CN101738864B - 抗蚀墨及使用该抗蚀墨形成图案的方法 - Google Patents

抗蚀墨及使用该抗蚀墨形成图案的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种抗蚀墨和使用该抗蚀墨形成图案的方法，所述抗蚀墨具有优异的耐酸性和偶联性，由70重量％以下的溶剂、10重量％～15重量％的基础聚合物、10重量％～15重量％的增粘剂、3重量％以下的添加剂和1重量％～10重量％的偶联剂构成。

Description

抗蚀墨及使用该抗蚀墨形成图案的方法
技术领域
本发明涉及抗蚀墨和图案形成方法，特别是，涉及因添加了硅烷偶联剂而具有增强的耐酸性并可防止因残留物熔析所造成的缺陷的抗蚀墨，和使用该抗蚀墨的图案形成方法。
背景技术
显示器件，例如液晶显示(LCD)器件等平板显示器件通过在各像素处采用有源器件(例如薄膜晶体管)而被驱动。这种类型的显示器件驱动方法通常被称作有源矩阵驱动法。有源矩阵驱动法的实施使得有源器件被设置于以矩阵构造排列的各像素处，由此驱动相应的像素。
图1显示的是有源矩阵型LCD器件。具有图1所示的结构的LCD器件是使用薄膜晶体管(TFT)作为有源器件的薄膜晶体管LCD器件。参考图1，TFT位于在垂直和水平方向上设置有N×M个像素的LCD器件的各像素中。各TFT形成于栅线4与数据线6之间的交点处，外部驱动电路对栅线4施加扫描信号，并由其对数据线6施加图像信号。TFT设置有连接于栅线4的栅极3、形成于栅极3上并响应施加于栅极3的扫描信号而激活的半导体层8，和形成于半导体层8上的源/漏极5。像素1的显示区域设置有像素电极10，所述像素电极10与源/漏极5相连，由此可响应半导体层8的激活，通过源/漏极5对像素电极10施加图像信号，从而操作液晶(未示出)。
图2显示的是位于各像素中的TFT的结构。如图2所示，TFT包括由诸如玻璃等透明绝缘材料形成的基板20、形成于基板20上的栅极3、位于栅极3上层压于整个基板20上方的栅绝缘层22、形成于栅绝缘层22上并可被施加于栅极3上的信号激活的半导体层6、形成于半导体层6上的源/漏极5，和形成于源/漏电极5上的用于保护器件的钝化层25。
TFT的源/漏极5电连接于形成于各像素中的像素电极。因此，当通过源/漏极5对像素电极施加信号时，液晶被驱动，从而显示图像。
如上所述，诸如LCD器件等有源矩阵型显示器件具有尺寸均为数十纳米的像素。因此，设置于像素中的TFT等有源器件应精密地形成为数纳米的尺寸。特别是，诸如高清电视(HDTV)等高清显示器件需要在同样大小的屏幕中设置更多的像素，随着这一需求的增加，设置于各像素中的有源器件图案(包括栅线图案和数据线图案)也因此必须更加精密地形成。
同时，在相关技术中为制造诸如TFT等有源器件，有源器件的图案或线路通过使用曝光系统的光刻法来形成。然而，相关技术的图案形成必须采用光刻法，所述光刻法在将光刻胶层压至拟图案化的层上之后通过曝光工序来进行。此处，因为曝光系统具有有限的曝光面积，所以为制造大型显示器件，应该通过分割屏幕来执行光刻法。因此，在对分割区执行光刻工序时，曝光区的精确的位置对齐很难实现，此外还应该多次重复光刻，导致生产率降低。
为避免这些问题，最近提出了这样的印刷方法，其中，通过以下方法形成抗蚀图案：使用辊将抗蚀墨直接印刷在诸如金属等蚀刻目标层上，然后在使用抗蚀图案遮掩下方的蚀刻目标层的状态下，使用蚀刻液来蚀刻该蚀刻目标层。
该印刷方法的实现使得，所需形式(即，根据图案形状的形式)的抗蚀墨形成于印刷辊上，然后该印刷辊在基板上滚动以将抗蚀墨转印于其上，由此形成抗蚀图案。然而，通过相关技术的印刷方法进行的蚀刻具有以下问题。
通常，由于图案是通过曝光工序形成的，因此在加入光引发剂的情况下进行光照射时光刻胶会发生光致交联，而该印刷方法却通过烘焙工序而非光致交联来获得交联。然而，在烘焙工序中，若在烘焙后有部分组分保持原样而未发生交联，则当加入蚀刻液时，残留物会熔析，由此导致诸如在抗蚀墨中产生针孔等损坏。对于抗蚀墨的损坏可能导致在蚀刻该蚀刻目标层时出现缺陷。此外，在湿法蚀刻过程中，抗蚀墨可因残留物而剥离，由此使金属层暴露。因此，蚀刻液甚至会蚀刻暴露的金属层。结果，图案的宽度可能会成问题，即，比预设宽度窄，甚至可能在图案中出现短路。
发明内容
因此，为避免上述问题，本发明的一个目的是提供如下抗蚀墨，所述抗蚀墨因添加了硅烷偶联剂而具有增强的耐酸性，并可防止因针孔等而造成的缺陷。
本发明的另一目的是提供通过使用上述制造的抗蚀墨来形成图案的方法。
为实现本发明的这些目的，抗蚀墨可以由以下组分构成：70重量％以下的溶剂、10重量％～15重量％的基础聚合物、10重量％～15重量％的增粘剂、3重量％以下的添加剂和1重量％～10重量％的偶联剂。
溶剂可由诸如乙醇或甲醇等载体溶剂和诸如乙氧基丙醇等印刷溶剂构成。偶联剂可以是以下物质之一：甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基-丙基三乙氧基硅烷、N-[2-乙烯基苄基氨基)乙基]-3-氨丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷，可根据溶剂对它们选择使用。
在本发明中，向抗蚀墨中加入硅烷偶联剂导致抗蚀墨与蚀刻目标层(例如基板或金属层)之间的交联的形成和增强的联结力，这防止了因未交联组分熔析而形成的针孔，并增强了抗蚀墨的耐酸性。因此，当通过使用抗蚀墨而形成图案时，可以避免因抗蚀墨损坏而造成的缺陷图案。
当联系附图时，通过对本发明的以下详细描述，本发明的前述和其它目的、特征、方面和优点将更加显而易见。
附图说明
包含于此的附图旨在提供对本发明的进一步理解，其被并入并构成了本说明书的一部分，附图说明本发明的实施方式，并与描述一起起到解释本发明的原理的作用。
附图中：
图1是显示典型的LCD器件的结构的平面图；
图2是显示图1的TFT的结构的横截面图；
图3A～图3E是显示本发明的图案形成方法的视图；
图4是显示本发明的可与硅烷偶联剂反应的抗蚀墨的反应的图；和
图5A～图5H是显示本发明的形成LCD器件的方法的视图。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本发明的抗蚀墨和使用该抗蚀墨的图案形成方法。
图3A～图3E显示的是本发明的LCD器件用图案形成方法。如图3A所示，在圆柱形辊131的表面上形成覆盖层132，并通过抗蚀墨进料器135在覆盖层132上涂布抗蚀墨膜133。
参考图3B，制备其表面上具有多个凸起图案130’的电铸板130。随着涂布有抗蚀墨膜133的辊131在接触的状态下于电铸板130的表面上滚动，与电铸板130接触的抗蚀墨被去除，从而在不与电铸板130的凸起图案130’接触的覆盖层132上形成抗蚀墨图案133a。此处，可以通过常规的光刻法形成具有凸起图案130’的电铸板130。即，制备由玻璃形成的基板。在整个基板上沉积金属层，然后进行图案化，由此形成金属图案。然后，通过使用金属图案作为掩模来蚀刻基板，由此在形成有金属图案的区域上形成凸起图案130’。此处，作为选择，也可以铺展(develope)金属图案。
随着涂布有抗蚀墨膜133的辊131在由此制得的电铸板130的表面上滚动，未与凸起图案130’接触的部分处的抗蚀墨膜133′作为抗蚀墨图案133a残留在覆盖层132的表面上。
参考图3C，蚀刻目标层160a形成于基板150上。蚀刻目标层160a可以是金属层、半导体层或绝缘层。对于金属层而言，可以通过溅射将金属堆叠在基板150上。对于半导体层而言，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将诸如Si等非晶半导体或结晶半导体堆叠在基板150上。此外，对于绝缘层而言，可以通过CVD法将无机材料堆叠在基板150上，或者通过旋涂等将有机材料涂布在基板150上。
当其上残留有抗蚀墨图案133a的辊131以与蚀刻目标层160a接触的状态在基板150上滚动时，残留于辊131上的抗蚀墨图案133a被转印至蚀刻目标层160a的表面上。若在约150℃的温度将被转印至蚀刻目标层160a上的抗蚀墨图案133a加热约3分钟以进行烘焙，则在蚀刻目标层160a上形成抗蚀墨图案138。
接下来，参考图3D，在由抗蚀图案138局部阻挡蚀刻目标层160a的状态下，在蚀刻目标层160a上施用蚀刻液，从而对蚀刻目标层160a进行蚀刻，由此在抗蚀墨图案138下面形成图案160。此处，如果蚀刻目标层160a是金属层，则可施用诸如HF等酸蚀刻液，以对蚀刻目标层160a进行蚀刻。如果蚀刻目标层160a是半导体层或绝缘层，则可施用蚀刻气体，以对蚀刻目标层160a进行蚀刻。接下来，参考图3E，去除抗蚀图案138，从而在基板150上形成图案160。
在本发明的图案形成方法中，使用不同于常规抗蚀墨的抗蚀墨来防止在蚀刻时出于以下原因而出现缺陷图案160：在抗蚀墨中产生针孔等，或抗蚀墨剥落。即，本发明向抗蚀墨中加入偶联剂并使抗蚀墨交联，结果可防止抗蚀图案因蚀刻液的作用而损坏。
偶联剂是在两种不相容的材料之间发挥作用从而在这两种材料之间形成交联由此改进二者之间的粘合性或结合亲合力的材料。本发明可向抗蚀墨中加入偶联剂以防止抗蚀墨的部分组分残留而不发生交联。
尤其是，本发明使用硅烷偶联剂、诸如钛酸酯、有机铬络合物和铝酸酯等金属偶联剂和磷酸酯偶联剂等，更特别的是，最常使用硅烷偶联剂。此处，抗蚀墨的主要材料是甲醇。由于硅烷偶联剂表现出与甲醇的最高的反应性，因此在本发明中使用硅烷偶联剂。此外，在使用硅烷偶联剂时，抗蚀墨的耐酸性得到增强。因此，通常使用硅烷偶联剂。然而，本发明中所使用的偶联剂不限于硅烷偶联剂。可以根据抗蚀墨的材料等，使用任何其它偶联剂以及金属偶联剂或磷酸酯偶联剂。
因此，以下描述将通过示例性地使用硅烷偶联剂而给出，但硅烷偶联剂具有示例性，用于说明清楚的目的，并不限制本发明。
向抗蚀墨中加入偶联剂可提高诸如Al、AlNd或Mo等金属层的表面与由抗蚀墨构成的有机绝缘层的表面之间的粘合(联结)力。本发明使用沸点高于200℃的低分子材料作为硅烷偶联剂。此处，所加入的偶联剂的类型可取决于抗蚀墨中所含有的溶剂的种类。
对于使用醇溶剂而言，可使用诸如甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基-丙基三乙氧基硅烷或N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂。对于使用热固性溶剂而言，可使用诸如N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂。
此外，对于使用烷基溶剂作为热塑性溶剂而言，可使用诸如N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂。对于使用苯基溶剂而言，可使用诸如N-[2-乙烯基苄基氨基)-乙基]-3-氨丙基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂。对于使用不饱和溶剂而言，可使用诸如3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂。对于使用胺敏感性溶剂而言，可使用诸如3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷等硅烷偶联剂。
当将这样的硅烷偶联剂偶联至抗蚀墨时，抗蚀墨发生交联，并且抗蚀墨与基板或金属层之间的联结力也得到增强。下面将参考图4描述由此增强的联结力。此处，可以使用各种类型的偶联剂作为偶联剂；下文中，将示例性地描述硅烷偶联剂。其它类型的偶联剂也可以通过与硅烷偶联剂相似的反应来增强抗蚀墨的联结力。
参考图4，如果对一侧末端为有机官能团R而另一侧末端为甲氧基(也可以是乙氧基)的硅烷偶联剂施加水，则该硅烷偶联剂被水解为RSi(OH)3和甲醇(3CH3OH)。使水解的RSi(OH)3进行缩合反应，从而将水脱除，结果氧分子和Si分子之间发生偶联(Si-O-Si)。此处，OH-基被偶联至Si分子上，然后OH-基被氢键结合至基板的OH-基上。
再参考图3C，在约150℃的温度将已转印至蚀刻目标层160a上的抗蚀墨图案138烘焙约3分钟。烘焙工序加热氢键结合的分子，使得氢键结合的分子脱水。因此，Si偶联于基板或金属层的O，有机官能团R因此而偶联于基板或金属层。换言之，硅烷偶联剂使有机官能团通过硅烷交联(Si-O-Si)而偶联并且使有机官能团牢固地偶联于基板或金属层的表面。
如上所述，本发明通过向抗蚀墨中加入偶联剂而在抗蚀墨中形成交联。下面将描述抗蚀墨的具体组分。
本发明的抗蚀墨通过在溶剂中混合以下组分而构成：诸如树脂等基础聚合物、用于提高抗蚀墨的印刷性能的增粘剂、诸如表面活性剂或染料等添加剂和诸如硅烷偶联剂等偶联剂等等。
此处，溶剂可以是沸点低于80℃的低沸点醇溶剂之一，如乙醇或甲醇；或者烷基溶剂、苯基溶剂、不饱和溶剂或胺敏感性溶剂等。
此处，可使用醇溶剂、烷基溶剂、苯基溶剂、不饱和溶剂或胺敏感性溶剂等作为抗蚀墨的载体溶剂，并且可使用乙氧基丙醇作为抗蚀墨的印刷溶剂。
由此，两种类型的溶剂，即，载体溶剂和印刷溶剂，可在以下方面用作溶剂。如图3B和图3C所示，在将抗蚀墨133’由辊131部分转印至电铸板130之后，残留的抗蚀墨图案133a被转印至基板150的蚀刻目标层160a上。因此，对于将抗蚀墨133转印至电铸板130和转印至蚀刻目标层160a中的每一转印，都应为实现平稳的转印而选择适当的溶剂。本发明使用通过以下方法制备的溶剂：以约为9∶1的比例，混合作为低沸点溶剂的乙醇或甲醇和作为高沸点溶剂的乙氧基丙醇，这使抗蚀墨133可以平稳地转印至电铸板130和蚀刻目标层160a上。
本发明可通过混合以下物质制造抗蚀墨：70重量％的溶剂(其中载体溶剂与印刷溶剂以9∶1的比例混合)、10重量％～15重量％的诸如树脂等基础聚合物、10重量％～15重量％的增粘剂、3重量％以下的添加剂和1重量％～10重量％的硅烷偶联剂。
此处，载体溶剂可以是选自诸如乙醇或甲醇等醇、硅烷溶剂、苯基溶剂、不饱和溶剂和胺敏感性溶剂中的一种溶剂。
此外，硅烷偶联剂可以是选自甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基-丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-[2(乙烯基苄基氨基)-乙基]-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷中的一种硅烷偶联剂。
特别是，在对抗蚀墨使用乙醇溶剂时，可以使用甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷或N-(2-氨乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷；在对抗蚀墨使用甲醇溶剂时，可以使用γ-巯基-丙基三乙氧基硅烷。此外，在对抗蚀墨使用热固性溶剂时，可以使用N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。
另外，在使用烷基溶剂作为热塑性溶剂时，可以使用N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷；在使用苯基溶剂时，可以使用N-[2(乙烯基苄基氨基)-乙基]-3-氨丙基三甲氧基硅烷。在使用不饱和溶剂时，可以使用3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷；在使用胺敏感性溶剂时，可以使用3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷。
由此，本发明添加诸如硅烷偶联剂等偶联剂以使抗蚀墨发生交联，从而增强了抗蚀墨与蚀刻目标层之间的偶联，结果防止了在湿法蚀刻中因抗蚀墨的未交联组分的熔析所导致的缺陷的出现，并获得了强耐酸性。
由此制造的本发明的抗蚀图案不局限于仅应用于如图3A～图3E所示的印刷方法。
例如，也可应用于另一方法，在该方法中，制备了具有均填充有抗蚀墨的凹槽的转印辊，并使该转印辊与印刷辊相接触，在此状态下，旋转(滚动)该转印辊和印刷辊，以将抗蚀墨转印至印刷辊上，然后在与基板上的蚀刻目标层相接触的状态下旋转印刷辊，以将抗蚀墨再转印至蚀刻目标层，由此形成抗蚀剂图案。
作为另一种选择，另一方法也可应用，在该方法中，在制备具有凹槽的电铸板并在各凹槽中填充抗蚀墨之后，以与电铸板接触的状态旋转辊，以将填充在各凹槽中的抗蚀墨转印至辊的表面，然后在与基板的表面接触的状态下旋转辊，以将转印至辊的表面上的抗蚀墨再转印至蚀刻目标层的表面上，由此形成抗蚀图案。
因此，本发明所制造的抗蚀墨不局限于特定方法，而是可应用于任何制造方法，只要所述方法能够通过使用辊或电铸板来转印抗蚀墨从而形成滤色片即可。
下面将给出关于通过使用上述抗蚀墨和印刷方法来制造液晶显示(LCD)器件的方法的描述。
图5A～图5H是显示本发明的制造LCD器件的方法的视图。
首先，参考图5A，通过溅射，在由玻璃等透明材料制得的第一基板210上形成单层或双层的第一金属层211a，第一金属层211a由Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金和Cu合金形成。
通过混合由乙醇或甲醇和乙氧基丙醇构成的溶剂、诸如树脂等基础聚合物、增粘剂、添加剂和硅烷偶联剂来制备抗蚀墨，从而将其涂布在辊131上，如图3A和图3B所示。通过电铸板局部去除涂布的抗蚀墨，由此形成抗蚀图案。然后，在与第一金属层211a接触的状态下旋转辊131，以将抗蚀图案转印至第一金属层211a上，由此在第一金属层211a上形成第一抗蚀图案238a。
参考图5B，在通过使用第一抗蚀图案238a局部阻挡第一金属层211a的状态下，施用蚀刻液以蚀刻第一金属层211a，由此在基板210上形成栅极211。然后利用化学气相沉积(CVD)形成由诸如SiO2或SiN2等无机材料制得的栅绝缘层212。
然后，如图5C所示，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，使其上形成有栅极211的第一基板210整体沉积有非晶硅等，然后对其进行蚀刻，由此形成半导体层213。在整个第一基板210(其上形成有半导体层213)上形成单层或双层的第二金属层214，第二金属层214由Al、Mo、Cr、Cu、Al合金、Mo合金、Cr合金和Cu合金形成。将通过如图3A～图3C所示的印刷方法根据本发明制造的抗蚀墨转印至第二金属层214上，由此在第二金属层214上形成第二抗蚀图案238b。
此处，虽然未示出，但是也可以通过使用本发明的抗蚀墨来蚀刻半导体层213。即，在通过如图3A～图3C所示的印刷法在半导体层上形成抗蚀图案后，通过使用蚀刻气体来蚀刻半导体层，由此形成半导体层213。
参考图5D，然后通过使用第二抗蚀图案238b，以蚀刻液来蚀刻第二金属层214，从而在半导体层214上形成源极214a和漏极214b。之后，在整个第一基板210上形成被定义为无机绝缘层或有机绝缘层的钝化层215。然后蚀刻钝化层215以形成接触孔217，使漏极214b得到暴露。通过溅射，在钝化层215和接触孔217上堆叠诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导电性材料，由此形成第三金属层216a。此处，虽然未示出，但是也可以通过使用本发明的抗蚀墨来形成接触孔217。即，在通过使用如图3A～图3C所示的印刷法于钝化层215上形成抗蚀图案后，使用蚀刻气体蚀刻钝化层215，从而形成接触孔217。
然后，通过使用如图3A～图3C所示的印刷法，将本发明所制造的抗蚀墨转印至第三金属层216a上，由此在第三金属层216a上形成第三抗蚀图案238c。
参考图5E，通过使用第三抗蚀图案238c，以蚀刻液来蚀刻第三金属层216a，从而在钝化层215上形成电连接于漏极214b的像素电极216。
参考图5F，通过溅射，在由玻璃等透明材料制得的第二基板220上形成不透明的第四金属层222a，第四金属层222a被限定为单层的Cr或双层的Cr/CrO2。然后通过使用印刷法将本发明所制造的抗蚀墨转印至第四金属层222a上，由此在第四金属层222上形成第四抗蚀图案238d。
参考图5G，通过使用第四抗蚀图案238d来蚀刻第四金属层222a，从而形成黑色矩阵222。虽然未示出，但是黑色矩阵222通常可形成于非图像显示部分上，例如形成薄膜晶体管的部分或形成各种电极的部分。接下来，在第二基板220上形成滤色片层224，并在滤色片层224上形成由ITO或IZO制得的公共电极226。
然后，如图5H所示，在贴附第一基板210和第二基板220后，在第一基板210与第二基板220之间形成液晶层290，由此制造LCD器件。通常，在贴附两个基板210和220之后通过在第一基板210与第二基板220之间注入液晶来形成液晶层290。作为另一种选择，可以以下述方式形成液晶层：可将液晶配置于具有薄膜晶体管的第一基板或具有滤色片层224的第二基板220上，并对第一基板210和第二基板220施加压力，使得所配置的液晶能够均匀分布于整个基板210和220上。
如上所述，本发明制造了新型抗蚀墨，并使用其蚀刻诸如LCD器件的各种电极或黑色矩阵等金属层；然而，本发明不限于应用于制造LCD器件。例如，本发明的抗蚀墨可用于蚀刻半导体的金属层等。
上述实施方式和优点仅为示例性的，不应理解为是对本发明的限制。本教导可容易地应用于其它类型的装置。本描述旨在起说明性作用，不限制权利要求的范围。许多替代方案、修改和变化对于本领域技术人员而言是显而易见的。可以以各种方式组合此处所述的示例性实施方式的特征、结构、方法和其它特点，以获得其它和/或替代性的示例性实施方式。
因为本发明的特征可以以若干方式体现而不脱离其特点，所以还应理解，除非另有说明，否则上述实施方式不受以上描述的任何细节的限制，而应广泛地将它们理解为处于所附权利要求所定义的范围之内，因此，所有落在权利要求的界限和范围内的改变和修改，或者所述界限和范围的等同形式因此旨在为所附权利要求所涵盖。

Claims (15)

1.一种抗蚀墨，所述抗蚀墨包含：
70重量％以下的溶剂；
10重量％～15重量％的基础聚合物；
10重量％～15重量％的增粘剂；
3重量％以下的添加剂；和
1重量％～10重量％的偶联剂，
其中，对混合的材料加热，通过所述偶联剂在所述抗蚀墨中形成交联，其中，所述溶剂包含以9:1的比例混合的载体溶剂和印刷溶剂。
2.如权利要求1所述的抗蚀墨，所述溶剂包含载体溶剂和印刷溶剂，其中所述印刷溶剂的沸点高于所述载体溶剂的沸点。
3.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述添加剂包括表面活性剂和染料。
4.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述偶联剂具有等于或高于200℃的沸点。
5.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述偶联剂是选自由金属偶联剂和磷酸酯偶联剂组成的组中的一种偶联剂，所述金属偶联剂包括钛酸酯、有机铬络合物和铝酸酯。
6.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述载体溶剂为乙醇，所述偶联剂为甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷或N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。
7.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述载体溶剂为甲醇，所述偶联剂为γ-巯基-丙基三乙氧基硅烷。
8.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述溶剂是热固性的，所述偶联剂为N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。
9.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述溶剂为烷基溶剂，所述偶联剂为N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷。
10.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述溶剂为苯基溶剂，所述偶联剂为N-[2(乙烯基苄基氨基)-乙基]-3-氨丙基三甲氧基硅烷。
11.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述溶剂为不饱和溶剂，所述偶联剂为3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
12.如权利要求1所述的抗蚀墨，其中，所述溶剂为胺敏感性溶剂，所述偶联剂为3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷。
13.一种形成图案的方法，所述方法包括：
提供其上具有蚀刻目标层的基板；
制备由70重量％以下的溶剂、10重量％～15重量％的基础聚合物、10重量％～15重量％的增粘剂、3重量％以下的添加剂和1重量％～10重量％的偶联剂构成的抗蚀墨；
将所述抗蚀墨形成于辊上；
在与具有凸起图案的电铸板接触的状态下旋转具有所述抗蚀墨的所述辊，并从所述辊上去除与所述凸起图案接触的所述抗蚀墨，以在所述辊表面上形成抗蚀图案；
在所述基板上旋转所述辊，以将所述抗蚀图案转印至所述蚀刻目标层；
对经转印的所述抗蚀图案加热，以使所述抗蚀图案与所述蚀刻目标层偶联；和
通过使用所述抗蚀图案来蚀刻所述蚀刻目标层，
其中，所述抗蚀图案在加热时通过形成交联而经由所述偶联剂与所述蚀刻目标层偶联，
其中，所述溶剂包含以9:1的比例混合的载体溶剂和印刷溶剂。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述蚀刻目标层包括金属层、半导体层和绝缘层中的至少一种。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述偶联剂是选自由以下硅烷偶联剂组成的组中的一种硅烷偶联剂：甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基-丙基三乙氧基硅烷、N-[2(乙烯基苄基氨基)-乙基]-3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷。
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