CN110707016A - 微型器件的转移装置及微型器件的转移方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种微型器件的转移装置，包括：第一基底；转移基底，所述转移基底形成于所述第一基底上，所述转移基底用于承载多个微型器件；所述第一基底和所述转移基底之间还包括至少一个缓冲元件。本发明的微型器件的转移装置能够在转移微型器件时提供缓冲力，避免微型器件被损坏。

Description

微型器件的转移装置及微型器件的转移方法
技术领域
本发明涉及一种微型器件转移装置及微型器件转移方法。
背景技术
通常，业界利用转印方式将微型器件(Micro Device)，如微型半导体发光二极管(Micro-LED)，形成于接收基板，如有源阵列基板，来实现微型器件与接收基板的整合。对于作为显示装置的Micro-LED装置而言，通常利用转印方式将微型半导体发光二极管形成于有源阵列基板上，从而借由控制微型半导体发光二极管自身的发光来实现图像显示目的。但由于微型器件，尤其是Micro-LED具有脆的特点，导致在转印的过程中，容易受力而破损。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种能够避免微型器件破损的微型器件的转移装置。
一种微型器件的转移装置，包括：
第一基底；
转移基底，所述转移基底形成于所述第一基底上，所述转移基底用于承载多个微型器件；
所述第一基底和所述转移基底之间还设置有至少一个缓冲元件,所述缓冲元件用于为所述微型器件提供缓冲力。
本发明还提供一种微型器件的转移方法。
一种微型器件的转移方法，其包括：
提供一转移装置，所述转移装置包括第一基底及转移基底，所述转移基底形成于所述第一基底上，所述第一基底和所述转移基底之间还包括至少一个缓冲元件；
在所述转移基底上形成多个微型器件；
提供用于使用所述微型器件的接收基板，对准所述转移基底和所述接收基板；
向所述接收基板或所述转移装置施加压力，使所述多个微型器件固定于所述接收基板；
移除所述转移基底。
一种微型器件的转移方法，其包括：
提供一转移装置，所述转移装置包括第一基底，所述第一基底包括多个井以及容纳于所述井中的平台，所述井和所述平台之间设置有缓冲元件，所述平台承载有转移基底，每一个井的底面具有至少一个紫外光光源；
在所述转移基底上形成多个微型器件，所述转移基底和所述微型器件之间通过粘合层固定；
提供用于使用所述微型器件的接收基板，对准所述转移基底和所述接收基板；
向所述接收基板或所述转移装置施加压力，使所述多个微型器件固定于所述接收基板；
打开所述紫外光光源，所述紫外光光源发出的紫外光照射到所述粘合层,使得所述粘合层失去粘性；
移除所述转移装置。
本发明的微型器件的转移装置中，第一基底和转移基底之间具有缓冲元件，因此，在使用所述转移装置转移微型器件时，能够提供缓冲力，可以改善所述微型器件因转移基板的厚度不均导致受力不均的现象，调节微型器件的高度，使多个微型器件在结合至接收基板时处于共面的位置，可以避免微型器件的损坏。
附图说明
图1是本发明第一实施例的转移装置的结构示意图。
图2是本发明第一实施例的微型器件的转移方法流程图。
图3是使用第一实施例的转移装置的转移微型器件的示意图。
图4是第二实施例的转移装置的结构示意图。
图5是第三实施例的转移装置的结构示意图。
图6是第四实施例的转移装置的结构示意图。
图7是本发明一实施例的微型器件的转移方法流程图。
图8是使用第四实施例的转移装置的转移微型器件的示意图。
图9是第五实施例的转移装置的结构示意图。
图10是第六实施例的转移装置的结构示意图。
图11是第七实施例的转移装置的结构示意图。
图12是本发明另一实施例的微型器件的转移方法流程图。
图13是使用第七实施例的转移装置的转移微型器件的示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
Figure BDA0002028294920000041
具体实施方式
图1是第一实施例的转移装置100的结构示意图。所述转移装置100可以用于转移微型器件13。如图1所示，所述转移装置100包括第一基底11。所述第一基底11的一个表面开设有至少一个井110。在本实施例中，所述第一基底11的一个表面开设有多个井110，图中示出三个井110。每一个井110包括第一底面111,在本实施例中,所述第一底面111为矩形,但不限于此，所述第一底面的形状并不限制。每一个井还包括自所述第一底面111的四侧边向井口方向延伸的第一侧壁112，所述第一底面111作为承载面。每个井的第一底面111相对于同一水平面基本处于同一高度或相对于同一水平面所处的高度略有所不同。
每一个井110中容纳有至少一个平台12，在本实施例中，每一个井110中容纳有一个平台12。所述平台12沿图1中的X方向的长度介于5mm～50mm之间，相邻的平台12之间沿图1中X方向的间距介于5mm～50mm之间。所述平台12远离所述第一底面111的一侧设置有转移基底14，所述转移基底14用于承载多个微型器件13(例如微型半导体发光二极管,Micro-LED)。在本实施例中，所述转移基底14为硬质的基底。
所述平台12进一步包括远离所述第一底面111的第二表面121，和面对所述第一侧壁112的第二侧壁122。第二表面121用于固定与承载转移基底14。在转移基底14的下方，在第一底面111与转移基底14之间的空间中设置有缓冲元件15。所述缓冲元件15能够在所述微型器件13转移的过程中提供缓冲力，避免所述微型器件13因受力过大被损坏。这里的空间为由第一底面111定义的水平面与转移基底14靠近所述第一底面111的表面定义的水平面共同定义的空间，且空间包括实体结构所在处，如包括位于空间内的平台12所在处及或位于空间内的第一基底11所在处。
在本实施例中，所述缓冲元件15利用磁场使得平台12呈悬浮态收容于对应的井110中，从而在所述微型器件13转移过程中借由磁场的配合提供缓冲力。所述缓冲元件15包括多个磁铁组，每一磁铁组包括分别设置于所述第一侧壁112和第二侧壁122的磁铁。优选地，所述多个磁铁组呈对称设置。在本实施例中，每一个井内设置有相对设置的两个磁铁组。在其他实施例中，每一个井内的磁铁组的数量并不受限制，每一个井中可以有三组、四组磁铁组等。具体地，每一磁铁组包括设置于所述第一侧壁112的第一磁铁151和设置于第二侧壁122的第二磁铁152，每一组所述第一磁铁151和所述第二磁铁152的磁场方向相反，每一组第一磁铁151和第二磁铁152面对面设置。由于每一组第一磁铁151和第二磁铁152之间同时存在排斥力和吸引力，可以使所述平台12在所述井110中在磁场的作用下处于悬浮状态。所述第一磁铁151和第二磁铁152之间的排斥力和吸引力使所述平台12和所述井110之间形成缓冲空间16，所述第一磁铁151和第二磁铁152在所述转移装置100受力时为所述平台12提供了缓冲力。
请一并参考图2和图3，图2是本发明第一实施例的微型器件13的转移方法流程图，图3是使用本发明第一实施例的转移装置100的转移微型器件13的示意图。如图2所示，在本实施例中，所述微型器件13的转移方法包括：
步骤S201：提供一转移装置100，所述转移装置100包括第一基底11，所述第一基底11包括多个井110以及容纳于所述井110中的平台12，所述井110和所述平台12之间设置有缓冲元件15，所述平台12承载有转移基底14。
在本实施例中，所述转移基底14为硬质的基底。在本实施例中，所述缓冲元件15为至少一组磁铁组。
步骤S202：在所述转移基底14上形成多个微型器件13。
步骤S203：如图3,提供一用于使用所述微型器件13的接收基板17，对准所述转移基底14和所述接收基板17。
步骤S204：向所述接收基板17或所述转移装置100施加压力，使所述多个微型器件13固定于所述接收基板17。
在本实施例中，可以向所述接收基板17施加朝所述多个微型器件的方向的压力。可以理解的，在其他实施例中，也可以向所述转移装置100施加朝向所述接收基板17的方向的压力，或者同时向所述接收基板17和所述转移装置100施加朝向对方的压力。所述接收基板17的表面可以形成有粘合材料(图未示)，以固定所述微型器件13。
当所述接收基板17或所述转移基底14向对方施加压力时，由于所述缓冲元件15可以使所述平台12与所述第一基底11之间存在缓冲力，因此可以改善所述微型器件13因转移基底14的厚度不均导致受力不均的现象，调节微型器件13的高度，使多个微型器件13在结合至接收基板17时处于共面的位置，可以避免微型器件13的损坏。
步骤S205：移除所述转移装置100。
可以理解的，所述接收基板17可以为薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)基板并应用于显示装置中，所述微型器件13为Micro-LED。在本实施例中，由于所述转移装置100包括多个井110，因此可以在一次转移制程中同时转印对应井的数量的多个区的微型器件13，从而提高所述微型器件13的巨量转印的效率。
所述接收基板17可以分为多个区域。可以通过多次巨量移转，将所述微型器件13转移至指定的区域。在本实施例中，所述接收基板17根据所述转移基底14或井110的数量或图案设计进行分区。在本实施例中，所述接收基板17可以分为多个第一区域和第二区域(图未示)，每个第一区域设置于两个相邻的第二区域之间。所述转移装置100将微型器件13通过两次转印制程依次形成于第一区域和第二区域。
图4是第二实施例的转移装置200的结构示意图。在本实施例中，所述转移装置200的结构和第一实施例的转移装置100的结构基本相同，区别在于：所述磁体还可以替换为电磁铁，磁力大小、磁场方向均由电磁铁的线圈中的电流控制。在本实施例中，所述缓冲元件25包括多个电磁铁组，每一电磁铁组包括分别设置于所述第一侧壁212和第二侧壁222的电磁铁。优选地，所述多个磁铁组呈对称设置。虽然在本实施例中，每一个井内设置有两组对称设置的电磁铁组，但是每一个井内的电磁铁组的数量并不受限制，在其他实施例中，每一个井中可以有三组、四组电磁铁组等。具体地，每一电磁铁组包括设置于所述第一侧壁212的第一电磁铁251和设置于第二侧壁222的第二电磁铁252，每一组所述第一电磁铁251和所述第二电磁铁252的磁场方向相反，每一组第一电磁铁251和第二电磁铁252面对面设置。由于每一组第一电磁铁251和第二电磁铁252之间同时存在排斥力和吸引力，可以使所述平台22在所述井210中在磁场的作用下处于悬浮状态。所述第一电磁铁251和第二电磁铁252之间的排斥力和吸引力使所述平台22和所述井210之间形成缓冲空间26，所述第一电磁铁251和第二电磁铁252在所述转移装置200受力时为所述平台22提供了缓冲力。
使用第二实施例的转移装置200的转移微型器件23的转移方法与第一实施例的转移方法相似，为了简洁起见，在此不再赘述。
图5是第三实施例的转移装置300的结构示意图。如图5所示，所述转移装置300包括第一基底31。所述第一基底31的一个表面开设有井310。在本实施例中，所述第一基底31的一个表面开设有多个井310。在本实施例中，每一个井310包括一第一底面311和自所述第一底面311的四侧边向井口方向延伸的第一侧壁312，所述第一底面311作为承载面。每个井的第一底面311相对于同一水平面基本处于同一高度或相对于同一水平面所处的高度略有所不同。井310中容纳有一个平台32，所述平台32沿图5中的X方向的长度介于5mm～50mm之间，相邻的平台32之间沿图5中的X方向的间距介于5mm～50mm之间。所述平台32远离所述第一底面311的一侧设置有转移基底34，所述转移基底34用于承载微型器件33(例如Micro-LED)。在本实施例中，所述转移基底34为硬质的基底。所述平台32包括远离所述第一底面311的第二表面321，和面对所述第一侧壁312的第二侧壁322。第二表面321用于固定与承载转移基底34。对应转移基底34的下方且在第一基底31中设置有缓冲元件35。所述缓冲元件35能够在所述微型器件33转移的过程中提供可形变的缓冲力，避免所述微型器件33因受力过大被损坏。
在本实施例中，所述缓冲元件35包括气囊351。每个平台32下方都具有气囊351，气囊351能够受力形变。具体地，所述气囊351形成于所述第一基底31内，并至少部分凸伸出所述第一底面311，支撑所述平台32。在本实施例中，相邻的气囊351之间借由细的管道353连通，且连接最侧端，如图示右侧端的气囊351的细管道连通至第一基底31外，用于充气。所述第一基底31内进一步设置至少一个滚轮352。所述滚轮352设置于所述第一侧壁312，并与所述第二侧壁322接触，所述滚轮352不仅可以使所述平台32受到力的作用时能够在所述井310中沿滚轮352的滚动方向滑动，还能避免所述平台32在所述井310中在垂直于所述第二侧壁322的方向上的产生移动。所述气囊351使所述平台32和所述井310之间形成缓冲空间36，并且所述气囊351在所述转移装置300受力时为所述平台32提供了缓冲力。
使用第三实施例的转移装置300的转移微型器件33的转移方法与第一实施例的转移方法相似，为了简洁起见，在此不再赘述。
图6是第四实施例的转移装置400的结构示意图。本实施例的转移装置400与第一实施例的转移装置100的相似，为了简洁起见，在本实施例中，与第一实施例的转移装置400结构和功能相同的元件在此不再赘述。本实施例的转移装置400与第一实施例的转移装置100的区别在于：在本实施例中，所述微型器件转移装置400的平台42为刚性的且不透明的材质，所述平台42设有沿平台42的厚度方向(图6中的Y方向)贯穿平台42的通孔423。所述通孔423暴露所述转移基底44。如图6所示，所述通孔423的截面呈梯形，且梯形的长边较短边邻近转移基底44所在侧。所述转移基底44和承载于所述转移基底44的微型器件43之间通过粘合层48固定。所述转移装置400的每一个井410的第一底面411设置有至少一个紫外光光源49。所述粘合层48能够通过所述通孔423被所述紫外光光源49发出的紫外光光照射到，所述粘合层48被紫外光照射到之后，粘性下降，从而利于转移基底44的剥离。
请一并参考图7和图8，图7是本发明一实施例的微型器件43的转移方法流程图，图8是使用本发明第四实施例的转移装置400的转移微型器件43的示意图。在本实施例中，所述微型器件43的转移方法包括：
步骤S701：提供一转移装置400，所述转移装置400包括第一基底41，所述第一基底41包括多个井410以及容纳于所述井410中的平台42，所述井410和所述平台42之间设置有缓冲元件45，所述平台42承载有转移基底44。
在本实施例中，所述转移基底44为硬质的基底。在本实施例中，所述缓冲元件45为至少一组磁铁组。
在本实施例中，所述平台42为刚性的且不透明的材质，所述平台42设有沿平台42的厚度方向(图6中的Y方向)贯穿平台42的通孔423。所述转移装置400的每一个井410的第一底面411设置有至少一个紫外光光源49。
步骤S702：在所述转移基底44上形成多个微型器件43，所述转移基底44和所述微型器件43之间通过粘合层48固定。
步骤S703：如图8,提供一用于使用所述微型器件43的接收基板47，对准所述转移基底44和所述接收基板47。
步骤S704：向所述接收基板47或所述转移装置400施加压力，使所述多个微型器件43固定于所述接收基板47。
在本实施例中，可以向所述接收基板47施加朝所述多个微型器件的方向的压力。可以理解的，在其他实施例中，也可以向所述转移装置400施加朝向所述接收基板47的方向的压力，或者同时向所述接收基板47和所述转移装置400施加朝向对方的压力。所述接收基板47的表面可以形成有粘合材料(图未示)，以固定所述微型器件43。
当所述接收基板47或所述转移基底44向对方施加压力时，由于所述缓冲元件45可以使所述平台42与所述第一基底41之间存在缓冲力，因此可以改善所述微型器件43因转移基底44的厚度不均导致受力不均的现象，调节微型器件43的高度，使多个微型器件43在结合至接收基板47时处于共面的位置，可以避免微型器件43的损坏。
步骤S705：打开所述紫外光光源49，所述紫外光光源49发出的紫外光照射到所述粘合层48。
步骤S706：移除所述转移装置400。
具体地，在本实施例中，所述紫外光通过所述通孔423照射到所述粘合层48。所述粘合层48被紫外光照射到之后，粘性下降，使所述微型器件43自所述转移基底44释放，之后移除所述转移基底34。
图9是第五实施例的转移装置500的结构示意图。本实施例的转移装置500与第一实施例的转移装置100的相似，为了简洁起见，在本实施例中，与第一实施例的转移装置100结构和功能相同的元件在此不再赘述。本实施例的转移装置500与第一实施例的转移装置100的区别在于：在本实施例中，所述微型器件转移装置500的平台52为透光的材质，例如：玻璃、亚力克、蓝宝石等透明材料。所述转移基底54和承载于所述转移基底54的微型器件53之间通过粘合层58固定。所述转移装置500的的每一个井510的第一底面511设置有至少一个紫外光光源59。在本实施例中，每一个井510的第一底面511设置有两个紫外光光源59。所述粘合层58能够通过所述平台52被所述紫外光光源59发出的紫外光光照射到，所述粘合层58被紫外光照射到之后，粘性下降。
使用第五实施例的转移装置500的转移微型器件53的转移方法与第四实施例的转移方法相似，为了简洁起见，在此不再赘述。
图10是第六实施例的转移装置600的结构示意图。如图8所示，所述微型器件转移装置600包括第一基底61。所述第一基底61的一个表面开设有多个井610。在本实施例中，每一个井610包括一第一底面611自所述第一底面611的四侧边向井口方向延伸的第一侧壁612，所述第一底面611作为承载面。每个井的第一底面611相对于同一水平面基本处于同一高度或相对于同一水平面所处的高度略有所不同。每一个井610中容纳有一个平台62，所述平台62沿图1中的X方向的长度介于5mm～50mm之间，相邻的平台62之间沿图1中的X方向的间距介于5mm～50mm之间。所述平台62远离所述第一底面611的一侧设置有转移基底64，所述转移基底64用于承载微型器件63(例如Micro-LED)。所述平台62包括远离所述第一底面611的第二表面621，和面对所述第一侧壁612的第二侧壁622。第二表面621用于固定与承载转移基底64。所述第一侧壁612和所述第二侧壁622之间具有间隙，对应转移基底64的下方且在第一基底61中设置有有缓冲元件65。在本实施例中，所述缓冲元件65为弹簧。所述缓冲元件65使所述平台62和所述井610之间形成缓冲空间66。所述缓冲元件65能够在所述微型器件63转移的过程中提供缓冲力，避免所述微型器件63因受力过大被损坏。
使用第六实施例的转移装置600的转移微型器件63的转移方法与第一实施例的转移方法相似，为了简洁起见，在此不再赘述。
图11是第五实施例的转移装置700的结构示意图。如图11所示，所述微型器件转移装置700包括第一基底71。所述第一基底71的一侧设置有转移基底74，所述转移基底74用于承载微型器件73(例如Micro-LED)。所述第一基底71的包括表面711，所述转移基底74形成于所述表面711，所述第一基底71和所述转移基底74之间设置有缓冲元件75。所述缓冲元件75可以为天然橡胶(natural rubber)，异戊二烯橡胶(isoprene rubber)，丁二烯橡胶(butadiene rubber)，氯丁橡胶(chloroprene rubber)、乙烯丙烯共聚物(EPM)、氯醚橡胶(ECO)、丙烯酸酯橡胶(ACM)、丙烯酸酯丁二烯橡胶(ABR)、硅(Si)、甲基乙烯基硅橡胶(VMQ)、氟硅橡胶(FVMQ)等橡胶弹性体。所述缓冲元件75的厚度介于10μm～1000μm之间。所述缓冲元件75能够在所述微型器件73转移的过程中提供缓冲力，避免所述微型器件73因受力过大被损坏。可以理解的，在其他实施例中，所述缓冲元件75还可以为气囊、弹簧等其他元件。
请一并参考图12和图13，图12是本发明另一实施例的微型器件73的转移方法流程图，图13是使用本发明第七实施例的转移装置700的转移微型器件73的示意图。如图12所示，在本实施例中，所述微型器件73的转移方法包括：
步骤S1201：提供一转移装置700，所述转移装置700包括第一基底71，所述第一基底71包括表面711，所述表面711上设置有转移基底74，所述底面和所述转移基底74之间具有缓冲元件75。
在本实施例中，所述转移基底74为硬质的基底。在本实施例中，所述缓冲元件75可以为天然橡胶(natural rubber)，异戊二烯橡胶(isoprene rubber)，丁二烯橡胶(butadiene rubber)，氯丁橡胶(chloroprene rubber)、乙烯丙烯共聚物(EPM)、氯醚橡胶(ECO)、丙烯酸酯橡胶(ACM)、丙烯酸酯丁二烯橡胶(ABR)、硅(Si)、甲基乙烯基硅橡胶(VMQ)、氟硅橡胶(FVMQ)等弹性体。
步骤S1202：在所述转移基底74上形成多个微型器件73。
步骤S1203：提供一用于使用所述微型器件73的接收基板77，对准所述转移基底74和所述接收基板77。
步骤S1204：向所述接收基板77或所述转移装置700施加压力，使所述多个微型器件73固定于所述接收基板77。
在本实施例中，可以向所述接收基板77施加朝所述多个微型器件的方向的压力。可以理解的，在其他实施例中，也可以向所述转移装置700施加朝向所述接收基板77的方向的压力，或者同时向所述接收基板77和所述转移装置700施加朝向对方的压力。
步骤S1205：移除所述转移装置700。
可以理解，以上各实施方式中的转移装置可为移转头(Transfer Head)或移转头的一部分。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种微型器件的转移装置，其特征在于，包括：
第一基底；
转移基底，所述转移基底形成于所述第一基底上，所述转移基底用于承载多个微型器件；
所述第一基底和所述转移基底之间还设置有至少一个缓冲元件,所述缓冲元件用于为所述微型器件提供缓冲力。
2.如权利要求1所述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述第一基底上形成有凹陷形成的至少一个井，每一个井中容纳有至少一个平台，所述缓冲元件设置于所述井和所述平台之间空间内，所述转移基底形成于所述平台上。
3.如权利要求2所述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述缓冲元件为磁铁组，所述磁铁组包括第一磁铁和第二磁铁，所述第一磁铁位于所述井的侧壁，所述第二磁铁位于所述平台的侧壁。
4.如权利要求2所述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述缓冲元件为电磁铁组，所述电磁铁组包括第一电磁铁和第二电磁铁，所述第一电磁铁位于所述井的侧壁，所述第二电磁铁位于所述平台的侧壁。
5.如权利要求2所述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述平台为不透明的材质，所述平台具有暴露所述转移基底的通孔,所述每一个井的底面具有至少一个紫外光光源，所述转移基底通过粘合层固定对应设置的所述多个微型器件。
6.如权利要求2所述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述平台为透明的材质，所述每一个井的底面具有至少一个紫外光光源，所述转移基底通过粘合层固定对应设置的所述多个微型器件。
7.如权利要求1或2所述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述缓冲元件为气囊。
8.如权利要求1或2所述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述缓冲元件为弹簧。
9.权利要求1述的微型器件的转移装置，其特征在于：所述缓冲元件为弹性体。
10.一种微型器件的转移方法，其包括：
提供一转移装置，所述转移装置包括第一基底及转移基底，所述转移基底形成于所述第一基底上，所述第一基底和所述转移基底之间还包括至少一个缓冲元件；
在所述转移基底上形成多个微型器件；
提供用于使用所述微型器件的接收基板，对准所述转移基底和所述接收基板；
向所述接收基板或所述转移装置施加压力，使所述多个微型器件固定于所述接收基板；
移除所述转移基底。
11.如权利要求10所述的微型器件的转移方法，其中：所述第一基底包括多个井以及容纳于所述井中的平台，所述缓冲元件设置于所述井和所述平台之间的空间中，所述转移基底形成于所述平台上。
12.一种微型器件的转移方法，其包括：
提供一转移装置，所述转移装置包括第一基底，所述第一基底包括多个井以及容纳于所述井中的平台，所述井和所述平台之间设置有缓冲元件，所述平台承载有转移基底，每一个井的底面具有至少一个紫外光光源；
在所述转移基底上形成多个微型器件，所述转移基底和所述微型器件之间通过粘合层固定；
提供用于使用所述微型器件的接收基板，对准所述转移基底和所述接收基板；
向所述接收基板或所述转移装置施加压力，使所述多个微型器件固定于所述接收基板；
打开所述紫外光光源，所述紫外光光源发出的紫外光照射到所述粘合层,使得所述粘合层失去粘性；
移除所述转移装置。
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