TW201616635A - Ｌｅｄ陣列擴張方法及ｌｅｄ陣列單元 - Google Patents

Ｌｅｄ陣列擴張方法及ｌｅｄ陣列單元 Download PDF

Info

Publication number
TW201616635A
TW201616635A TW103136145A TW103136145A TW201616635A TW 201616635 A TW201616635 A TW 201616635A TW 103136145 A TW103136145 A TW 103136145A TW 103136145 A TW103136145 A TW 103136145A TW 201616635 A TW201616635 A TW 201616635A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
emitting elements
led array
carrier film
perforations
Prior art date
Application number
TW103136145A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI546934B (zh
Inventor
yu-zhu Li
Yu-Hong Lai
zi-yang Lin
Original Assignee
Playnitride Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Playnitride Inc filed Critical Playnitride Inc
Priority to TW103136145A priority Critical patent/TWI546934B/zh
Priority to US14/886,429 priority patent/US20160111604A1/en
Publication of TW201616635A publication Critical patent/TW201616635A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI546934B publication Critical patent/TWI546934B/zh
Priority to US15/959,286 priority patent/US10290622B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95001—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95136—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies involving guiding structures, e.g. shape matching, spacers or supporting members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明提供一種LED陣列擴張方法，係利用一具有延伸性的承載膜，將多個與該承載膜表面連接且呈陣列排列的發光元件，利用自該承載膜的一第一方向及一第二方向進行面拉伸，讓該等發光元件於擴張後的間距可具有極佳的均一性，而轉移至一封裝基板。此外，本發明也同時提供一種用於該LED陣列擴張方法的LED陣列單元。

Description

LED陣列擴張方法及LED陣列單元
本發明是有關於一種LED擴張方法及LED陣列單元，特別是指一種利用承載膜擴張的LED陣列的擴張方法及用於該擴張方法的LED陣列單元。
一般要將在磊晶基板上製得的發光元件陣列轉移到所要應用的不同尺寸的顯示面板時，由於該等發光元件陣列排列的間距與所要應用的顯示面板尺寸的排列間距並不相同，因此，須要改變該等發光元件的間距並將其轉移到所要應用的顯示面板後，方可實際應用。
常用的發光元件可利用多次轉移方式，將形成在磊晶基板上的發光元件逐一轉移到所要應用的基板上，因此，在轉移的過程即可控制發光元件的位置，而改變發光元件的排列間距。
前述利用多次轉移方式雖然可精確的控制每一個發光元件的排列間距，然而製程繁複，且每一次轉移的對位均須精準，否則，反而會造成轉移後的該等發光元件之間產生對位誤差。尤其近年來以奈米製程微縮發光元件尺寸，發展出尺寸小於一般發光元件的微型發光二極體(micro LED)，由於尺寸微縮，因此，其對於轉移及對位的 精度的要求也更甚於一般的發光元件，所以，如何有效且精準的控制發光元件重新排列後的間距，則是本技術領域者努力改善的方向。
因此，本發明之目的，即在提供一種可控制發光元件間距差異變異性的LED陣列擴張方法。
於是，本發明LED陣列擴張方法包含：一步驟(a)及一步驟(b)。
該步驟(a)是提供一個LED陣列單元，該LED陣列單元具有一承載膜，及多個與該承載膜表面連接，且呈陣列排列的發光元件，其中，該承載膜為具有可延伸性。
該步驟(b)是沿該承載膜的一第一方向及一第二方向進行面拉伸，以改變該等發光元件的間距，其中，該第一方向及該第二方向與該等發光元件的橫向及縱向排列方向同向。
此外，本發明的另一目的，是提供一種可用於前述該LED陣列擴張方法的LED陣列單元。
於是，本發明該LED陣列單元包括一承載膜、多個與該承載膜表面連接並呈陣列排列的發光元件，其中，該承載膜具有多個穿孔，且該等穿孔相對該等發光元件分佈。
本發明之功效在於：利用沿該承載膜的該第一、二方向進行面拉伸，可讓該等發光元件於擴張後的間距 可具有極佳的均一性；此外，該承載膜也可具有穿孔，藉由該等穿孔令該承載膜產生應力阻斷點，讓施於該承載膜的拉伸應力可均勻的分佈，而讓該等發光元件於擴張後的間距可具有更佳的均一性。
2‧‧‧LED陣列單元
21‧‧‧承載膜
22‧‧‧發光元件
3‧‧‧封裝基板
31‧‧‧連接層
4‧‧‧LED陣列單元
41‧‧‧承載膜
42‧‧‧穿孔
43‧‧‧發光元件
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
S1、S1’‧‧‧第一間距
S2‧‧‧第二間距
L1‧‧‧第一直線
L2‧‧‧第二直線
P1‧‧‧第一應力
P2‧‧‧第二應力
本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一示意圖，說明用於本發明LED陣列擴張方法的一第一實施例的LED陣列單元；圖2是一流程示意圖，輔助說明該第一實施例；及圖3是一示意圖，說明應用於本發明LED陣列擴張方法的一第二實施例的LED陣列單元。
參閱圖1，及圖2，本發明LED陣列擴張方法的一實施例，包含：一步驟(a)、一步驟(b)，及一步驟(c)。
該步驟(a)是提供一個LED陣列單元2，其中，該LED陣列單元2具有一承載膜21、多個與該承載膜21表面連接，且呈陣列排列的發光元件22。
詳細的說，該承載膜21具延伸性，可選自具有彈性且可拉伸的高分子材料構成並具有初黏性，而可與該等發光元件22黏接，且較佳地，為了易於後續該等發光元件22的轉移，該承載膜21可選自易撕除，業界通稱的藍膜、或照設預定波長的光即會降低與該等發光元件22黏性 的光解膠帶(UV tape)，或是加熱至預定溫度後可降低與該等發光元件22黏性的熱解黏膠帶。於本實施例中，該承載膜21較佳是選自藍膜，可節省製程的時間和成本。
該等發光元件22呈陣列排列並與該承載膜21表面連接，具有可發出預定光色的半導體磊晶層(圖未示)，該等半導體磊晶層可發出一種或多種不同光色，且該等半導體磊晶層的高度可為相同或不同。由於該承載膜21與該等發光元件22的相關材料選擇為本技術領域者所周知，且非為本技術之重點，因此，不再多加贅述。
具體的說，以該等發光元件22為沿一第一方向X及一第二方向Y成陣列排列，且每一個發光元件22為成方形晶片為例，該等發光元件22沿該承載膜21的一第一方向X以第一間距S1間隔分佈，沿該第二方向Y則以第二間距S2間隔分佈，且該第一間距S1與該第二間距S2可為相同或不同，於本實施例中。是以該第一、二間距S1、S2相同做說明。
該步驟(b)是對該LED陣列單元2，沿該承載膜21的該第一方向X與該第二方向Y進行面拉伸，以改變該等發光元件22的間距。
詳細的說，該步驟(b)可以是利用拉伸設備例如一擴膜機，以預設的拉伸應力將該承載膜21沿與該等發光元件22的縱向及橫向排列方向相同的方向，拉伸擴張到令該等發光元件22的第一、二間距S1、S2與預定要應用的基板所需的排列間距相同為止。
要說明的是，該承載膜21的拉伸可以是將該承載膜21的一側固定，並自相對遠離的另一側進行單向拉伸，或是同時自該承載膜21相對遠離的兩側同時進行對向拉伸，並無特別限制，於本實施例中是以將該承載膜21的一側固定，並自相對遠離的一側進行單向拉伸為例做說明。
具體的說，該步驟(b)是將該承載膜21的一側固定，並自相對遠離的另一側沿與該等發光晶片22的橫向排列方向相同的該第一方向X進行面拉伸，由於是在同一方向進行同一應力的面拉伸，因此與該承載膜21連接的該等發光元件22將會各自受到來自該第一方向X的第一應力P1，而令該等發光元件22的第一間距S1可均勻地改變。同理，當該承載膜21是沿與該等發光晶片22的縱向排列方向相同的該第二方向Y進行面拉伸時，與該承載膜21連接的該等發光元件22將會各自受到該第二方向Y的第二應力P2，而令該等發光元件22的第二間距S2可均勻地改變。要說明的是，該步驟(b)可以是將該承載膜21是先沿該第一方向X拉伸後，再沿該第二方向Y進行面拉伸。或是同時沿該承載膜21的該第一方向X及第二方向Y同時進行面拉伸。
當完成該等發光元件22的拉伸擴張，而將該等發光元件22原始的第一、二間距S1、S2改變成新的排列間距後，即可進行該步驟(c)。
該步驟(b)是令原本以該第一、二間距S1、S2分佈的該等發光元件22經過面拉伸後，形成新的第一、二 間距S1’、S2’(圖2為沿該第一方向X進行面拉伸的示意圖，故未顯示該第二間距S2’)；該步驟(c)則是將以新的該第一、二間距S1’、S2’排列的該等發光元件22以遠離該承載膜21的表面，透過一連接層31而接合於一封裝基板3，最後，再將該承載膜21自該LED陣列單元2移除，即可將經過改變排列間距的該等發光元件22轉移至該封裝基板3，而完成該等發光元件22的轉移擴張。
要說明的是，該等發光元件22經擴張後的該第一、二間距S1’、S2’可為相同或不同，端示所需應用的設計而定，該封裝基板3則可例如是印刷電路板、TFT基板，或CMOS基板，該連接層31可以是選自共晶溫度低於300℃的合金材料，而該承載膜21因為是選自易撕除的藍膜、或照設預定波長的光即會降低與該等發光元件22黏性的光解膠帶(UV tape)，或是加熱至預定溫度後可降低與該等發光元件22黏性的熱解黏膠帶，因此，當將該等發光元件22轉移至該封裝基板3後，即可藉由照光、加熱，或直接撕除的方式，將該承載膜21自該等發光元件22的表面移除。
本發明係利用一具有可延伸性的承載膜21，使多個與該承載膜21表面連接，且呈陣列排列的發光元件22，利用沿該承載膜21的第一方向X及第二方向Y進行面拉伸，讓該等發光元件22於擴張後的間距可具有極佳的均一性，因此，在轉移至該封裝基板3時，可具有更佳的對位精準度。
配合參閱圖3，本發明LED陣列擴張方法的一第二實施例，該第二實施例與該第一實施例大致相同，不同處在於，該第二實施例之LED陣列單元4的承載膜41具有多個穿孔42，且該等穿孔42相對應該發光元件43分佈，較佳地，該等穿孔42為對應每一個發光元件43，而形成於每一個發光元件43的頂點或是四個邊長的中點。
更詳細的說，於本實施中是定義多條位於任相鄰兩行的發光元件43之間的第一直線L1，及多條與該第一直線L1垂直且位於任相鄰兩列的發光元件43之間的第二直線L2，且該等第一、二直線L1、L2是分別通過該第一、二間距S1、S2的中點。
其中，該等穿孔42形成於該第一、二直線L1、L2上，並相對於該每一個發光元件43成對稱分佈。更詳細地說，該等穿孔42亦可以是被多個發光元件43共用，例如：該等穿孔42可以是形成於該等第一、二直線L1、L2的交點，如此，每一個穿孔42可被相鄰的4個發光元件43共用；或是可將該等穿孔42形成於第一、二直線L1、L2上，對應該每一個發光元件43四邊長的中點，如此，每一個穿孔42可被相鄰的2個發光元件43共用。
利用該具有穿孔42的承載膜41，藉由該等穿孔42令該承載膜41產生應力阻斷點，因此，當對該承載膜41施以外力拉伸時，施加於該承載膜41的應力會因為該等穿孔42的阻斷而轉向該等穿孔42四周均勻分佈，因此，可讓該承載膜41於拉伸的過程中各個位置所承受的應力及 變形更趨於一致，而令拉伸後的該等發光元件43之間的排列間距更為一致，因此，當將經過拉伸後重新擴張排列的發光元件43轉移至如圖2所需應用的該封裝基板3時，即可更精確的對位
此外，要說明的是，該等穿孔42是為了對該承載膜41於進行面拉伸時，可達成應力阻斷的目的，且不影響該承載膜41本身的機械性質。然而，穿孔42的數量愈多或是穿孔42的孔徑太大，對該承載膜41的物性影響就會愈大，因此，較佳地，該每一個穿孔42的位置是以至少被兩個相鄰的發光元件43共用而設置。於本實施例中，是以該等穿孔42為形成於該等第一、二直線L1、L2的交點，而得到如圖3所示的LED陣列單元4。
本發明利用一具可延伸性的承載膜21，使多個與該承載膜21表面連接，且呈陣列排列的發光元件22，利用將該承載膜21沿與該等發光元件22的橫向及縱向排列相同的該第一方向X及第二方向Y進行面拉伸，讓該等發光元件22於擴張過程維持僅受到來自該第一方向X及第二方向Y的應力，而不受到其它方向應力的干擾，因此，於擴張後，該等發光元件22僅會改變其沿第一方向X及第二方向Y的排列間距，而可令擴張後的間距具有極佳的均一性，而轉移至一封裝基板3。
此外，本發明亦可進一步利用讓該承載膜41形成穿孔42，藉由該等穿孔42令該承載膜41產生應力阻斷點，因此，當對該承載膜41施以外力拉伸時，施加於該承 載膜41的應力會因為該等穿孔42的阻斷而轉向該等穿孔42四周均勻分佈，讓該承載膜41於拉伸的過程中各個位置所承受的應力及變形更趨於一致，而令拉伸後的發光元件43之間的排列間距更為一致，因此，當將經過拉伸後重新擴張排列的發光元件42轉移至所需應用的封裝基板4時，即可更精確的對位，故確實能達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
2‧‧‧LED陣列單元
21‧‧‧承載膜
22‧‧‧發光元件
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
S1‧‧‧第一間距
S2‧‧‧第二間距
P1‧‧‧第一應力
P2‧‧‧第二應力

Claims (14)

  1. 一種LED陣列擴張方法，其包含下列步驟：步驟(a)，提供一LED陣列單元，該LED陣列單元具有一承載膜、多個與該承載膜表面連接，且呈陣列排列的發光元件，其中，該承載膜為具有可延伸性；及步驟(b)，將該承載膜沿一第一方向及一第二方向進行面拉伸，以改變該等發光元件的間距，其中，該第一方向及該第二方向與該等發光元件的橫向及縱向排列方向同向。
  2. 如請求項1所述的LED陣列擴張方法，其中，該步驟(b)是先沿該承載膜的該第一方向拉伸後，再沿該第二方向進行拉伸。
  3. 如請求項1所述的LED陣列擴張方法，其中，該步驟(b)是沿該承載膜的該第一方向及該第二方向同時進行面拉伸。
  4. 如請求項1所述的LED陣列擴張方法，其中，該步驟(a)之該承載膜具有多個穿孔，該等穿孔相對應該等發光元件分佈。
  5. 如請求項4所述的LED陣列擴張方法，其中，該等穿孔為對應形成於該等發光元件的各個頂點，或是四個邊長的中點。
  6. 如請求項4所述的LED陣列擴張方法，定義多條位於任相鄰兩行的發光元件之間的第一直線，及多條與該第一直線垂直，且位於任相鄰兩列的發光元件之間的第 二直線，其中，該等第一、二直線是分別通過任相鄰兩行及兩列的該等發光元件的間距的中點，且該等穿孔為形成於該等第一、二直線上。
  7. 如請求項6所述的LED陣列擴張方法，其中，該等穿孔形成於該些第一、二直線的交點。
  8. 如請求項1所述的LED陣列擴張方法，還包含一實施於該步驟(b)之後的步驟(c)，該步驟(c)是將該等發光元件遠離該承載膜的表面接合於一封裝基板，並將該承載膜自該LED陣列單元移除。
  9. 如請求項8所述的LED陣列擴張方法，其中，該步驟(c)是利用照射特定波長的光或加熱方式降低該承載膜與該LED陣列單元的連接性後，再將該承載膜自該LED陣列單元移除。
  10. 如請求項8所述的LED陣列擴張方法，其中，該封裝基板為印刷電路板、TFT基板，或CMOS基板。
  11. 一種LED陣列單元，包括一承載膜及多個與該承載膜表面連接並呈陣列排列發光元件，其中，該承載膜具有多個穿孔，且該等穿孔相對應該等發光元件分佈。
  12. 如請求項11所述的LED陣列單元，其中，該等穿孔為對應形成於該等發光元件的各個頂點，或是四個邊長的中點。
  13. 如請求項11所述的LED陣列單元，定義多條位於任相鄰兩行的發光元件之間的第一直線，及多條與該第一直線垂直，且位於任相鄰兩列的發光元件之間的第二 直線，其中，該等第一、二直線是分別通過任相鄰兩行及兩列的該等發光元件的間距的中點，且該等穿孔為形成於該等第一、二直線上。
  14. 如請求項13所述的LED陣列單元，其中，該等穿孔形成於該等第一、二直線的交點。
TW103136145A 2014-10-20 2014-10-20 Led陣列擴張方法及led陣列單元 TWI546934B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103136145A TWI546934B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 Led陣列擴張方法及led陣列單元
US14/886,429 US20160111604A1 (en) 2014-10-20 2015-10-19 Method for expanding spacings in light-emitting element array and light-emitting element array unit
US15/959,286 US10290622B2 (en) 2014-10-20 2018-04-23 Method for expanding spacings in light-emitting element array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW103136145A TWI546934B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 Led陣列擴張方法及led陣列單元

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201616635A true TW201616635A (zh) 2016-05-01
TWI546934B TWI546934B (zh) 2016-08-21

Family

ID=55749731

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103136145A TWI546934B (zh) 2014-10-20 2014-10-20 Led陣列擴張方法及led陣列單元

Country Status (2)

Country Link
US (2) US20160111604A1 (zh)
TW (1) TWI546934B (zh)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109599354A (zh) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 一种Micro-LED巨量转移的结构及方法
CN110233129A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 株式会社迪思科 器件的移设方法
CN110349897A (zh) * 2019-08-12 2019-10-18 深圳市思坦科技有限公司 芯片转移装置
CN110429051A (zh) * 2019-08-12 2019-11-08 深圳市思坦科技有限公司 芯片转移方法
CN110707016A (zh) * 2018-04-15 2020-01-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型器件的转移装置及微型器件的转移方法
CN111063649A (zh) * 2019-12-03 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED的转移方法及转移装置
TWI694605B (zh) * 2017-08-07 2020-05-21 財團法人工業技術研究院 元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備
CN111341682A (zh) * 2020-02-09 2020-06-26 纳晶科技股份有限公司 一种显示基板的芯片检修装置及检修方法
CN111725123A (zh) * 2020-05-22 2020-09-29 深圳市隆利科技股份有限公司 微型发光二极管显示装置的制造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP1579162S (zh) * 2016-08-05 2020-06-15
KR101902566B1 (ko) 2017-07-25 2018-09-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
FR3083921B1 (fr) * 2018-07-10 2021-03-12 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert de structures
FR3083918B1 (fr) 2018-07-13 2020-10-23 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert de structures
KR102536844B1 (ko) * 2018-10-15 2023-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN109599463A (zh) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 一种用于Micro-LED巨量转移的拾取结构及转移方法
JP7436772B2 (ja) * 2018-12-27 2024-02-22 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US11004363B2 (en) * 2019-03-05 2021-05-11 Innolux Corporation Stretchable display device and method of controlling stretchable display device
KR20200113132A (ko) 2019-03-22 2020-10-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210067695A (ko) * 2019-11-29 2021-06-08 삼성전자주식회사 인쇄회로기판 어셈블리를 포함하는 마이크로 엘이디 디스플레이
WO2021108942A1 (zh) * 2019-12-02 2021-06-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种自动扩膜的方法、存储介质及装置
CN113270026B (zh) * 2020-02-14 2023-04-18 群创光电股份有限公司 可拉伸显示装置
CN111883486B (zh) * 2020-07-20 2023-11-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN112038280B (zh) * 2020-07-24 2022-07-29 华为技术有限公司 一种芯片转移方法、电子设备
CN113299594B (zh) * 2021-05-25 2022-12-30 江西信芯半导体有限公司 Tvs芯片贴蓝膜后加工方法
CN117038804B (zh) * 2023-10-08 2023-12-26 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司 一种微型发光二极管芯片的转移方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715087B2 (ja) * 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JP2994510B2 (ja) * 1992-02-10 1999-12-27 ローム株式会社 半導体装置およびその製法
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JP2003007652A (ja) * 2001-06-26 2003-01-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体チップの製造方法
US7001475B2 (en) * 2001-12-11 2006-02-21 3M Innovative Properties Company Film structures and methods of making film structures
JP2004304066A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2005079151A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Seiko Epson Corp ダイシングテープ、ピックアップ装置および半導体装置の製造方法
JP4514490B2 (ja) * 2004-03-29 2010-07-28 日東電工株式会社 半導体ウエハの小片化方法
JP4703127B2 (ja) * 2004-03-31 2011-06-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体ウェーハ、半導体チップおよびその製造方法
JP4901117B2 (ja) * 2005-03-04 2012-03-21 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
KR101271225B1 (ko) * 2006-10-31 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법
TWI387076B (zh) * 2008-04-24 2013-02-21 Mutual Pak Technology Co Ltd 積體電路元件之封裝結構及其製造方法
US20100279437A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling edge emission in package-free led die
US8236582B2 (en) * 2008-07-24 2012-08-07 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Controlling edge emission in package-free LED die
JP4360446B1 (ja) * 2008-10-16 2009-11-11 住友ベークライト株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
TWI365949B (en) * 2008-12-16 2012-06-11 Royal Pacific Ltd Flexible light emitting array
US8153475B1 (en) * 2009-08-18 2012-04-10 Sorra, Inc. Back-end processes for substrates re-use
KR101253586B1 (ko) * 2010-08-25 2013-04-11 삼성전자주식회사 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지
WO2014002535A1 (ja) * 2012-06-29 2014-01-03 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US9082940B2 (en) * 2012-06-29 2015-07-14 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
US8748202B2 (en) * 2012-09-14 2014-06-10 Bridgelux, Inc. Substrate free LED package
JP6055259B2 (ja) * 2012-10-03 2016-12-27 日東電工株式会社 封止シート被覆半導体素子、その製造方法、半導体装置およびその製造方法
FR3004004B1 (fr) * 2013-03-29 2016-08-12 Soitec Silicon On Insulator Procede d'assemblage de cellules photovoltaïques avec transfert multiple
US9429310B2 (en) * 2013-05-17 2016-08-30 Erogear, Inc. Fabric-encapsulated light arrays and systems for displaying video on clothing
US20150263256A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Epistar Corporation Light-emitting array
KR102255198B1 (ko) * 2014-08-12 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 스트레처블 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
KR102340855B1 (ko) * 2015-01-15 2021-12-17 삼성디스플레이 주식회사 신축성 표시 장치

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI694605B (zh) * 2017-08-07 2020-05-21 財團法人工業技術研究院 元件擴距轉移方法及實施此轉移方法的設備
CN110233129A (zh) * 2018-03-05 2019-09-13 株式会社迪思科 器件的移设方法
CN110233129B (zh) * 2018-03-05 2024-03-12 株式会社迪思科 器件的移设方法
CN110707016A (zh) * 2018-04-15 2020-01-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 微型器件的转移装置及微型器件的转移方法
CN109599354A (zh) * 2018-12-07 2019-04-09 广东工业大学 一种Micro-LED巨量转移的结构及方法
CN110429051A (zh) * 2019-08-12 2019-11-08 深圳市思坦科技有限公司 芯片转移方法
CN110429051B (zh) * 2019-08-12 2022-03-15 深圳市思坦科技有限公司 芯片转移方法
CN110349897A (zh) * 2019-08-12 2019-10-18 深圳市思坦科技有限公司 芯片转移装置
CN110349897B (zh) * 2019-08-12 2024-03-29 深圳市思坦科技有限公司 芯片转移装置
CN111063649A (zh) * 2019-12-03 2020-04-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro LED的转移方法及转移装置
WO2021109238A1 (zh) * 2019-12-03 2021-06-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Micro led的转移方法及转移装置
CN111341682A (zh) * 2020-02-09 2020-06-26 纳晶科技股份有限公司 一种显示基板的芯片检修装置及检修方法
CN111725123A (zh) * 2020-05-22 2020-09-29 深圳市隆利科技股份有限公司 微型发光二极管显示装置的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160111604A1 (en) 2016-04-21
TWI546934B (zh) 2016-08-21
US20180240941A1 (en) 2018-08-23
US10290622B2 (en) 2019-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI546934B (zh) Led陣列擴張方法及led陣列單元
TWI634371B (zh) 微小元件的轉移方法
JP6752153B2 (ja) アレイ基板、その製造方法、及び表示装置
TWI659486B (zh) 轉移載板與晶粒載板
CN107945665B (zh) 柔性显示屏的贴合方法及柔性显示屏贴合设备
EP4250896A3 (en) Display device and method for manufacturing the same
US20200023479A1 (en) Die transfer method and die transfer system thereof
CN103871837B (zh) 改善晶圆翘曲度的方法
TWI709126B (zh) 顯示裝置
JP2021140144A5 (zh)
JPWO2020059588A1 (ja) 素子の移載方法およびそれに用いる移載版
TWI549316B (zh) The method of transferring light emitting wafers
CN110391165A (zh) 转移载板与晶粒载板
TWI526253B (zh) 遮罩組件及噴塗晶片之方法
JP2020167251A5 (zh)
JP2020145243A (ja) チップ転写板ならびにチップ転写方法、画像表示装置の製造方法および半導体装置の製造方法
CN107731985B (zh) 一种led芯片阵列排布的高精度定位方法
JP2020167251A (ja) 転写基板ならびにこれを用いた実装方法および画像表示装置の製造方法
WO2019103603A8 (en) Light induced selective transfer of components
JP2020166029A5 (zh)
JP2020526934A5 (zh)
TWI677903B (zh) 巨量佈設晶片的方法
TWI707320B (zh) 顯示裝置
US20160107926A1 (en) Manufacturing method of flexible substrate
TW201248214A (en) Color filter applications thereof and method for manufacturing the same