CN109935575A - 微型元件结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种微型元件结构，包括基板、至少一微型元件以及至少一固定结构。微型元件配置于基板上。微型元件具有彼此相对的顶表面与底表面、连接顶表面与底表面的周围表面、第一型电极以及第二型电极。固定结构配置于基板上且远离第一型电极与第二型电极。固定结构包括至少一连接部以及至少一固定部。连接部配置于微型元件的顶表面的一边缘。固定部连接连接部且延伸至基板上。

Description

微型元件结构
技术领域
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微型元件结构。
背景技术
目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式，将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置，且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外在因素而影响品质。然而，固定结构与微型发光二极管之间接触面的面积大小以及形状，会影响微型发光二极管的运输与转移的良率。因此，如何让固定结构可以暂时地固持微型发光二极管，且可以更轻易且更有效率地运输与转移微型发光二极管于载体基板与接收基板之间，已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本发明提供一种微型元件结构，其可有效提升微型元件的运输与转移的良率。
本发明的一种微型元件结构，包括基板、至少一微型元件以及至少一固定结构。微型元件配置于基板上。微型元件具有彼此相对的一顶表面与一底表面、连接顶表面与底表面的一周围表面、一第一型电极以及一第二型电极。固定结构配置于基板上且远离第一型电极与第二型电极。固定结构包括至少一连接部以及至少一固定部。连接部配置于微型元件的顶表面的一边缘。固定部连接连接部且延伸至基板上。
在本发明的一实施例中，上述的连接部于顶表面的边缘的一宽度与边缘的一长度的比值介于0.01至0.6之间。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构还包括一覆盖部。覆盖部配置于微型元件的顶表面上，且连接部连接于覆盖部与固定部之间。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件的第一型电极与第二型电极位于底表面上。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构于顶表面的正投影面积与微型元件的顶表面的面积的比值大于等于0.5且小于1。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构的覆盖部至邻近的顶表面的边缘的一最大距离小于等于10微米。
在本发明的一实施例中，上述的连接部及覆盖部于微型元件的顶表面的正投影面积大于固定部与微型元件的周围表面的接触面积。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件的第一型电极与第二型电极的其中之一位于顶表面上。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构于顶表面的正投影面积与微型元件的顶表面的面积的比值大于等于0.01且小于0.5。
在本发明的一实施例中，上述的覆盖部的一最大宽度大于连接部于顶表面的边缘的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的连接部的宽度从覆盖部往顶表面相对应的边缘逐渐变小。
在本发明的一实施例中，在一单位面积内，固定结构于基板上的正投影面积大于微型元件于基板上的正投影面积。
在本发明的一实施例中，上述的于单位面积内，微型元件于基板上的正投影面积与固定结构于基板上的正投影面积的比值介于0.5至0.9之间。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构的折射率小于微型元件的折射率且大于空气的折射率。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构还包括一缓冲层。缓冲层配置于微型元件与基板之间，且直接接触固定结构与微型元件。
在本发明的一实施例中，上述的微型发光元件结构还包括至少一缓冲结构。缓冲结构配置于固定结构的固定部与基板之间，且固定部通过缓冲结构连接至基板上。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构的杨式模量大于缓冲结构的杨式模量。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲结构远离微型元件。
在本发明的一实施例中，于一单位面积内，缓冲结构于基板上的正投影面积与固定结构于基板上的正投影面积的比值介于0.2至0.9之间。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲结构于基板上的正投影与微型元件于基板上的正投影相隔一最小距离，而最小距离小于等于10微米。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件包括一绝缘层。绝缘层至少覆盖周围表面以及部分底表面，固定结构直接接触绝缘层。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构的厚度小于等于绝缘层的厚度。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构的材质不同于绝缘层的材质。
本发明的一种微型元件装置，包括线路基板、至少一微型元件以及至少一导光结构。微型元件配置于线路基板上，且微型元件具有彼此相对的顶表面与底表面、连接顶表面与底表面的周围表面、第一型电极以及第二型电极。微型元件通过第一型电极以及第二型电极电性连接线路基板。导光结构配置于线路基板上且远离第一型电极与第二型电极。导光结构包括至少一连接部以及连接连接部的覆盖部。连接部配置于微型元件的顶表面的一边缘。导光结构于顶表面的正投影面积小于顶表面的面积。
基于上述，在本发明的微型元件结构的设计中，固定结构远离且不直接接触第一型电极与第二型电极，而固定结构的连接部配置于微型元件的顶表面的一边缘，且固定结构的固定部连接连接部并延伸至基板上。藉此设计，可使得微型元件在不同的基板之间的运输与转移以应用于例如微型元件显示器时，可由固定结构的固定部提供具有良好的固定与支撑，而由固定结构的连接部提供固定结构良好的连接。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图1B示出为图1A的微型元件结构的剖面示意图。
图2A至图2B示出为本发明多个实施例的微型元件结构的俯视示意图。
图3A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图3B示出为图3A的微型元件结构的剖面示意图。
图3C至图3E示出为本发明多个实施例的微型元件结构的俯视示意图。
图4A至图4G示出为本发明多个实施例的微型元件结构的剖面示意图。
图5A至图5B示出为本发明多个实施例的微型元件结构的剖面示意图。
图6示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的微型元件的剖面示意图。
图7A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。
图7B示出为图7A的微型元件结构的俯视示意图。
图7C至图7D示出为本发明多个实施例的微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。
附图标记说明
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100f’、100g、100h、100i、100j、100k、100l、100m、100n、100p、100q：微型元件结构
100r、100s、100t：微型元件装置
120：基板
140a、140b、140c、140c1、140c2、140d、140e：微型元件
141a、141b、141c、141d、141e：顶表面
141b’：表面
142a、142c、142d：底表面
143a、143c、143d：周围表面
144a、144b、144d、144e：第一型电极
147d：第一型半导体层
145a、145b、145d、145e：第二型电极
146b、146d：发光层
148d：第二型半导体层
149d：绝缘层
150、150’：导光结构
160a、160b、160c、160d、160e、160f、160g、160h、160i、160j、160k、160l、160m、160n1、160n2、160p1、160p2、160q：固定结构
152、161a1、161a2、161b1、161b2、161b3、161b4、161c2、161c4、161d1、161d2、161e1、161e2、161f1、161f2：连接部
162a1、162a2、162b、162c、162d1、162d2、162f1、162f2、162g、162h、162i、162j、162k、162l、162m、162n1、162n2、162p1、162p2：固定部
154、163a、163b、163c、163d、163e：覆盖部
180a1、180a2、180b1、180p1、180p2、180q：缓冲结构
210：导光层
220：线路基板
A-A’、B-B’：剖线
D1、D2：距离
G1：空气间隙
SD1、SD1’、SD2、SD2’、SD3、SD4：边缘
C1、C2、C3、C4：角落
H1：距离
L1：长度
T：通孔
U：单位面积
W1、W2、W3、W4、W5、W6：宽度
具体实施方式
本发明的实施例描述微型元件(例如微型发光二极管(Micro LED)或微芯片)的结构，使之准备好拾取及转移到接收基板。接收基板可例如为显示基板、发光基板、具诸如晶体管或集成电路(ICs)等功能元件的基板或具其他具线路的基板，但不以此为限。虽然本发明的一些实施例特定于描述包含p-n二极管的微型发光二极管，但应理解本发明的实施例不限于此，某些实施例也可应用到其他微型元件，该等元件依此一方式设计成控制执行预定电子功能(例如二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光)。图1A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。图1B示出为图1A的微型元件结构的剖面示意图。在此需说明的是，图1B的微型元件结构100a是沿图1A的A-A’剖线所示出。请同时参照图1A与图1B，本实施例的微型元件结构100a包括基板120、至少一微型元件140a(图1A中示意地示出多个)以及至少一固定结构160a(图1A中示意地示出多个)。微型元件140a配置于基板120上。微型元件140a具有彼此相对的顶表面141a与底表面142a、连接顶表面141a与底表面142a的周围表面143a、第一型电极144a以及第二型电极145a。固定结构160a配置于基板120上且远离第一型电极144a与第二型电极145a。每一固定结构160a包括至少一连接部(图1A中示意地示出至少二个连接部161a1、161a2)以及至少一固定部(图1A中示意地示出至少二个固定部162a1、162a2)。这些连接部161a1、161a2分别配置于微型元件140a的顶表面141a的二边缘SD1、SD2。固定部162a1、162a2连接这些连接部161a1、161a2且延伸至基板120上。
具体而言，基板120例如是一塑胶基板、一玻璃基板或一蓝宝石基板等的临时基板，可具有固定性且表面平整，但不以此为限。请再参照图1A，在俯视时，微型元件140a的顶表面141a具有四个边缘SD1、SD2、SD3、SD4与四个角落C1、C2、C3、C4。微型元件140a的顶表面141a的边缘SD1与边缘SD2相对设置，而边缘SD3与边缘SD4相对设置。微型元件140a的角落C1由边缘SD1与边缘SD4相交所构成，而角落C2由边缘SD1与边缘SD3相交所构成，角落C3由边缘SD2与边缘SD3相交所构成，且角落C4由边缘SD2与边缘SD4相交所构成。换句话说，角落C1与角落C3的连线重叠于微型元件140a的顶表面141a的一对角线上，而角落C2与角落C4的连线重叠于微型元件140a的顶表面141a的另一对角线上。须说明的是，本实施例的微型元件140a于俯视时的轮廓具体化为矩形，但本发明并不以此为限。于其他未示出的实施例中，微型元件于俯视时的轮廓也可为其他适当的形状，如正方形、圆形或梯形。此处，微型元件140a例如是一微型发光二极管，且微型元件140a的一最大尺寸小于等于100微米，后续可以转移整合及组装到异质整合系统，包括微型显示器至大面积显示器等任何尺寸的基板，但不以此为限。
更进一步来说，微型元件140a的第一型电极144a与第二型电极145a位于同一表面上。此处，微型元件140a的第一型电极144a与第二型电极145a位于底表面142a上。也就是说，微型元件140a具体化为覆晶式微型元件。如图1A与图1B所示，本实施例的固定结构160a的连接部161a1直接覆盖于微型元件140a的顶表面141a的边缘SD1，而连接部161a2直接覆盖于微型元件140a的顶表面141a的边缘SD2。固定结构160a并不接触微型元件140a的第一型电极144a与第二型电极145a，避免影响微型元件140a的制作良率。此处，连接部161a1(或连接部161a2)于微型元件140a的顶表面141a相对应的边缘SD1(或边缘SD2)的宽度W1(或宽度W2)与相应的边缘SD1(或边缘SD2)的长度L1的比值例如是介于0.01至0.6之间。
需要说明的是，当从基板120上拾取微型元件140a时，拾取微型元件140a的力会从连接部161a1、161a2与微型元件140a的边缘SD1、SD2发生断裂，而使微型元件140a与固定部162a1、162a2分离。因此，当上述的宽度W1、W2与长度L1的比值小于0.01时，固定结构160a无法有效地固定微型元件140a，即固定结构160a所提供的固定力不够大；反之，当上述的宽度W1、W2与长度L1的比值大于0.6时，固定结构160a所提供的固定力太大，导致无法顺利地从基板120上拾取微型元件140a。较佳地，连接部161a1(或连接部161a2)于微型元件140a的顶表面141a相对应的边缘SD1(或边缘SD2)的宽度W1(或宽度W2)与相应的边缘SD1(或边缘SD2)的长度L1的比值介于0.15至0.4之间，以使固定结构160a有较佳的固定力并减少后续拾取的影响。特别说明的是，连接部161a1(或连接部161a2)于微型元件140a的顶表面141a的边缘SD1(或边缘SD2)的宽度W1(或宽度W2)与微型元件140a的所有边缘(边缘SD1加边缘SD2加边缘SD3加边缘SD4)的一总长度比值例如是介于0.01至0.3之间。若比值小于0.01时，则固定结构160a无法有效地固定微型元件140a，即固定结构160a所提供的固定力不够大；反之，当比值大于0.3时，则固定结构160a所提供的固定力太大，导致无法顺利地从基板120上拾取微型元件140a。
请再参考图1A与图1B，本实施例的固定结构160a还包括覆盖部163a，其中覆盖部163a配置于微型元件140a的顶表面141a，而连接部161a1连接于覆盖部163a与固定部162a1之间，且连接部161a2连接于覆盖部163a与固定部162a2之间。从俯视图来看，固定结构160a连续地连接于微型元件140a的顶表面141a上，其中固定结构160a的形状例如是绑带形。此处，连接部161a1、161a2于顶表面141a上的正投影面积加上覆盖部163a于顶表面141a上的正投影面积与微型元件140a的顶表面141a的面积的比值例如是大于等于0.5且小于1。较佳地，连接部161a1、161a2于顶表面141a上的正投影面积加上覆盖部143a于顶表面141a上的正投影面积与微型元件140a的顶表面141a的面积的比值大于0.7且小于1。换句话说，固定结构160a于顶表面141a上的正投影面积与微型元件140a的顶表面141a面积接近，可避免拾取装置(未示出)于拾取过程中造成顶表面141a的损伤。值得一提的是，由于本实施例的固定结构160a的覆盖部163a的形状(如矩形)与顶表面141a上的形状(如矩形)近乎同形，也就是说覆盖部163a几乎布满微型元件140a的顶表面141a，因此可增加微型元件140a于后续转移时的平整度。
接着，请再参照图1A，本实施例的固定结构160a的覆盖部163a至邻近的顶表面141a的边缘(边缘SD1或边缘SD2或边缘SD3或边缘SD4)的最大距离小于等于10微米。此处，固定结构160a的覆盖部163a至邻近的顶表面141a的边缘(边缘SD1或边缘SD2或边缘SD3或边缘SD4)的最大距离为固定结构160a的覆盖部163a至邻近的顶表面141a的对角线的一端的距离D1，其中距离D1例如是覆盖部163a至角落C1的距离，且距离D1小于等于10微米。较佳地，距离D1小于等于5微米，可使覆盖部163a更加布满顶表面141a。在本实施例中，在单位面积U内，固定结构160a于基板120上的正投影面积大于微型元件140a于基板120上的正投影面积，可有效地将微型元件140a固定于基板120上。在一些实施例中，于单位面积U内，微型元件140a于基板120上的正投影面积与固定结构160a于基板120上的正投影面积的比值例如是介于0.5至0.9之间。
此外，在本实施例中，微型元件结构100a可选择地还包括至少一缓冲结构(在图1A中示出二个缓冲结构180a1、180a2)，其中缓冲结构180a1、180a2配置于固定结构160a与基板120之间，且直接接触固定结构160a。具体而言，缓冲结构180a1配置于固定结构160a的固定部162a1与基板120之间且直接接触固定结构160a与基板120，缓冲结构180a2配置于固定结构160a的固定部162a2与基板120之间，且缓冲结构180a1、180a2直接接触固定结构160a与基板120。也就是说，本实施例的固定结构160a并不是直接接触基板120，而是通过缓冲结构180a1、180a2而连接于基板120上。此处，固定结构160a在基板120上的正投影重叠于缓冲结构180a1、180a2在基板120上的正投影。较佳地，在单位面积U内，缓冲结构180a1、180a2于基板120上的正投影面积与固定结构160a于基板120上的正投影面积的比值例如是介于0.2至0.9之间。更佳地，于单位面积U内，缓冲结构180a1、180a2于基板120上的正投影面积与对应缓冲结构180a1、180a2位置的固定部161a1、161a2于基板120上的正投影面积的比值例如是介于0.5至0.9之间，使得缓冲结构180a1、180a2可提供更大范围的缓冲且不至于影响后续的拾取。
在本实施例中，固定结构160a的材质不同于缓冲结构180a1、180a2的材质，且固定结构160a的杨式模量大于缓冲结构180a1、180a2的杨式模量。因此，缓冲结构180a1、180a2具有缓冲的功能。此处，固定结构160a的材质例如是无机材料，且缓冲结构180a1、180a2的材质例如是有机材料。如图1A所示，缓冲结构180a1、180a2远离微型元件140a。也就是说，缓冲结构180a1、180a2并不直接接触微型元件140a，因此缓冲结构180a1、180a2除了可吸收固定结构160a在固持微型元件140a进行运输与转移时所受到外力影响，以提高运输与转移的良率外，也可不影响微型元件140a的拾取良率。
更具体来说，缓冲结构180a1、180a2于基板120上的正投影与微型元件140a于基板120上的正投影相隔一最小距离D2，以避免缓冲结构180a1、180a2接触微型元件140a增加后续拾取的固定力。较佳地，最小距离D2小于等于10微米。换句话说，微型元件140a于基板120上的正投影不会重叠于缓冲结构180a1、180a2于基板120上的正投影。如图1B所示，固定结构160a、基板120、微型元件140a以及缓冲结构180a1、180a2之间具有一空气间隙G1。此外，微型元件140a与基板120之间的垂直距离H1是依据微型元件140a的高度来做设计。较佳地，垂直距离H1大于0且小于微型元件140a的高度的0.5倍。若垂直距离H1大于微型元件140a的高度的0.5倍，固定结构160a的高低落差过大，不易制作且会产生断裂现象。一般来说垂直距离H1例如是介于0.1微米至5微米之间。
另须说明的是，本实施例的固定结构160a的折射率小于微型元件140a的折射率，且固定结构160a的折射率大于空气的折射率。藉此设计，可避免微型元件140a发出的光在固定结构160a中产生全反射，进而可提高微型元件140a的出光率。举例来说，当从基板120上拾取微型元件140a时，微型元件140a与固定结构160a的固定部162a1、162a2分离，而仅留下覆盖部163a或部分连接部161a1、161a2于微型元件140a的顶表面141a上。留下的固定结构160a的覆盖部163a与连接部161a1、161a2可视为是导光结构，不但不影响微型元件140a的出光效率，还可以增加微型元件140a的出光效率。较佳地，固定结构160a的连接部161a以及覆盖部163a于微型元件140a的顶表面141a的正投影面积大于固定部162a与微型元件140a的周围表面143a的接触面积。
另须说明的是，虽然本实施例的微型元件140a为覆晶式微型元件，但于此并不加以限制微型元件的形式。在其他实施例中，微型元件的形式也可以为一水平式微型元件或是其他不同种类的微型元件。也就是说，微型元件140a的出光面(未示出)可以面向基板120；或者，以微型元件140a的出光面背离基板120的方式配置于基板120上，在此并不加以限制。此外，在其他实施例中，微型元件也可以是微型集成电路(micro IC)、微型激光二极管(micro LD)或微型传感器(micro sensor)等，在此并不加以限制。
值得一提的是，本实施例并不限制每一固定结构160a覆盖对应的微型元件140a的顶表面141a的面积要相同，只要固定结构160a的连接部161a1、161a2于顶表面141a上的正投影面积加上覆盖部143a于顶表面141a上的正投影面积与微型元件140a的顶表面141a的面积的比值大于等于0.5且小于1即可。同样地，本实施例也不限制连接部161a1(或连接部161a2)于每一微型元件140a的顶表面141a边缘SD1(或边缘SD2)的宽度W1(或宽度W2)与相应的边缘SD1(或边缘SD2)的长度L1的比值要相同，只要连接部161a1(或连接部161a2)于微型元件140a的顶表面141a相对应的边缘SD1(或边缘SD2)的宽度W1(或宽度W2)与相应的边缘SD1(或边缘SD2)的长度L1的比值满足于0.01至0.6之间即可。在一未示出出的实施例中，可在微型元件140a的顶表面141a上配置有不同覆盖面积的固定结构160a，在上述的设计下，当从基板120上拾取微型元件140a时，选择拾取的顺序可例如从固定结构160a覆盖最少顶表面141a的微型元件140a先拾取，以达到选择性拾取的需求。在一未示出出的实施例中，也可于微型元件140a的顶表面141a的边缘SD1(或边缘SD2)上配置有不同宽度的连接部161a1(或连接部161a2)。在上述的设计下，当从基板120上拾取微型元件140a时，先从连接部161a1(或连接部161a2)于微型元件140a的顶表面141a的边缘SD1(或边缘SD2)的宽度W1(或宽度W2)与相应的边缘SD1(或边缘SD2)的长度L1的比值越小先拾取，以达到选择性拾取的需求。
简言之，在本实施例的微型元件结构100a的设计中，固定结构160a远离且不直接接触微型元件140a第一型电极144a与第二型电极145a，较佳地，固定结构160a的连接部161a1、161a2于顶表面141a上的正投影面积加上覆盖部143a于顶表面141a上的正投影面积与微型元件140a的顶表面141a的面积的比值大于等于0.5且小于1。如此一来，当从基板120上拾取微型元件140a时，留下的固定结构160a的覆盖部143a与连接部161a1、161a2可视为是导光结构，不但不影响微型元件140a的出光效率，还可以增加微型元件140a的出光效率。此外，由于本实施例的固定结构160a的连接部161a1、161a2与覆盖部163a几乎布满微型元件140a的顶表面141a，因此可增加微型元件140a于后续转移时的平整度。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A示出为本发明另一实施例的微型元件结构的俯视示意图。请同时参照图1A与图2A，本实施例的微型元件结构100b与图1A的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的每一固定结构160b具有四个连接部161b1、161b2、161b3、161b4，其中连接部161b1、161b2、161b3、161b4分别配置于微型元件140a的顶表面141a的四个角落C1、C2、C3、C4上。此处，连接部161b1、161b2、161b3、161b4分别直接接触微型元件140a的顶表面141a的四个角落C1、C2、C3、C4。具体来说，连接部161b1直接接触顶表面141a的角落C1并连接固定部162b与覆盖部163b，连接部161b2直接接触顶表面141a的角落C2并连接固定部162b与覆盖部163b，连接部161b3直接接触顶表面141a的角落C3并连接固定部162b与覆盖部163b，连接部161b4直接接触顶表面141a的角落C4并连接固定部162b与覆盖部163b。
此外，本实施例的微型元件结构100b还包括缓冲结构180b1，配置于固定结构160b的固定部162b与基板120之间。需要说明的是，本实施例是将固定结构160b的连接部161b1、161b2、161b3、161b4设置在微型元件140a的顶表面141a的对角位置。藉此设计可节省配置多个固定结构160b所需要的空间，并使多个微型元件140a能密集排列，进而减少成本。
另须说明的是，虽然本实施例的微型元件结构100b的连接部161b1、161b2、161b3、161b4的个数具体化为四个且分别直接接触微型元件140a的顶表面141a的四个角落C1、C2、C3、C4，但不以此为限。在其他实施例中，如图2B所示，微型元件结构100c的固定结构160c具有二个连接部161c2、161c4，其中连接部161c2直接接触微型元件140a的顶表面141a的角落C2并连接固定部162c与覆盖部163c，而连接部161c4直接接触顶表面141a的角落C4并连接固定部162c与覆盖部163c。在其他未示出实施例中，并不限定固定结构配置于微型元件的角落数，只要是固定结构配置于微型元件的顶表面的角落处，使多个微型元件能密集排列，皆属本发明的范围。
图3A示出为本发明另一实施例的微型元件结构的俯视示意图。图3B示出为图3A的微型元件结构的剖面示意图。在此需说明的是，图3B的微型元件结构100d是沿图3A的B-B’剖线所示出。请同时参照图1A、图3A以及图3B，本实施例的微型元件结构100d与图1A的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件140b具体化为水平式微型元件，如水平式微型发光二极管，其中第一型电极144b位于顶表面141b上。当然，在其他未示出的实施例中，也可以是第二型电极145b位于顶表面141b上。换言之，微型元件140b的第一型电极144b与第二型电极145b的其中之一位于顶表面141b上。须说明的是，如图3B所示，此处微型元件140b的顶表面141b是指对应微型元件140b的发光层146b位置的表面。
详细来说，在本实施例中，固定结构160d的连接部161d1、161d2于顶表面141b上的正投影面积加上覆盖部163d于顶表面141b上的正投影面积与微型元件140b的顶表面141b的面积的比值例如是大于等于0.01且小于等于0.5。须要说明的是，由于本实施例的固定结构160d的连接部161d1、161d2与覆盖部163d1避开第一型电极144b后，几乎布满微型元件140b的顶表面141b，因此可增加微型元件140b于后续转移时的平整度且提高微型元件140b的出光率。
此外，请再参考图3A，在本实施例中，固定结构160d的覆盖部163d的最大宽度W4大于连接部161d1于顶表面141b相对应的边缘SD3的宽度W5，且覆盖部163d的最大宽度W4大于连接部161d2于顶表面141b相对应的边缘SD4的宽度W6。此处，固定结构160d的连接部161d1的宽度从覆盖部163d往顶表面141b相对应的边缘SD3逐渐变小，且连接部161d2的宽度从覆盖部163d往顶表面141b相对应的边缘SD4逐渐变小，可以避开第一型电极144b且布满微型元件140b的顶表面141b，增加微型元件140b于后续转移时的平整度且提高微型元件140b的出光率。
另须说明的是，虽然本实施例的微型元件结构100d的覆盖部163d的最大宽度W4大于连接部161d1、161d2于顶表面141b相对应的边缘SD3、SD4的宽度W5、W6，但不以此为限。在其他实施例中，如图3C所示，于微型元件结构100e中，固定结构160e的连接部161e1的宽度从覆盖部163e往顶表面141b相对应的边缘SD3逐渐变大，且连接部161e2的宽度从覆盖部163e往顶表面141b相对应的边缘SD4逐渐变大，可增加制程裕度，避免固定结构160e接触到电极144b。
图3D示出为本发明另一实施例的微型元件结构的俯视示意图。请同时参照图3A与图3D，本实施例的微型元件结构100f与图3A的微型元件结构100d相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100f的固定结构160f没有覆盖部。具体而言，固定结构160f的连接部161f1直接覆盖于顶表面141b的边缘SD3且连接固定部162f1，而连接部161f2直接覆盖于顶表面141b的边缘SD4且连接固定部162f2。此处，由于固定结构160f没有覆盖部，可以减少微型元件140b与固定结构160f制作时的制程错位影响，增加制造的良率。于此，固定结构160f的连接部161f1、161f2于顶表面141b上的正投影面积与微型元件140b的顶表面141b的面积的比值例如是大于等于0.01且小于0.3。特别说明的是，也可以图3E所示，微型元件结构100f’的固定结构160f的连接部161f1直接覆盖于顶表面141b的边缘SD1且连接固定部162f1，而连接部161f2直接覆盖于表面141b’的边缘SD2且连接固定部162f2，通过连接部161f1、161f2配置于微型元件140b的相对较短边，可以使微型元件140b排列更密集，减少微型元件140b的制作成本。
图4A示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图1B与图4A，本实施例的微型元件结构100g与图1B的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100f没有缓冲结构，其中固定结构160g的固定部162g直接接触基板120，且固定结构160g的固定部162g直接接触微型元件140c的周围表面143c。此处，微型元件140c的形式可以为一水平式微型元件、一覆晶式微型元件或是其他不同种类的微型元件，于此并不加以限制微光元件的形式。
图4B示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图4B，本实施例的微型元件结构100h与图4A的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100h的固定结构160h的固定部162h不直接接触微型元件140c的周围表面143c。
图4C示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图4C，本实施例的微型元件结构100i与图4A的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100i还包括缓冲层190，其中缓冲层190配置于微型元件140c的底表面142c与基板120之间，且缓冲层190直接接触固定结构160i的固定部162i与微型元件140c。换言之，本实施例的微型元件140c、固定结构160i以及基板120之间没有空气间隙。此处，缓冲层190可吸收微型元件140c接合至基板120上时所产生应力，以提高接合良率。换言之，缓冲层190可提供微型元件140c与基板120之间应力缓冲的效果。较佳的，缓冲层190的杨氏模量小于固定结构160h的杨氏模量。此处，缓冲层190的材质包括一发泡材料或有机高分子材料，而使缓冲层190具有多个不规则的空气孔洞，其中由发泡材料所构成的缓冲层190的孔隙率可以大于等于50％，可提供良好的缓冲效果。
图4D示出为本发明的另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图4D，本实施例的微型元件结构100j与图4A的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构160j的固定部162j直接接触微型元件140c的部分底表面142c。
图4E示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图4E，本实施例的微型元件结构100k与图4A的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构160k的固定部162k未切齐微型元件140c的周围表面143c。
图4F示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图4F，本实施例的微光元件结构100l与图4A的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构160l的固定部162l未完全覆盖微型元件140c的周围表面143c。也就是说，固定结构160l的固定部162l仅覆盖部分周围表面143c。
图4G示出为本发明的另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图4G，本实施例的微型元件结构100m与图4A的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构160m没有覆盖部。意即固定结构160m只有覆盖顶表面141c边缘的连接部161m1、161m2，以及覆盖周围表面143c且延伸至基板120上的固定部162m。
图5A示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图5A，本实施例的微型元件结构100n与图4A的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：在本实施例中，相邻两微型元件140c1、140c2通过固定结构160n1、160n2的固定部162n1、162n2而连接在一起。在未示出出的实施例中，固定结构160n1、160n2也可以分别对应配置于两微型元件140c1、140c2上而不互相连接，在此并不为限。
图5B示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图5A与图5B，本实施例的微型元件结构100p与图5A的微型元件结构100n相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件140c1、140c2分别还包括多个缓冲结构180p1、180p2，其中微型元件140c1、140c2的固定结构160p1、160p2分别通过缓冲结构180p1、180p2而连接至基板120。此处，固定结构160p1、160p2没有覆盖部，且相邻两微型元件140c1、140c2通过固定结构160p1、160p2的固定部162p1、162p2而连接在一起。
图6示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的微型元件的剖面示意图。请同时参照图1B与图6，本实施例的微型元件结构100q的微型元件140d包括第一型半导体层147d、发光层146d、第二型半导体层148d、绝缘层149d、通孔T、第一型电极144d以及第二型电极145d。具体而言，通孔T依序贯穿第二型半导体层148d、发光层146d以及第一型半导体层147d的一部分。绝缘层149d至少覆盖周围表面143d以及部分底表面142d，更进一步来说，绝缘层149d覆盖周围表面143d、部分底表面142d以及通孔T的内壁。固定结构160q直接接触绝缘层149d，更进一步来说，固定结构160q直接接触顶表面141d与位于周围表面143d上的绝缘层149d。第一型电极144d以及第二型电极145d配置于底表面142d上，且第一型电极144d填入通孔T内并与第一型半导体层147d连接，而第二型电极145d穿过底表面142d上的绝缘层149d并与第二型半导体层148d连接。缓冲结构180q配置于固定结构160q与基板120之间，且缓冲结构180q直接接触固定结构160q与基板120。
更具体而言，在本实施例中，固定结构160q的材质可不同于绝缘层149d的材质。此处，绝缘层149d的材质例如是二氧化硅、氮化硅、氧化硅玻璃(SOG)或相似材料，但不以此为限。较佳地，固定结构160q的硬度等于或低于绝缘层149d的硬度，固定结构160q的厚度小于或等于绝缘层149d的厚度。藉此设计，可避免微型元件140d于转移时，固定结构160q与绝缘层149d同时被拔除。此外，在本实施例中，固定结构160q的重心低于微型元件140d的重心，且固定结构160q在微型元件140d的顶表面141d以及周围表面143d的角度相同，可更有效固定微型元件140d于基板120上。
另须说明的是，当微型元件结构中的微型元件从基板上拾取并运输与转移至线路基板上放置后，仅有部分固定结构仍会覆盖在微型元件的顶表面或部分周围表面上，其相关实施例将于以下方进行说明。
图7A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。图7B为图7A的俯视示意图。请参照图7A，将多个微型元件140e转移至线路基板220上，而形成微型元件装置100r。微型元件装置100r例如为微型发光二极管显示器或其他具有显示器之电子装备。此处，微型元件140e示出为覆晶式微型发光二极管，可以是相同色光的发光二极管或是不同色光的发光二极管，于此并不加以限制。也就是说，微型元件140e以覆晶的方式通过第一型电极144e与第二型电极145e电性连接至线路基板220上。原本在微型元件140e的顶表面141e上的固定结构，在拾取微型元件140e后，仅剩下一部分，即为导光结构150，如图7B所示。此处的导光结构150配置于线路基板220上且远离第一型电极144e与第二型电极145e，且导光结构150包括至少一连接部152以及连接连接部152的覆盖部154，且连接部152配置于微型元件140e的顶表面141e的边缘SD1’、SD2’且导光结构150于顶表面141e的正投影面积小于顶表面141e的面积。较佳地，导光结构150于顶表面141e的正投影面积与顶表面141e的面积的比值为大于等于0.5且小于1。在一未示出出的实施例中，导光结构也可以同时配置在微型元件的顶表面与部分周围表面上。此处，线路基板220可例如是显示背板或其他具有电路的基板。
图7C示出为本发明另一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。请同时参照图7A与图7C，本实施例的微型元件装置100s与图7A的微型元件装置100r相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件装置100s还包括导光层210。具体而言，导光层210配置于微型元件140e上，且导光结构150与微型元件140e分别位与导光层210的相对两侧，其中导光层210直接接触微型元件140e的顶表面141e。较佳地，配置于微型元件140e上的导光层210的形状与微型元件140e的顶表面141e形状相同。在本实施例中，微型元件140e的折射率大于导光层210的折射率，而导光层210的折射率大于等于导光结构150的折射率，且导光结构150的折射率大于空气的折射率，藉此设计，可避免微型元件140e发出的光在导光层210或导光结构150中产生全反射，进而可提高微型元件140e的出光率。此处，导光层210的材质可不同于导光结构150的材质，其中导光层210的材质例如是二氧化硅、氮化硅、氧化硅玻璃(SOG)或其组合，但不以此为限。
此外，本实施例的导光层210的杨式模量小于微型元件140e的杨式模量。导光结构150于微型元件140e的顶表面141e上的正投影面积等于导光层210于顶表面141e上的正投影面积，但不以此为限。在其他实施例中，微型元件装置100t的导光结构150’于顶表面141e上的正投影面积也可以小于导光层210于顶表面141e上的正投影面积，如图7D所示。较佳地，导光结构150、150’于顶表面141e上的正投影面积与导光层210于顶表面141e上的正投影面积的比值为介于0.8至1之间。
综上所述，在本发明的微型元件结构的设计中，固定结构不直接接触第一型电极与第二型电极，固定结构的连接部配置于微型元件的顶表面的边缘，且固定结构的固定部连接连接部且延伸至基板上。藉此设计，可使得微型元件在不同的基板之间的运输与转移时，可由固定结构的固定部提供具有良好的固定与支撑，而由固定结构的连接部提供固定结构良好的连接。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (24)

1.一种微型元件结构，其特征在于，包括：
基板；
至少一微型元件，配置于所述基板上，且具有彼此相对的顶表面与底表面、连接所述顶表面与所述底表面的周围表面、第一型电极以及第二型电极；以及
至少一固定结构，配置于所述基板上且远离所述第一型电极与所述第二型电极，所述固定结构包括至少一连接部以及至少一固定部，所述连接部配置于所述微型元件的所述顶表面的边缘，而所述固定部连接所述连接部且延伸至所述基板上。
2.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述连接部于所述顶表面的所述边缘的宽度与所述边缘的长度的比值介于0.01至0.6之间。
3.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构还包括覆盖部，配置于所述微型元件的所述顶表面上，且所述连接部连接于所述覆盖部与所述固定部之间。
4.根据权利要求3所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述微型元件的所述第一型电极与所述第二型电极位于所述底表面上。
5.根据权利要求4所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构于所述顶表面的正投影面积与所述微型元件的所述顶表面的面积的比值大于等于0.5且小于1。
6.根据权利要求4所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构的所述覆盖部至邻近的所述顶表面的所述边缘的最大距离小于等于10微米。
7.根据权利要求4所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述连接部及所述覆盖部于所述微型元件的所述顶表面的正投影面积大于所述固定部与所述微型元件的所述周围表面的接触面积。
8.根据权利要求3所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述微型元件的所述第一型电极与所述第二型电极的其中之一位于所述顶表面上。
9.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构于所述顶表面的正投影面积与所述微型元件的所述顶表面的面积的比值大于等于0.01且小于等于0.5。
10.根据权利要求3所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述覆盖部的最大宽度大于所述连接部于所述顶表面的所述边缘的宽度。
11.根据权利要求10所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述连接部的宽度从所述覆盖部往所述顶表面的所述边缘逐渐变小。
12.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中于单位面积内，所述固定结构于所述基板上的正投影面积大于所述微型元件于所述基板上的正投影面积。
13.根据权利要求12所述的微型元件结构，其特征在于，其中于所述单位面积内，所述微型元件于所述基板上的正投影面积与所述固定结构于所述基板上的正投影面积的比值介于0.5至0.9之间。
14.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构的折射率小于所述微型元件的折射率且大于空气的折射率。
15.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述微型元件结构还包括：
缓冲层，配置于所述微型元件与所述基板之间，且直接接触所述固定结构与所述微型元件。
16.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述微型元件结构还包括：
至少一缓冲结构，配置于所述固定结构的所述固定部与所述基板之间，其中所述固定部通过所述缓冲结构连接至所述基板上。
17.根据权利要求16所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构的杨式模量大于所述缓冲结构的所述杨式模量。
18.根据权利要求16所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述缓冲结构远离所述微型元件。
19.根据权利要求18所述的微型元件结构，其特征在于，其中于单位面积内，所述缓冲结构于所述基板上的正投影面积与所述固定结构于所述基板上的正投影面积的比值介于0.2至0.9之间。
20.根据权利要求18所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述缓冲结构于所述基板上的正投影与所述微型元件于所述基板上的正投影相隔最小距离，而所述最小距离小于等于10微米。
21.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中所述微型元件包括绝缘层，而所述绝缘层至少覆盖所述周围表面以及部分所述底表面，而所述固定结构直接接触所述绝缘层。
22.根据权利要求21所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构的厚度小于等于所述绝缘层的厚度。
23.根据权利要求21所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定结构的材质不同于所述绝缘层的材质。
24.一种微型元件装置，其特征在于，包括：
线路基板；
至少一微型元件，配置于所述线路基板上，且具有彼此相对的顶表面与底表面、连接所述顶表面与所述底表面的周围表面、第一型电极以及第二型电极，其中所述至少一微型元件通过所述第一型电极以及所述第二型电极电性连接所述线路基板；以及
至少一导光结构，配置于所述线路基板上且远离所述第一型电极与所述第二型电极，所述导光结构包括至少一连接部以及连接所述连接部的覆盖部，所述连接部配置于所述微型元件的所述顶表面的边缘且所述导光结构于所述顶表面的正投影面积小于所述顶表面的面积。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600602A (zh) * 2019-09-16 2019-12-20 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体元件结构、以及显示元件
CN110739378A (zh) * 2019-12-03 2020-01-31 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构及其显示装置
US10998475B2 (en) 2019-09-16 2021-05-04 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device
US11329202B2 (en) 2019-12-03 2022-05-10 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro component structure and micro component display device

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI698994B (zh) 2019-09-16 2020-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及轉移裝置
US11916172B2 (en) 2019-09-16 2024-02-27 PlayNitride Display Co., Ltd. Epitaxial structure, semiconductor structure including the same, and semiconductor pickup element for transferring the same
CN110556470B (zh) * 2019-09-16 2021-04-20 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体组件结构、以及转移装置
CN112786514B (zh) * 2019-11-11 2023-01-03 成都辰显光电有限公司 一种微元件的临时转移基板及其制备方法
TWI717128B (zh) 2019-12-03 2021-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構
CN110993552B (zh) * 2019-12-03 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构
CN113228243A (zh) * 2019-12-03 2021-08-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种半导体装置巨量转移方法和系统
CN111129253A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 厦门乾照光电股份有限公司 倒装微型电子元件结构及其制作方法
TWI726648B (zh) * 2020-03-09 2021-05-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
TWI762953B (zh) * 2020-06-16 2022-05-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法
TWI773324B (zh) * 2021-05-17 2022-08-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件、微型發光結構及顯示裝置
TWI808422B (zh) 2021-05-21 2023-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 接著層結構以及半導體結構
DE112021007729T5 (de) * 2021-09-14 2024-04-11 Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. Mikrolichtemittierende Anordnung, Mikro-LED und deren Anzeigevorrichtung
TWI811810B (zh) * 2021-10-13 2023-08-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN113937197A (zh) * 2021-10-13 2022-01-14 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104716247A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN106816408A (zh) * 2016-09-07 2017-06-09 友达光电股份有限公司 微型发光二极管单元的中介结构及其制造方法
US20170256522A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-07 X-Celeprint Limited Micro-printed display

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4120223B2 (ja) * 2002-01-16 2008-07-16 ソニー株式会社 電子部品の製造方法、これを用いた画像表示装置
TWI363437B (en) * 2008-05-21 2012-05-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package capable of providing electrostatic discharge circuit protection and process of making the same
TW200644265A (en) * 2005-06-10 2006-12-16 Ramtronics Ind Co Ltd Multiple package structure and producing method thereof
DE102005050398A1 (de) * 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
KR20100127286A (ko) * 2008-03-21 2010-12-03 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 장치
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
DE102010029368A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010054782A1 (de) * 2010-12-16 2012-06-21 Epcos Ag Gehäustes elektrisches Bauelement
TWI455273B (zh) * 2011-08-04 2014-10-01 Chipmos Technologies Inc 晶片封裝結構
US9620478B2 (en) * 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US8794501B2 (en) * 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
CN102520832A (zh) * 2011-12-19 2012-06-27 协晶电子科技(上海)有限公司 多功能触摸感应桌面及具有该桌面的触控显示装置
KR20140068474A (ko) * 2012-11-28 2014-06-09 서울바이오시스 주식회사 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법
WO2014083777A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 パナソニック株式会社 基板、発光装置、照明用光源及び基板の製造方法
KR101504331B1 (ko) * 2013-03-04 2015-03-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
US8928014B2 (en) * 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
US9217541B2 (en) * 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
TWI590498B (zh) * 2013-06-03 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 電子元件的轉移方法及電子元件陣列
US9035279B2 (en) * 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
TWI561150B (en) * 2013-11-28 2016-12-01 E Ink Holdings Inc Flexible display apparatus
KR101501020B1 (ko) 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
DE102014106503B4 (de) * 2014-05-08 2016-03-03 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons
US9219197B1 (en) * 2014-05-30 2015-12-22 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9590137B2 (en) 2014-05-30 2017-03-07 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode
US9929053B2 (en) * 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
CN111180381B (zh) * 2014-06-18 2021-08-27 艾克斯展示公司技术有限公司 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法
JP6483246B2 (ja) * 2014-10-17 2019-03-13 インテル・コーポレーション 微小持ち上げ・接合組立法
US9941207B2 (en) * 2014-10-24 2018-04-10 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield
TWI578581B (zh) * 2014-11-18 2017-04-11 錼創科技股份有限公司 發光元件
US9773711B2 (en) * 2014-12-01 2017-09-26 Industrial Technology Research Institute Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module
US9607907B2 (en) * 2014-12-01 2017-03-28 Industrial Technology Research Institute Electric-programmable magnetic module and picking-up and placement process for electronic devices
US9633982B2 (en) * 2015-02-17 2017-04-25 Chun Yen Chang Method of manufacturing semiconductor device array
TWI720972B (zh) * 2015-03-18 2021-03-11 新世紀光電股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
CN107454985B (zh) * 2015-03-30 2020-08-21 亮锐控股有限公司 用于高亮度发光装置的外围散热布置
US20160297671A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-13 Epcos Ag MEMS Sensor Component
TWI557831B (zh) * 2015-05-15 2016-11-11 友達光電股份有限公司 微組件的傳送方法
US9640715B2 (en) * 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US20160351548A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light emitting diode display device and manufacturing method thereof
US9704821B2 (en) * 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US9969078B2 (en) * 2015-08-03 2018-05-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array and transferring method
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
US10193025B2 (en) * 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
CN106229326B (zh) * 2016-07-22 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 转印微发光二极管的方法及显示面板的制作方法
TWI611599B (zh) * 2016-10-27 2018-01-11 友達光電股份有限公司 過渡載板裝置、顯示面板以及兩者的製造方法、微型發光件的檢測方法
CN106601657B (zh) * 2016-12-12 2019-12-17 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107068665B (zh) * 2017-04-18 2019-02-05 天津三安光电有限公司 微型发光二极管器件及其制作方法
CN107425101B (zh) * 2017-07-11 2019-03-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种微型发光二极管芯片巨量转移的方法
CN107452840B (zh) * 2017-07-14 2019-03-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种led面板及其制作方法
CN109671661B (zh) * 2017-10-16 2023-09-26 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光元件结构
US10797029B2 (en) 2017-12-19 2020-10-06 PlayNitride Inc. Structure with micro device
US10804130B2 (en) 2017-12-19 2020-10-13 PlayNitride Inc. Structure with micro device
CN208352328U (zh) * 2018-07-18 2019-01-08 易美芯光（北京）科技有限公司 一种Micro LED封装结构
TWI729389B (zh) * 2019-05-07 2021-06-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104716247A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 日亚化学工业株式会社 发光装置
US20170256522A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-07 X-Celeprint Limited Micro-printed display
CN106816408A (zh) * 2016-09-07 2017-06-09 友达光电股份有限公司 微型发光二极管单元的中介结构及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110600602A (zh) * 2019-09-16 2019-12-20 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体元件结构、以及显示元件
US10998475B2 (en) 2019-09-16 2021-05-04 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device
CN110739378A (zh) * 2019-12-03 2020-01-31 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构及其显示装置
US11329202B2 (en) 2019-12-03 2022-05-10 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro component structure and micro component display device

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