CN110034059A - 载板结构及微型元件结构 - Google Patents

载板结构及微型元件结构 Download PDF

Info

Publication number
CN110034059A
CN110034059A CN201811481302.XA CN201811481302A CN110034059A CN 110034059 A CN110034059 A CN 110034059A CN 201811481302 A CN201811481302 A CN 201811481302A CN 110034059 A CN110034059 A CN 110034059A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transfer
micro element
support plate
micro
transfer portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811481302.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN110034059B (zh
Inventor
陈培欣
史诒君
陈奕静
刘应苍
李玉柱
张桓仆
吴志凌
罗玉云
林子旸
赖育弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
A Display Of Neptunium Polytron Technologies Inc
Original Assignee
A Display Of Neptunium Polytron Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by A Display Of Neptunium Polytron Technologies Inc filed Critical A Display Of Neptunium Polytron Technologies Inc
Publication of CN110034059A publication Critical patent/CN110034059A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110034059B publication Critical patent/CN110034059B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Toys (AREA)

Abstract

本发明提供一种适于转置或承载多个微型元件的载板结构及微型元件结构，所述载板结构包括载板及多个转移单元。多个转移单元设置于载板上。每一转移单元包括多个转移部。每一转移部具有转移面。每一微型元件具有元件表面。每一转移单元的多个转移部的多个转移面连接对应的微型元件的元件表面。每一转移面的面积小于对应的微型元件的元件表面的面积。

Description

载板结构及微型元件结构
技术领域
本发明涉及一种载板结构及微型元件结构，尤其涉及一种适于转置或承载微型元件的载板结构及使用该载板结构的微型元件结构。
背景技术
近年来，在有机发光二极管(Organic light-emitting diode，OLED)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下，微型发光二极管显示器(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。微型发光二极管显示器具有与有机发光二极管显示技术相当的光学表现，例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比，且具有低耗能及材料使用寿命长的优势。然而，以目前的技术而言，微型发光二极管显示器制造成本仍高于有机发光二极管显示器。主因在于微型发光二极管显示器的制造技术是采用晶粒转置的方式将制作好的微型发光二极管晶粒直接转移到驱动电路背板上，虽然这样的巨量转移(Mass transfer)技术在大尺寸的产品制造上有其发展优势，但目前相关制程技术与设备都有瓶颈待突破。
目前的晶粒转置技术所使用的提取方式包括利用静电力(Electrostaticforce)、凡德瓦力(Van Der Waals force)、黏性材料等方式。其中静电力的方式需要使用较高的外加电压，因此电弧(Arcing)与介电击穿(Dielectric Breakdown)的风险较高。使用凡德瓦力的方式吸取晶粒，其晶粒的黏附力与脱附力取决于弹性体高分子印模接触晶粒的速率快慢，因此对于印模的作动必须有较精密的控制，转置的成功率并不高。采用黏性材料黏取晶粒的转移方式，具有黏着力不均匀、不稳定及对位精准度不佳的缺点。再者，晶粒通过支撑结构排列于转置载板上时，受限于支撑结构大多配置于晶粒的周围表面，而使晶粒无法密集的排列于转置载板上以有效率进行巨量转置。因此，如何解决上述的技术瓶颈并降低生产成本，是目前各科技厂所致力于解决的问题之一。
发明内容
本发明提供一种载板结构，制程容许度佳。
本发明提供一种微型元件结构，微型元件的支撑力佳。
本发明的载板结构，适于转置(转移放置)或承载多个微型元件。载板结构包括载板及多个转移单元。多个转移单元设置于载板上。每一转移单元包括多个转移部。每一转移部具有转移面。每一微型元件具有元件表面。每一转移单元的多个转移部的多个转移面连接对应的微型元件的元件表面。每一转移面的面积小于对应的微型元件的元件表面的面积。
本发明的微型元件结构，包括载板结构及多个微型元件。载板结构包括载板及多个转移单元。多个转移单元设置于载板上。每一转移单元包括多个转移部。每一转移部具有转移面。每一微型元件具有元件表面。每一转移单元的多个转移部的多个转移面连接对应的微型元件的元件表面。每一转移面的面积小于对应的微型元件的元件表面的面积。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构的每一转移面的面积与对应的微型元件的元件表面的面积的比值介于0.2至0.8之间。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构的每一转移部的杨氏模量小于载板结构的杨氏模量与对应的微型元件的杨氏模量。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构的每一转移单元的一转移部的转移面与对应的微型元件的元件表面的重叠区域大于另一转移部的转移面与对应的微型元件的元件表面的重叠区域。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构的每一转移单元的多个转移部在载板结构上的正投影定义为转移区域。转移区域与对应的微型元件的元件表面的面积的比值大于等于0.5且小于等于1.5。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构的多个转移单元中任两相邻者之间具有第一间距。多个微型元件中任两相邻者之间具有第二间距，且第一间距与第二间距的比值介于0.5至1.5之间。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构的第一间距与每一微型元件的宽度的比值小于等于0.5。
在本发明的一实施例中，上述的载板结构的载板具有载板表面与多个凹槽。多个凹槽位于载板的载板表面，且多个转移部分别设置于多个凹槽中。
在本发明的一实施例中，上述的载板结构的每一转移部的转移面与载板表面切齐。
在本发明的一实施例中，上述的载板结构的每一转移部的转移面凸出载板表面。
在本发明的一实施例中，上述的载板结构的转移部凸出载板表面的高度与转移部的高度的比值小于等于0.8。
在本发明的一实施例中，上述的载板结构的每一转移部还具有连接载板的连接面，且每一转移面的粗糙度大于对应的连接面的粗糙度。
在本发明的一实施例中，上述的载板结构的每一转移单元具有至少一容置空间，且每一转移单元的多个转移部围绕对应的至少一容置空间。
在本发明的一实施例中，上述的载板结构的多个转移单元彼此相互连接。
基于上述，在本发明的实施例的载板结构可用于转置(转移放置)微型元件，也可作为放置微型元件的暂时基板，且通过连接微型元件的转移单元具有多个转移部，而每一转移部的转移面的面积小于每一微型元件的元件表面的面积，使每一微型元件在转移过程中的受力较均匀，并能提升转移流程的制程容许度(process latitude)。另外，采用所述载板结构的微型元件结构可提升微型元件的支撑力。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的第一实施例的微型元件结构的下视示意图；
图2为图1的微型元件结构的剖面示意图；
图3A至图3E为本发明的第一实施例的载板结构用于转置(转移放置)微型元件的流程示意图；
图4为本发明的第二实施例的微型元件结构的下视示意图；
图5为图4的微型元件结构的剖面示意图；
图6为本发明的第三实施例的微型元件结构的下视示意图；
图7为图6的微型元件结构的剖面示意图；
图8为本发明的第四实施例的微型元件结构的下视示意图；
图9为图8的微型元件结构的剖面示意图；
图10为本发明的第五实施例的微型元件结构的下视示意图；
图11为图10的微型元件结构的剖面示意图；
图12为本发明的第六实施例的微型元件结构的剖面示意图；
图13为本发明的第七实施例的微型元件结构的剖面示意图；
图14为本发明的第八实施例的微型元件结构的下视示意图；
图15为图14的微型元件结构的剖面示意图；
图16为本发明的第九实施例的微型元件结构的下视示意图；
图17为图16的微型元件结构的剖面示意图；
图18A至图18E为本发明的第十实施例的载板结构用于转置(转移放置)微型元件的流程示意图。
附图标记说明
1、1A～1H：微型元件结构
10、10A～10I：载板结构
20、20A、20B：微型元件
20s：元件表面
100、100A：载板
100a：凹槽
100s、400s：表面
200、200A、200B：转移单元
210：转移部
210c：连接面
210s：转移面
220：容置空间
300：暂时基板
400：目标基板
410：接合垫组
411：第一接合垫
412：第二接合垫
D1、D2、D3：方向
H1、H2：高度
S1：第一间距
S2：第二间距
TA：转移区域
A-A’～G-G’：剖线
I、II：区域
W：宽度
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于所附附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1为本发明的第一实施例的微型元件结构1的下视示意图。图2为图1的微型元件结构1的剖面示意图。特别是，图2对应图1的剖线A-A’。
请参照图1及图2，微型元件结构1包括载板结构10和多个微型元件20。载板结构10适于转置(转移放置)多个微型元件20。载板结构10包括载板100及多个转移单元200。多个转移单元200设置于载板100上。详细而言，在本实施例中，多个转移单元200可阵列排列于载板100的表面100s上，但本发明不限于此。每一微型元件20具有元件表面20s。多个转移单元200分别用以连接多个微型元件20的多个元件表面20s。具体而言，每一转移单元200用以连接对应的一个微型元件20的元件表面20s。
每一转移单元200包括多个转移部210。每一转移部210具有转移面210s，用以连接对应的微型元件20的元件表面20s。特别是，每一转移部210的转移面210s的面积小于每一微型元件20的元件表面20s的面积。在本实施例中，每一转移部210的转移面210s的面积与每一微型元件20的元件表面20s的面积的比值可介于0.2至0.8之间，小于0.2会使微型元件20在转移时的受力不均，大于0.8会使微型元件20不易转移且占据太多转移空间，但本发明不以此为限。也就是说，通过每一转移部210的转移面210s与每一微型元件20的元件表面20s的面积的比值介于0.2至0.8之间，使每一微型元件20在转移过程中的受力较均匀，并能提升转移流程的制程容许度(process latitude)。
需说明的是，每一转移部210在载板100上的正投影可选择性地为矩形、圆形、椭圆形、或其他适当的形状。举例而言，在本实施例中，每一转移部210在载板100上的正投影为矩形，且在方向D1上具有最大尺寸，然而，本发明不限于此，根据其他实施例，每一转移部210也可在方向D2上具有最大尺寸。特别是，所述最大尺寸可小于等于30微米。在一较佳的实施例中，每一转移部210的所述最大尺寸可小于等于10微米。值得一提的是，通过转移部210的大小及分布密度的调整，可改变每一转移单元200与微型元件20的连接力大小，以满足不同的转移制程条件。举例而言，当微型元件表面为平坦表面时，转移部210的分布密度较小，可有效承载微型元件，并轻易且更有效率地转置微型元件；当微型元件表面具有高低落差时，转移部210的分布密度较大，可使微型元件在转移过程中的受力较均匀。此处例如是每一转移单元200通过一黏力与微型元件20连接，也可以为其他物理作用力例如静电力或磁力，但不以此为限。
每一转移单元200具有转移区域TA，而转移区域TA为涵盖每一转移单元200的所有转移部210在载板100上的正投影的最小区域。举例而言，在本实施例中，每一转移单元200的转移区域TA在载板100上的正投影面积实质上等于对应的微型元件20的元件表面20s的面积，但本发明不以此为限。
在本实施例中，每一转移部210的杨氏模量(Young’s modulus)可选择性地小于载板100的杨氏模量与每一微型元件20的杨氏模量，以避免微型元件20在转移过程中因转移部210的压抵而毁损。也就是说，每一转移部210可兼具缓冲的功能。在本实施例中，转移部210可具有黏性，也就是说，转移部210的材质可包括黏性材料。黏性材料例如是有机材料(例如苯并环丁烯(benzocyclobutene)、酚醛树脂(phenol formaldehyde resin)、环氧树脂(epoxy resin)、聚异戊二烯橡胶(polyisoprene rubber)或其组合)、无机材料(例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合)、或热变质材料(例如冷脆材料、热熔性材料、光致抗蚀剂材料、或其组合)。特别是，黏性材料的黏性可随着不同温度而改变，例如温度越高，黏胶的黏性越大，但本发明不以此为限。根据其他未示出的实施例，每一转移部可选择性地包括一具有黏性的连接层(未示出)，且连接层(未示出)设置于每一转移部的转移面上，用以连接对应的微型元件20的元件表面20s，且可作为转置或承载时的缓冲。
在本实施例中，微型元件20例如是具光子功能的微型半导体元件，例如微型发光二极管(micro light emitting diode)、微型激光二极管(micro laser diode)、微型光电二极管(micro photodiode)，但本发明不以此为限。在另一实施例中，微型元件20也可以是具可控制执行预定电子功能的微型半导体，例如微型二极管(micro diode)、微型晶体管(micro transistor)、微型集成电路(micro integrated circuit)、微型传感器(microsensor)。在又一实施例中，微型元件20也可以是具有电路的微芯片(microchip)，例如以Si或SOI晶圆为材料用于逻辑或存储应用微芯片，或以GaAs晶圆为材料用于RF通信应用的微芯片。在本实施例中，微型元件20例如覆晶式的微型半导体元件(Flip chip)，但于未示出的实施例中，也可以为一垂直式的微型半导体元件(Vertical chip)，本发明不限于此。
图3A至图3E为本发明的第一实施例的载板结构10用于转置(转移放置)微型元件20的流程示意图。请参照图3A，首先，提供暂时基板300及多个微型元件20，其中多个微型元件20阵列排列于暂时基板300上。图2的载板结构10也可作为放置微型元件的暂时基板，但本发明不以此为限。提供载板结构10，其中每一转移单元200对应一个微型元件20。请参照图3B，接着，令载板结构10沿方向D3靠近暂时基板300，使载板结构10通过多个转移单元200分别连接多个微型元件20的元件表面20s。具体而言，每一转移单元200通过多个转移部210的多个转移面210s连接对应的一个微型元件20的元件表面20s。此处，暂时基板300可以为例如是一蓝宝石基板、一玻璃基板或一塑胶基板等的临时基板，可不具工作电路于上而是当成临时载具支撑微型元件20，但本发明不以此为限。
举例而言，在多个转移单元200分别连接多个微型元件20的元件表面20s时，可选择性地加热多个转移单元200的多个转移部210，使连接微型元件20的元件表面20s的每一转移部210的转移面210s的黏性增加，以提高每一转移部210的黏着力，但本发明不以此为限。请参照图3C，接着，令载板结构10的载板100沿方向D3的相反方向远离暂时基板300，并通过多个转移单元200分别将多个微型元件20移离暂时基板300。
请参照图3D，接着，提供一目标基板400，并令载板结构10的载板100沿方向D3靠近目标基板400，使多个微型元件20接合于目标基板400。其中目标基板400例如是用以显示的像素阵列基板，且具有阵列排列于目标基板400的表面400s上的多个接合垫组410。详细而言，每一接合垫组410包括第一接合垫411及第二接合垫412，且每一微型元件20(例如微型发光二极管)的第一电极(未示出)及第二电极(未示出)分别与目标基板400的第一接合垫411及第二接合垫412接合。然而，本发明不限于此，根据其他实施例，目标基板400也可以是印刷电路板(printed circuit board，PCB)、显示基板、发光基板、具薄膜晶体管或集成电路(ICs)等功能元件的基板或其他类型的电路基板，但不以此为限。
请参照图3E，在每一微型元件20接合于目标基板400后，令载板结构10的载板100沿方向D3的相反方向远离目标基板400，使多个转移单元200分别与多个微型元件20分离。至此，已完成多个微型元件20的转移流程。
图4为本发明的第二实施例的微型元件结构1A的下视示意图。图5为图4的微型元件结构1A的剖面示意图。特别是，图5对应图4的剖线B-B’。
请参照图4及图5，微型元件结构1A包括载板结构10A。本实施例的载板结构10A与图1的载板结构10的差异在于：本实施例的载板结构10A的每一转移单元200的转移区域TA在载板100上的正投影面积大于对应的微型元件20A的元件表面20s的面积。此处，微型元件20A的尺寸例如小于等于20微米，需要较大的错位容许度，但不以此为限。详细而言，在微型元件20A的转移过程中，每一转移单元200的一转移部210与微型元件20A的重叠区域I大于另一转移部210与微型元件20A的重叠区域II。也就是说，在载板结构10A的每一转移单元200与对应的微型元件20A进行对位时，产生方向D2上的错位(shift)。尽管如此，多个微型元件20A仍可具有足够的支撑力，以提升多个微型元件20A的转移良率。换言之，也可增加载板结构10A在转移流程中的错位容许度(例如方向D2和/或方向D1上的错位)。
特别一提的是，在本实施例中，通过每一转移单元200的转移区域TA在载板100上的正投影面积与对应的微型元件20B的元件表面20s的面积的比值大于1且小于等于1.5，可增加载板结构10A在转移流程中的错位容许度，并避免每一转移单元200占用过多的载板100空间。
图6为本发明的第三实施例的微型元件结构1B的下视示意图。图7为图6的微型元件结构1B的剖面示意图。特别是，图7对应图6的剖线C-C’。
请参照图6及图7，微型元件结构1B包括载板结构10B。本实施例的载板结构10B与图4的载板结构10A的差异在于：本实施例的载板结构10B的每一转移单元200的转移区域TA在载板100上的正投影面积小于对应的微型元件20B的元件表面20s的面积。特别是，在本实施例中，通过每一转移单元200的转移区域TA在载板100上的正投影面积与对应的微型元件20B的元件表面20s的面积的比值大于等于0.5且小于1，可使多个微型元件20B具有足够的支撑力，并可避免每一转移单元200接触非对应的微型元件20B。此处，微型元件20B的尺寸例如大于等于20微米，通过转移区域TA较小可避免每一转移单元200接触非对应的微型元件20B，但不以此为限。
图8为本发明的第四实施例的微型元件结构1C的下视示意图。图9为图8的微型元件结构1C的剖面示意图。特别是，图9对应图8的剖线D-D’。
请参照图8及图9，微型元件结构1C包括载板结构10C。载板结构10C的多个转移单元200中任两相邻者具有一最短距离，此距离为第一间距S1，多个微型元件20A中任两相邻者具有一最短距离，此距离为第二间距S2。在本实施例中，任两相邻的转移单元200的第一间距S1与任两相邻的微型元件20A的第二间距S2的比值介于0.5至1.5之间。特别是，在微型元件20A的尺寸例如小于等于20微米时，任两相邻的转移单元200的第一间距S1与任两相邻的微型元件20A的第二间距S2的比值大于等于0.5且小于1，可增加载板结构10C在转移流程中的错位容许度(例如方向D2和/或方向D1上的错位)，但本发明不以此为限。在微型元件20A的尺寸例如大于等于20微米时，任两相邻的转移单元200的第一间距S1与任两相邻的微型元件20A的第二间距S2的比值大于1且小于等于1.5，可避免每一转移单元200接触非对应的微型元件20A，但本发明不以此为限。特别一提的是，在本实施例中，任两相邻的转移单元200的第一间距S1与每一微型元件20A的宽度W的比值小于等于0.5。大于0.5会占据载板100过大的空间，使微型元件20A无法密集排列于载板100上。
图10为本发明的第五实施例的微型元件结构1D的下视示意图。图11为图10的微型元件结构1D的剖面示意图。图11对应图10的剖线E-E’。
请参照图10及图11，微型元件结构1D包括载板结构10D。相较于图1的载板结构10，本实施例的载板结构10D的载板100A更包括多个凹槽100a，设置于载板100A的表面100s。特别是，多个转移单元200的多个转移部210分别设置于载板100A的多个凹槽100a中，并相对于载板100A的表面100s暴露出一转移面。举例而言，在本实施例中，通过每一转移部210的转移面210s与载板100A的表面100s切齐，可使转移部210与载板接触的面积变大，通过载板100A加热时能均匀受热以进行后续转置的制程，但本发明不以此为限。
图12为本发明的第六实施例的微型元件结构1E的剖面视示意图。请参照图12，微型元件结构1E包括载板结构10E。本实施例的载板结构10E与图11的载板结构10D的差异在于：通过载板结构10E的每一转移部210的转移面210s凸出载板100A的表面100s(亦或是每一转移部210的转移面210s与载板100A的表面100s之间具有一段差)，以有效避免微型元件20B在转移流程中因转移部210的压抵而毁损。也就是说，载板结构10E的每一转移部210兼具缓冲的功能。且每一转移部210的转移面210s凸出载板100A的表面100s，可增加转置时的接合制程中，每一转移部210左右的缓冲空间。特别说明的是，转移部210s凸出载板100A的表面100s具有一高度H1，高度H1与每一转移部210的高度H2的比值小于等于0.8。大于0.8可能使转移部210对微型元件20的支撑力不足，易造成毁损。
图13为本发明的第七实施例的微型元件结构1F的剖面示意图。请参照图13，微型元件结构1F包括载板结构10F。载板结构10F的每一转移部210具有连接载板100的连接面210c，且每一转移部210的转移面210s的粗糙度(roughness)大于对应的连接面210c的粗糙度。特别是，藉由调整每一转移面210s的粗糙度，可改变每一转移部210与对应的微型元件20B的间的黏着力大小。举例而言，通过每一转移面210s的粗糙度增加，可使每一转移部210与对应的微型元件20B之间的黏着力较小，有助于载板结构10F在微型元件20B与目标基板接合后较易分离。
图14为本发明的第八实施例的微型元件结构1G的下视示意图。图15为图14的微型元件结构1G的剖面示意图。特别是，图15对应图14的剖线F-F’。
请参照图14及图15，微型元件结构1G包括载板结构10G。载板结构10G的每一转移单元200A具有至少一容置空间220，且每一转移单元200A的多个转移部210围绕对应的至少一容置空间220。举例而言，在本实施例中，每一转移单元200A具有四个容置空间220，且重叠于对应的微型元件20B。值得一提的是，通过容置空间220的大小及分布密度的调整，可改变每一转移单元200A的连接力大小，以满足不同的转移制程条件。举例而言，当微型元件表面为平坦表面时，容置空间220的分布密度较大，可有效承载微型元件，并轻易且更有效率地转置微型元件；当微型元件表面具有高低落差时，容置空间220的分布密度较小，可使微型元件在转移过程中的受力较均匀。
图16为本发明的第九实施例的微型元件结构1H的下视示意图。图17为图16的微型元件结构1H的剖面示意图。特别是，图17对应图16的剖线G-G’。
请参照图16及图17，微型元件结构1H包括载板结构10H。本实施例的载板结构10H与图14的载板结构10G的差异在于：载板结构10H的多个转移单元200B彼此相互连接。如此一来，可进一步增加载板结构10H在转移流程中的错位容许度(例如方向D2和/或方向D1上的错位)。
图18A至图18E为本发明的第十实施例的载板结构10I用于转置(转移放置)微型元件20的流程示意图。请参照图18A至图18E，本实施例的载板结构10I与图3A的载板结构10的差异在于：在每一次的转置过程中，载板结构10I的多个转移单元200仅连接设置在暂时基板300上的部分微型元件20，并转置到目标基板400的多个接合垫组410上。举例而言，在本实施例中，任两相邻的转移单元200可选择性地以间隔一个微型元件20的方式连接对应的两个微型元件20，但本发明不以此为限。如此一来，可满足多个微型元件20的局部转移需求，并可增加每一转移单元200在载板100上的设置裕度。
综上所述，在本发明的实施例的载板结构可用于转置(转移放置)微型元件，也可作为放置微型元件的暂时基板，且通过连接微型元件的转移单元具有多个转移部，而每一转移部的转移面的面积小于每一微型元件的元件表面的面积，使每一微型元件在转移过程中的受力较均匀，并能提升转移流程的制程容许度(process latitude)。另外，采用所述载板结构的微型元件结构可提升微型元件的支撑力。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (22)

1.一种微型元件结构，包括：
载板结构，包括：
载板；以及
多个转移单元，设置于所述载板上，其中每一所述转移单元包括多个转移部，且每一所述转移部具有转移面；以及
多个微型元件，其中每一所述微型元件具有元件表面，每一所述转移单元的所述多个转移部的所述多个转移面连接对应的所述微型元件的所述元件表面，且每一所述转移面的面积小于对应的所述微型元件的所述元件表面的面积。
2.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中每一所述转移面的面积与对应的所述微型元件的所述元件表面的面积的比值介于0.2至0.8之间。
3.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中每一所述转移部的杨氏模量小于所述载板的杨氏模量与对应的所述微型元件的杨氏模量。
4.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中每一所述转移单元的所述转移部的所述转移面与对应的所述微型元件的所述元件表面的重叠区域大于另一所述转移部的所述转移面与对应的所述微型元件的所述元件表面的重叠区域。
5.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中每一所述转移单元的所述多个转移部于所述载板上的正投影定义为一转移区域，所述转移区域与对应的所述微型元件的所述元件表面的面积的比值大于等于0.5且小于等于1.5。
6.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中所述多个转移单元中任两相邻者之间具有第一间距，所述多个微型元件中任两相邻者之间具有第二间距，且所述第一间距与所述第二间距的比值介于0.5至1.5之间。
7.根据权利要求6所述的微型元件结构，其中所述第一间距与每一所述微型元件的宽度的比值小于等于0.5。
8.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中所述载板具有一载板表面与多个凹槽，且所述多个凹槽位于所述载板的载板表面，且所述多个转移部分别设置于所述多个凹槽中。
9.根据权利要求8所述的微型元件结构，其中每一所述转移部的所述转移面与所述载板表面切齐。
10.根据权利要求8所述的微型元件结构，其中每一所述转移部的所述转移面凸出所述载板表面。
11.根据权利要求10所述的微型元件结构，其中所述转移部凸出所述载板表面的高度与所述转移部的高度的比值小于等于0.8。
12.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中每一所述转移部还具有连接所述载板的连接面，且每一所述转移面的粗糙度大于对应的所述连接面的粗糙度。
13.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中每一所述转移单元具有至少一容置空间，且每一所述转移单元的所述多个转移部围绕对应的所述至少一容置空间。
14.根据权利要求13所述的微型元件结构，其中所述多个转移单元彼此相互连接。
15.一种载板结构，适于转置或承载多个微型元件，所述载板结构包括：
载板；以及
多个转移单元，设置于所述载板上，其中每一所述转移单元包括多个转移部，且每一所述转移部具有转移面，其中每一所述微型元件具有元件表面，且每一所述转移单元的所述多个转移部的所述多个转移面连接对应的所述微型元件的所述元件表面，且每一所述转移面的面积小于对应的所述微型元件的所述元件表面的面积。
16.根据权利要求15所述的载板结构，其中所述载板具有载板表面与多个凹槽，且所述多个凹槽位于所述载板的载板表面，且所述多个转移部分别设置于所述多个凹槽中。
17.根据权利要求16所述的载板结构，其中每一所述转移部的所述转移面与所述载板表面切齐。
18.根据权利要求16所述的载板结构，其中每一所述转移部的所述转移面凸出所述载板表面。
19.根据权利要求18所述的载板结构，其中所述转移部凸出所述载板表面的高度与所述转移部的高度的比值小于等于0.8。
20.根据权利要求15所述的载板结构，其中每一所述转移部还具有连接所述载板的连接面，且每一所述转移面的粗糙度大于对应的所述连接面的粗糙度。
21.根据权利要求15所述的载板结构，其中每一所述转移单元具有至少一容置空间，且每一所述转移单元的所述多个转移部围绕对应的所述至少一容置空间。
22.根据权利要求21所述的载板结构，其中所述多个转移单元彼此相互连接。
CN201811481302.XA 2017-12-19 2018-12-05 载板结构及微型元件结构 Active CN110034059B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762607325P 2017-12-19 2017-12-19
US62/607,325 2017-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110034059A true CN110034059A (zh) 2019-07-19
CN110034059B CN110034059B (zh) 2023-05-16

Family

ID=66984372

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810567515.8A Active CN109935668B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构
CN201810567567.5A Active CN109935575B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构
CN201810567531.7A Active CN109935610B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构
CN201810567577.9A Active CN109935576B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构
CN201811481302.XA Active CN110034059B (zh) 2017-12-19 2018-12-05 载板结构及微型元件结构

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810567515.8A Active CN109935668B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构
CN201810567567.5A Active CN109935575B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构
CN201810567531.7A Active CN109935610B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构
CN201810567577.9A Active CN109935576B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件结构

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11005019B2 (zh)
CN (5) CN109935668B (zh)
TW (5) TWI660448B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786514A (zh) * 2019-11-11 2021-05-11 成都辰显光电有限公司 一种微元件的临时转移基板及其制备方法
CN113228243A (zh) * 2019-12-03 2021-08-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种半导体装置巨量转移方法和系统

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI698994B (zh) 2019-09-16 2020-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及轉移裝置
TWI708405B (zh) 2019-09-16 2020-10-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件
US11916172B2 (en) 2019-09-16 2024-02-27 PlayNitride Display Co., Ltd. Epitaxial structure, semiconductor structure including the same, and semiconductor pickup element for transferring the same
CN110600602B (zh) * 2019-09-16 2021-07-06 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体元件结构、以及显示元件
CN110556470B (zh) * 2019-09-16 2021-04-20 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体组件结构、以及转移装置
TWI717128B (zh) 2019-12-03 2021-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構
CN110993552B (zh) * 2019-12-03 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构
CN110739378B (zh) * 2019-12-03 2021-02-26 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构及其显示装置
TWI728583B (zh) 2019-12-03 2021-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構與微型元件顯示裝置
CN111129253A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 厦门乾照光电股份有限公司 倒装微型电子元件结构及其制作方法
TWI726648B (zh) * 2020-03-09 2021-05-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
TWI762953B (zh) * 2020-06-16 2022-05-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法
TWI773324B (zh) * 2021-05-17 2022-08-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件、微型發光結構及顯示裝置
TWI808422B (zh) 2021-05-21 2023-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 接著層結構以及半導體結構
DE112021007729T5 (de) * 2021-09-14 2024-04-11 Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. Mikrolichtemittierende Anordnung, Mikro-LED und deren Anzeigevorrichtung
TWI811810B (zh) * 2021-10-13 2023-08-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN113937197A (zh) * 2021-10-13 2022-01-14 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160118333A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Fabricating 3D Package with Short Cycle Time and High Yield
CN106229326A (zh) * 2016-07-22 2016-12-14 深圳市华星光电技术有限公司 在曲面基板上转印微发光二极管的方法及曲面微发光二极管显示面板的制作方法
JP2017022391A (ja) * 2011-11-18 2017-01-26 アップル インコーポレイテッド マイクロデバイス転写ヘッド
CN106395736A (zh) * 2015-08-03 2017-02-15 美科米尚技术有限公司 转置头阵列与微元件的转移方法
US20170047306A1 (en) * 2015-08-11 2017-02-16 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
CN106601657A (zh) * 2016-12-12 2017-04-26 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4120223B2 (ja) * 2002-01-16 2008-07-16 ソニー株式会社 電子部品の製造方法、これを用いた画像表示装置
TWI363437B (en) * 2008-05-21 2012-05-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package capable of providing electrostatic discharge circuit protection and process of making the same
TW200644265A (en) * 2005-06-10 2006-12-16 Ramtronics Ind Co Ltd Multiple package structure and producing method thereof
DE102005050398A1 (de) * 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
KR20100127286A (ko) * 2008-03-21 2010-12-03 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 장치
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
DE102010029368A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010054782A1 (de) * 2010-12-16 2012-06-21 Epcos Ag Gehäustes elektrisches Bauelement
TWI455273B (zh) * 2011-08-04 2014-10-01 Chipmos Technologies Inc 晶片封裝結構
US8794501B2 (en) * 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
CN102520832A (zh) * 2011-12-19 2012-06-27 协晶电子科技(上海)有限公司 多功能触摸感应桌面及具有该桌面的触控显示装置
KR20140068474A (ko) * 2012-11-28 2014-06-09 서울바이오시스 주식회사 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법
WO2014083777A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 パナソニック株式会社 基板、発光装置、照明用光源及び基板の製造方法
KR101504331B1 (ko) * 2013-03-04 2015-03-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
US8928014B2 (en) * 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
US9217541B2 (en) * 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
TWI590498B (zh) * 2013-06-03 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 電子元件的轉移方法及電子元件陣列
US9035279B2 (en) * 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
TWI561150B (en) * 2013-11-28 2016-12-01 E Ink Holdings Inc Flexible display apparatus
JP2015207754A (ja) * 2013-12-13 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101501020B1 (ko) 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
DE102014106503B4 (de) * 2014-05-08 2016-03-03 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons
US9219197B1 (en) * 2014-05-30 2015-12-22 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9590137B2 (en) 2014-05-30 2017-03-07 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode
US9929053B2 (en) * 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
CN111180381B (zh) * 2014-06-18 2021-08-27 艾克斯展示公司技术有限公司 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法
JP6483246B2 (ja) * 2014-10-17 2019-03-13 インテル・コーポレーション 微小持ち上げ・接合組立法
TWI578581B (zh) * 2014-11-18 2017-04-11 錼創科技股份有限公司 發光元件
US9773711B2 (en) * 2014-12-01 2017-09-26 Industrial Technology Research Institute Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module
US9607907B2 (en) * 2014-12-01 2017-03-28 Industrial Technology Research Institute Electric-programmable magnetic module and picking-up and placement process for electronic devices
US9633982B2 (en) * 2015-02-17 2017-04-25 Chun Yen Chang Method of manufacturing semiconductor device array
TWI720972B (zh) * 2015-03-18 2021-03-11 新世紀光電股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
CN107454985B (zh) * 2015-03-30 2020-08-21 亮锐控股有限公司 用于高亮度发光装置的外围散热布置
US20160297671A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-13 Epcos Ag MEMS Sensor Component
TWI557831B (zh) * 2015-05-15 2016-11-11 友達光電股份有限公司 微組件的傳送方法
US9640715B2 (en) * 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US20160351548A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light emitting diode display device and manufacturing method thereof
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
US10193025B2 (en) * 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153257B2 (en) * 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
TWI618266B (zh) * 2016-09-07 2018-03-11 友達光電股份有限公司 微型發光二極體單元之中介結構及其製造方法、微型發光二極體單元及其製造方法與微型發光二極體裝置
TWI611599B (zh) * 2016-10-27 2018-01-11 友達光電股份有限公司 過渡載板裝置、顯示面板以及兩者的製造方法、微型發光件的檢測方法
CN107068665B (zh) * 2017-04-18 2019-02-05 天津三安光电有限公司 微型发光二极管器件及其制作方法
CN107425101B (zh) * 2017-07-11 2019-03-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种微型发光二极管芯片巨量转移的方法
CN107452840B (zh) * 2017-07-14 2019-03-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种led面板及其制作方法
CN109671661B (zh) * 2017-10-16 2023-09-26 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光元件结构
US10797029B2 (en) 2017-12-19 2020-10-06 PlayNitride Inc. Structure with micro device
US10804130B2 (en) 2017-12-19 2020-10-13 PlayNitride Inc. Structure with micro device
CN208352328U (zh) * 2018-07-18 2019-01-08 易美芯光（北京）科技有限公司 一种Micro LED封装结构
TWI729389B (zh) * 2019-05-07 2021-06-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017022391A (ja) * 2011-11-18 2017-01-26 アップル インコーポレイテッド マイクロデバイス転写ヘッド
US20160118333A1 (en) * 2014-10-24 2016-04-28 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor Device and Method of Fabricating 3D Package with Short Cycle Time and High Yield
CN106395736A (zh) * 2015-08-03 2017-02-15 美科米尚技术有限公司 转置头阵列与微元件的转移方法
US20170047306A1 (en) * 2015-08-11 2017-02-16 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
CN106229326A (zh) * 2016-07-22 2016-12-14 深圳市华星光电技术有限公司 在曲面基板上转印微发光二极管的方法及曲面微发光二极管显示面板的制作方法
CN106601657A (zh) * 2016-12-12 2017-04-26 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786514A (zh) * 2019-11-11 2021-05-11 成都辰显光电有限公司 一种微元件的临时转移基板及其制备方法
CN113228243A (zh) * 2019-12-03 2021-08-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种半导体装置巨量转移方法和系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN109935576A (zh) 2019-06-25
CN109935668A (zh) 2019-06-25
CN109935668B (zh) 2021-08-24
CN109935575A (zh) 2019-06-25
TW201929187A (zh) 2019-07-16
CN109935610A (zh) 2019-06-25
US11005019B2 (en) 2021-05-11
TW201929127A (zh) 2019-07-16
TWI685946B (zh) 2020-02-21
US20200028043A1 (en) 2020-01-23
TWI660448B (zh) 2019-05-21
TW201929188A (zh) 2019-07-16
US11705548B2 (en) 2023-07-18
CN109935576B (zh) 2023-05-30
CN109935610B (zh) 2023-04-07
US20210305474A1 (en) 2021-09-30
TWI692123B (zh) 2020-04-21
TWI660487B (zh) 2019-05-21
TW201929264A (zh) 2019-07-16
TW201929191A (zh) 2019-07-16
TWI679748B (zh) 2019-12-11
CN110034059B (zh) 2023-05-16
CN109935575B (zh) 2023-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110034059A (zh) 载板结构及微型元件结构
Bower et al. Emissive displays with transfer-printed assemblies of 8 μm× 15 μm inorganic light-emitting diodes
TWI581355B (zh) 轉置微元件的方法
US20180204973A1 (en) Light-emitting diode structure, transfer assembly, and transfer method using the same
US10212867B2 (en) Transfer apparatus and transfer method
CN109935664B (zh) 光电半导体戳记及其制造方法与光电半导体装置
US11177154B2 (en) Carrier structure and micro device structure
CN110379758B (zh) 吸附装置、转移系统及转移方法
US11062936B1 (en) Transfer stamps with multiple separate pedestals
US10431569B2 (en) Method of transferring micro devices
US11521887B2 (en) Method of transferring micro LED and micro LED transferring apparatus
US11302547B2 (en) Carrier structure and micro device structure
CN110391165B (zh) 转移载板与晶粒载板
GB2545155A (en) Assembly of semiconductor devices
CN108695412B (zh) 传输微小元件的方法
CN114793469A (zh) 制造显示装置的方法
US11804583B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
CN109461755B (zh) 软性基板及线路结构及其制造方法
CN111276470B (zh) 微型半导体元件结构
EP3689593B1 (en) Patterned film for transferring display pixels and method for preparing display using same
JP2023123546A (ja) Ｌｅｄの転写方法及びそれを用いた表示装置の製造方法
CN117178377A (zh) Led转移材料以及工艺
US10937826B2 (en) Micro semiconductor structure
JP2018078132A (ja) 精密部品用の保持治具及びその製造方法
US11056375B2 (en) Micro LED carrier board

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant