TWI717128B - 微型元件結構 - Google Patents

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Abstract

一種微型元件結構，包括一基板、至少一微型元件以及一固定結構。微型元件配置於基板上並與基板具有一間距，且具有至少一頂表面。固定結構配置於基板上，且包括至少一覆蓋部以及至少一連接部。覆蓋部配置於微型元件的部分頂表面，而連接部連接覆蓋部的邊緣且延伸至基板上。覆蓋部與連接部至少其中一者包括至少一圖案化結構。

Description

微型元件結構
本發明是有關於一種半導體結構，且特別是有關於一種微型元件結構。
目前微型發光二極體的轉移主要是透過靜電力或磁力等方式，將載體基板上的微型發光二極體轉板至接收基板上。一般來說，微型發光二極體會透過固定結構來固持而使微型發光二極體較容易自載體基板上拾取並運輸與轉移至接收基板上放置，且藉由固定結構來鞏固微型發光二極體於轉板時不會受到其他外因而影響品質。然而，由於微型發光二極體的尺寸變且密度變高，會使得固定結構的製作難度變高。再者，固定結構與微型發光二極體之間接觸面的面積大小以及形狀，會影響微型發光二極體的運輸與轉移的良率。因此，如何讓固定結構可以暫時地固持微型發光二極體，且可以更輕易且更有效率地運輸與轉移微型發光二極體於載體基板與接收基板之間，已成為目前業界相當重視的課題之一。
本發明提供一種微型元件結構，其透過圖案化結構的設計可調變固定結構與微型元件之間的接合強度，可提升結構良率。
本發明的微型元件結構，包括一基板、至少一微型元件以及一固定結構。微型元件配置於基板上並與基板具有一間距，且具有至少一頂表面。固定結構配置於基板上，且包括至少一覆蓋部以及至少一連接部。覆蓋部配置於微型元件的部分頂表面，而連接部連接覆蓋部的邊緣且延伸至基板上。覆蓋部與連接部至少其中一者包括至少一圖案化結構。
在本發明的一實施例中，上述的至少一圖案化結構為至少一凹槽，且連接部包括凹槽。
在本發明的一實施例中，上述的凹槽的深度與固定結構的厚度的比值大於等於0.5且小於1。
在本發明的一實施例中，上述以俯視觀之，沿一切線上凹槽與連接部的寬度比大於等於0.2且小於等於0.8。凹槽所佔連接部的面積與連接部的面積的比值大於等於0.2且小於等於0.8。
在本發明的一實施例中，上述的凹槽於基板上的正投影不重疊於微型元件於基板上的正投影。
在本發明的一實施例中，上述的至少一連接部包括多個連接部，且至少一凹槽包括多個凹槽。覆蓋部分別連接連接部，且連接部彼此分散且呈對稱地排列。
在本發明的一實施例中，上述的至少一圖案化結構為至 少一開口，且連接部包括開口。
在本發明的一實施例中，上述的以俯視觀之，開口所佔連接部的面積與連接部的面積的比值大於等於0.2且小於等於0.8。沿一切線上開口與連接部的寬度比大於等於0.2且小於等於0.8。
在本發明的一實施例中，上述的開口於基板上的正投影不重疊於微型元件於基板上的正投影。
在本發明的一實施例中，上述的至少一連接部包括一第一連接部與一第二連接部。以俯視觀之，第一連接部與第二連接部分別位於微型元件的一對角線上。第二連接部的寬度大於第一連接部的寬度。
在本發明的一實施例中，上述的至少一開口包括多個第一開口與多個第二開口。第一連接部包括第一開口，而第二連接部包括第二開口。第二開口所佔第二連接部的面積與第二連接部的面積的比值小於第一開口所佔第一連接部的面積與第一連接部的面積的比值。
在本發明的一實施例中，上述的至少一連接部包括多個連接部，且至少一開口包括多個開口。覆蓋部分別連接連接部，且連接部彼此分散且呈對稱地排列。
在本發明的一實施例中，上述的至少一開口包括多個開口，且開口的密度由鄰近微型元件往遠離微型元件的方向逐漸減小。
在本發明的一實施例中，上述的至少一開口包括多個開口，且開口的口徑由鄰近微型元件往遠離微型元件的方向逐漸減小。
在本發明的一實施例中，上述的最鄰近微型元件的開口與微型元件的最短距離小於開口與基板的最短距離。
在本發明的一實施例中，上述的至少一微型元件包括多個微型元件。固定結構還包括至少一接觸部，且接觸部位於微型元件之間且直接接觸基板。
在本發明的一實施例中，上述的至少一覆蓋部包括多個覆蓋部，至少一頂表面包括多個頂表面，而覆蓋部分別位於頂表面上。至少一圖案化結構包括多個開口，而連接部連接覆蓋部且包括開口。開口所佔連接部的面積的比值大於等於0.8且小於1。
在本發明的一實施例中，上述的每一覆蓋部於對應的微型元件的頂表面上的正投影面積與微型元件的頂表面的面積比值大於等於0.5且小於等於1。
在本發明的一實施例中，上述的覆蓋部與連接部包括開口。開口所佔每一覆蓋部的面積與每一覆蓋部的面積的比值大於等於0.8且小於1。
基於上述，在本發明的微型元件結構的設計中，固定結構的覆蓋部與連接部至少其中的一者包括圖案化結構，藉此設計來調變微型元件與固定結構之間的接合強度，可提升微型元件結構的轉移良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j:微型元件結構
110:基板
120、120a、120b、120c、120d:微型元件
122、122a、122b、122c、122d:頂表面
124:周圍表面
130a、130b、130c、130d、130e、130f、130g、130h、130i、130j:固定結構
132a、132b、132c、132d1、132d2、132d3、132d4、132e1、132e2、132e3、132e4、132f、132g、132h、132i、132j:覆蓋部
134a1、134a2、134b1、134b2、134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8、134d、134e、134f1、134f2、134g1、134g2、134h1、134h2、134i1、134i2、134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8:連接部
135a、135b1、135b2、135c、135d、135e、135f、135g、135h、135i、135j:圖案化結構
136d:接觸部
B:交界處
D:深度
D1、D2:最短距離
G:間距
H:厚度
T:切線
圖1繪示為本發明的一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
圖7繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
圖8繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的剖面示意圖。
圖9A繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的剖 面示意圖。
圖9B繪示為圖9A的微型元件結構的俯視示意圖。
圖10繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。
本發明的實施例描述微型元件(例如微型發光二極體(Micro LED)或微晶片)的結構，使之準備好拾取及轉移到接收基板。接收基板可例如為顯示基板、發光基板、具諸如電晶體或積體電路(ICs)等功能元件的基板或具其他具線路的基板，但不以此為限。雖然本發明的一些實施例特定於描述包含p-n二極體的微型發光二極體，但應理解本發明的實施例不限於此，某些實施例亦可應用到其他微型元件，該等元件依此一方式設計成控制執行預定電子功能(例如二極體、電晶體、積體電路)或光子功能(LED、雷射)。
圖1繪示為本發明的一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。請參考圖1，在本實施例中，微型元件結構100a包括一基板110、至少一微型元件(示意地繪示一個微型元件120)以及一固定結構130a。微型元件120配置於基板110上且具有至少一頂表面(示意地繪示一個頂表面122)，其中微型元件120與基板110具有一間距。此處，微型元件120與基板110間為一空氣間距，以調整後續轉移的轉移力。固定結構130a配置於基板110 上，且包括至少一覆蓋部(示意地繪示一個覆蓋部132a)以及至少一連接部(示意地繪示二個連接部134a1、134a2)。覆蓋部132a覆蓋微型元件120的部分頂表面122，而連接部134a1、134a2連接覆蓋部132a的邊緣且延伸至基板110上。覆蓋部132a與連接部134a1、134a2至少其中一者包括至少一圖案化結構(示意地繪示多個圖案化結構135a)。
詳細來說，在本實施例中，基板110例如是一塑膠基板、一玻璃基板或一藍寶石基板等可具有固定性且表面平整的臨時基板，但本發明不以此為限。在圖1所繪示的實施例中，微型元件120的數量是以一個為例，但本發明不限於此。在其他實施例中，微型元件120的數量可以為多個。微型元件120的一最大尺寸小於等於100微米。更佳地，微型元件120的一最大尺寸小於等於50微米，更適合應用於利用微型發光二極體作為像素的微型發光二極體顯示技術。於其他的實施例中，微型元件140可以為微型積體電路(micro IC)、微型雷射二極體(micro LD)或微型感測器，但本發明不限於此。固定結構130的材質例如為二氧化矽、氮化矽、氧化矽玻璃(SOG)或其他適宜的無機材料，或者是，亦可為導電材料，後續轉移後留在微型元件120表面上的固定結構130可作為垂直式微型元件的電極或可做為共電極，於此不加以限制。
再者，如圖1所示，本實施例的連接部134a1、134a2分別位於微型元件120的一對角線上，且連接部134a1、134a2包括 圖案化結構135a。圖案化結構135a具體化為貫穿連接部134a1、134a2的開口，且開口所佔連接部134a1、134a2的面積與連接部134a1、134a2的面積的比值大於等於0.2且小於等於0.8。若上述的比值大於0.8，則導致連接部134a1、134a2的支撐性不夠；反之，若上述的比值小於0.2，則導致連接部134a1、134a2不易斷裂。此處，開口的形狀例如是圓形。當然，於其他實施例中，開口的形狀亦可為楕圓形或多邊形，於此並不加以限制。此處，圖案化結構135a(即開口)於基板110上的正投影不重疊於微型元件120於基板110上的正投影。換言之，覆蓋在微型元件120的頂表面122上的覆蓋層132a為整面性結構，且沒有設置任何的圖案化結構135a(即開口)，可具有較佳的連接力。再者，圖案化結構135a僅配置於連接部134a1、134a2，可使後續轉移後固定結構不會殘留於微型元件120上。此外，以俯視觀之，沿一切線T上開口與連接部134a1、134a2的寬度比大於等於0.2且小於等於0.8。若上述的比值大於0.8，則導致連接部134a1、134a2的支撐性不夠；反之，若上述的比值小於0.2，則導致連接部134a1、134a2不易斷裂。此處所述的開口寬度為所有開口的寬度總和，單一開口的寬度可以介於0.2到0.8之間，在此並不限制。
當從基板110上拾取微型元件120時，拾取的應力(如：下壓力或上拉力)會使固定結構130a發生斷裂。由於固定結構130a的連接部134a1、134a2包括圖案化結構135a(即開口)，因此可以使固定結構130a的斷裂點可以接近或實質上位於微型元件120 的頂表面122與周圍表面124的交界處B。藉此，可以降低固定結構130a斷不乾淨或殘留的問題，而可以提升微型元件120的運輸與轉移至後續線路基板(未繪示)上的良率。簡言之，藉由圖案化結構135a(即開口)的設置來調變微型元件120與固定結構130a之間的接合強度，可提升微型元件結構100a的結構良率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。請同時參考圖1與圖2，本實施例的微型元件結構100b與圖1的微型元件結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的固定結構130b包括覆蓋部132b與連接部134b1、134b2(可視為第一連接部、第二連接部)，其中連接部134b2的寬度大於連接部134b1的寬度。意即，連接部134b1、134b2呈不對稱結構。當微型元件120的重量呈現不對稱時，則可採用此不對稱結構設置的固定結構130b來穩定整體微型元件結構100b。此處，圖案化結構135b2(可視為第二開口)所佔連接部134b2的面積與連接部134b2的面積的比值小於圖案化結構135b1(可視為第一開口)所佔連接部134b1的面積與連接部134b1的面積的比值。此處，採用此不對稱結構設置的固定結構130b來穩定整體微型元件結構100b。但於未繪示的實施例中，兩者面積比值亦可相同，藉由圖 案化結構135b1、135b2的口徑大小、數量及排列方式，可控制固定結構130b的斷裂點落位置。但於未繪示的實施例中，兩者寬度亦可相同，藉由圖案化結構135b1、135b2的面積、口徑大小、數量及排列方式，可控制固定結構130b的斷裂點落位置。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。請同時參考圖1與圖3，本實施例的微型元件結構100c與圖1的微型元件結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的固定結構130c包括多個連接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8。覆蓋部132c分別連接連接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8，且連接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8彼此分散且呈對稱地排列。於一單位面積內，每一連接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8的圖案化結構135c(即開口)的面積所佔連接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8的面積與連接部134b2的面積的比值相同。因此，固定結構130c中連接部(如連接部134c1)結構異常時，對於整體固定結構130c的支撐影響度較低，不易傾斜飛散。此處示意有8個連接部，但不以此為限，藉由點對稱、線對稱或是對角排列的方式而呈對稱地排列，皆為本發明的內容。
圖4繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。請同時參考圖1與圖4，本實施例的微型元件結構100d與圖1的微型元件結構100a相似，兩者的差異在於：本實施 例的微型元件結構100d包括多個微型元件120a、120b、120c、120d。固定結構130d包括多個覆蓋部132d1、132d2、132d3、132d4、一個連接部134d以及至少一接觸部(示意地繪示一個接觸部136d)，其中接觸部136d位於微型元件120a、120b、120c、120d之間且直接接觸基板110，而連接部134d包圍微型元件120a、120b、120c、120d。覆蓋部132d1、132d2、132d3、132d4分別位於微型元件120a、120b、120c、120d的頂表面122a、122b、122c、122d上，且連接部134d連接覆蓋部132d1、132d2、132d3、132d4與接觸部136d且包括圖案化結構135d(即開口)。意即，本實施例的連接部134d呈網狀結構(Mesh)，而覆蓋部132d1、132d2、132d3、132d4為整面性結構，且沒有設置任何的圖案化結構135d(即開口)，可具有較佳的連接力。此處，每一覆蓋部132d1、132d2、132d3、132d4於對應的微型元件120a、120b、120c、120d的頂表面122a、122b、122c、122d上的正投影面積與微型元件120a、120b、120c、120d的頂表面122a、122b、122c、122d的面積比值大於等於0.5且小於等於1。若上述的比值大於等於0.5且小於等於1，於後續轉移後的覆蓋部132d1、132d2、132d3、132d4可以留在微型元件120a、120b、120c、120d做為導光結構(未繪示)，增加正向出光。由於本實施例的固定結構130d具有接觸基板110的接觸部136d，且接觸部136d沒有設置任何的圖案化結構135d(即開口)，因而可具有較佳的連接力。在一未繪示的實施中，連接部亦可以直接接至基板不需有接觸部的設置，在此並不為限。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。請同時參考圖4與圖5，本實施例的微型元件結構100e與圖4的微型元件結構100d相似，兩者的差異在於：本實施例的固定結構130e沒有設置接觸部136d，且覆蓋部132e1、132e2、132e3、132e4與連接部134e皆包括圖案化結構135e(即開口)。意即，本實施例的固定結構130e呈一網狀結構。換言之，覆蓋部132e1、132e2、132e3、132e4的圖案化結構135e可暴露出對應的微型元件120a、120b、120c、120d的部分頂表面122a、122b、122c、122d。此處，圖案化結構135e所佔每一覆蓋部132e1、132e2、132e3、132e4的面積與每一覆蓋部132e1、132e2、132e3、132e4的面積的比值大於等於0.8且小於1。若上述的比值大於等於0.8且小於1，於後續轉移後的覆蓋部若留於微型元件120a上，亦不會影響正向出光。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。請同時參考圖1與圖6，本實施例的微型元件結構100f與圖1的微型元件結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的固定結構130f的連接部134f1、134f2的圖案化結構135f(即開口)的密度由鄰近微型元件120往遠離微型元件120的方向逐漸減小。透過此設計，可以使斷點靠近於連接部134f1、134f2和覆蓋部132f之間，避免轉移後的連接部134f1、134f2留在微型元件120上，可增加微型元件120的良率。
圖7繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的 俯視示意圖。請同時參考圖1與圖7，本實施例的微型元件結構100g與圖1的微型元件結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的固定結構130g的連接部134g1、134g2的圖案化結構135g(即開口)的口徑由鄰近微型元件120往遠離微型元件120的方向逐漸減小。透過此設計，可以使斷點靠近於連接部134g1、134g2和覆蓋部132g之間，避免轉移後的連接部134g1、134g2留在微型元件120上，可增加微型元件120的良率。
圖8繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的剖面示意圖。請同時參考圖1與圖8，本實施例的微型元件結構100h與圖1的微型元件結構100a相同，微型元件120a與基板110具有一間距G。此處，微型元件120a與基板110間為一空氣間距，以調整後續轉移的轉移力。本實施例的微型元件結構100h與圖1的微型元件結構100a兩者的差異在於：本實施例的固定結構130h包括覆蓋部132h與連接部134h1、134h2，其中連接部134h1、134h2具有圖案化結構135h(即開口)，且最鄰近微型元件120的圖案化結構135h與微型元件120的最短距離D1小於圖案化結構135h與基板110的最短距離D2。此處，較佳地，最短距離D1小於等於1微米。透過此設計，可以使斷點靠近於連接部134h1、134h2和覆蓋部132h之間，避免轉移後的連接部134h1、134h2留在微型元件120上，可增加微型元件120的良率。
圖9A繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的剖面示意圖。圖9B繪示為圖9A的微型元件結構的俯視示意圖。 請先同時參考圖1與圖9A，本實施例的微型元件結構100i與圖1的微型元件結構100a相似，兩者的差異在於：本實施例的固定結構130i包括覆蓋部132i與連接部134i1、134i2，其中連接部134i1、134i2包括圖案化結構135i，且圖案化結構135i具體化為沒有貫穿覆蓋部132i的凹槽。此處，凹槽的深度D與固定結構130i的厚度H的比值大於等於0.2且小於等於0.8。若上述的比值小於0.2，則連接部134i1、134i2支撐性不夠；反之，若上述的比值大於0.8，則連接部134i1、134i2不易斷裂。此外，以俯視觀之，請參考圖9B，沿切線T上圖案化結構135i(即凹槽)與連接部134i1、134i2的寬度比大於等於0.4且小於等於0.8。若上述的比值小於0.4，則連接部134i1、134i2支撐性不夠；反之，若上述的比值大於0.8，則連接部134i1、134i2不易斷裂。
圖10繪示為本發明的另一實施例的一種微型元件結構的俯視示意圖。請同時參考圖10與圖9B，本實施例的微型元件結構100j與圖9B的微型元件結構100i相似，兩者的差異在於：本實施例的固定結構130j包括多個連接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8。覆蓋部132j的相對兩側分別連接連接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8彼此分散且呈對稱地排列。於一單位面積內，連接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8的圖案化結構135j(即凹槽)的面積所佔該些連接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8的面積的比值相同。因此，固定結構 130j中的一個連接部(如連接部134j1)結構異常時，對於整體固定結構130j的支撐影響度較低，不易傾斜飛散。
綜上所述，在本發明的微型元件結構的設計中，固定結構的覆蓋部與連接部至少其中的一者包括圖案化結構，其中圖案化結構可包括開口或凹槽。若連接部包括圖案化結構，則透過圖案化結構的口徑大小、數量及排列方式，可控制固定結構的斷裂點落位置。若覆蓋部包括圖案化結構，則無須對位固定結構，可降低微型元件結構對位精準度的需求。若覆蓋部與連接部皆包括圖案化結構，則可藉由圖案化結構來調變微型元件與固定結構之間的接合強度與斷裂點落位置。簡言之，本發明的圖案化結構的設置，可提升微型元件結構的結構良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a:微型元件結構
110:基板
120:微型元件
122:頂表面
124:周圍表面
130a:固定結構
132a:覆蓋部
134a1、134a2:連接部
135a:圖案化結構
B:交界處
T:切線

Claims (19)

  1. 一種微型元件結構，包括：一基板；至少一微型元件，配置於該基板上並與該基板具有一間距，且該微型元件具有至少一頂表面；以及一固定結構，配置於該基板上，且包括至少一覆蓋部以及至少一連接部，該覆蓋部配置於該微型元件的部分該頂表面，而該連接部連接該覆蓋部的邊緣且延伸至該基板上，其中該連接部包括至少一圖案化結構。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該至少一圖案化結構為至少一凹槽。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的微型元件結構，其中該凹槽的深度與該固定結構的厚度的比值大於等於0.5且小於1。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的微型元件結構，其中以俯視觀之，沿一切線上該凹槽與該連接部的寬度比大於等於0.2且小於等於0.8，且該凹槽所佔該連接部的面積與該連接部的面積的比值大於等於0.2且小於等於0.8。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的微型元件結構，其中該凹槽於該基板上的正投影不重疊於該微型元件於該基板上的正投影。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的微型元件結構，其中該至少一連接部包括多個連接部，該至少一凹槽包括多個凹槽，該覆 蓋部分別連接該些連接部，且該些連接部彼此分散且呈對稱地排列。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該至少一圖案化結構為至少一開口。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的微型元件結構，其中以俯視觀之，該開口所佔該連接部的面積與該連接部的面積的比值大於等於0.2且小於等於0.8，且沿一切線上該開口與該連接部的寬度比大於等於0.2且小於等於0.8。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的微型元件結構，其中該開口於該基板上的正投影不重疊於該微型元件於該基板上的正投影。
  10. 如申請專利範圍第7項所述的微型元件結構，其中該至少一連接部包括一第一連接部與一第二連接部，以俯視觀之，該第一連接部與該第二連接部分別位於該微型元件的一對角線上，且該第二連接部的寬度大於該第一連接部的寬度。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的微型元件結構，其中該至少一開口包括多個第一開口與多個第二開口，該第一連接部包括該些第一開口，而該第二連接部包括該些第二開口，且該些第二開口所佔該第二連接部的面積與該第二連接部的面積的比值小於該些第一開口所佔該第一連接部的面積與該第一連接部的面積的比值。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的微型元件結構，其中該至少一連接部包括多個連接部，該至少一開口包括多個開口，該些覆蓋部分別連接該些連接部，且該些連接部彼此分散且呈對稱地排列。
  13. 如申請專利範圍第7項所述的微型元件結構，其中該至少一開口包括多個開口，且該些開口的密度由鄰近該微型元件往遠離該微型元件的方向逐漸減小。
  14. 如申請專利範圍第7項所述的微型元件結構，其中該至少一開口包括多個開口，且該些開口的口徑由鄰近該微型元件往遠離該微型元件的方向逐漸減小。
  15. 如申請專利範圍7項所述的微型元件結構，其中最鄰近該微型元件的該開口與該微型元件的最短距離小於該開口與該基板的最短距離。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該至少一微型元件包括多個微型元件，該固定結構還包括至少一接觸部，該接觸部位於該些微型元件之間且直接接觸該基板。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的微型元件結構，其中該至少一覆蓋部包括多個覆蓋部，該至少一頂表面包括多個頂表面，該些覆蓋部分別位於該些頂表面上，該至少一圖案化結構包括多個開口，而該連接部連接該些覆蓋部，且該些開口所佔該連接部的面積的比值大於等於0.8且小於1。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的微型元件結構，其中各該覆蓋部於對應的該微型元件的該頂表面上的正投影面積與該微型元件的該頂表面的面積比值大於等於0.5且小於等於1。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的微型元件結構，其中該些覆蓋部亦包括該至少一圖案化結構，該些覆蓋部與該連接部包括該些開口，其中該些開口所佔各該覆蓋部的面積與各該覆蓋部的面積的比值大於等於0.8且小於1。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170352646A1 (en) * 2016-06-01 2017-12-07 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
TW201929187A (zh) * 2017-12-19 2019-07-16 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型元件結構
US20190363000A1 (en) * 2017-12-19 2019-11-28 PlayNitride Inc. Structure with micro device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006198763A (ja) * 2004-12-30 2006-08-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc マイクロ構成要素ホルダおよびその製造方法
US7426117B2 (en) * 2005-12-21 2008-09-16 Xerox Corporation Chip on a board
CN110411614B (zh) * 2018-04-27 2021-04-20 苏州明皜传感科技有限公司 力量传感器以及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170352646A1 (en) * 2016-06-01 2017-12-07 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
TW201929187A (zh) * 2017-12-19 2019-07-16 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型元件結構
TW201929188A (zh) * 2017-12-19 2019-07-16 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型元件結構
US20190363000A1 (en) * 2017-12-19 2019-11-28 PlayNitride Inc. Structure with micro device

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