도 6e에 도시한 바와 같이 감광패턴(216)을 포함한 기판(211)의 전면에 테프론과 같이 표면에너지가 낮은 물질을 코팅하여 전사방지층(126)을 형성한다. 이때, 상기 전사방지층(126)은 상기 기판(211)의 홈(122)을 가득 메우며, 상기 전사방지층(126)의 양측 가장자리는 상기 홈(122)의 측면을 따라 모서리 부(128a, 128b)를 형성하게 된다.
다음으로, 도 6f에 도시한 바와 같이 감광패턴(216) 및 금속패턴(218)을 모두 제거하여, 상기 감광패턴(216) 상부에 코팅되었던 전사방지층(126)까지 모두 제거되도록 한다. 이로 인하여, 상기 기판(211)의 다수의 홈(122)에만 상기 전사방지층(126)이 형성되어 있게 된다.
이때, 상기 기판(211)의 돌출 패턴(124a)의 상부면은 상기 전사방지층(126)의 상부면에 비해 높게 형성되므로, 다음으로 도 6g에 도시한 바와 같이, 상기 기판(211)의 돌출 패턴(124a) 부분만을 선택적으로 에칭하여, 상기 기판(211) 홈(122)에 형성된 전사방지층(126)의 상부면과 상기 돌출 패턴(124b)의 상부면이 동일 평면을 이루도록 한다. 따라서, 상기 전사방지층(126)의 모서리부(128a, 128b)는 상기 돌출 패턴(124a)의 에칭된 부분만큼 돌출되게 된다.
이로 인하여, 상기 기판(211) 상에 다수의 홈(122)이 구성되며, 상기 홈(122)에 테프론으로 이루어진 전사방지층(126)이 상기 기판(211)의 돌출 패턴(124b)과 동일 평면을 이루도록 형성된 클리체(120)를 완성하게 된다.
한편, 상기 기판(211) 상에 금속층(212)을 형성하지 않고 감광층(214)만을 형성함으로써, 금속층(212) 증착 및 식각을 위한 공정을 줄여 생산비 및 생산효율이 향상된 클리체(120)를 구성할 수도 있으나, 일반적으로 클리체(120)의 기판(211)으로 유리를 사용하는데, 이러한 경우 기판(211)과 감광층(214)으로 사용하는 포토레지스트의 계면접착성이 좋지 않아, 기판(211)을 식각 할 시 최소 선폭(CD)의 손실이 크게 발생하여 미세패턴을 형성하기가 어렵게 된다. 따라서, 기 판(211) 상에 금속층(212)을 형성하고, 그 상부에 감광층(214)을 형성하여 클리체(120)를 형성하는 것이 가장 바람직하다.
한편, 이상의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 설명하기 위한 몇 가지 예시들에 지나지 않으며, 따라서 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
즉, 본 발명의 실시예는 요철 형상으로 구성되는 클리체(120)의 홈(122)을 가득 메우며, 클리체(120)의 돌출 패턴(124)과 동일 평면을 이루는 전사방지층(126)이 코팅된 구조를 제시하므로, 이를 달성하기 위한 방법은 다양하게 진행할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 다수의 홈과 돌출 패턴으로 구성되는 클리체의 홈에 상기 돌출 패턴과 동일 평면을 이루도록 전사방지층을 형성함으로써, 기존과 같이 인쇄용 블랑켓의 전사 패턴이 클리체 홈의 바닥면에 일부 전사되거나, 홈의 측면을 타고 홈 내부로 흘러내리게 됨으로써 발생되었던 패턴 불량과 같은 문제점을 방지하게 되는 효과가 있다.

Claims (11)

  1. 인쇄용테이블과;
    상기 인쇄용테이블 상에 놓이며, 다수의 홈과 돌출 패턴이 구성되어 상기 홈에 전사방지층이 형성된 클리체와;
    상기 클리체의 상면으로 회전하면서 외주면에 코팅된 레지스트를 전사하는 인쇄용 블랑켓
    을 포함하며, 상기 전사방지층의 상부면은 상기 돌출 패턴의 상부면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하며, 상기 전사방지층의 표면에너지는 상기 인쇄용 블랑켓의 표면에너지 보다 낮은 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사방지층은 상기 전사방지층과 상기 돌출 패턴과의 경계에, 상기 돌출패턴 보다 돌출된 모서리부가 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 모서리부는 상기 레지스트 두께의 1/2 ~ 1/3 정도로 돌출되는 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 인쇄용 블랑켓의 표면에너지는 20 ~ 23 mJ/cm2 인 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 전사방지층은 테프론(teflon)이며, 표면에너지는 13 ~ 18 mJ/cm2 인 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치.
  7. 삭제
  8. 기판 상에 금속층을 형성하는 단계와;
    상기 금속층 상에 감광패턴을 형성하는 단계와;
    상기 감광패턴을 마스크로 상기 금속층을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계와;
    상기 금속패턴을 마스크로 상기 기판을 식각하여 다수의 홈과 돌출 패턴을 형성하는 단계와;
    상기 다수의 홈의 바닥면에 인쇄용 블랑켓에 비해 낮은 표면에너지를 갖는 전사방지층을 형성하는 단계
    를 포함하며, 상기 전사방지층의 상부면은 상기 돌출 패턴의 상부면과 동일 평면을 이루도록 구성되는 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치용 클리체 형성방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 전사방지층을 형성하는 단계는,
    상기 감광패턴 및 상기 금속패턴이 형성된 기판의 전면에 테프론을 코팅하는 단계와, 상기 감광패턴과 상기 금속패턴 및 상기 감광패턴 상부의 상기 테프론을 모두 제거한 후, 상기 기판의 돌출 패턴을 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으 로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치용 클리체 형성방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 에칭하는 단계는 상기 돌출 패턴이 상기 테프론과 동일 평면을 이루도록 에칭하여, 상기 테프론의 모서리부가 돌출되는 것을 특징으로 하는 레지스트 인쇄패턴 장치용 클리체 형성방법.
  11. 삭제
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