CN1923532A - 印版,印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法 - Google Patents

印版,印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1923532A
CN1923532A CNA2006100784194A CN200610078419A CN1923532A CN 1923532 A CN1923532 A CN 1923532A CN A2006100784194 A CNA2006100784194 A CN A2006100784194A CN 200610078419 A CN200610078419 A CN 200610078419A CN 1923532 A CN1923532 A CN 1923532A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
pattern
compensation
forme
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006100784194A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100506555C (zh
Inventor
柳洵城
张允琼
赵兴烈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Philips LCD Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Philips LCD Co Ltd filed Critical LG Philips LCD Co Ltd
Publication of CN1923532A publication Critical patent/CN1923532A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100506555C publication Critical patent/CN100506555C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/006—Printing plates or foils; Materials therefor made entirely of inorganic materials other than natural stone or metals, e.g. ceramics, carbide materials, ferroelectric materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41C—PROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00—Forme preparation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M3/00—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns
    • B41M3/003—Printing processes to produce particular kinds of printed work, e.g. patterns on optical devices, e.g. lens elements; for the production of optical devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/04—Printing plates or foils; Materials therefor metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41N—PRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00—Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/04—Printing plates or foils; Materials therefor metallic
    • B41N1/06—Printing plates or foils; Materials therefor metallic for relief printing or intaglio printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0079—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
    • H05K2203/0143—Using a roller; Specific shape thereof; Providing locally adhesive portions thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0534—Offset printing, i.e. transfer of a pattern from a carrier onto the substrate by using an intermediate member
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0502—Patterning and lithography
    • H05K2203/0537—Transfer of pre-fabricated insulating pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1275—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by other printing techniques, e.g. letterpress printing, intaglio printing, lithographic printing, offset printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种印版的制造方法，包括：制备基板；在基板的整个表面形成金属层；在金属层的表面上形成抗蚀图案，其中抗蚀图案具有暴露出部分金属层的精细图案；湿刻暴露出的金属层，并去除抗蚀图案以形成暴露出部分基板的金属层图案；湿刻暴露的基板，并去除金属层图案以形成凹图案；以及在形成有凹图案的基板整个表面形成补偿层。

Description

印版，印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法
技术领域
本发明涉及一种平板显示器的制造方法，并尤其涉及一种能够形成精细图案的印版，该印版的制造方法以及使用该印版制造平板显示器的方法。
背景技术
随着信息社会的快速发展，对于平板显示器的性能具有更多的要求，如外形薄、重量轻以及能耗低。随之而来的，需要平板显示器中各元器件之间精细且高精度的互连(interconnection)。
现有技术中通过光刻或者印刷的方法形成抗蚀图案以及沿抗蚀图案构图导电层形成该互连。如果要形成精细的互连，精确地形成该抗蚀图案是非常重要的。
基于此，使用光刻工序有利于形成精细的抗蚀图案。然而，在光刻工序中需要进行诸如曝光工序和显影工序的复杂工序，从而降低生产效率。
与光刻工序不同的是，印刷法在生产效率方面具有明显的优势，但在形成精细图案方面具有不足。
例如，在显示屏印刷方法中，由于抗蚀图案的厚度为几十微米，因此其能够形成具有优异抗蚀性能的抗蚀图案，但是难于形成复杂且精细的图案。
在平板印刷方法中，使用具有凹图案的印版通过将抗蚀层转印到基板上以形成抗蚀图案。由此为了形成精细的抗蚀图案，精确地形成凹图案是至关重要的。然而，形成具有精细凹图案的印版是非常困难的。
图1给出了现有技术印版中凹图案部分的放大截面图。
参考图1，当湿刻基板形成凹图案时，由于湿刻法各向异性的蚀刻特点而产生凹图案的两侧偏差(CD-bias)，由此增加了凹图案的宽度。即，凹图案宽度的增加是其深度增加的两倍。
这样，若所形成的凹图案具有较小的深度，则会减小凹图案的宽度以及抗蚀图案的厚度，从而导致抗蚀性能减弱。因此，当通过构图导电层形成互连时，则在实际上不可能以期望的图案形成该连接。
发明内容
本发明涉及一种印版，印版的制造方法以及使用印版制造平板显示器的方法，从而克服现有技术中诸多限制和缺陷所产生的问题。
本发明的目的是提供一种印版以及印版的制造方法，从而可形成具有高精度的精细图案。
本发明的另一个目的是提供一种使用具有高精度的精细图案来制造平板显示器的方法。
本发明的其它优点、目的以及特征将在后面的描述中得以阐明，通过以下描述，将使它们对于本领域普通技术人员在某种程度上显而易见，或者可通过实践本发明来认识它们。本发明的目的和其他优点可通过书面描述及其权利要求以及附图来实现和得到。
首先制备印版。印版包括具有凹图案的基板以及形成于具有凹图案的基板整个表面上的补偿层。
根据本发明的另一个方面，提供一种印版的制造方法。该方法包括制备基板和在该基板整个表面形成金属层。该方法还包括在金属层上形成抗蚀图案的步骤，其中抗蚀图案具有暴露出部分金属层的精细图案。然后湿刻暴露出的金属层并去除抗蚀图案以形成暴露出部分基板的金属层图案，然后湿刻暴露出的基板并去除金属层图案以形成凹图案。最后该方法还包括在形成有凹图案的基板整个表面形成补偿层的步骤。
根据本发明的另一个方面，提供一种平板显示器的制造方法。该方法包括制备基板和在该基板上沉积导电材料。该方法还包括对沉积的导电材料进行构图以形成栅极和栅线的步骤。下一步骤为在形成栅极和栅线的基板整个表面上形成栅绝缘层，然后在对应于栅极的栅绝缘层上形成有源层。该方法还包括在有源层上沉积导电材料，以及对沉积的导电材料进行构图以形成源/漏极和数据线，然后在形成有源极/漏极和数据线的基板的整个表面上形成钝化层，该钝化层具有暴露出部分漏极的接触孔。最后该方法还包括在该钝化层上沉积导电材料，以及对沉积的导电材料进行构图以形成像素电极，从而使得导电层电连接于该漏极，其中栅极、栅线、有源层、源/漏极、数据线、钝化层的接触孔以及像素电极其中至少之一是通过执行下述工序实现：使用在基板的整个表面形成有补偿层的印版来形成抗蚀图案，其中基板上形成有凹部分和凸部分，然后在该结构上进行蚀刻工序。
应该理解，上面的概括性描述和下面的详细描述都是示意性和解释性的，意欲对本发明的权利要求提供进一步的解释。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与说明书结合并构成说明书的一部分，所述附图表示本发明的实施方式并与说明书一起解释本发明的原理，在附图中：
图1所示出为在现有印版中形成凹图案的区域的放大截面图；
图2A至图2D所示为根据本发明实施方式的印版及其制造方法的截面图；
图3A至图3C所示为根据本发明实施方式的平板显示器的制造方法的截面图；以及
图4A至图4D所示为根据本发明实施方式的构图工序的截面图。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的优选实施方式，在附图中示出了其实施例。如可能，则在附图中将使用相同的附图标记表示相同或相似部件。
图2A至图2D示出了根据本发明实施方式的印版及其制造方法的截面图。
参照图2A，制备基板10。基板10由从包括玻璃、塑料和金属的组中选择的材料制成。金属层11沉积在基板10上。优选地金属层11中具有防止蚀刻的保护物质(resistance)。因为在形成凹图案中会使用金属层11作为掩模，其将在下面说明。
通过典型的方法在金属层11上形成抗蚀层，并且对抗蚀层进行曝光和显影以形成抗蚀图案12。由此，通过抗蚀图案暴露出金属层11的预定部分A。
如图2B所示，暴露出的金属层11随抗蚀图案12一起进行湿刻。然后，去除抗蚀图案12并形成金属层图案11’。
如图2C所示，使用金属层图案11’作为掩模，对基板10进行湿刻以形成凹图案P。由于湿刻的各向异性的蚀刻特点，凹图案P的两侧都被过蚀刻差不多凹图案P的深度(h)。由此，凹图案P的宽度增加并导致很难形成精细的互连。
如图2D所示，去除金属层图案(在图2C中标记为11’)。然后，在包括凹图案P的基板10’的整个表面上形成补偿层20。以这种方式，仅能够补偿凹图案P的宽度而不能改变凹图案P的形状。
补偿层20通过化学气相沉积(CVD)工序或者溅射工序来形成。CVD工序的实施例包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)以及，等离子增强CVD(PECVD)。
优选的，使用基于无机的材料来形成补偿层20。无机基材料的实施例包括硅的氮化物、硅的氧化物、硅(Si)、铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)或者铜(Cu)。
优选地，以小于凹图案P的深度的厚度来形成补偿层20。这是因为，以差不多凹图案P的深度(h)来增加所需要的凹图案P的宽度，更优选的是，补偿层20的厚度符合如下公式(1)：
d < 2 h + w - 3 2 - - - ( 1 )
其中，d、h和w分别表示补偿层的厚度，凹图案P的深度以及凹图案P所需要的宽度。
这样，凹图案P的宽度补偿有两倍的补偿层20的厚度，并由此可获得具有精细图案的印版。
下面将说明使用该印版制造平板显示器的方法。
图3A至图3C示出了根据本发明另一实施方式的平板显示器的制造方法的截面图。
如图3A所示，制备基板100。基板100可以是塑料基板、玻璃基板以及金属基板其中之一，但在本发明中不限于此。通过为栅极沉积导电材料而形成导电层。然后，在导电层上进行第一构图工序以形成栅极110和栅线(图中未示出)。
如图3B所示，在形成有栅极110和栅线的基板的整个表面形成栅绝缘层120。栅绝缘层120可由硅的氮化物、硅的氧化物或者层叠的层形成。栅绝缘层120可通过CVD工序或者溅射工序来形成。
然后，对应于栅极100，在栅绝缘层120上顺序层迭沟道层131和欧姆接触层132。沟道层131可由非晶硅形成，欧姆接触层132可由掺加有N型或P型杂质的非晶硅形成。
通过在沟道层131和欧姆接触层132层叠成的层上沉积用于源/漏极的导电材料形成导电层。然后，在导电层上进行第二构图工序以形成源/漏极140a和140b以及数据线(图中未示出)。使用源/漏极140a和140b作为掩模，对沟道层131和欧姆接触层132进行构图以形成有源层130。
在另一形成有源层130和源/漏极140a和140b的方法中，通过构图沟道层131和欧姆接触层132形成有源层130，通过在有源层130上沉积用于源/漏极导电材料形成导电层，并对源/漏极140a和140b以及数据线进行第三构图工序。
如图3C所示，在形成有源/漏极140a和140b以及数据线的基板的整个表面上形成钝化层150。然后，进行第四构图工序从而对钝化层150的预定部分进行蚀刻以形成暴露出部分漏极140b的接触孔。钝化层150可由硅的氮化物、硅的氧化物、丙烯基化合物、苯并环丁烯(BCB)或者全氟环丁烷(PFCB)形成。
在钝化层150上沉积用于像素电极的导电层，从而使导电层电连接漏极140b。然后，进行第五构图工序以形成像素电极160。像素电极可由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。
在上述第一至第五构图工序其中之一中，使用本发明的印版形成抗蚀图案并对所得到的结构进行蚀刻。
接下来参考图4A至4D说明使用本发明印版的构图工序。
如图4A所示，制备印版200。印版200包括基板210和补偿层220。基板210具有凹图案P，且在基板210的整个表面形成补偿层220。补偿层220可由无机材料形成。补偿层220用于补偿凹图案P的宽度以形成精细图案。
同时，制备转印滚筒300。使用通常的涂敷方法将抗蚀层310涂敷在转印滚筒300的表面上。该通常的涂敷方法可以是旋转涂敷、浸沾涂敷、喷射涂敷以及刮墨刀其中之一，但本发明不限于此。
如图4B所示，在转印滚筒300表面上形成的抗蚀层310被转印到印版200上以在转印滚筒300上形成抗蚀图案310’。即，通过在印版200的表面旋转转印滚筒300以将抗蚀图案转印到印版200的凸出部分。这样，在转印滚筒300的表面形成具有凹图案P的抗蚀图案310’。
如图4C所示，制备具有导电层410的基板400。通过在导电层410上旋转具有抗蚀图案310’的转印滚筒300，抗蚀图案310’被转印到导电层410上。通过这种方法，可在导电层410上精确地形成抗蚀图案310’。
虽然在此将使用印版的反转平版印刷方法作为形成抗蚀图案的方法，但本发明并不限于该反转平版印刷方法。也就是说，也可使用其他的使用印版的平版印刷方法。
如图4D所示，通过湿刻或干刻对导电层410中没有形成抗蚀图案310’的部分进行构图。然后，去除抗蚀图案310’以形成导电图案410’。
虽然未示出，但可通过常用的方法来制造平板显示器。
例如，在平板显示器是液晶显示器的情况下，将形成有滤色片和透明电极的顶部基板与形成有薄膜晶体管(TFT)的底部基板粘接在一起然后注入液晶。
同样，在平板显示器是有机电致发光显示器的情况下，在像素电极上形成具有发射层的有机层以及在有机层上形成相对电极。有机层还包括电荷传输层或者电荷注入层。
根据本发明，由于使用凹部分通过补偿层进行补偿后的印版进行构图工序，可以形成更加精细的互连。
另外，由于可轻松地形成精细且准确的互连，因此可容易地制造包括复杂电路的平板显示器。
很明显，本领域技术人员可在不背离本发明精神或范围的基础上对本发明做出修改和变化。因此，本发明意欲覆盖落入本发明权利要求及其等效范围内的各种修改和变化。

Claims (23)

1、一种印版，包括：
具有凹图案的基板；以及
位于所述具有凹图案的基板表面的补偿层。
2、根据权利要求1所述的印版，其特征在于，所述补偿层位于所述具有凹图案的基板的整个表面上。
3、根据权利要求1所述的印版，其特征在于，所述基板由选自玻璃、塑料和金属的材料制成。
4、根据权利要求1所述的印版，其特征在于，所述补偿层由无机材料形成。
5、根据权利要求4所述的印版，其特征在于，所述无机材料选自：硅的氮化物、硅的氧化物、硅、铬、钼、铝以及铜。
6、根据权利要求1所述的印版，其特征在于，所述补偿层的厚度符合如下公式
d < 2 h + w - 3 2
其中，d、h和w分别表示所述补偿层的厚度、所述凹图案的深度以及所述凹图案所需要的宽度。
7、根据权利要求1所述的印版，其特征在于，所述补偿层是通过溅射工序或者化学气相沉积工序形成的。
8、一种印版的制造方法，包括：
制备基板；
在所述基板的表面上形成金属层；
在所述金属层的表面形成抗蚀图案，所述抗蚀图案具有暴露出部分所述金属层的精细图案；
湿刻通过所述抗蚀图案上精确图案所暴露出的所述部分金属层；
去除所述抗蚀图案以形成暴露出部分所述基板的金属层图案；
湿刻通过所述金属层图案暴露出的所述部分基板；
去除所述金属层图案以形成凹图案；以及
在形成有所述凹图案的基板表面上形成补偿层。
9、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述补偿层位于形成有所述凹图案的基板的整个表面上。
10、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述补偿层是通过溅射工序或者化学气相沉积工序形成的。
11、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述基板由选自玻璃、塑料和金属的材料制成。
12、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述补偿层由无机材料形成。
13、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述补偿层由选自硅的氮化物、硅的氧化物、硅、铬、钼、铝以及铜的材料制成。
14、根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述补偿层的厚度符合如下公式
d < 2 h + w - 3 2
其中，d、h和w分别表示所述补偿层的厚度、所述凹图案的深度以及所述凹图案所需要的宽度。
15、一种制造平板显示器的方法，包括：
制备基板；
在所述基板上沉积第一导电材料；
对沉积在所述基板上的所述第一导电材料进行构图以形成栅极和栅线；
在形成有所述栅极和所述栅线的所述基板表面上形成栅绝缘层；
在对应于所述栅极的所述栅绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上沉积第二导电材料；
对沉积在所述有源层上的所述第二导电材料进行构图以形成源/漏极和数据线；
在形成有所述源/漏极和数据线的基板表面上形成钝化层，所述钝化层具有用于暴露出部分所述漏极的接触孔；
在所述钝化层上沉积第三导电材料；
对沉积在所述钝化层上的所述第三导电材料进行构图以形成像素电极以使得所述第三导电材料电连接于所述漏极；
通过使用在底基板的表面具有补偿层的印版形成抗蚀图案以形成栅极、栅线、有源层、源/漏极、数据线、钝化层的接触孔或者像素电极其中之一，并对所得到的结构进行蚀刻，其中所述底基板上形成有凹部分和凸部分。
16、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述补偿层位于所述具有凹部分的底基板的整个表面上。
17、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述形成抗蚀图案的步骤包括：
制备具有凹部分的印版并在所述具有凹部分的印版表面上形成补偿层；
制备涂敷有抗蚀层的转印滚筒；
通过将所述抗蚀层的预定部分转印到所述印版上在所述转印滚筒表面形成第二抗蚀图案；
制备具有导电层的基板；以及
通过将所述转印滚筒表面的所述第二抗蚀图案转印到所述导电层上在所述导电层上形成所述抗蚀图案。
18、根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述转印滚筒表面的所述第二抗蚀图案是通过旋转涂敷、浸沾涂敷、喷射涂敷以及刮墨刀其中之一形成的。
19、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述基板由选自玻璃、塑料和金属的材料制成。
20、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述补偿层由无机材料形成。
21、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述补偿层由选自硅的氮化物、硅的氧化物、硅、铬、钼、铝以及铜的材料制成。
22、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述平板显示器包括液晶显示器和有机电致发光显示器。
23、根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述基板表面的所述钝化层由选自硅的氮化物、硅的氧化物、丙烯基化合物、苯并环丁烯或者全氟环丁烷的材料制成。
CNB2006100784194A 2005-08-31 2006-05-26 印版,印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法 Expired - Fee Related CN100506555C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050080558A KR101309454B1 (ko) 2005-08-31 2005-08-31 인쇄판, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치의제조 방법
KR1020050080558 2005-08-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1923532A true CN1923532A (zh) 2007-03-07
CN100506555C CN100506555C (zh) 2009-07-01

Family

ID=37804634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2006100784194A Expired - Fee Related CN100506555C (zh) 2005-08-31 2006-05-26 印版,印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7781156B2 (zh)
JP (1) JP4542524B2 (zh)
KR (1) KR101309454B1 (zh)
CN (1) CN100506555C (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8012652B2 (en) 2007-04-26 2011-09-06 Lg Display Co., Ltd. Method of forming a thin film pattern and method of fabricating a liquid crystal display device
CN102114738B (zh) * 2009-12-30 2012-08-08 中国印钞造币总公司 一种双涂层激光数码印刷版及其制版方法
CN103534094A (zh) * 2011-04-18 2014-01-22 卡巴-诺塔赛斯有限公司 凹版印刷板、其制造方法以及其用途
CN104786630A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种凹印版、其制作方法及应用

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101287385B1 (ko) * 2007-01-31 2013-07-18 엘지디스플레이 주식회사 레지스트 인쇄패턴 장치 및 레지스트 인쇄패턴 장치용클리체 형성방법
KR101300033B1 (ko) * 2007-02-14 2013-08-29 엘지디스플레이 주식회사 레지스트 패턴 인쇄장치 및 레지스트 인쇄패턴 장치용클리체 형성방법
KR100871552B1 (ko) 2007-03-14 2008-12-01 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서의 제조방법
US20090084279A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Toppan Printing Co., Ltd. Relief printing plate and printed matter
KR101238093B1 (ko) * 2010-11-29 2013-02-27 노바테크인더스트리 주식회사 고효율 광 추출이 가능한 유리기판 및 그의 제조방법
KR101144610B1 (ko) * 2011-08-02 2012-05-11 한국기계연구원 투명 전극의 전도성 메쉬 매설 방법
KR101726641B1 (ko) 2011-08-03 2017-04-26 엘지디스플레이 주식회사 인쇄판의 제조 방법
DE102012013302A1 (de) * 2011-08-11 2013-02-14 Heidelberger Druckmaschinen Ag Druckform
CN104669772A (zh) * 2015-03-19 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 一种印刷凸版
KR101750361B1 (ko) * 2015-09-17 2017-06-23 한국기계연구원 미세패턴을 갖는 제판 제작방법
CN114734717B (zh) * 2022-04-06 2023-07-14 深圳市先地图像科技有限公司 一种tiff图像曝光方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443840B1 (ko) * 1998-09-01 2005-01-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의제조방법
KR100586245B1 (ko) * 1998-09-11 2006-10-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 제조 방법
KR100439345B1 (ko) 2000-10-31 2004-07-07 피티플러스(주) 폴리실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 및 제조 방법
JP2002270377A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Seiko Epson Corp 発光パネル及び電子機器
JP4335067B2 (ja) 2001-07-13 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置
KR100825315B1 (ko) * 2001-12-29 2008-04-28 엘지디스플레이 주식회사 잉크인쇄용 클리체 및 그 제조방법
KR101007686B1 (ko) * 2003-12-11 2011-01-13 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널의 제조방법
KR100976343B1 (ko) * 2003-12-24 2010-08-16 엘지디스플레이 주식회사 인쇄판 제조방법 및 액정표시장치 제조방법
JP2005209756A (ja) 2004-01-21 2005-08-04 Sony Corp 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置
KR100560792B1 (ko) * 2004-03-23 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 전면 발광 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의제조방법
US20060057478A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Panel for display device and manufacturing method thereof
KR20060118993A (ko) * 2005-05-18 2006-11-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8012652B2 (en) 2007-04-26 2011-09-06 Lg Display Co., Ltd. Method of forming a thin film pattern and method of fabricating a liquid crystal display device
CN101295132B (zh) * 2007-04-26 2012-07-11 乐金显示有限公司 用于制备薄膜图案的装置和方法以及用其制备液晶显示器件的方法
CN102114738B (zh) * 2009-12-30 2012-08-08 中国印钞造币总公司 一种双涂层激光数码印刷版及其制版方法
CN103534094A (zh) * 2011-04-18 2014-01-22 卡巴-诺塔赛斯有限公司 凹版印刷板、其制造方法以及其用途
CN104786630A (zh) * 2014-01-20 2015-07-22 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种凹印版、其制作方法及应用

Also Published As

Publication number Publication date
KR101309454B1 (ko) 2013-09-23
CN100506555C (zh) 2009-07-01
US20070048667A1 (en) 2007-03-01
JP2007062358A (ja) 2007-03-15
US7781156B2 (en) 2010-08-24
KR20070024920A (ko) 2007-03-08
JP4542524B2 (ja) 2010-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1923532A (zh) 印版,印版的制造方法及使用印版制造平板显示器的方法
CN102629046B (zh) 阵列基板及其制造方法、液晶显示器件
CN100336168C (zh) 制造薄膜晶体管阵列基板的方法
CN100449388C (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1287194C (zh) 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法
CN1309034C (zh) 底栅控制型多晶硅薄膜晶体管的制造方法
CN1743930A (zh) 制造有机薄膜晶体管的方法和用其制造液晶显示器件的方法
CN1504819A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN101059631A (zh) 使用有机半导体材料的液晶显示器阵列基板及其制造方法
CN1794048A (zh) 液晶显示面板及其制造方法
CN1866091A (zh) 液晶显示装置的阵列面板及其制造方法
CN1932622A (zh) 透反射式液晶显示器件及其制造方法
JP3830916B2 (ja) 液晶表示素子の製造方法
CN1605918A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US11349108B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel
CN1752825A (zh) 采用小分子有机半导体材料的液晶显示器件及其制造方法
KR20090088575A (ko) 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
CN1888961A (zh) 液晶显示器件及其制造方法
CN1614490A (zh) 使用水平电场型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1267837A (zh) 有源元件阵列衬底的制造工艺
CN1595241A (zh) 液晶显示器图案形成方法及制造tft阵列基板的方法
CN101738864B (zh) 抗蚀墨及使用该抗蚀墨形成图案的方法
CN1652296A (zh) 一种像素结构与薄膜晶体管及其制造方法
CN100342279C (zh) 用于液晶显示器件的基板及其制造方法
CN1832149A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090701

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee