TWI685946B - 載板結構及微型元件結構 - Google Patents

載板結構及微型元件結構 Download PDF

Info

Publication number
TWI685946B
TWI685946B TW107143613A TW107143613A TWI685946B TW I685946 B TWI685946 B TW I685946B TW 107143613 A TW107143613 A TW 107143613A TW 107143613 A TW107143613 A TW 107143613A TW I685946 B TWI685946 B TW I685946B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transfer
micro
carrier board
item
patent application
Prior art date
Application number
TW107143613A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201929191A (zh
Inventor
陳培欣
史詒君
陳奕靜
劉應蒼
李玉柱
張桓僕
吳志凌
羅玉雲
林子暘
賴育弘
Original Assignee
錼創顯示科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 錼創顯示科技股份有限公司 filed Critical 錼創顯示科技股份有限公司
Priority to US16/224,811 priority Critical patent/US11177154B2/en
Publication of TW201929191A publication Critical patent/TW201929191A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI685946B publication Critical patent/TWI685946B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Toys (AREA)

Abstract

一種適於轉置或承載多個微型元件的載板結構包括載板及多個轉移單元。多個轉移單元設置於載板上。每一轉移單元包括多個轉移部。每一轉移部具有轉移面。每一微型元件具有元件表面。每一轉移單元的多個轉移部的多個轉移面連接對應的微型元件的元件表面。每一轉移面的面積小於對應的微型元件的元件表面的面積。一種使用載板結構的微型元件結構亦被提出。

Description

載板結構及微型元件結構
本發明是有關於一種載板結構及微型元件結構，且特別是有關於一種適於轉置或承載微型元件的載板結構及使用該載板結構的微型元件結構。
近年來，在有機發光二極體（Organic light-emitting diode，OLED）顯示面板的製造成本偏高及其使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下，微型發光二極體顯示器（Micro LED Display）逐漸吸引各科技大廠的投資目光。微型發光二極體顯示器具有與有機發光二極體顯示技術相當的光學表現，例如高色彩飽和度、應答速度快及高對比，且具有低耗能及材料使用壽命長的優勢。然而，以目前的技術而言，微型發光二極體顯示器製造成本仍高於有機發光二極體顯示器。主因在於微型發光二極體顯示器的製造技術係採用晶粒轉置的方式將製作好的微型發光二極體晶粒直接轉移到驅動電路背板上，雖然這樣的巨量轉移（Mass transfer）技術在大尺寸的產品製造上有其發展優勢，但目前相關製程技術與設備都有瓶頸待突破。
目前的晶粒轉置技術所使用的提取方式包括利用靜電力（Electrostatic force）、凡德瓦力（Van Der Waals force）、黏性材料等方式。其中靜電力的方式需要使用較高的外加電壓，因此電弧（Arcing）與介電擊穿（Dielectric Breakdown）的風險較高。使用凡德瓦力的方式吸取晶粒，其晶粒的黏附力與脫附力取決於彈性體高分子印模接觸晶粒的速率快慢，因此對於印模的作動必須有較精密的控制，轉置的成功率並不高。採用黏性材料黏取晶粒的轉移方式，具有黏著力不均勻、不穩定及對位精準度不佳的缺點。再者，晶粒透過支撐結構排列於轉置載板上時，受限於支撐結構大多配置於晶粒的周圍表面，而使晶粒無法密集的排列於轉置載板上以有效率進行巨量轉置。因此，如何解決上述的技術瓶頸並降低生產成本，是目前各科技廠所致力於解決的問題之一。
本發明提供一種載板結構，製程容許度佳。
本發明提供一種微型元件結構，微型元件的支撐力佳。
本發明的載板結構，適於轉置（轉移放置）或承載多個微型元件。載板結構包括載板及多個轉移單元。多個轉移單元設置於載板上。每一轉移單元包括多個轉移部。每一轉移部具有轉移面。每一微型元件具有元件表面。每一轉移單元的多個轉移部的多個轉移面連接對應的微型元件的元件表面。每一轉移面的面積小於對應的微型元件的元件表面的面積。
本發明的微型元件結構，包括載板結構及多個微型元件。載板結構包括載板及多個轉移單元。多個轉移單元設置於載板上。每一轉移單元包括多個轉移部。每一轉移部具有轉移面。每一微型元件具有元件表面。每一轉移單元的多個轉移部的多個轉移面連接對應的微型元件的元件表面。每一轉移面的面積小於對應的微型元件的元件表面的面積。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件結構的每一轉移面的面積與對應的微型元件的元件表面的面積的比值介於0.2至0.8之間。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件結構的每一轉移部的楊氏模量小於載板結構的楊氏模量與對應的微型元件的楊氏模量。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件結構的每一轉移單元的一轉移部的轉移面與對應的微型元件的元件表面的重疊區域大於另一轉移部的轉移面與對應的微型元件的元件表面的重疊區域。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件結構的每一轉移單元的多個轉移部在載板結構上的正投影定義為轉移區域。轉移區域與對應的微型元件的元件表面的面積的比值大於等於0.5且小於等於1.5。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件結構的多個轉移單元中任兩相鄰者之間具有第一間距。多個微型元件中任兩相鄰者之間具有第二間距，且第一間距與第二間距的比值介於0.5至1.5之間。
在本發明的一實施例中，上述的微型元件結構的第一間距與每一微型元件的寬度的比值小於等於0.5。
在本發明的一實施例中，上述的載板結構的載板具有載板表面與多個凹槽。多個凹槽位於載板的載板表面，且多個轉移部分別設置於多個凹槽中。
在本發明的一實施例中，上述的載板結構的每一轉移部的轉移面與載板表面切齊。
在本發明的一實施例中，上述的載板結構的每一轉移部的轉移面凸出載板表面。
在本發明的一實施例中，上述的載板結構的轉移部凸出載板表面的高度與轉移部的高度的比值小於等於0.8。
在本發明的一實施例中，上述的載板結構的每一轉移部還具有連接載板的連接面，且每一轉移面的粗糙度大於對應的連接面的粗糙度。
在本發明的一實施例中，上述的載板結構的每一轉移單元具有至少一容置空間，且每一轉移單元的多個轉移部圍繞對應的至少一容置空間。
在本發明的一實施例中，上述的載板結構的多個轉移單元彼此相互連接。
基於上述，在本發明之實施例的載板結構可用於轉置（轉移放置）微型元件，亦可作為放置微型元件的暫時基板，且透過連接微型元件的轉移單元具有多個轉移部，而每一轉移部的轉移面的面積小於每一微型元件的元件表面的面積，使每一微型元件在轉移過程中的受力較均勻，並能提升轉移流程的製程容許度（process latitude）。另外，採用所述載板結構的微型元件結構可提升微型元件的支撐力。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1為本發明之第一實施例的微型元件結構1的下視示意圖。圖2為圖1之微型元件結構1的剖面示意圖。特別是，圖2對應圖1的剖線A-A’。
請參照圖1及圖2，微型元件結構1包括載板結構10和多個微型元件20。載板結構10適於轉置（轉移放置）多個微型元件20。載板結構10包括載板100及多個轉移單元200。多個轉移單元200設置於載板100上。詳細而言，在本實施例中，多個轉移單元200可陣列排列於載板100的表面100s上，但本發明不限於此。每一微型元件20具有元件表面20s。多個轉移單元200分別用以連接多個微型元件20的多個元件表面20s。具體而言，每一轉移單元200係用以連接對應的一個微型元件20的元件表面20s。
每一轉移單元200包括多個轉移部210。每一轉移部210具有轉移面210s，用以連接對應的微型元件20的元件表面20s。特別是，每一轉移部210的轉移面210s的面積小於每一微型元件20的元件表面20s的面積。在本實施例中，每一轉移部210的轉移面210s的面積與每一微型元件20的元件表面20s的面積之比值可介於0.2至0.8之間，小於0.2會使微型元件20在轉移時的受力不均，大於0.8會使微型元件20不易轉移且佔據太多轉移空間，但本發明不以此為限。也就是說，透過每一轉移部210之轉移面210s與每一微型元件20之元件表面20s的面積之比值介於0.2至0.8之間，使每一微型元件20在轉移過程中的受力較均勻，並能提升轉移流程的製程容許度（process latitude）。
需說明的是，每一轉移部210在載板100上的正投影可選擇性地為矩形、圓形、橢圓形、或其他適當的形狀。舉例而言，在本實施例中，每一轉移部210在載板100上的正投影為矩形，且在方向D1上具有最大尺寸，然而，本發明不限於此，根據其他實施例，每一轉移部210也可在方向D2上具有最大尺寸。特別是，所述最大尺寸可小於等於30微米。在一較佳的實施例中，每一轉移部210的所述最大尺寸可小於等於10微米。值得一提的是，透過轉移部210之大小及分布密度的調整，可改變每一轉移單元200與微型元件20的連接力大小，以滿足不同的轉移製程條件。舉例而言，當微型元件表面為平坦表面時，轉移部210的分布密度較小，可有效承載微型元件，並輕易且更有效率地轉置微型元件；當微型元件表面具有高低落差時，轉移部210的分布密度較大，可使微型元件在轉移過程中的受力較均勻。此處例如是每一轉移單元200透過一黏力與微型元件20連接，亦可以為其他物理作用力例如靜電力或磁力，但不以此為限。
每一轉移單元200具有轉移區域TA，而轉移區域TA係為涵蓋每一轉移單元200的所有轉移部210在載板100上之正投影的最小區域。舉例而言，在本實施例中，每一轉移單元200的轉移區域TA在載板100上的正投影面積實質上等於對應的微型元件20的元件表面20s的面積，但本發明不以此為限。
在本實施例中，每一轉移部210的楊氏模量（Young’s modulus）可選擇性地小於載板100的楊氏模量與每一微型元件20的楊氏模量，以避免微型元件20在轉移過程中因轉移部210的壓抵而毀損。也就是說，每一轉移部210可兼具緩衝的功能。在本實施例中，轉移部210可具有黏性，也就是說，轉移部210的材質可包括黏性材料。黏性材料例如是有機材料（例如苯並環丁烯（benzocyclobutene）、酚醛樹脂（phenol formaldehyde resin）、環氧樹脂（epoxy resin）、聚異戊二烯橡膠（polyisoprene rubber）或其組合）、無機材料（例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或其組合）、或熱變質材料（例如冷脆材料、熱熔性材料、光阻材料、或其組合）。特別是，黏性材料的黏性可隨著不同溫度而改變，例如溫度越高，黏膠的黏性越大，但本發明不以此為限。根據其他未繪示出的實施例，每一轉移部可選擇性地包括一具有黏性的連接層（未繪示），且連接層（未繪示）設置於每一轉移部的轉移面上，用以連接對應的微型元件20的元件表面20s，且可做為轉置或承載時的緩衝。
在本實施例中，微型元件20例如是具光子功能的微型半導體元件，例如微型發光二極體（micro light emitting diode）、微型雷射二極體（micro laser diode）、微型光電二極體（micro photodiode），但本發明不以此為限。在另一實施例中，微型元件20也可以是具可控制執行預定電子功能的微型半導體，例如微型二極體（micro diode）、微型電晶體（micro transistor）、微型積體電路（micro integrated circuit）、微型感測器(micro sensor)。在又一實施例中，微型元件20也可以是具有電路的微晶片（microchip），例如以Si或SOI晶圓為材料用於邏輯或記憶應用微晶片，或以GaAs晶圓為材料用於RF通信應用的微晶片。在本實施例中，微型元件20例如覆晶式的微型半導體元件（Flip chip），但於未繪示出的實施例中，亦可以為一垂直式的微型半導體元件（Vertical chip），本發明不限於此。
圖3A至圖3E為本發明之第一實施例的載板結構10用於轉置（轉移放置）微型元件20的流程示意圖。請參照圖3A，首先，提供暫時基板300及多個微型元件20，其中多個微型元件20陣列排列於暫時基板300上。圖2之載板結構10亦可作為放置微型元件的暫時基板，但本發明不以此為限。提供載板結構10，其中每一轉移單元200係對應一個微型元件20。請參照圖3B，接著，令載板結構10沿方向D3靠近暫時基板300，使載板結構10透過多個轉移單元200分別連接多個微型元件20的元件表面20s。具體而言，每一轉移單元200係透過多個轉移部210的多個轉移面210s連接對應的一個微型元件20的元件表面20s。此處，暫時基板300可以為例如是一藍寶石基板、一玻璃基板或一塑膠基板等的臨時基板，可不具工作電路於上而是當成臨時載具支撐微型元件20，但本發明不以此為限。
舉例而言，在多個轉移單元200分別連接多個微型元件20的元件表面20s時，可選擇性地加熱多個轉移單元200的多個轉移部210，使連接微型元件20之元件表面20s的每一轉移部210之轉移面210s的黏性增加，以提高每一轉移部210的黏著力，但本發明不以此為限。請參照圖3C，接著，令載板結構10的載板100沿方向D3的相反方向遠離暫時基板300，並透過多個轉移單元200分別將多個微型元件20移離暫時基板300。
請參照圖3D，接著，提供一目標基板400，並令載板結構10的載板100沿方向D3靠近目標基板400，使多個微型元件20接合於目標基板400。其中目標基板400例如是用以顯示的畫素陣列基板，且具有陣列排列於目標基板400之表面400s上的多個接合墊組410。詳細而言，每一接合墊組410包括第一接合墊411及第二接合墊412，且每一微型元件20（例如微型發光二極體）的第一電極（未繪示）及第二電極（未繪示）分別與目標基板400的第一接合墊411及第二接合墊412接合。然而，本發明不限於此，根據其他實施例，目標基板400也可以是印刷電路板（printed circuit board，PCB）、顯示基板、發光基板、具薄膜電晶體或積體電路（ICs）等功能元件的基板或其他類型的電路基板，但不以此為限。
請參照圖3E，在每一微型元件20接合於目標基板400後，令載板結構10的載板100沿方向D3的相反方向遠離目標基板400，使多個轉移單元200分別與多個微型元件20分離。至此，已完成多個微型元件20的轉移流程。
圖4為本發明之第二實施例的微型元件結構1A的下視示意圖。圖5為圖4之微型元件結構1A的剖面示意圖。特別是，圖5對應圖4的剖線B-B’。
請參照圖4及圖5，微型元件結構1A包括載板結構10A。本實施例之載板結構10A與圖1之載板結構10的差異在於：本實施例之載板結構10A的每一轉移單元200的轉移區域TA在載板100上的正投影面積大於對應的微型元件20A的元件表面20s的面積。此處，微型元件20A的尺寸例如小於等於20微米，需要較大的錯位容許度，但不以此為限。詳細而言，在微型元件20A的轉移過程中，每一轉移單元200的一轉移部210與微型元件20A的重疊區域I大於另一轉移部210與微型元件20A的重疊區域II。也就是說，在載板結構10A的每一轉移單元200與對應的微型元件20A進行對位時，產生方向D2上的錯位（shift）。儘管如此，多個微型元件20A仍可具有足夠的支撐力，以提升多個微型元件20A的轉移良率。換言之，亦可增加載板結構10A在轉移流程中的錯位容許度（例如方向D2及/或方向D1上的錯位）。
特別一提的是，在本實施例中，透過每一轉移單元200的轉移區域TA在載板100上的正投影面積與對應的微型元件20B之元件表面20s的面積之比值大於1且小於等於1.5，可增加載板結構10A在轉移流程中的錯位容許度，並避免每一轉移單元200占用過多的載板100空間。
圖6為本發明之第三實施例的微型元件結構1B的下視示意圖。圖7為圖6之微型元件結構1B的剖面示意圖。特別是，圖7對應圖6的剖線C-C’。
請參照圖6及圖7，微型元件結構1B包括載板結構10B。本實施例之載板結構10B與圖4之載板結構10A的差異在於：本實施例之載板結構10B的每一轉移單元200的轉移區域TA在載板100上的正投影面積小於對應的微型元件20B的元件表面20s的面積。特別是，在本實施例中，透過每一轉移單元200的轉移區域TA在載板100上的正投影面積與對應的微型元件20B之元件表面20s的面積之比值大於等於0.5且小於1，可使多個微型元件20B具有足夠的支撐力，並可避免每一轉移單元200接觸非對應的微型元件20B。此處，微型元件20B的尺寸例如大於等於20微米，透過轉移區域TA較小可避免每一轉移單元200接觸非對應的微型元件20B，但不以此為限。
圖8為本發明之第四實施例的微型元件結構1C的下視示意圖。圖9為圖8之微型元件結構1C的剖面示意圖。特別是，圖9對應圖8的剖線D-D’。
請參照圖8及圖9，微型元件結構1C包括載板結構10C。載板結構10C的多個轉移單元200中任兩相鄰者具有一最短距離，此距離為第一間距S1，多個微型元件20A中任兩相鄰者具有一最短距離，此距離為第二間距S2。在本實施例中，任兩相鄰的轉移單元200的第一間距S1與任兩相鄰的微型元件20A的第二間距S2之比值介於0.5至1.5之間。特別是，在微型元件20A的尺寸例如小於等於20微米時，任兩相鄰的轉移單元200的第一間距S1與任兩相鄰的微型元件20A的第二間距S2之比值大於等於0.5且小於1，可增加載板結構10C在轉移流程中的錯位容許度（例如方向D2及/或方向D1上的錯位），但本發明不以此為限。在微型元件20A的尺寸例如大於等於20微米時，任兩相鄰的轉移單元200的第一間距S1與任兩相鄰的微型元件20A的第二間距S2之比值大於1且小於等於1.5，可避免每一轉移單元200接觸非對應的微型元件20A，但本發明不以此為限。特別一提的是，在本實施例中，任兩相鄰的轉移單元200的第一間距S1與每一微型元件20A的寬度W的比值小於等於0.5。大於0.5會佔據載板100過大的空間，使微型元件20A無法密集排列於載板100上。
圖10為本發明之第五實施例的微型元件結構1D的下視示意圖。圖11為圖10之微型元件結構1D的剖面示意圖。圖11對應圖10的剖線E-E’。
請參照圖10及圖11，微型元件結構1D包括載板結構10D。相較於圖1之載板結構10，本實施例之載板結構10D的載板100A更包括多個凹槽100a，設置於載板100A的表面100s。特別是，多個轉移單元200的多個轉移部210分別設置於載板100A的多個凹槽100a中，並相對於載板100A之表面100s暴露出一轉移面。舉例而言，在本實施例中，透過每一轉移部210的轉移面210s與載板100A的表面100s切齊，可使轉移部210與載板接觸的面積變大，透過載板100A加熱時能均勻受熱以進行後續轉置的製程，但本發明不以此為限。
圖12為本發明之第六實施例的微型元件結構1E的剖面視示意圖。請參照圖12，微型元件結構1E包括載板結構10E。本實施例之載板結構10E與圖11之載板結構10D的差異在於：透過載板結構10E的每一轉移部210的轉移面210s凸出載板100A的表面100s（亦或是每一轉移部210的轉移面210s與載板100A的表面100s之間具有一段差），以有效避免微型元件20B在轉移流程中因轉移部210的壓抵而毀損。也就是說，載板結構10E的每一轉移部210兼具緩衝的功能。且每一轉移部210的轉移面210s凸出載板100A的表面100s，可增加轉置時的接合製程中，每一轉移部210左右的緩衝空間。特別說明的是，轉移部210s凸出載板100A的表面100s具有一高度H1，高度H1與每一轉移部210的高度H2的比值小於等於0.8。大於0.8可能使轉移部210對微型元件20的支撐力不足，易造成毀損。
圖13為本發明之第七實施例的微型元件結構1F的剖面示意圖。請參照圖13，微型元件結構1F包括載板結構10F。載板結構10F的每一轉移部210具有連接載板100的連接面210c，且每一轉移部210的轉移面210s之粗糙度（roughness）大於對應的連接面210c之粗糙度。特別是，藉由調整每一轉移面210s的粗糙度，可改變每一轉移部210與對應的微型元件20B之間的黏著力大小。舉例而言，透過每一轉移面210s的粗糙度增加，可使每一轉移部210與對應的微型元件20B之間的黏著力較小，有助於載板結構10F在微型元件20B與目標基板接合後較易分離。
圖14為本發明之第八實施例的微型元件結構1G的下視示意圖。圖15為圖14之微型元件結構1Ｇ的剖面示意圖。特別是，圖15對應圖14的剖線F-F’。
請參照圖14及圖15，微型元件結構1G包括載板結構10G。載板結構10G的每一轉移單元200A具有至少一容置空間220，且每一轉移單元200A的多個轉移部210圍繞對應的至少一容置空間220。舉例而言，在本實施例中，每一轉移單元200A具有四個容置空間220，且重疊於對應的微型元件20B。值得一提的是，透過容置空間220之大小及分布密度的調整，可改變每一轉移單元200A的連接力大小，以滿足不同的轉移製程條件。舉例而言，當微型元件表面為平坦表面時，容置空間220的分布密度較大，可有效承載微型元件，並輕易且更有效率地轉置微型元件；當微型元件表面具有高低落差時，容置空間220的分布密度較小，可使微型元件在轉移過程中的受力較均勻。
圖16為本發明之第九實施例的微型元件結構1H的下視示意圖。圖17為圖16之微型元件結構1H的剖面示意圖。特別是，圖17對應圖16的剖線G-G’。
請參照圖16及圖17，微型元件結構1H包括載板結構10H。本實施例的載板結構10H與圖14之載板結構10G的差異在於：載板結構10H的多個轉移單元200B彼此相互連接。如此一來，可進一步增加載板結構10H在轉移流程中的錯位容許度（例如方向D2及/或方向D1上的錯位）。
圖18A至圖18E為本發明之第十實施例的載板結構10I用於轉置（轉移放置）微型元件20的流程示意圖。請參照圖18A至圖18E，本實施例之載板結構10I與圖3A之載板結構10的差異在於：在每一次的轉置過程中，載板結構10I的多個轉移單元200僅連接設置在暫時基板300上的部分微型元件20，並轉置到目標基板400的多個接合墊組410上。舉例而言，在本實施例中，任兩相鄰的轉移單元200可選擇性地以間隔一個微型元件20的方式連接對應的兩個微型元件20，但本發明不以此為限。如此一來，可滿足多個微型元件20的局部轉移需求，並可增加每一轉移單元200在載板100上的設置裕度。
綜上所述，在本發明之實施例的載板結構可用於轉置（轉移放置）微型元件，亦可作為放置微型元件的暫時基板，且透過連接微型元件的轉移單元具有多個轉移部，而每一轉移部的轉移面的面積小於每一微型元件的元件表面的面積，使每一微型元件在轉移過程中的受力較均勻，並能提升轉移流程的製程容許度（process latitude）。另外，採用所述載板結構的微型元件結構可提升微型元件的支撐力。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1、1A~1H‧‧‧微型元件結構10、10A~10I‧‧‧載板結構20、20A、20B‧‧‧微型元件20s‧‧‧元件表面100、100A‧‧‧載板100a‧‧‧凹槽100s、400s‧‧‧表面200、200A、200B‧‧‧轉移單元210‧‧‧轉移部210c‧‧‧連接面210s‧‧‧轉移面220‧‧‧容置空間300‧‧‧暫時基板400‧‧‧目標基板410‧‧‧接合墊組411‧‧‧第一接合墊412‧‧‧第二接合墊D1、D2、D3‧‧‧方向H1、H2‧‧‧高度S1‧‧‧第一間距S2‧‧‧第二間距TA‧‧‧轉移區域A-A’~G-G’‧‧‧剖線I、II‧‧‧區域W‧‧‧寬度
圖1為本發明之第一實施例的微型元件結構的下視示意圖。 圖2為圖1之微型元件結構的剖面示意圖。 圖3A至圖3E為本發明之第一實施例的載板結構用於轉置（轉移放置）微型元件的流程示意圖。 圖4為本發明之第二實施例的微型元件結構的下視示意圖。 圖5為圖4之微型元件結構的剖面示意圖。 圖6為本發明之第三實施例的微型元件結構的下視示意圖。 圖7為圖6之微型元件結構的剖面示意圖。 圖8為本發明之第四實施例的微型元件結構的下視示意圖。 圖9為圖8之微型元件結構的剖面示意圖。 圖10為本發明之第五實施例的微型元件結構的下視示意圖。 圖11為圖10之微型元件結構的剖面示意圖。 圖12為本發明之第六實施例的微型元件結構的剖面示意圖。 圖13為本發明之第七實施例的微型元件結構的剖面示意圖。 圖14為本發明之第八實施例的微型元件結構的下視示意圖。 圖15為圖14之微型元件結構的剖面示意圖。 圖16為本發明之第九實施例的微型元件結構的下視示意圖。 圖17為圖16之微型元件結構的剖面示意圖。 圖18A至圖18E為本發明之第十實施例的載板結構用於轉置（轉移放置）微型元件的流程示意圖。
1‧‧‧微型元件結構
10‧‧‧載板結構
20‧‧‧微型元件
20s‧‧‧元件表面
100‧‧‧載板
100s‧‧‧表面
200‧‧‧轉移單元
210‧‧‧轉移部
210s‧‧‧轉移面
D1、D2‧‧‧方向
A-A’‧‧‧剖線

Claims (22)

  1. 一種微型元件結構，包括：一載板結構，包括：一載板；以及多個轉移單元，設置於該載板上，其中每一該轉移單元包括多個轉移部，該些轉移部彼此分離，且每一該轉移部具有一轉移面；以及多個微型元件，其中每一該微型元件具有一元件表面，每一該轉移單元的該些轉移部的該些轉移面連接對應的該微型元件的該元件表面，且每一該轉移面的面積小於對應的該微型元件的該元件表面的面積。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中每一該轉移面的面積與對應的該微型元件的該元件表面的面積的比值介於0.2至0.8之間。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中每一該轉移部的楊氏模量小於該載板的楊氏模量與對應的該微型元件的楊氏模量。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中每一該轉移單元的一該轉移部的該轉移面與對應的該微型元件的該元件表面的重疊區域大於另一該轉移部的該轉移面與對應的該微型元件的該元件表面的重疊區域。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中每一該轉移單元的該些轉移部於該載板上的正投影定義為一轉移區域，該轉移區域與對應的該微型元件的該元件表面的面積的比值大於等於0.5且小於等於1.5。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該些轉移單元中任兩相鄰者之間具有一第一間距，該些微型元件中任兩相鄰者之間具有一第二間距，且該第一間距與該第二間距的比值介於0.5至1.5之間。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的微型元件結構，其中該第一間距與每一該微型元件的寬度的比值小於等於0.5。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該載板具有一載板表面與多個凹槽，且該些凹槽位於該載板的載板表面，且該些轉移部分別設置於該些凹槽中。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的微型元件結構，其中每一該轉移部的該轉移面與該載板表面切齊。
  10. 如申請專利範圍第8項所述的微型元件結構，其中每一該轉移部的該轉移面凸出該載板表面。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的微型元件結構，其中該轉移部凸出該載板表面的高度與該轉移部的高度的比值小於等於0.8。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中每一該轉移部還具有連接該載板的連接面，且每一該轉移面的粗糙度大於對應的該連接面的粗糙度。
  13. 一種微型元件結構，包括：一載板結構，包括：一載板；以及多個轉移單元，設置於該載板上，其中每一該轉移單元具有至少一容置空間與多個轉移部，該些轉移部圍繞對應的該至少一容置空間，且每一該轉移部具有一轉移面；以及多個微型元件，其中每一該微型元件具有一元件表面，每一該轉移單元的該些轉移部的該些轉移面連接對應的該微型元件的該元件表面，且每一該轉移面的面積小於對應的該微型元件的該元件表面的面積。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的微型元件結構，其中該些轉移單元彼此相互連接。
  15. 一種載板結構，適於轉置或承載多個微型元件，該載板結構包括：一載板；以及多個轉移單元，設置於該載板上，其中每一該轉移單元包括多個轉移部，該些轉移部彼此分離，且每一該轉移部具有一轉移面，其中每一該微型元件具有一元件表面，且每一該轉移單元的該些轉移部的該些轉移面連接對應的該微型元件的該元件表面， 且每一該轉移面的面積小於對應的該微型元件的該元件表面的面積。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的載板結構，其中該載板具有一載板表面與多個凹槽，且該些凹槽位於該載板的載板表面，且該些轉移部分別設置於該些凹槽中。
  17. 如申請專利範圍第16項所述的載板結構，其中每一該轉移部的該轉移面與該載板表面切齊。
  18. 如申請專利範圍第16項所述的載板結構，其中每一該轉移部的該轉移面凸出該載板表面。
  19. 如申請專利範圍第18項所述的載板結構，其中該轉移部凸出該載板表面的高度與該轉移部的高度的比值小於等於0.8。
  20. 如申請專利範圍第15項所述的載板結構，其中每一該轉移部還具有連接該載板的連接面，且每一該轉移面的粗糙度大於對應的該連接面的粗糙度。
  21. 一種載板結構，適於轉置或承載多個微型元件，該載板結構包括：一載板；以及多個轉移單元，設置於該載板上，其中每一該轉移單元具有至少一容置空間與多個轉移部，每一該轉移單元的該些轉移部圍繞對應的該至少一容置空間，且每一該轉移部具有一轉移面，其中每一該微型元件具有一元件表面，且每一該轉移單元的該些轉移部的該些轉移面連接對應的該微型元件的該元件表面，且每一 該轉移面的面積小於對應的該微型元件的該元件表面的面積。
  22. 如申請專利範圍第21項所述的載板結構，其中該些轉移單元彼此相互連接。
TW107143613A 2017-12-19 2018-12-05 載板結構及微型元件結構 TWI685946B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/224,811 US11177154B2 (en) 2017-12-19 2018-12-19 Carrier structure and micro device structure

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201762607325P 2017-12-19 2017-12-19
US62/607,325 2017-12-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201929191A TW201929191A (zh) 2019-07-16
TWI685946B true TWI685946B (zh) 2020-02-21

Family

ID=66984372

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107119255A TWI679748B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構
TW107119254A TWI692123B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構
TW107119257A TWI660487B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構
TW107119258A TWI660448B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構
TW107143613A TWI685946B (zh) 2017-12-19 2018-12-05 載板結構及微型元件結構

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107119255A TWI679748B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構
TW107119254A TWI692123B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構
TW107119257A TWI660487B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構
TW107119258A TWI660448B (zh) 2017-12-19 2018-06-05 微型元件結構

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11005019B2 (zh)
CN (5) CN109935576B (zh)
TW (5) TWI679748B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI762953B (zh) * 2020-06-16 2022-05-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600602B (zh) * 2019-09-16 2021-07-06 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体元件结构、以及显示元件
US11916172B2 (en) 2019-09-16 2024-02-27 PlayNitride Display Co., Ltd. Epitaxial structure, semiconductor structure including the same, and semiconductor pickup element for transferring the same
CN110556470B (zh) * 2019-09-16 2021-04-20 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体组件结构、以及转移装置
TWI698994B (zh) 2019-09-16 2020-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及轉移裝置
TWI708405B (zh) 2019-09-16 2020-10-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件
CN112786514B (zh) * 2019-11-11 2023-01-03 成都辰显光电有限公司 一种微元件的临时转移基板及其制备方法
TWI717128B (zh) 2019-12-03 2021-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構
WO2021109010A1 (zh) * 2019-12-03 2021-06-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种半导体装置巨量转移方法和系统
CN110739378B (zh) * 2019-12-03 2021-02-26 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构及其显示装置
TWI728583B (zh) 2019-12-03 2021-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構與微型元件顯示裝置
CN110993552B (zh) * 2019-12-03 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构
CN111129253A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 厦门乾照光电股份有限公司 倒装微型电子元件结构及其制作方法
TWI726648B (zh) * 2020-03-09 2021-05-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
TWI773324B (zh) * 2021-05-17 2022-08-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件、微型發光結構及顯示裝置
TWI808422B (zh) * 2021-05-21 2023-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 接著層結構以及半導體結構
DE112021007729T5 (de) * 2021-09-14 2024-04-11 Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. Mikrolichtemittierende Anordnung, Mikro-LED und deren Anzeigevorrichtung
TWI811810B (zh) * 2021-10-13 2023-08-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN113937197A (zh) * 2021-10-13 2022-01-14 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601657A (zh) * 2016-12-12 2017-04-26 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107425101A (zh) * 2017-07-11 2017-12-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种微型发光二极管芯片巨量转移的方法
CN107452840A (zh) * 2017-07-14 2017-12-08 华灿光电（浙江）有限公司 一种led面板及其制作方法

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4120223B2 (ja) * 2002-01-16 2008-07-16 ソニー株式会社 電子部品の製造方法、これを用いた画像表示装置
TWI363437B (en) * 2008-05-21 2012-05-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package capable of providing electrostatic discharge circuit protection and process of making the same
TW200644265A (en) * 2005-06-10 2006-12-16 Ramtronics Ind Co Ltd Multiple package structure and producing method thereof
DE102005050398A1 (de) * 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
RU2010143026A (ru) * 2008-03-21 2012-04-27 Конинклейке Филипс Элкектроникс Н.В. (Nl) Светящееся устройство
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
DE102010029368A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010054782A1 (de) * 2010-12-16 2012-06-21 Epcos Ag Gehäustes elektrisches Bauelement
TWI455273B (zh) * 2011-08-04 2014-10-01 Chipmos Technologies Inc 晶片封裝結構
US8646505B2 (en) * 2011-11-18 2014-02-11 LuxVue Technology Corporation Micro device transfer head
US8426227B1 (en) * 2011-11-18 2013-04-23 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro light emitting diode array
CN102520832A (zh) * 2011-12-19 2012-06-27 协晶电子科技(上海)有限公司 多功能触摸感应桌面及具有该桌面的触控显示装置
KR20140068474A (ko) * 2012-11-28 2014-06-09 서울바이오시스 주식회사 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법
CN204668356U (zh) * 2012-11-30 2015-09-23 松下知识产权经营株式会社 基板、发光装置及照明用光源
KR101504331B1 (ko) * 2013-03-04 2015-03-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
US8928014B2 (en) * 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
US9217541B2 (en) * 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
TWI590498B (zh) * 2013-06-03 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 電子元件的轉移方法及電子元件陣列
US9035279B2 (en) * 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
TWI561150B (en) * 2013-11-28 2016-12-01 E Ink Holdings Inc Flexible display apparatus
JP2015207754A (ja) * 2013-12-13 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101501020B1 (ko) 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
DE102014106503B4 (de) * 2014-05-08 2016-03-03 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons
US9219197B1 (en) * 2014-05-30 2015-12-22 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9590137B2 (en) 2014-05-30 2017-03-07 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode
US9929053B2 (en) * 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
TWI651784B (zh) * 2014-06-18 2019-02-21 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 用於控制可轉印半導體結構之釋放之系統及方法
US10242892B2 (en) * 2014-10-17 2019-03-26 Intel Corporation Micro pick and bond assembly
US9941207B2 (en) * 2014-10-24 2018-04-10 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield
TWI557943B (zh) * 2014-11-18 2016-11-11 錼創科技股份有限公司 發光元件的電極結構
US9607907B2 (en) * 2014-12-01 2017-03-28 Industrial Technology Research Institute Electric-programmable magnetic module and picking-up and placement process for electronic devices
US9773711B2 (en) * 2014-12-01 2017-09-26 Industrial Technology Research Institute Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module
US9633982B2 (en) * 2015-02-17 2017-04-25 Chun Yen Chang Method of manufacturing semiconductor device array
TWI720972B (zh) * 2015-03-18 2021-03-11 新世紀光電股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
JP6789970B2 (ja) * 2015-03-30 2020-11-25 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 高輝度発光デバイス用の周辺ヒートシンク装置
US20160297671A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-13 Epcos Ag MEMS Sensor Component
US9640715B2 (en) * 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
TWI557831B (zh) * 2015-05-15 2016-11-11 友達光電股份有限公司 微組件的傳送方法
US20160351548A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light emitting diode display device and manufacturing method thereof
US9704821B2 (en) * 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US9969078B2 (en) * 2015-08-03 2018-05-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array and transferring method
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
US10193025B2 (en) * 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153257B2 (en) * 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
CN106229326B (zh) * 2016-07-22 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 转印微发光二极管的方法及显示面板的制作方法
TWI618266B (zh) * 2016-09-07 2018-03-11 友達光電股份有限公司 微型發光二極體單元之中介結構及其製造方法、微型發光二極體單元及其製造方法與微型發光二極體裝置
TWI611599B (zh) * 2016-10-27 2018-01-11 友達光電股份有限公司 過渡載板裝置、顯示面板以及兩者的製造方法、微型發光件的檢測方法
CN107068665B (zh) * 2017-04-18 2019-02-05 天津三安光电有限公司 微型发光二极管器件及其制作方法
CN109671661B (zh) * 2017-10-16 2023-09-26 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光元件结构
US10804130B2 (en) 2017-12-19 2020-10-13 PlayNitride Inc. Structure with micro device
US10797029B2 (en) 2017-12-19 2020-10-06 PlayNitride Inc. Structure with micro device
CN208352328U (zh) * 2018-07-18 2019-01-08 易美芯光（北京）科技有限公司 一种Micro LED封装结构
TWI729389B (zh) * 2019-05-07 2021-06-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106601657A (zh) * 2016-12-12 2017-04-26 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107425101A (zh) * 2017-07-11 2017-12-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种微型发光二极管芯片巨量转移的方法
CN107452840A (zh) * 2017-07-14 2017-12-08 华灿光电（浙江）有限公司 一种led面板及其制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI762953B (zh) * 2020-06-16 2022-05-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI692123B (zh) 2020-04-21
US20200028043A1 (en) 2020-01-23
CN109935576A (zh) 2019-06-25
TWI660487B (zh) 2019-05-21
CN109935575A (zh) 2019-06-25
US11005019B2 (en) 2021-05-11
CN109935610B (zh) 2023-04-07
CN109935575B (zh) 2023-06-13
TW201929127A (zh) 2019-07-16
CN110034059B (zh) 2023-05-16
TWI660448B (zh) 2019-05-21
US11705548B2 (en) 2023-07-18
TW201929264A (zh) 2019-07-16
CN109935668B (zh) 2021-08-24
TWI679748B (zh) 2019-12-11
TW201929191A (zh) 2019-07-16
CN109935668A (zh) 2019-06-25
CN110034059A (zh) 2019-07-19
TW201929187A (zh) 2019-07-16
CN109935610A (zh) 2019-06-25
US20210305474A1 (en) 2021-09-30
TW201929188A (zh) 2019-07-16
CN109935576B (zh) 2023-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI685946B (zh) 載板結構及微型元件結構
US11177154B2 (en) Carrier structure and micro device structure
TWI706554B (zh) 畫素陣列基板及其製造方法
TWI677975B (zh) 載板結構及微型元件結構
TWI681472B (zh) 傳輸微小元件的方法
US9583450B2 (en) Method for transferring light-emitting elements onto a package substrate
EP3640925B1 (en) Method for manufacturing flexible array substrate
TWI659486B (zh) 轉移載板與晶粒載板
CN108695412B (zh) 传输微小元件的方法
TWI821564B (zh) 利用可選擇表面黏著性轉移元件之轉移基材及轉移方法
TW202135279A (zh) 將micro-led組裝至基材上的方法及系統
CN110391165B (zh) 转移载板与晶粒载板
CN109461755B (zh) 软性基板及线路结构及其制造方法
CN112531091A (zh) 发光装置
CN111276506B (zh) 载板结构及微型元件结构
CN112735972A (zh) 一种微元件的转移基板及其制造方法
TWI751848B (zh) 電子元件的接合方法
TWI693449B (zh) 電子裝置與其製造方法
TW202119574A (zh) 基於勁度變化而可選擇地固持及釋放物體的轉移元件
TWI690079B (zh) 微型半導體元件結構
KR20210080201A (ko) 전자 디바이스의 제조 방법
TWI755470B (zh) 導電薄膜、光電半導體裝置及其製造方法
TWI776349B (zh) 電子元件的轉移方法
US11056375B2 (en) Micro LED carrier board
TW202117884A (zh) 轉印模具