TWI694605B - 元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備 - Google Patents

元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備 Download PDF

Info

Publication number
TWI694605B
TWI694605B TW107127224A TW107127224A TWI694605B TW I694605 B TWI694605 B TW I694605B TW 107127224 A TW107127224 A TW 107127224A TW 107127224 A TW107127224 A TW 107127224A TW I694605 B TWI694605 B TW I694605B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
roller
adhesive layer
micro
substrate
item
Prior art date
Application number
TW107127224A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201911560A (zh
Inventor
李侃峰
潘益宗
Original Assignee
財團法人工業技術研究院
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 財團法人工業技術研究院 filed Critical 財團法人工業技術研究院
Publication of TW201911560A publication Critical patent/TW201911560A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI694605B publication Critical patent/TWI694605B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773—Conveying cassettes, containers or carriers
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F16/00—Transfer printing apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/14—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of indefinite length
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00—General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/90—Measuring or controlling the joining process
    • B29C66/92—Measuring or controlling the joining process by measuring or controlling the pressure, the force, the mechanical power or the displacement of the joining tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B44—DECORATIVE ARTS
    • B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
    • B44C3/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing ornamental structures
    • B44C3/005—Removing selectively parts of at least the upper layer of a multi-layer article
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

一種元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備，所述方法包括提供具有多個微型元件的第一基板，且微型元件沿第一與第二方向的間距都是預定值，然後藉由第一滾筒接觸第一基板上的微型元件，將其轉移至第一滾筒，其中第一滾筒上的接觸線部之間距為N倍的預定值。然後，轉移第一滾筒上的微型元件至第二基板，再旋轉第二基板九十度。之後，藉由滾動第二滾筒接觸第二基板上的微型元件，將其轉移至第二滾筒，再轉移至第三基板，以使微型元件於第一與第二方向都擴距。上述與微型元件接觸的部分都具有黏度操作範圍不同的黏著層。

Description

元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備
本發明是有關於一種圖案擴距轉移的技術，且特別是有關於一種元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備。
微發光二極體（micro LED）顯示器是次世代顯示技術中最受注目的技術之一，尤其以手持式裝置顯示器、電視牆大尺寸室內顯示器、AR/VR顯示裝置等應用最具潛力。
然而，微發光二極體顯示器的製程仍有待發展，以便因應大量生產。舉例來說，微發光二極體顯示器的微型元件(R/G/B)厚度薄且間距（pitch）小，所以無法採用傳統逐顆接合方式。而且，組裝微型元件的製程除了位置精度需求也需符合速度目標，但目前量產上的限制在於尚無完美的解決方案可快速且大量地進行元件擴距與取放動作。即使已有發展出靜電取放方式的技術，但是這樣的技術需要複雜且快速的精密機構，整體量產成本無法符合市場預期。
本發明提供一種元件擴距轉移方法，能快速且大量地進行元件擴距與取放動作。
本發明提供一種元件擴距轉移設備，能以簡單且低成本的方式用於元件擴距轉移。
本發明的元件擴距轉移方法，包括提供具有多個微型元件的第一基板，且所述第一基板上的微型元件沿第一方向與第二方向上的間距都是預定值，其中所述第一基板與所述多個微型元件之間有第一黏著層。然後藉由滾動第一滾筒接觸第一基板上的微型元件，轉移微型元件至第一滾筒，其中第一滾筒具有多個接觸線部，且接觸線部之間距為N倍的所述預定值，所述多個接觸線部的表面具有第二黏著層。然後，轉移所述第一滾筒上的微型元件至第二基板，其中所述第二基板表面具有第三黏著層。旋轉所述第二基板九十度。之後，藉由滾動第二滾筒接觸第二基板上的微型元件，轉移微型元件至所述第二滾筒，其中所述第二滾筒表面具有第四黏著層。接著，轉移第二滾筒上的微型元件至第三基板，其中所述第三基板表面具有第五黏著層。
本發明的元件擴距轉移設備，是用以擴距轉移位於基板上的多個微型元件，其中所述微型元件沿第一方向與第二方向上的間距都是預定值。所述設備包括第一滾筒、暫時板、移動裝置與第二滾筒。第一滾筒具有多個接觸線部，且所述接觸線部之間距為N倍的所述預定值，用以滾動接觸基板上的微型元件，以將微型元件轉移至接觸線部。暫時板則用以承載自接觸線部轉移的微型元件，移動裝置是用以旋轉具有微型元件的暫時板九十度。第二滾筒是用以滾動接觸暫時板上的微型元件，使微型元件轉移至第二滾筒。
基於上述，本發明的方法採用兩道式滾筒轉移並以旋轉暫時板九十度的方式，能以簡單且低成本的方式，快速且大量地進行微型元件的擴距與轉移，因此適於量產。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
請參考以下實施例及隨附圖式，以便更充分地了解本發明，但是本發明仍可以藉由多種不同形式來實踐，且不應將其解釋為限於本文所述之實施例。而在圖式中，為求明確起見對於各構件以及其相對尺寸可能未按實際比例繪製。
圖1A至圖1F是依照本發明的第一實施例的一種元件擴距轉移的流程示意圖。
請參照圖1A，本實施例的元件擴距轉移方法可應用於多種不同的元件擴距製程中，譬如微發光二極體（micro LED）顯示器的微型元件(R/G/B)組裝製程，但本發明並不限於此；舉凡需要精準對位且快速進行大量元件擴距與取放動作的製程，均可利用本實施例所描述的方法。在本實施例中，先提供具有多個微型元件100的第一基板102，第一基板102材質例如為不易變形之無機材質，其目的在於減少環境溫度或濕度變異，造成第一基板102上的微型元件100位置變異，且第一基板102上的微型元件100沿第一方向上的間距（pitch）P2與沿第二方向上的間距P1都是一預定值。在本文中，所謂的「間距」是指沿單一方向上兩個彼此相鄰的微型元件100之中心點的距離。由於微型元件100之間一定有間隔，所以間距P1、P2一般略大於微型元件100的寬度W1。另外，若以微發光二極體顯示器的微型元件為例，提供上述微型元件100的方式例如：先於整片半導體基板上同時製作同一色彩的多個微型元件，再利用如雷射切割或乾式蝕刻的方式將這些微型元件分開，然後轉移至第一基板102上，且於轉移前先在第一基板102表面塗佈黏著層102a，以增加第一基板102與微型元件100之間的附著力，其中所述黏著層102a是一種感壓膠例如UV型解膠膜，因此可利用受光或熱刺激後會發生交聯反應或產生氣體，致使黏著力下降的一種感壓膠。舉例來說，UV型解膠膜於解膠前的黏著力大於解膠後的黏著力。
然後，請參照圖1B，藉由滾動第一滾筒104接觸第一基板102上的微型元件100，轉移微型元件100至第一滾筒104，其中第一滾筒104具有徑向排列於其上的接觸線部106，接觸線部表面塗佈黏著層106a，其中所述黏著層106a是一種感壓膠。在本實施例中，黏著層106a的附著力是大於受光或熱刺激後的黏著層102a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。舉例來說，黏著層106a可使用黏性操作範圍與黏著層102a不同的其他膠材，來黏取第一基板102上的微型元件100，譬如感壓膠（PSA），其黏著力介於UV型解膠膜照光前(轉移前)與照光後。在一實施例中，第一滾筒104的滾動速度匹配於第一基板102沿接觸線部106的延伸方向(即第一方向)運行的速度，以便進行量產。
此外，由於圖1B是沿第一方向的側視圖，所以僅顯示一個接觸線部106，且接觸線部106是一連續線。然而，若是沿第二方向的側視圖(請見圖2A)，就能觀察到多個接觸線部106，且接觸線部106之間距P3為N倍的P1，亦即N倍的所述預定值（N為大於或等於1的正實數）。而接觸線部106的寬度W2可等於或大於微型元件100的寬度W1，以增加接觸線部106黏取或吸附微型元件100的強度。另外，接觸線部106的高度H2例如是等於或大於微型元件100的高度H1，以增加接觸線部106黏取或吸附微型元件100時的操作良率。
上述第一滾筒104還可以有其他變形，例如圖2B所示的滾筒200，其中的接觸線部204是由多個第一凸部202所組成。第一凸部202之間距P5等於微型元件100之間距P2，即所述預定值。也就是說，當滾筒200沿第一方向滾動並接觸微型元件100，每個微型元件100會黏附於每個第一凸部202上。
在微型元件100被轉移至第一滾筒104(的接觸線部106)之後，請參照圖1C，轉移第一滾筒104的微型元件100至第二基板108（暫時板），第二基板108表面塗佈黏著層108a，其中所述黏著層108a是一種感壓膠，第二基板108材質例如選用與第一基板102的熱膨脹係數(CTE)匹配。在本實施例中，黏著層108a的附著力是大於黏著層106a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。舉例來說，黏著層108a可使用黏性操作範圍與黏著層106a不同的其他膠材，來黏取接觸線部106上的微型元件100，譬如UV型解膠膜，其未照UV光時具有較上述感壓膠大的黏著力。在圖1C中，轉移至第二基板108上的微型元件100沿第一方向的間距P2為預定值、沿第二方向的間距P3為P1的N倍，所以微型元件100在此階段已經於第二方向上完成擴距N倍的目標。
接著，利用一個移動裝置110旋轉第二基板108九十度，得到如圖1D所示的結果。上述移動裝置110並無特別限制，凡是能將第二基板108轉九十度的裝置都可應用於本發明，因此除了圖1C的板狀裝置，也可使用機械手臂、旋轉型機器人、直線型機器人或其組合的裝置來完成旋轉第二基板108九十度的操作。
然後，請參照圖1E，本實施例使用第二滾筒112再度滾動並接觸第二基板108上的微型元件100，其中第二滾筒112具有徑向排列於其上的接觸線部107，接觸線部107表面塗佈黏著層107a，其中所述黏著層107a是一種感壓膠。若是沿第二方向的側視圖(請見圖2C)，就能觀察到多個接觸線部107，且接觸線部107之間距P4為P2的M倍，亦即M倍的所述預定值（M為大於或等於1的正實數，M可以是等於N的數值）。由於第二滾筒112是沿第二方向滾動，所以只有間距P4的微型元件100會轉移至在第一方向上的接觸線部107上。第二滾筒112與第一滾筒104一樣在本實施例的整個流程中並未改變滾動方向，圖中標示的方向代表的是微型元件100的排列方向，因此改變的是微型元件100的排列方向。
在本實施例中，黏著層107a的附著力是大於受光或熱刺激後的黏著層108a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。譬如在黏著層107a上使用黏性操作範圍與黏著層108a膠材不同的其他膠材，來黏取第二基板108上的微型元件100。舉例來說，若是黏著層108a為UV型解膠膜，黏著層107a則可使用黏著力介於UV型解膠膜照光前(轉移前)與照光後的感壓膠，並通過對UV型解膠膜照光，使黏著層108a的黏性降低。
在微型元件100被轉移至第二滾筒112(的接觸線部107)之後，請參照圖1F，再將第二滾筒112上的微型元件100轉移至第三基板114，第三基板114表面塗佈黏著層114a，所述第三基板114可以是暫時板或產品基板，如第三基板114是暫時板，則材質例如選用與第一基板102的熱膨脹係數(CTE)匹配。舉例來說，第一基板102和第三基板114可以是相同材質；或者，第三基板114為具有電路電極的產品基板。在本實施例中，黏著層114a的附著力是大於黏著層107a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。譬如，當第三基板114為具有電路電極的產品基板，黏著層114a可使用如異方性導電膠（ACF）或異方性導電錫膏（SAP），以便同時達到黏著、導電或自我組裝對位的效果。另一方面，第三基板114若是暫時板，則可用上述UV型解膠膜，並在後續製程轉移至其他產品基板；舉例來說，可先將第三基板114上的微型元件100貼附至一玻璃基板，再從第三基板114背面照射UV光使UV型解膠膜的黏性降低，然後撕除第三基板114。
綜合第一實施例的流程，可得到用於施行第一實施例的設備至少包括第一基板102、第一滾筒104、第二基板108（即暫時板）、第二滾筒112與移動裝置110。下表一顯示的是以黏著力來控制微型元件轉移的方案為例的各構件的材料選擇，但本發明並不限於此。
表一
Figure 107127224-A0304-0001
圖3A至圖3F是依照本發明的第二實施例的一種元件擴距轉移的流程示意圖。
請參照圖3A，本實施例的元件擴距轉移方法同樣能應用於多種不同的元件擴距製程中，如微發光二極體顯示器的微型元件(R/G/B)組裝製程，但本發明並不限於此；舉凡需要精準對位且快速進行大量元件擴距與取放動作的製程，均可利用本實施例所描述的方法。在本實施例中，先提供具有多個微型元件300的第一基板302，第一基板302表面塗佈黏著層302a，第一基板302材質例如為不易變形之無機材質，其目的在於減少環境溫度或濕度變異，造成第一基板302上的微型元件300位置變異，且第一基板302上的微型元件300沿第一方向與第二方向上的間距P1和P2都是一預定值。而且，與第一實施例的微型元件相比，微型元件300的厚度較薄，所以在轉移過程的難度也較高。關於微型元件300的製備，可參照第一實施例所述，故不再贅述。
然後，請參照圖3B，藉由滾動第一滾筒304接觸第一基板302上的微型元件300，轉移微型元件300至第一滾筒304，其中第一滾筒304具有軸向排列於其上的接觸線部306，接觸線部306表面塗佈黏著層306a。由於圖3B是沿第一方向的側視圖，所以請參照沿第二方向的側視圖4A，其中顯示多個接觸線部306，且每個接觸線部306是一連續線。所述接觸線部306之間距P3為N倍的P2，亦即N倍的所述預定值（N為大於或等於1的正實數）。而接觸線部306的寬度W2可等於或大於微型元件300的寬度W1，以增加接觸線部306黏取或吸附微型元件300的強度。另外，接觸線部306的高度H2例如是等於或大於微型元件300的高度H1，以增加接觸線部306黏取或吸附微型元件300時的操作良率。另外，第一滾筒304的寬度L1可小於第一基板302的寬度，並可藉由重覆取放來完成微型元件300的轉移。
上述第一滾筒304還可以有其他變形，例如圖4B所示的滾筒400，其中的接觸線部404是由多個第一凸部402所組成。第一凸部402之間距等於微型元件300之間距P1，即所述預定值。也就是說，當滾筒400沿第一方向滾動並接觸微型元件300，每個微型元件300會黏附於每個第一凸部402上。
請繼續參照圖3B，黏著層306a的附著力是大於受光或熱刺激後的黏著層302a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。舉例來說，黏著層306a可使用黏性操作範圍與黏著層302a不同的其他膠材，來黏取第一基板302上的微型元件300，譬如使用感壓膠。在第二實施例中，第一滾筒304的滾動速度匹配於第一基板302沿第一方向運行的速度，以便用於生產線上。
在微型元件300被轉移至第一滾筒304(的接觸線部306)之後，請參照圖3C，轉移第一滾筒304的微型元件300至第二基板308（暫時板），第二基板308表面塗佈黏著層308a，第二基板308材質例如選用與第一基板302的熱膨脹係數(CTE)匹配。在本實施例中，黏著層308a的附著力是大於黏著層306a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。舉例來說，可在第二基板308上使用黏性操作範圍與黏著層306a不同的其他膠材作為黏著層308a，來黏取接觸線部306上的微型元件300，譬如UV型解膠膜，其未照UV光時具有較上述感壓膠大的黏著力。在圖3C中，轉移至第二基板308上的微型元件300沿第二方向的間距P1為預定值、沿第一方向的間距P3為N倍的預定值P2，所以微型元件300在此階段已經於第一方向上完成擴距N倍的目標。
接著，旋轉第二基板308九十度，得到如圖3D所示的結果。而且，旋轉第二基板308九十度的方式可使用載台或機械手臂等移動裝置(如旋轉型機器人或直線型機器人等組合)來執行，並無特別限制。
然後，請參照圖3E，藉由滾動第二滾筒310接觸第二基板308上的微型元件300，將其轉移至第二滾筒310。第二滾筒310具有多個第二凸部312，第二凸部312表面塗佈黏著層312a，且沿第一方向的側視圖(請見圖4C)能觀察到第二凸部312在第二方向上的間距P3是P2的N倍，且第一方向上的間距P4是P1的M倍，其中，M為大於或等於1的正實數，M可以是等於N的數值。此外，第二滾筒310的寬度L2可由第二基板308的第一方向總長度決定，或使用滾筒寬度相同於L1，藉由重覆取放來完成微型元件300的轉移。由於第二滾筒310本身的第二凸部312之間的間距沿第一與第二方向都已經分別擴距N倍和M倍，所以只有間距P3的微型元件300會轉移至第二凸部312上。
在本實施例中，黏著層312a的附著力是大於受光或熱刺激後的黏著層308a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。譬如黏著層312a使用黏性操作範圍與黏著層308a的膠材不同的其他膠材，來黏取第二基板308上的微型元件300，譬如黏著力介於UV型解膠膜照光前(轉移前)與照光後的感壓膠，並通過對UV型解膠膜照光，使黏著層308a的黏性降低。
在微型元件300被轉移至第二滾筒310(的第二凸部312)之後，請參照圖3F，再將第二滾筒310上的微型元件300轉移至第三基板314，其可為暫時板或產品基板，第三基板314表面塗佈黏著層314a，如第三基板314是暫時板，則材質例如選用與第一基板302的熱膨脹係數(CTE)匹配。舉例來說，第一基板302和第三基板314可以是相同材質；或者，第三基板314為具有電路電極的產品基板。在本實施例中，黏著層314a的附著力是大於黏著層312a的附著力，且所述附著力可為黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。譬如，當第三基板314為具有電路電極的產品基板，黏著層314a可使用的膠材如ACF或SAP，以便同時達到黏著、導電或自我組裝對位的效果。另一方面，第三基板314若是暫時板，則可用上述UV型解膠膜，並在後續製程轉移至其他產品基板；舉例來說，可先將第三基板314上的微型元件300貼附至一玻璃基板，再從第三基板314背面照射UV光使UV型解膠膜的黏性降低，然後撕除第三基板314。
綜合第二實施例的流程，可得到用於施行第二實施例的設備至少包括第一基板302、第一滾筒304、第二基板308（即暫時板）、移動裝置（未繪示）與第二滾筒310。下表二顯示的是以黏著力來控制微型元件轉移的方案為例的各構件的材料選擇，但本發明並不限於此。
表二
Figure 107127224-A0304-0002
綜上所述，本發明採用兩道式滾筒搭配平面基板之轉移技術手段，能以簡單且低成本的方式，達成微型元件擴距轉移之功效，以解決使用線性運動組合之取放技術耗時的問題。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、300‧‧‧微型元件102、302‧‧‧第一基板102a、106a、107a、108a、114a、302a、306a、308a、312a、314a‧‧‧黏著層104、200、304、400‧‧‧第一滾筒106、107、204、306、404‧‧‧接觸線部108、308‧‧‧第二基板110‧‧‧移動裝置112、310‧‧‧第二滾筒114、314‧‧‧第三基板202、402‧‧‧第一凸部312‧‧‧第二凸部H1、H2‧‧‧高度P1、P2、P3、P4、P5‧‧‧間距W1、W2‧‧‧寬度
圖1A至圖1F是依照本發明的第一實施例的一種元件擴距轉移的流程示意圖。 圖2A是第一實施例所用的一種滾筒的示意圖。 圖2B是第一實施例所用的另一種滾筒的示意圖。 圖2C是第一實施例所用的再一種滾筒的示意圖。 圖3A至圖3F是依照本發明的第二實施例的一種元件擴距轉移的流程示意圖。 圖4A是第二實施例所用的一種第一滾筒的示意圖。 圖4B是第二實施例所用的另一種第一滾筒的示意圖。 圖4C是第二實施例所用的一種第二滾筒的示意圖。
100‧‧‧微型元件
108‧‧‧第二基板
108a‧‧‧黏著層
110‧‧‧移動裝置
P2、P3‧‧‧間距

Claims (35)

  1. 一種元件擴距轉移方法，包括：提供具有多個微型元件的第一基板，且所述第一基板上的所述多個微型元件沿第一方向與第二方向上的間距(pitch)都是預定值，其中所述第一基板與所述多個微型元件之間有第一黏著層；藉由滾動第一滾筒接觸所述第一基板上的所述多個微型元件，轉移所述多個微型元件至所述第一滾筒，其中所述第一滾筒具有多個接觸線部，且所述多個接觸線部之間距為N倍的所述預定值，所述多個接觸線部的表面具有第二黏著層，N為大於或等於1的正實數；轉移所述第一滾筒上的所述多個微型元件至第二基板，其中所述第二基板表面具有第三黏著層；旋轉所述第二基板九十度；藉由滾動第二滾筒接觸所述第二基板上的所述多個微型元件，轉移所述多個微型元件至所述第二滾筒，其中所述第二滾筒表面具有第四黏著層；以及轉移所述第二滾筒上的所述多個微型元件至第三基板，其中所述第三基板表面具有第五黏著層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述接觸線部的寬度等於或大於所述微型元件的寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述接觸線部的高度為等於或大於所述微型元件的高度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第一滾筒的滾動速度匹配於所述第一基板沿所述接觸線部的延伸方向運行的速度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中每個所述接觸線部是由多個第一凸部所組成或是一連續線。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的元件擴距轉移方法，其中所述多個第一凸部之間距等於所述預定值。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的元件擴距轉移方法，其中所述接觸線部是徑向排列於所述第一滾筒上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第一滾筒與所述第二滾筒為不同滾筒。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的元件擴距轉移方法，其中所述多個接觸線部是軸向排列於所述第一滾筒上。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第二滾筒的寬度是所述第一滾筒的寬度的所述N倍，且所述第二滾筒具有多個第二凸部，所述多個第二凸部沿所述第一方向上的間距是M倍的所述預定值，所述多個第二凸部沿所述第二方向上的間距是N倍的所述預定值，M為大於或等於1的正實數。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第二黏著層的附著力大於所述第一黏著層的附著力。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第三黏著層的附著力大於所述第二黏著層的附著力。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第四黏著層的附著力大於所述第三黏著層的附著力。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第五黏著層的附著力大於所述第四黏著層的附著力。
  15. 如申請專利範圍第11~14項中任一項所述的元件擴距轉移方法，其中所述附著力包括黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第一黏著層、所述第二黏著層、所述第三黏著層、所述第四黏著層與所述第五黏著層各自獨立地包括感壓膠、導電錫膏或異方性導電膠，其中所述感壓膠是受光或熱刺激後會發生交聯反應或產生氣體，致使黏著力下降的感壓膠。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第三基板包括暫時板或產品基板。
  18. 如申請專利範圍第1項所述的元件擴距轉移方法，其中所述第一基板與所述第三基板是相同材質。
  19. 一種元件擴距轉移設備，用以擴距轉移位於基板上的多個微型元件，其中所述多個微型元件沿第一方向與第二方向上的間距都是預定值，所述設備包括：第一滾筒，具有多個接觸線部，且所述多個接觸線部之間距為N倍的所述預定值，用以滾動接觸所述基板上的所述多個微型元件，以將所述多個微型元件轉移至所述多個接觸線部，N為大於或等於1的正實數；暫時板，用以承載自所述多個接觸線部轉移的所述多個微型元件；移動裝置，用以旋轉具有所述多個微型元件的所述暫時板九十度；以及第二滾筒，用以滾動接觸所述暫時板上的所述多個微型元件，使所述多個微型元件轉移至所述第二滾筒。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的元件擴距轉移設備，其中所述接觸線部的寬度等於或大於所述微型元件的寬度。
  21. 如申請專利範圍第19項所述的元件擴距轉移設備，其中所述接觸線部的高度為等於或大於所述微型元件的高度。
  22. 如申請專利範圍第19項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第一滾筒的滾動速度匹配於所述基板沿所述接觸線部的延伸方向運行的速度。
  23. 如申請專利範圍第19項所述的元件擴距轉移設備，其中每個所述接觸線部是由多個第一凸部所組成或是一連續線。
  24. 如申請專利範圍第23項所述的元件擴距轉移設備，其中所述多個第一凸部之間距等於所述預定值。
  25. 如申請專利範圍第19項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第一滾筒與所述第二滾筒為同一滾筒。
  26. 如申請專利範圍第25項所述的元件擴距轉移設備，其中所述多個接觸線部是徑向排列於所述第一滾筒上。
  27. 如申請專利範圍第19項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第一滾筒與所述第二滾筒為不同滾筒。
  28. 如申請專利範圍第27項所述的元件擴距轉移設備，其中所述多個接觸線部是軸向排列於所述第一滾筒上。
  29. 如申請專利範圍第27項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第二滾筒具有多個第二凸部，所述多個第二凸部沿所述第一方向上的間距是M倍的所述預定值，所述多個第二凸部沿所述第二方向上的間距是N倍的所述預定值，M為大於或等於1的正實數。
  30. 如申請專利範圍第19項所述的元件擴距轉移設備，更包括：第一黏著層，設置於所述基板與所述多個微型元件之間；第二黏著層，設置於所述多個接觸線部的表面；第三黏著層，設置於所述暫時板表面；以及 第四黏著層，設置於所述第二滾筒表面。
  31. 如申請專利範圍第30項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第二黏著層的附著力大於所述第一黏著層的附著力。
  32. 如申請專利範圍第30項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第三黏著層的附著力大於所述第二黏著層的附著力。
  33. 如申請專利範圍第30項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第四黏著層的附著力大於所述第三黏著層的附著力。
  34. 如申請專利範圍第31~33項中任一項所述的元件擴距轉移設備，其中所述附著力包括黏著力、靜電力、壓力或凡得瓦爾力。
  35. 如申請專利範圍第30項所述的元件擴距轉移設備，其中所述第一黏著層、所述第二黏著層、所述第三黏著層與所述第四黏著層各自獨立地包括感壓膠、導電錫膏或異方性導電膠，其中所述感壓膠是受光或熱刺激後會發生交聯反應或產生氣體，致使黏著力下降的感壓膠。
TW107127224A 2017-08-07 2018-08-06 元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備 TWI694605B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762542250P 2017-08-07 2017-08-07
US62/542,250 2017-08-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201911560A TW201911560A (zh) 2019-03-16
TWI694605B true TWI694605B (zh) 2020-05-21

Family

ID=65231731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107127224A TWI694605B (zh) 2017-08-07 2018-08-06 元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10510287B2 (zh)
CN (1) CN109390263A (zh)
TW (1) TWI694605B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110323162B (zh) * 2019-05-08 2021-11-30 京东方科技集团股份有限公司 一种巨量转移装置及巨量转移方法
US10964582B2 (en) * 2019-06-24 2021-03-30 Palo Alto Research Center Incorporated Transfer substrate utilizing selectable surface adhesion transfer elements
CN111095516B (zh) 2019-12-17 2021-08-24 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种巨量转移装置及巨量转移方法
US11574895B2 (en) * 2019-12-19 2023-02-07 Innolux Corporation Method of manufacturing electronic device
CN112967968B (zh) * 2020-05-20 2022-05-31 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种转移装置及转移方法
CN111916374B (zh) * 2020-08-05 2024-05-14 佛山市华道超精科技有限公司 芯片阵列巨量转移装置
CN112967991B (zh) * 2020-11-25 2022-10-21 重庆康佳光电技术研究院有限公司 转移装置、系统及方法
CN114695168A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 深圳Tcl新技术有限公司 一种芯片转移方法以及转移装置
CN113257964B (zh) * 2021-07-09 2021-10-08 苏州芯聚半导体有限公司 微led芯片及其封装方法、电子装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101911249A (zh) * 2008-01-22 2010-12-08 罗利诗公司 大面积纳米图案化方法和设备
TW201616635A (zh) * 2014-10-20 2016-05-01 Playnitride Inc Ｌｅｄ陣列擴張方法及ｌｅｄ陣列單元
US20160144608A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring device
KR20170024906A (ko) * 2015-08-26 2017-03-08 엘지전자 주식회사 마이크로 디바이스의 픽업 헤드유닛
US20170131654A1 (en) * 2014-06-06 2017-05-11 Rohinni, LLC. Electrophotographic Deposition of Unpackaged Semiconductor Device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5540147A (en) * 1994-12-02 1996-07-30 Corning Incorporated Method for forming a contoured planarizing layer for a color filter
JP3580772B2 (ja) * 2000-11-28 2004-10-27 京セラ株式会社 セラミック基板の分割装置
US7943491B2 (en) 2004-06-04 2011-05-17 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp
KR101097538B1 (ko) 2004-06-30 2011-12-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 컬러필터 제조장치 및 제조방법
KR101157969B1 (ko) * 2005-09-12 2012-06-25 엘지디스플레이 주식회사 인쇄판 및 그를 이용한 액정표시소자 제조 방법
US20070183184A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Ltd. Apparatus and method for manufacturing semiconductor device
KR101308460B1 (ko) 2007-04-26 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조장치 및 방법
KR101396941B1 (ko) 2008-11-07 2014-05-28 엘지디스플레이 주식회사 레지스트잉크 및 이를 이용한 패턴형성방법
CN101590652B (zh) * 2009-06-25 2011-07-20 广东风华高新科技股份有限公司 一种片式元件的全自动分割机及其使用方法
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US8573469B2 (en) 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
US9331230B2 (en) * 2012-10-30 2016-05-03 Cbrite Inc. LED die dispersal in displays and light panels with preserving neighboring relationship
DE102013102046A1 (de) * 2013-03-01 2014-09-04 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur Zuführung von Bauelementen zu einem Bestückautomaten sowie Bestückautomat
EP3172050B1 (en) * 2014-07-22 2018-08-22 Assa Abloy AB Card substrate warpage reduction
CN204011374U (zh) * 2014-07-26 2014-12-10 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 均匀扩张的扩晶机
JP6500558B2 (ja) * 2015-03-27 2019-04-17 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置および切込形成装置
CN104765193A (zh) 2015-05-04 2015-07-08 合肥鑫晟光电科技有限公司 彩色滤光片及其制作方法、阵列基板及显示装置
US10179731B2 (en) 2015-08-17 2019-01-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array
KR101729574B1 (ko) 2016-05-20 2017-05-12 한국기계연구원 계층화 메타물질 제작용 선택적 전사 롤 스탬프
CN106313879B (zh) * 2016-08-10 2017-08-29 京东方科技集团股份有限公司 转印设备和转印方法
CN106876293B (zh) 2017-02-21 2019-03-19 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管的转印装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101911249A (zh) * 2008-01-22 2010-12-08 罗利诗公司 大面积纳米图案化方法和设备
US20170131654A1 (en) * 2014-06-06 2017-05-11 Rohinni, LLC. Electrophotographic Deposition of Unpackaged Semiconductor Device
TW201616635A (zh) * 2014-10-20 2016-05-01 Playnitride Inc Ｌｅｄ陣列擴張方法及ｌｅｄ陣列單元
US20160144608A1 (en) * 2014-11-23 2016-05-26 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method for transferring device
KR20170024906A (ko) * 2015-08-26 2017-03-08 엘지전자 주식회사 마이크로 디바이스의 픽업 헤드유닛

Also Published As

Publication number Publication date
US20190043416A1 (en) 2019-02-07
US10510287B2 (en) 2019-12-17
CN109390263A (zh) 2019-02-26
TW201911560A (zh) 2019-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI694605B (zh) 元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備
KR102354388B1 (ko) 마스크 프레임 어셈블리 제조방법
JP6807454B2 (ja) 多層型キャリアフィルムおよびこれを用いた素子の転写方法とこの方法を用いて電子製品を製造する電子製品の製造方法
TW201915566A (zh) 微小元件的轉移方法
TWI633646B (zh) 用於批量移轉微半導體結構之方法
TW201039298A (en) Method for isolating a flexible film from a substrate and method for fabricating an electric device
WO2020124892A1 (zh) 一种柔性显示面板及其制作方法
KR101521205B1 (ko) 접촉 제어를 통한 선택적 연속 전사 장치
TW201530374A (zh) 觸控面板的製程方法及其觸控面板結構
CN107765511A (zh) 石墨烯与银纳米线复合透明导电薄膜的图形化方法
US20220410550A1 (en) Transfer method of devices
CN108470849A (zh) 一种柔性基板及其制作方法
TWI708308B (zh) 用於轉移微型裝置之方法與設備、及使用該設備之電子產品
US10366911B2 (en) Carrier substrate for carrying an OLED in manufacturing process and manufacturing method for the same
TWI645503B (zh) 用以固持基板之固持裝置、包括固持裝置之載體、使用載體之處理系統及由固持裝置釋放基板之方法
CN109757111A (zh) 用于保持基板的保持布置、包括保持布置的载体、使用载体的处理系统和用于从保持布置释放基板的方法
WO2021134489A1 (zh) 一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备
CN110050337A (zh) 电子装置中的延迟通孔形成
US20190096835A1 (en) Pre-conductive array disposed on target circuit substrate and conductive structure array thereof
CN106004194B (zh) 一种柔性带的表面图案化方法及具有图案的产品
Bai et al. A single micro-LED manipulation system based on micro-gripper
TWI833247B (zh) 電子裝置的製作方法
TWI740486B (zh) 微型ｌｅｄ巨量轉移至顯示器面板之方法
TWI766699B (zh) 轉移電子元件之方法
CN113629178A (zh) 发光二极管的转移方法