CN110993552B - 微型元件结构 - Google Patents
微型元件结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110993552B CN110993552B CN201911219671.6A CN201911219671A CN110993552B CN 110993552 B CN110993552 B CN 110993552B CN 201911219671 A CN201911219671 A CN 201911219671A CN 110993552 B CN110993552 B CN 110993552B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- micro
- substrate
- covering
- connecting part
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 2
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
本发明提供一种微型元件结构，包括基板、至少一微型元件以及固定结构。微型元件配置于基板上并与基板具有间距，且具有至少一顶表面。固定结构配置于基板上，且包括至少一覆盖部以及至少一连接部。覆盖部配置于微型元件的部分顶表面，而连接部连接覆盖部的边缘且延伸至基板上。覆盖部与连接部至少其中一者包括至少一图案化结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微型元件结构。
背景技术
目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式，将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置，且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外因而影响质量。然而，由于微型发光二极管的尺寸变且密度变高，会使得固定结构的制作难度变高。再者，固定结构与微型发光二极管之间接触面的面积大小以及形状，会影响微型发光二极管的运输与转移的良率。因此，如何让固定结构可以暂时地固持微型发光二极管，且可以更轻易且更有效率地运输与转移微型发光二极管于载体基板与接收基板之间，已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本发明提供一种微型元件结构，其通过图案化结构的设计可调变固定结构与微型元件之间的接合强度，可提升结构良率。
本发明的微型元件结构，包括基板、至少一微型元件以及固定结构。微型元件配置于基板上并与基板具有间距，且具有至少一顶表面。固定结构配置于基板上，且包括至少一覆盖部以及至少一连接部。覆盖部配置于微型元件的部分顶表面，而连接部连接覆盖部的边缘且延伸至基板上。覆盖部与连接部至少其中一者包括至少一图案化结构。
在本发明的一实施例中，上述的至少一图案化结构为至少一凹槽，且连接部包括凹槽。
在本发明的一实施例中，上述的凹槽的深度与固定结构的厚度的比值大于等于0.5且小于1。
在本发明的一实施例中，上述以俯视观之，沿切线上凹槽与连接部的宽度比大于等于0.2且小于等于0.8。凹槽所占连接部的面积与连接部的面积的比值大于等于0.2且小于等于0.8。
在本发明的一实施例中，上述的凹槽于基板上的正投影不重叠于微型元件于基板上的正投影。
在本发明的一实施例中，上述的至少一连接部包括多个连接部，且至少一凹槽包括多个凹槽。覆盖部分别连接连接部，且连接部彼此分散且呈对称地排列。
在本发明的一实施例中，上述的至少一图案化结构为至少一开口，且连接部包括开口。
在本发明的一实施例中，上述的以俯视观之，开口所占连接部的面积与连接部的面积的比值大于等于0.2且小于等于0.8。沿切线上开口与连接部的宽度比大于等于0.2且小于等于0.8。
在本发明的一实施例中，上述的开口于基板上的正投影不重叠于微型元件于基板上的正投影。
在本发明的一实施例中，上述的至少一连接部包括第一连接部与第二连接部。以俯视观之，第一连接部与第二连接部分别位于微型元件的对角线上。第二连接部的宽度大于第一连接部的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的至少一开口包括多个第一开口与多个第二开口。第一连接部包括第一开口，而第二连接部包括第二开口。第二开口所占第二连接部的面积与第二连接部的面积的比值小于第一开口所占第一连接部的面积与第一连接部的面积的比值。
在本发明的一实施例中，上述的至少一连接部包括多个连接部，且至少一开口包括多个开口。覆盖部分别连接连接部，且连接部彼此分散且呈对称地排列。
在本发明的一实施例中，上述的至少一开口包括多个开口，且开口的密度由邻近微型元件往远离微型元件的方向逐渐减小。
在本发明的一实施例中，上述的至少一开口包括多个开口，且开口的口径由邻近微型元件往远离微型元件的方向逐渐减小。
在本发明的一实施例中，上述的最邻近微型元件的开口与微型元件的最短距离小于开口与基板的最短距离。
在本发明的一实施例中，上述的至少一微型元件包括多个微型元件。固定结构还包括至少一接触部，且接触部位于微型元件之间且直接接触基板。
在本发明的一实施例中，上述的至少一覆盖部包括多个覆盖部，至少一顶表面包括多个顶表面，而覆盖部分别位于顶表面上。至少一图案化结构包括多个开口，而连接部连接覆盖部且包括开口。开口所占连接部的面积的比值大于等于0.8且小于1。
在本发明的一实施例中，上述的每一覆盖部于对应的微型元件的顶表面上的正投影面积与微型元件的顶表面的面积比值大于等于0.5且小于等于1。
在本发明的一实施例中，上述的覆盖部与连接部包括开口。开口所占每一覆盖部的面积与每一覆盖部的面积的比值大于等于0.8且小于1。
基于上述，在本发明的微型元件结构的设计中，固定结构的覆盖部与连接部至少其中的一者包括图案化结构，藉此设计来调变微型元件与固定结构之间的接合强度，可提升微型元件结构的转移良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1示出为本发明的一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图；
图2示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图；
图3示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图；
图4示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图；
图5示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图；
图6示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图；
图7示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图；
图8示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图；
图9A示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图；
图9B示出为图9A的微型元件结构的俯视示意图；
图10示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
附图标号说明：
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j：微型元件结构
110：基板
120、120a、120b、120c、120d：微型元件
122、122a、122b、122c、122d：顶表面
124：周围表面
130a、130b、130c、130d、130e、130f、130g、130h、130i、130j：固定结构
132a、132b、132c、132d1、132d2、132d3、132d4、132e1、132e2、132e3、132e4、132f、132g、132h、132i、132j：覆盖部
134a1、134a2、134b1、134b2、134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8、134d、134e、134f1、134f2、134g1、134g2、134h1、134h2、134i1、134i2、134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8：连接部
135a、135b1、135b2、135c、135d、135e、135f、135g、135h、135i、135j：图案化结构
136d：接触部
B：交界处
D：深度
D1、D2：最短距离
G：间距
H：厚度
T：切线
具体实施方式
本发明的实施例描述微型元件(例如微型发光二极管(Micro LED)或微晶片)的结构，使之准备好拾取及转移到接收基板。接收基板可例如为显示基板、发光基板、具诸如晶体管或集成电路(ICs)等功能元件的基板或具其他具线路的基板，但不以此为限。虽然本发明的一些实施例特定于描述包含p-n二极管的微型发光二极管，但应理解本发明的实施例不限于此，某些实施例亦可应用到其他微型元件，该等元件依此一方式设计成控制执行预定电子功能(例如二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光)。
图1示出为本发明的一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请参考图1，在本实施例中，微型元件结构100a包括基板110、至少一微型元件(示意地示出一个微型元件120)以及固定结构130a。微型元件120配置于基板110上且具有至少一顶表面(示意地示出一个顶表面122)，其中微型元件120a与基板110具有间距。此处，微型元件120a与基板110间为空气间距，以调整后续转移的转移力。固定结构130a配置于基板110上，且包括至少一覆盖部(示意地示出一个覆盖部132a)以及至少一连接部(示意地示出二个连接部134a1、134a2)。覆盖部132a覆盖微型元件120的部分顶表面122，而连接部134a1、134a2连接覆盖部132a的边缘且延伸至基板110上。覆盖部132a与连接部134a1、134a2至少其中一者包括至少一图案化结构(示意地示出多个图案化结构135a)。
详细来说，在本实施例中，基板110例如是塑胶基板、玻璃基板或蓝宝石基板等可具有固定性且表面平整的临时基板，但本发明不以此为限。在图1所示出的实施例中，微型元件120的数量是以一个为例，但本发明不限于此。在其他实施例中，微型元件120的数量可以为多个。微型元件120的最大尺寸小于等于100微米。更佳地，微型元件120的最大尺寸小于等于50微米，更适合应用于利用微型发光二极管作为像素的微型发光二极管显示技术。于其他的实施例中，微型元件140可以为微型集成电路(micro IC)、微型激光二极管(microLD)或微型传感器，但本发明不限于此。固定结构130的材质例如为二氧化硅、氮化硅、氧化硅玻璃(SOG)或其他适宜的无机材料，或者是，亦可为导电材料，后续转移后留在微型元件120表面上的固定结构130可作为垂直式微型元件的电极或可作为共电极，于此不加以限制。
再者，如图1所示，本实施例的连接部134a1、134a2分别位于微型元件120的对角线上，且连接部134a1、134a2包括图案化结构135a。图案化结构135a具体化为贯穿连接部134a1、134a2的开口，且开口所占连接部134a1、134a2的面积与连接部134a1、134a2的面积的比值大于等于0.2且小于等于0.8。若上述的比值大于0.8，则导致连接部134a1、134a2的支撑性不够；反之，若上述的比值小于0.2，则导致连接部134a1、134a2不易断裂。此处，开口的形状例如是圆形。当然，于其他实施例中，开口的形状亦可为楕圆形或多边形，于此并不加以限制。此处，图案化结构135a(即开口)于基板110上的正投影不重叠于微型元件120于基板110上的正投影。换言之，覆盖在微型元件120的顶表面122上的覆盖层132a为整面性结构，且没有设置任何的图案化结构135a(即开口)，可具有较佳的连接力。再者，图案化结构135a仅配置于连接部134a1、134a2，可使后续转移后固定结构不会残留于微型元件120上。此外，以俯视观之，沿切线T上开口与连接部134a1、134a2的宽度比大于等于0.2且小于等于0.8。若上述的比值大于0.8，则导致连接部134a1、134a2的支撑性不够；反之，若上述的比值小于0.2，则导致连接部134a1、134a2不易断裂。此处所述的开口宽度为所有开口的宽度总和，单一开口的宽度可以介于0.2到0.8之间，在此并不限制。
当从基板110上拾取微型元件120时，拾取的应力(如：下压力或上拉力)会使固定结构130a发生断裂。由于固定结构130a的连接部134a1、134a2包括图案化结构135a(即开口)，因此可以使固定结构130a的断裂点可以接近或实质上位于微型元件120的顶表面122与周围表面124的交界处B。藉此，可以降低固定结构130a断不干净或残留的问题，而可以提升微型元件120的运输与转移至后续线路基板(未示出)上的良率。简言之，通过图案化结构135a(即开口)的设置来调变微型元件120与固定结构130a之间的接合强度，可提升微型元件结构100a的结构良率。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请同时参考图1与图2，本实施例的微型元件结构100b与图1的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构130b包括覆盖部132b与连接部134b1、134b2(可视为第一连接部、第二连接部)，其中连接部134b2的宽度大于连接部134b1的宽度。意即，连接部134b1、134b2呈不对称结构。当微型元件120的重量呈现不对称时，则可采用此不对称结构设置的固定结构130b来稳定整体微型元件结构100b。此处，图案化结构135b2(可视为第二开口)所占连接部134b2的面积与连接部134b2的面积的比值小于图案化结构135b1(可视为第一开口)所占连接部134b1的面积与连接部134b1的面积的比值。此处，采用此不对称结构设置的固定结构130b来稳定整体微型元件结构100b。但于未示出的实施例中，两者面积比值亦可相同，通过图案化结构135b1、135b2的口径大小、数量及排列方式，可控制固定结构130b的断裂点落位置。但于未示出的实施例中，两者宽度亦可相同，通过图案化结构135b1、135b2的面积、口径大小、数量及排列方式，可控制固定结构130b的断裂点落位置。
图3示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请同时参考图1与图3，本实施例的微型元件结构100c与图1的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构130c包括多个连接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8。覆盖部132c分别连接连接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8，且连接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8彼此分散且呈对称地排列。于单位面积内，每一连接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8的图案化结构135c(即开口)的面积所占连接部134c1、134c2、134c3、134c4、134c5、134c6、134c7、134c8的面积与连接部134b2的面积的比值相同。因此，固定结构130c中连接部(如连接部134c1)结构异常时，对于整体固定结构130c的支撑影响度较低，不易倾斜飞散。此处示意有8个连接部，但不以此为限，通过点对称、线对称或是对角排列的方式而呈对称地排列，皆为本发明的内容。
图4示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请同时参考图1与图4，本实施例的微型元件结构100d与图1的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100d包括多个微型元件120a、120b、120c、120d。固定结构130d包括多个覆盖部132d1、132d2、132d3、132d4、一个连接部134d以及至少一接触部(示意地示出一个接触部136d)，其中接触部136d位于微型元件120a、120b、120c、120d之间且直接接触基板110，而连接部134d包围微型元件120a、120b、120c、120d。覆盖部132d1、132d2、132d3、132d4分别位于微型元件120a、120b、120c、120d的顶表面122a、122b、122c、122d上，且连接部134d连接覆盖部132d1、132d2、132d3、132d4与接触部136d且包括图案化结构135d(即开口)。意即，本实施例的连接部134d呈网状结构(Mesh)，而覆盖部132d1、132d2、132d3、132d4为整面性结构，且没有设置任何的图案化结构135d(即开口)，可具有较佳的连接力。此处，每一覆盖部132d1、132d2、132d3、132d4于对应的微型元件120a、120b、120c、120d的顶表面122a、122b、122c、122d上的正投影面积与微型元件120a、120b、120c、120d的顶表面122a、122b、122c、122d的面积比值大于等于0.5且小于等于1。若上述的比值大于等于0.5且小于等于1，于后续转移后的覆盖部132d1、132d2、132d3、132d4可以留在微型元件120a、120b、120c、120d作为导光结构(未示出)，增加正向出光。由于本实施例的固定结构130d具有接触基板110的接触部136d，且接触部136d没有设置任何的图案化结构135d(即开口)，因而可具有较佳的连接力。在一未示出的实施中，连接部亦可以直接接至基板不需有接触部的设置，在此并不为限。
图5示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请同时参考图4与图5，本实施例的微型元件结构100e与图4的微型元件结构100d相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构130e没有设置接触部136d，且覆盖部132e1、132e2、132e3、132e4与连接部134e皆包括图案化结构135e(即开口)。意即，本实施例的固定结构130e呈网状结构。换言之，覆盖部132e1、132e2、132e3、132e4的图案化结构135e可暴露出对应的微型元件120a、120b、120c、120d的部分顶表面122a、122b、122c、122d。此处，图案化结构135e所占每一覆盖部132e1、132e2、132e3、132e4的面积与每一覆盖部132e1、132e2、132e3、132e4的面积的比值大于等于0.8且小于1。若上述的比值大于等于0.8且小于1，于后续转移后的覆盖部若留于微型元件120a上，亦不会影响正向出光。
图6示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请同时参考图1与图6，本实施例的微型元件结构100f与图1的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构130f的连接部134f1、134f2的图案化结构135f(即开口)的密度由邻近微型元件120往远离微型元件120的方向逐渐减小。通过此设计，可以使断点靠近于连接部134f1、134f2和覆盖部132f之间，避免转移后的连接部134f1、134f2留在微型元件120上，可增加微型元件120的良率。
图7示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请同时参考图1与图7，本实施例的微型元件结构100g与图1的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构130g的连接部134g1、134g2的图案化结构135g(即开口)的口径由邻近微型元件120往远离微型元件120的方向逐渐减小。通过此设计，可以使断点靠近于连接部134g1、134g2和覆盖部132g之间，避免转移后的连接部134g1、134g2留在微型元件120上，可增加微型元件120的良率。
图8示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参考图1与图8，本实施例的微型元件结构100h与图1的微型元件结构100a相同，微型元件120a与基板110具有间距G。此处，微型元件120a与基板110间为空气间距，以调整后续转移的转移力。本实施例的微型元件结构100h与图1的微型元件结构100a两者的差异在于：本实施例的固定结构130h包括覆盖部132h与连接部134h1、134h2，其中连接部134h1、134h2具有图案化结构135h(即开口)，且最邻近微型元件120的图案化结构135h与微型元件120的最短距离D1小于图案化结构135h与基板110的最短距离D2。此处，较佳地，最短距离D1小于等于1微米。通过此设计，可以使断点靠近于连接部134h1、134h2和覆盖部132h之间，避免转移后的连接部134h1、134h2留在微型元件120上，可增加微型元件120的良率。
图9A示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。图9B示出为图9A的微型元件结构的俯视示意图。请先同时参考图1与图9A，本实施例的微型元件结构100i与图1的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构130i包括覆盖部132i与连接部134i1、134i2，其中连接部134i1、134i2包括图案化结构135i，且图案化结构135i具体化为没有贯穿覆盖部132i的凹槽。此处，凹槽的深度D与固定结构130i的厚度H的比值大于等于0.2且小于等于0.8。若上述的比值小于0.2，则连接部134i1、134i2支撑性不够；反之，若上述的比值大于0.8，则连接部134i1、134i2不易断裂。此外，以俯视观之，请参考图9B，沿切线T上图案化结构135i(即凹槽)与连接部134i1、134i2的宽度比大于等于0.4且小于等于0.8。若上述的比值小于0.4，则连接部134i1、134i2支撑性不够；反之，若上述的比值大于0.8，则连接部134i1、134i2不易断裂。
图10示出为本发明的另一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。请同时参考图10与图9B，本实施例的微型元件结构100j与图9B的微型元件结构100i相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构130j包括多个连接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8。覆盖部132j的相对两侧分别连接连接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8彼此分散且呈对称地排列。于单位面积内，连接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8的图案化结构135j(即凹槽)的面积所占该些连接部134j1、134j2、134j3、134j4、134j5、134j6、134j7、134j8的面积的比值相同。因此，固定结构130j中的一个连接部(如连接部134j1)结构异常时，对于整体固定结构130j的支撑影响度较低，不易倾斜飞散。
综上所述，在本发明的微型元件结构的设计中，固定结构的覆盖部与连接部至少其中的一者包括图案化结构，其中图案化结构可包括开口或凹槽。若连接部包括图案化结构，则通过图案化结构的口径大小、数量及排列方式，可控制固定结构的断裂点落位置。若覆盖部包括图案化结构，则无须对位固定结构，可降低微型元件结构对位精准度的需求。若覆盖部与连接部皆包括图案化结构，则可通过图案化结构来调变微型元件与固定结构之间的接合强度与断裂点落位置。简言之，本发明的图案化结构的设置，可提升微型元件结构的结构良率。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。
Claims (8)
1.一种微型元件结构，包括：
基板；
至少一微型元件，配置于所述基板上并与所述基板具有间距，且所述至少一微型元件具有至少一顶表面；以及
固定结构，配置于所述基板上，且包括至少一覆盖部以及至少一连接部，所述至少一覆盖部配置于所述至少一微型元件的部分所述至少一顶表面，而所述至少一连接部连接所述至少一覆盖部的边缘且延伸至所述基板上，其中所述至少一覆盖部与所述至少一连接部至少其中一者包括至少一图案化结构，其中所述至少一图案化结构为至少一凹槽，且所述至少一连接部包括所述至少一凹槽，其中以俯视观之，沿切线上所述至少一凹槽与所述至少一连接部的宽度比大于等于0.2且小于等于0.8，且所述至少一凹槽所占所述至少一连接部的面积与所述至少一连接部的面积的比值大于等于0.2且小于等于0.8。
2.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中所述至少一凹槽的深度与所述固定结构的厚度的比值大于等于0.5且小于1。
3.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中所述至少一凹槽于所述基板上的正投影不重叠于所述至少一微型元件于所述基板上的正投影。
4.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中所述至少一连接部包括多个连接部，所述至少一凹槽包括多个凹槽，所述至少一覆盖部分别连接所述多个连接部，且所述多个连接部彼此分散且呈对称地排列。
5.根据权利要求1所述的微型元件结构，其中所述至少一微型元件包括多个微型元件，所述固定结构还包括至少一接触部，所述至少一接触部位于所述多个微型元件之间且直接接触所述基板。
6.一种微型元件结构，包括：
基板；
至少一微型元件，配置于所述基板上并与所述基板具有间距，且所述至少一微型元件具有至少一顶表面；以及
固定结构，配置于所述基板上，且包括至少一覆盖部以及至少一连接部，所述至少一覆盖部配置于所述至少一微型元件的部分所述至少一顶表面，而所述至少一连接部连接所述至少一覆盖部的边缘且延伸至所述基板上，其中所述至少一覆盖部与所述至少一连接部至少其中一者包括至少一图案化结构，其中所述至少一覆盖部包括多个覆盖部，所述至少一顶表面包括多个顶表面，所述多个覆盖部分别位于所述多个顶表面上，所述至少一图案化结构包括多个开口，而所述至少一连接部连接所述多个覆盖部且包括所述多个开口，且所述多个开口所占所述至少一连接部的面积的比值大于等于0.8且小于1。
7.根据权利要求6所述的微型元件结构，其中所述多个覆盖部的每一个于对应的所述至少一微型元件的所述至少一顶表面上的正投影面积与所述至少一微型元件的所述至少一顶表面的面积比值大于等于0.5且小于等于1。
8.根据权利要求6所述的微型元件结构，其中所述多个覆盖部与所述至少一连接部包括所述多个开口，其中所述多个开口所占所述多个覆盖部的每一个的面积与所述多个覆盖部的每一个的面积的比值大于等于0.8且小于1。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911219671.6A CN110993552B (zh) | 2019-12-03 | 2019-12-03 | 微型元件结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911219671.6A CN110993552B (zh) | 2019-12-03 | 2019-12-03 | 微型元件结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110993552A CN110993552A (zh) | 2020-04-10 |
| CN110993552B true CN110993552B (zh) | 2023-07-25 |
Family
ID=70089570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911219671.6A Active CN110993552B (zh) | 2019-12-03 | 2019-12-03 | 微型元件结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110993552B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104380453A (zh) * | 2012-05-25 | 2015-02-25 | 勒克斯维科技公司 | 具有硅电极的微型器件转移头部 |
| CN109671661A (zh) * | 2017-10-16 | 2019-04-23 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型发光元件结构 |
| CN109935576A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-06-25 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型元件结构 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060145321A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Microcomponent holder and method for manufacture thereof |
| CN110411614B (zh) * | 2018-04-27 | 2021-04-20 | 苏州明皜传感科技有限公司 | 力量传感器以及其制造方法 |
-
2019
- 2019-12-03 CN CN201911219671.6A patent/CN110993552B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104380453A (zh) * | 2012-05-25 | 2015-02-25 | 勒克斯维科技公司 | 具有硅电极的微型器件转移头部 |
| CN109671661A (zh) * | 2017-10-16 | 2019-04-23 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型发光元件结构 |
| CN109935576A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-06-25 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型元件结构 |
| TW201929188A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-07-16 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 微型元件結構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110993552A (zh) | 2020-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109935610B (zh) | 微型元件结构 | |
| CN110073505B (zh) | 高可靠性发光二极管 | |
| CN109671661B (zh) | 微型发光元件结构 | |
| KR102601417B1 (ko) | 발광 다이오드 칩 | |
| CN117613166A (zh) | 集成光学系统 | |
| TW202144823A (zh) | 發光模組及面狀光源 | |
| KR20180062347A (ko) | 복수의 발광셀들을 가지는 발광 다이오드 | |
| CN113424315A (zh) | 显示用发光元件转印方法及显示装置 | |
| KR102382037B1 (ko) | 고 신뢰성의 발광 다이오드 | |
| US9240531B2 (en) | Light emitting device including reinforcing member | |
| CN112054014A (zh) | 背光单元、包括其的显示装置及其制造方法 | |
| WO2018174425A1 (ko) | 분포 브래그 반사기 적층체를 구비하는 발광 다이오드 | |
| CN110993552B (zh) | 微型元件结构 | |
| KR102122361B1 (ko) | 플립칩 엘이디 패키지 기판 및 플립칩 엘이디 패키지 구조 | |
| TWI717128B (zh) | 微型元件結構 | |
| CN110739378B (zh) | 微型元件结构及其显示装置 | |
| US12096672B2 (en) | Display device including an optical filter and a color filter | |
| US20200411739A1 (en) | Micro device and micro device display apparatus | |
| CN112151655A (zh) | 发光模块 | |
| KR102601419B1 (ko) | 고 신뢰성 발광 다이오드 | |
| TWI773324B (zh) | 微型發光元件、微型發光結構及顯示裝置 | |
| EP4318615A1 (en) | Light-emitting device and light-emitting module comprising same | |
| KR20180027004A (ko) | 칩 스케일 패키지 발광 다이오드 | |
| CN115360286A (zh) | 发光显示单元及显示设备 | |
| KR20210157910A (ko) | 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 가지는 디스플레이 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |