CN109935576A - 微型元件结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种微型元件结构，包括基板、多个微型元件以及多个固定结构。微型元件配置于基板上且排列成多列。每一微型元件具有顶表面。固定结构分别配置于每一微型元件的顶表面上且延伸至基板。任一列的微型元件上的固定结构至相邻两列的微型元件上的固定结构之间的距离不同。因此，可有效提升微型元件的运输与转移的良率。

Description

微型元件结构
技术领域
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微型元件结构。
背景技术
目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式，将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置，且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外因素而影响品质。然而，固定结构配置于微型发光二极管上的位置，会影响微型发光二极管的运输与转移的良率。因此，如何让固定结构可以暂时地固持微型发光二极管，且可以更轻易且更有效率地运输与转移微型发光二极管于载体基板与接收基板之间，已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本发明提供一种微型元件结构，其可有效提升微型元件的运输与转移的良率。
本发明的一种微型元件结构，包括基板、多个微型元件以及多个固定结构。微型元件配置于基板上且排列成多列。每一微型元件具有顶表面。固定结构分别配置于每一微型元件的顶表面上且延伸至基板。任一列的微型元件上的固定结构至相邻两列的微型元件上的固定结构之间的距离不同。
在本发明的一实施例中，上述的每一微型元件包括第一型电极与第二型电极。第一型电极或第二型电极位于顶表面上，且固定结构远离第一型电极或第二型电极。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构于基板上的正投影重叠于每一微型元件的重心于基板上的正投影。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构与每一微型元件的顶表面的中心具有距离。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构重叠于每一微型元件的顶表面的中心。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构于基板上的正投影与每一微型元件的中心于基板上的正投影具有距离。
在本发明的一实施例中，相邻两列的微型元件的第一型电极或第二型电极彼此相邻，且对应相邻两列第二型电极相邻的固定结构之间的第一距离与对应相邻两列第一型电极相邻的固定结构之间的第二距离的比值小于1且大于等于0.6。
在本发明的一实施例中，上述的每一固定结构包括至少一固定部，而固定部位于每一微型元件的边缘上。固定部于边缘的宽度与边缘的边长的比值介于0.01至0.6之间。
在本发明的一实施例中，上述的固定部包括多个固定部且固定部彼此分离。
在本发明的一实施例中，上述的每一固定部于基板上的正投影至每一微型元件的中心于基板上的正投影的最短距离相同。
在本发明的一实施例中，上述的每一固定部至每一微型元件的顶表面的中心的最短距离相同。
在本发明的一实施例中，上述的每一微型元件的顶表面的中心至每一固定部的最短距离小于等于1/2的顶表面的最短边长。
在本发明的一实施例中，上述的每一固定部至对应的顶表面的边缘具有最大距离，而最大距离与对应的微型元件的边缘的边长的比值小于等于0.2。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构还包括多个缓冲结构。缓冲结构配置于固定结构与基板之间。固定结构通过缓冲结构连接至基板上且缓冲结构的材质与固定结构的材质不同。
在本发明的一实施例中，于单位面积内，上述的缓冲结构于基板上的正投影面积与固定结构于基板上的正投影面积的比值介于0.2至0.9之间。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲结构远离每一微型元件。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲结构于基板上的正投影与每一微型元件于基板上的正投影相隔最小距离，而最小距离小于等10微米。
在本发明的一实施例中，上述的任一列的微型元件至相邻两列的微型元件之间的间距相同。
明的一实施例中，上述的每一列的微型元件上的固定结构具有一对称中线，且任一列上的对称中线至相邻两列上的对称中线之间的距离不同
基于上述，在本发明的微型元件结构的设计中，微型元件排成多列于基板上，而固定结构分别配置于每一微型元件的顶表面上，其中任一列的微型元件上的固定结构至相邻两列的微型元件上的固定结构之间的距离不同。藉此设计，除了可增加制程裕度外，也可使得微型元件在不同的基板之间的运输与转移以应用于微型元件显示器时，通过固定结构提供具有良好的固定、支撑与连接，进而能平均抓取微型元件时的力量。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图1B示出为图1A的微型元件结构的剖面示意图。
图1C示出为本发明另一个实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图2A与图2B示出为本发明多个实施例的微型元件结构的俯视示意图。
图2C示出为图2B中区域R的放大示意图。
图2D示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图3A至图3G示出为本发明多个实施例的微型元件结构的剖面示意图。
图4A至图4B示出为本发明多个实施例的微型元件结构的剖面示意图。
附图标记说明
100a、100a’、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m、100n：微型元件结构
120：基板
140a、140e、140m1、140m2、140n1、140n2：微型元件
141a、141e、141n1、141n2：顶表面
142a、142e：底表面
143a、143e：周围表面
144a：第一型电极
145a：第二型电极
146a：发光层
160a1、160a2、160a3、160a’1、160a’2、160a’3、160b1、160b2、160b3、160c1、160c2、160c3、160d1、160d2、160d3、160e、160f、160g、160h、160i、160j、160k、160m、160n：固定结构
162c1、162c2、162c3、162k、162n：固定部
180a1、180a2、180n1、180n2：缓冲结构
A、B：中心
C1、C2、C3：列
D1、D2：宽度
F、F1：距离
G、G1、G2：空气间隙
H：最小距离
L1、L2：间距
L3：第一距离
L4：第二距离
L5、L6、L7、L8：最短距离
L9、L10：最大距离
P：重心
R：区域
S1、S2、S3：对称中线
SD1、SD2、SD3、SD4：边缘
U：单位面积
V：垂直距离
W1、W2：边长
W3：宽度
具体实施方式
本发明的实施例描述微型元件(例如微型发光二极管(Micro LED)和微芯片)的结构，使之准备好拾取及转移到线路基板。例如，接收基板可为显示基板、发光基板、具诸如晶体管或集成电路(ICs)等功能元件的基板或具金属重分配线的基板，但不以此为限。虽然本发明的一些实施例特定于描述包含p-n二极管的微型发光二极管，但应理解本发明的实施例不限于此，某些实施例也可应用到其他微型半导体元件，该等元件依此一方式设计成控制执行预定电子功能(例如二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光)。图1A示出为本发明一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。图1B示出为图1A的微型元件结构的剖面示意图。于此需说明的是，图1B是沿图1A的线I-I’所示出。请同时参照图1A与图1B，本实施例的微型元件结构100a包括基板120、多个微型元件140a(图1A中示意地示出多个)以及多个固定结构160a1、160a2、160a3(图1A中示意地示出三个)。微型元件140a配置于基板120上且排列成多列C1、C2、C3(图1A中示意地示出三列)，其中每一微型元件140a具有顶表面141a。此处，每一列C1、C2、C3例如是指沿一X轴方向沿伸的排列，但不以此为限，在其他实施例中，每一列C1、C2、C3只要是沿同一方向沿伸排列即可。固定结构160a1、160a2、160a3配置于基板120上。固定结构160a1、160a2、160a3分别配置于每一微型元件140a的顶表面141a上且延伸至基板120。特别是，任一列的微型元件140a上的固定结构160a1、160a2、160a3至相邻两列的微型元件140a上固定结构160a1、160a2、160a3之间的距离不同。
具体而言，基板120例如是塑胶基板、玻璃基板或蓝宝石基板等的临时基板，可具有固定性且表面平整，但不以此为限。请再参照图1A，在俯视时，微型元件140a以间距L1排列成列C1、C2、C3，而排列在列C1的微型元件140a与排列在列C2的微型元件140a之间具有间距L2，而排列在列C2的微型元件140a与排列在列C3的微型元件140a之间距有间距L2，其中间距L1与间距L2可以相同，可有较佳的制程良率。但在未示出出的实施例中，间距L1与间距L2也可以不同，于此并不加以限制。特别要注意的是，在本实施例中，任一列C1、C2、C3的微型元件140a至相邻两列C1、C2、C3的微型元件140a之间的间距L2相同，且任一列C1、C2、C3的相邻两微型元件140a之间的间距L1相同。此处，微型元件140a例如是一微型发光二极管，且微型元件140a的一最大尺寸小于等于100微米，微型元件140a的后续可以转移整合及组装到异质整合系统，包括微型显示器至大面积显示器等任何尺寸的基板。在其他实施例中，微型元件也可以是微型集成电路(micro IC)、微型激光二极管(micro LD)或微型传感器(micro sensor)等，于此并不加以限制。在本实施例中，微型元件140a具体化为水平式微型元件，如水平式微型发光二极管。每一微型元件140a包括第一型电极144a与第二型电极145a，其中第一型电极144a位于顶表面141a上且固定结构160a1、160a2、160a3远离第一型电极144，换句话说，第一型电极144a位于顶表面141a上且固定结构160a1、160a2、160a3不直接接触第一型电极144a，但不以此为限。在其他未示出的实施例中，也可以是第二型电极位于顶表面上且固定结构不直接接触第二型电极。第一型电极144a与第二型电极145a具有相反电性，在本实施例中，第一型电极144a例如为P型电极，而第二型电极145a例如为N型电极。然而，在其他实施例中，第一型电极144a也可以是N型电极，而第二型电极145a也可以是P型电极，于此并不加以限制。须说明的是，此处微型元件140a的顶表面141a是指对应微型元件140a的发光层146a位置的表面。
请再参考图1A，微型元件140a的顶表面141a具有四个边缘SD1、SD2、SD3、SD4，其中边缘SD1与边缘SD2相对设置，而边缘SD3与边缘SD4相对设置。须说明的是，本实施例的微型元件140a在俯视时的轮廓具体化为矩形，但本发明并不以此为限。在其他未示出的实施例中，微型元件于俯视时的轮廓也可为其他适当的形状，如正方形、圆形或梯形。
更进一步来说，如图1A与图1B所示，本实施例的固定结构160a1、160a2、160a3分别直接且连续地覆盖在列C1、C2、C3的微型元件140a的顶表面141a上。在其他实施例中，固定结构160a1、160a2、160a3也可不连续地覆盖在列C1、C2、C3的微型元件140a的顶表面141a上。特别的是，列C1的固定结构160a1、列C2的固定结构160a2以及列C3的固定结构160a3三者之间彼此分离，但不以此为限。此外，部分固定结构160a2配置于基板120上，部分固定结构160a2配置于微型元件140a上，在一单位面积U内，固定结构160a2在基板120上的正投影面积大于微型元件140a在基板120上的正投影面积，可具有较佳的固定效果。
在本实施例中，排列在列C1的微型元件140a的第二型电极145a与排列在列C2的微型元件140a的第二型电极145a彼此相邻，且排列在列C2的微型元件140a的第一型电极144a与排列在列C3的微型元件140a的第一型电极144a彼此相邻。列C1的固定结构160a1与列C2的固定结构160a2之间的距离大于列C2的固定结构160a2与列C3的固定结构160a3之间距离。更进一步来说，列C1的固定结构160a1与列C2的固定结构160a2之间具有第一距离L3，而列C2的固定结构160a2与列C3的固定结构160a3之间具有第二距离L4，且第一距离L3大于第二距离L4。举例来说，列C1中的微型元件140a的顶表面141a上的固定结构160a1具有一对称中线S1。列C2中的微型元件140a的顶表面141a上的固定结构160a2具有一对称中线S2。列C3中的微型元件140a的顶表面141a上的固定结构160a3具有一对称中线S3。其中，第一距离L3是在列C1上的对称中线S1至在列C2上的对称中线S2的距离，而第二距离L4是在列C2上的对称中线S2至在列C3上的对称中线S3的距离。在其他实施例中，第一距离L3与第二距离L4也可自固定结构160a1、160a2、160a3在微型元件140a的顶表面141a上的其他相同比较基准而定义出，例如是选自于每一固定结构160a1、160a2、160a3在微型元件140a的顶表面141a的边缘SD3上的中心的距离，但不以此为限。较佳地，第二距离L4与第一距离L3的比值例如是小于1且大于等于0.6。需说明的是，在本实施例中，由于奇数排(列C1、C3)与偶数排(列C2)上的微型元件140a的第一型电极144a与第二型电极145a配置方向不同，使得奇数排(列C1、C3)的微型元件140a的重心P与偶数排(列C2)的微型元件140a的重心P之间的距离也会不同。通过列与列之间的微型元件140a上的固定结构160a1、160a2、160a3距离不同，使得转移过程可以更为稳定，增加转移良率。特别说明的是，固定结构160a1、160a2、160a3的宽度D1从顶表面141a中间往顶表面141a相对应的边缘SD3、SD4逐渐变小，使固定结构160a1、160a2、160a3在顶表面141a上可具有最大接触面积并于相对应的边缘SD3、SD4具有最小接触面积，使固定结构160a1、160a2、160a3具有较佳的固定力量且于后续转移时可较易拾取。在其他实施例中，如图2A所示的微型元件结构100b中，固定结构160b1、160b2、160b3的宽度D2从顶表面141a中间往顶表面141a相对应的边缘SD3、SD4逐渐变大，避免制作的过程中使固定结构160b1、160b2、160b3直接接触到第一型电极144a或第二型电极145a，以增加制程裕度。
此外，本实施例的固定结构160a1、160a2、160a3在基板120上的正投影重叠于每一微型元件140a的重心P在基板120上的正投影。值得注意的是，通过将固定结构160a1、160a2、160a3皆配置于微型元件140a的重心P上，使得微型元件140a在不同的转换基板之间的运输与转移时，除了可由固定结构160a1、160a2、160a3提供具有良好的固定、支撑与连接，也能平均抓取微型元件140a时的力量，以避免造成抓取力量不均的问题。需说明的是，本实施例的固定结构160a1、160a2、160a3与每一微型元件140a的顶表面141a的中心A具有距离F，也即两者不重叠且固定结构160a1、160a2、160a3的延伸方向不通过每一微型元件140a的顶表面141a的中心A，使固定结构160a1、160a2、160a3可以更集中配置于微型元件140a的重心P上。此处中心A的定义是指顶表面141a的几何中心。
另须说明的是，虽然本实施例的微型元件结构100a的固定结构160a1、160a2、160a3不重叠每一微型元件140a的顶表面141a的中心A。然而，在其他实施例中，如图1C所示，微型元件结构100a’的固定结构160a’1、160a’2、160a’3也可以重叠每一微型元件140a的顶表面141a的中心A，只要使固定结构160a’1、160a’2、160a’3可以更集中配置于微型元件140a的重心P上，仍属本发明所欲保护的范围。此外，固定结构160a’1、160a’2、160a’3于基板120上的正投影与每一微型元件140a的中心B于基板120上的正投影不重叠且具有一距离F1，以使固定结构160a’1、160a’2、160a’3可以更集中配置于微型元件140a的重心P上。
请同时参照图2B与图2C，图2C示出为图2B中区域R的放大示意图。此实施例中的固定结构160c1包括多个固定部162c1，每一固定部162c1配置于每一微型元件140a的边缘SD3、SD4上，其中每一固定部162c1于边缘SD3、SD4的宽度W3与对应的边缘SD3、SD4的边长W2的比值可例如是介于0.01至0.6之间。小于0.01时固定力不够，大于0.6时固定力太大且可能会影响后续的拾取转移。此处，固定部162c1彼此分离且分别位于列C1的每一微型元件140a的相对两边缘SD3、SD4上。在其他实施例中，固定部也可以连续地同时配置于相对两边缘SD3、SD4上，但不以此为限。同样地，固定结构160c2包括多个固定部162c2，而固定部162c2彼此分离且位于列C2的每一微型元件140a的相对两边缘SD3、SD4上；固定结构160c3包括多个固定部162c3，而固定部162c3彼此分离且位于列C3的每一微型元件140a的相对两边缘SD3、SD4上。此处，固定结构160c1、160c2、160c3的固定部162c1、162c2、162c3的延伸方向分别通过列C1、C2、C3的每一微型元件140a的顶表面141a的两边缘SD3、SD4的中心。特别的是，固定结构160c1、160c2、160c3的固定部162c1、162c2、162c3在基板120上的正投影不重叠每一微型元件140a的中心B在基板120上的正投影。
以固定结构160c1的固定部162c1来举例说明，固定部162c1之间的延伸方向通过每一微型元件140a的顶表面141a的两边缘SD3、SD4的中心，也通过顶表面141a的中心A。位于每一微型元件140a的相对两边缘SD3、SD4上的固定部162c1在基板120上的正投影至每一微型元件140a的中心B在基板120上的正投影的最短距离L5、L6相同。位于每一微型元件140a的相对两边缘SD3、SD4上的固定部162c1至每一微型元件140a的顶表面141a的中心A的最短距离L7、L8相同。每一微型元件140a的顶表面141a的中心A至位于每一微型元件140a的相对两边缘SD3、SD4上的固定部162c1的最短距离L7、L8小于1/2的顶表面141a的最短边长W1。此处，W1例如是小于等于50微米，L7、L8例如是小于20微米，但不以此为限。固定部162c1至对应的顶表面141a的边缘SD3、SD4具有最大距离L9、L10，而最大距离L9、L10分别与对应的微型元件140a的两边缘SD3、SD4的边长W2的比值小于等于0.2。其中最大距离L9、L10例如是小于等于20微米，而大于20微米会增加抓取的难度。特别说明的是，图2B的固定结构160c1、160c2、160c3对称配置于每一微型元件140a的顶表面141a上，可提供更佳的后续转移良率。
简言之，本实施例的微型元件结构100c通过将固定结构160c1、160c2、160c3配置于微型元件140a的顶表面141a上，并使固定结构160c1、160c2、160c3的延伸方向通过微型元件140a的顶表面141a的中心A，使得微型元件140a在不同的转换基板之间的运输与转移时，除了可由固定结构160c1、160c2、160c3提供具有良好的固定、支撑与连接，也能平均抓取微型元件140a时的力量，以避免造成抓取力量不均的问题。
需要注意的是，在上述实施例中，列C1的固定结构160c1、列C2的固定结构160c2以及列C3的固定结构160c3三者之间彼此分离，但不以此为限。然而，在其他实施例中，如图2D所示，微型元件结构100d的列C1的固定结构160d1、列C2的固定结构160d2以及列C3的固定结构160d3三者之间也可以是彼此连接，此仍属于本发明所欲保护的范围。
此外，请再参照图1B，微型元件140a还具有相对于顶表面141a的底表面142a、连接顶表面141a与底表面142a的周围表面143a。在本实施例中，微型元件结构100a可选择地还包括多个缓冲结构180a1、180a2，其中缓冲结构180a1、180a2配置于固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)与基板120之间，且直接接触固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)。也就是说，本实施例的固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)并不是直接接触基板120，而是通过缓冲结构180a1、180a2而连接于基板120上。此处，请参考图1A，固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)在基板120上的正投影重叠于缓冲结构180a1、180a2在基板120上的正投影。
在本实施例中，固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)的材质不同于缓冲结构180a1、180a2的材质，且固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)的杨式模量大于缓冲结构180a1、180a2的杨式模量。因此，缓冲结构180a1、180a2具有缓冲的功能。此处，固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)的材质例如是无机材料，且缓冲结构180a1、180a2的材质例如是有机材料。此处，缓冲结构180a1、180a2远离微型元件140a，也即缓冲结构180a1、180a2不直接接触微型元件140a。如图1A所示，缓冲结构180a1、180a2在基板120上的正投影可不重叠于微型元件140a在基板120上的正投影。在单位面积U内，缓冲结构180a1、180a2于基板120上的正投影面积与固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)在基板120上的正投影面积的比值介于0.2至0.9之间。简言之，本实施例的缓冲结构180a1、180a2不直接接触微型元件140a，因此缓冲结构180a1、180a2除了可吸收固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)在固持微型元件140a进行运输与转移时所受到外力影响，以提高运输与转移的良率外，也可不影响微型元件140a的拾取良率。
更具体来说，缓冲结构180a1、180a2于基板120上的正投影与微型元件140a在基板120上的正投影相隔一最小距离H，较佳地，最小距离H小于等于10微米。如图1B所示，固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)、基板120、微型元件140a以及缓冲结构180a1、180a2之间具有一空气间隙G1。此外，微型元件140a与基板120之间的垂直距离V例如是介于0.1微米至5微米之间。在本实施例中，缓冲结构180a1、180a2与固定结构160a1(或固定结构160a2、160a3)的接触面积大于缓冲结构180a1、180a2与微型元件140a的接触面积。
简言之，在本实施例的微型元件结构100a的设计中，微型元件140a排列成多列C1、C2、C3在基板120上，而固定结构160a1、160a2、160a3分别配置于每一微型元件140a的顶表面141a，其中任一列(如列C2)的微型元件140a上的固定结构(如固定结构160a2)至相邻两列(如列C1、C3)的微型元件140a上的固定结构(如固定结构160a1、160a3)之间的距离L3、L4不同。如此一来，当微型元件140a在不同的转换基板之间的运输与转移时，可由固定结构160a1、160a2、160a3提供具有良好的固定、支撑与连接，进而能平均抓取微型元件140a时的力量。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图3A示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图1B与图3A，本实施例的微型元件结构100e与图1B的微型元件结构100a相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100e没有缓冲结构，其中固定结构160e直接接触基板120，且固定结构160e直接接触微型元件140e的周围表面143e。此处，微型元件140e、固定结构160e以及基板120之间具有一空气间隙G。此外，本实施例的微型元件140e的剖面形状例如是矩形，但并不并以此为限。
图3B示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图3A与图3B，本实施例的微型元件结构100f与图3A的微型元件结构100e相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100f的固定结构160f不直接接触微型元件140e的周围表面143e。
图3C示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图3A与图3C，本实施例的微型元件结构100g与图3A的微型元件结构100e相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100g的固定结构160g更延伸覆盖于微型元件140e的部分底表面142e上。此外，本实施例的微型元件结构100g还包括缓冲层190，其中缓冲层190配置于微型元件140e的底表面142e与基板120之间，且缓冲层190直接接触固定结构160g与微型元件140e。换言之，本实施例的微型元件140e、固定结构160g以及基板120之间没有空气间隙。此处，缓冲层190可吸收微型元件140e接合至基板120上时所产生应力，以提高接合良率。换言之，缓冲层190可提供微型元件140e与基板120之间应力缓冲的效果。较佳的，缓冲层190的杨氏模量小于固定结构160g的杨氏模量。此处，缓冲层190的材质包括一发泡材料或有机高分子材料，而使缓冲层190具有多个不规则的空气孔洞，其中由发泡材料所构成的缓冲层190的孔隙率可以大于等于50％，可提供良好的缓冲效果。
图3D示出为本发明的另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图3A与图3D，本实施例的微型元件结构100h与图3C的微型元件结构100g相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100h没有设置缓冲层，因此微型元件140e、固定结构160h与基板120之间具有一空气间隙G1。
图3E示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图3A与图3E，本实施例的微型元件结构100i与图3A的微型元件结构100e相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构160i完全覆盖微型元件140e的周围表面143e，且微型元件140e、固定结构160i以及基板120之间具有一空气间隙G2。
图3F示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图3A与图3F，本实施例的微型元件结构100j与图3A的微型元件结构100e相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构160j未完全覆盖微型元件140e的周围表面143e。也就是说，固定结构160j仅覆盖微型元件140e的部分周围表面143e。
图3G示出为本发明的另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图3A与图3G，本实施例的微型元件结构100k与图3A的微型元件结构100e相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构160k的固定部162k不通过微型元件140e的顶表面141e的宽度的中心。意即，固定结构160k只有部分于覆盖顶表面141e，以及覆盖周围表面143e且延伸至基板120上。
图4A示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图3A与图4A，本实施例的微型元件结构100m与图3A的微型元件结构100e相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100e包括多个微型元件140m1、140m2，其中相邻两微型元件140m1、140m2通过固定结构160m而连接在一起。
图4B示出为本发明另一实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图4A与图4B，本实施例的微型元件结构100n与图4A的微型元件结构100m相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构100n还包括多个缓冲结构180n1、180n2，其中固定结构160n的固定部162n分别通过缓冲结构180n1、180n2而连接至基板120，且相邻两微型元件140n1、140n2通过固定结构160n的固定部162n彼此相连接。此处，固定部162n不通过微型元件140n1、140n2的顶表面141n1、141n2的宽度的中心，但并不以此为限。
综上所述，在本发明的微型元件结构的设计中，微型元件配置于基板上且排列成多列，而固定结构分别配置于每一微型元件的顶表面上且延伸至基板上，其中任一列的微型元件上的固定结构至相邻两列的微型元件上的固定结构之间的距离不同。藉此设计，除了可增加制程裕度外，也可使得微型元件在不同的基板之间的运输与转移时，通过固定结构提供具有良好的固定、支撑与连接，进而能平均抓取微型元件时的力量。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (19)

1.一种微型元件结构，其特征在于，包括：
基板；
多个微型元件，配置于所述基板上且排列成多列，其中每一所述微型元件具有顶表面；以及
多个固定结构，分别配置于每一所述微型元件的所述顶表面上且延伸至所述基板，其中任一列的所述多个微型元件上的所述固定结构至相邻两列的所述多个微型元件上的所述多个固定结构之间的距离不同。
2.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中每一所述微型元件包括第一型电极与第二型电极，而所述第一型电极或所述第二型电极位于所述顶表面上，且所述多个固定结构远离所述第一型电极或所述第二型电极。
3.根据权利要求2所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述多个固定结构于所述基板上的正投影重叠于每一所述微型元件的重心于所述基板上的正投影。
4.根据权利要求3所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述多个固定结构与每一所述微型元件的所述顶表面的中心具有距离。
5.根据权利要求3所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述多个固定结构重叠于每一所述微型元件的所述顶表面的中心。
6.根据权利要求5所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述多个固定结构于所述基板上的正投影与每一所述微型元件的中心于所述基板上的正投影具有距离。
7.根据权利要求2所述的微型元件结构，其特征在于，其中相邻两列的所述多个微型元件的所述多个第一型电极或所述多个第二型电极彼此相邻，且对应相邻两列所述多个第二型电极相邻的所述多个固定结构之间的第一距离与对应相邻两列所述多个第一型电极相邻的所述多个固定结构之间的第二距离的比值小于1且大于等于0.6。
8.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中每一所述固定结构包括至少一固定部，而所述固定部位于每一所述微型元件的边缘上，所述固定部于所述边缘的宽度与所述边缘的边长的比值介于0.01至0.6之间。
9.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述至少一固定部包括多个固定部且所述多个固定部彼此分离。
10.根据权利要求9所述的微型元件结构，其特征在于，其中每一所述固定部于所述基板上的正投影至每一所述微型元件的中心于所述基板上的正投影的最短距离相同。
11.根据权利要求9所述的微型元件结构，其特征在于，其中每一所述固定部至每一所述微型元件的所述顶表面的中心的最短距离相同。
12.根据权利要求11所述的微型元件结构，其特征在于，其中每一所述微型元件的所述顶表面的中心至每一所述固定部的最短距离小于等于1/2的所述顶表面的最短边长。
13.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述固定部至对应的所述顶表面的所述边缘具有最大距离，而所述最大距离与对应的所述微型元件的所述边缘的边长的比值小于等于0.2。
14.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述微型元件结构还包括：
多个缓冲结构，配置于所述多个固定结构与所述基板之间，其中所述多个固定结构通过所述多个缓冲结构连接至所述基板上且所述多个缓冲结构的材质与所述多个固定结构的材质不同。
15.根据权利要求14所述的微型元件结构，其特征在于，其中于单位面积内，所述多个缓冲结构于所述基板上的正投影面积与所述多个固定结构于所述基板上的正投影面积的比值介于0.2至0.9之间。
16.根据权利要求14所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述多个缓冲结构远离每一所述微型元件。
17.根据权利要求16所述的微型元件结构，其特征在于，其中所述多个缓冲结构于所述基板上的正投影与每一所述微型元件于所述基板上的正投影相隔最小距离，而所述最小距离小于等于10微米。
18.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中任一列的所述多个微型元件至相邻两列的所述多个微型元件之间的间距相同。
19.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，其中每一列的所述多个微型元件上的所述固定结构具有对称中线，任一列上的所述对称中线至相邻两列上的所述多个对称中线之间的距离不同。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110993552A (zh) * 2019-12-03 2020-04-10 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI698994B (zh) 2019-09-16 2020-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及轉移裝置
TWI708405B (zh) 2019-09-16 2020-10-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型半導體晶片、微型半導體元件結構、以及顯示元件
US11916172B2 (en) 2019-09-16 2024-02-27 PlayNitride Display Co., Ltd. Epitaxial structure, semiconductor structure including the same, and semiconductor pickup element for transferring the same
CN110600602B (zh) * 2019-09-16 2021-07-06 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体元件结构、以及显示元件
CN110556470B (zh) * 2019-09-16 2021-04-20 錼创显示科技股份有限公司 微型半导体芯片、微型半导体组件结构、以及转移装置
CN112786514B (zh) * 2019-11-11 2023-01-03 成都辰显光电有限公司 一种微元件的临时转移基板及其制备方法
TWI717128B (zh) 2019-12-03 2021-01-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構
CN113228243A (zh) * 2019-12-03 2021-08-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种半导体装置巨量转移方法和系统
CN110739378B (zh) * 2019-12-03 2021-02-26 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构及其显示装置
TWI728583B (zh) 2019-12-03 2021-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構與微型元件顯示裝置
CN111129253A (zh) * 2019-12-16 2020-05-08 厦门乾照光电股份有限公司 倒装微型电子元件结构及其制作方法
TWI726648B (zh) * 2020-03-09 2021-05-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板及其製造方法
TWI762953B (zh) * 2020-06-16 2022-05-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 利用巨量轉移發光二極體晶片的面板製造方法
TWI773324B (zh) * 2021-05-17 2022-08-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件、微型發光結構及顯示裝置
TWI808422B (zh) 2021-05-21 2023-07-11 錼創顯示科技股份有限公司 接著層結構以及半導體結構
DE112021007729T5 (de) * 2021-09-14 2024-04-11 Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. Mikrolichtemittierende Anordnung, Mikro-LED und deren Anzeigevorrichtung
TWI811810B (zh) * 2021-10-13 2023-08-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
CN113937197A (zh) * 2021-10-13 2022-01-14 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209295A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Sony Corp 電子部品及びその製造方法、これを用いた画像表示装置
US20160240516A1 (en) * 2015-02-17 2016-08-18 Chun-Yen Chang Method of manufacturing semiconductor device array
CN106716611A (zh) * 2014-10-17 2017-05-24 英特尔公司 微拾取和键合组装
US20170256522A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-07 X-Celeprint Limited Micro-printed display

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI363437B (en) * 2008-05-21 2012-05-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode package capable of providing electrostatic discharge circuit protection and process of making the same
TW200644265A (en) * 2005-06-10 2006-12-16 Ramtronics Ind Co Ltd Multiple package structure and producing method thereof
DE102005050398A1 (de) * 2005-10-20 2007-04-26 Epcos Ag Gehäuse mit Hohlraum für ein mechanisch empfindliches elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
KR20100127286A (ko) * 2008-03-21 2010-12-03 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 발광 장치
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
KR101533817B1 (ko) 2008-12-31 2015-07-09 서울바이오시스 주식회사 복수개의 비극성 발광셀들을 갖는 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
DE102010029368A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronische Anordnung und Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung
DE102010054782A1 (de) * 2010-12-16 2012-06-21 Epcos Ag Gehäustes elektrisches Bauelement
TWI455273B (zh) * 2011-08-04 2014-10-01 Chipmos Technologies Inc 晶片封裝結構
US9620478B2 (en) * 2011-11-18 2017-04-11 Apple Inc. Method of fabricating a micro device transfer head
US8794501B2 (en) * 2011-11-18 2014-08-05 LuxVue Technology Corporation Method of transferring a light emitting diode
CN102520832A (zh) * 2011-12-19 2012-06-27 协晶电子科技(上海)有限公司 多功能触摸感应桌面及具有该桌面的触控显示装置
KR20140068474A (ko) * 2012-11-28 2014-06-09 서울바이오시스 주식회사 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법
WO2014083777A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 パナソニック株式会社 基板、発光装置、照明用光源及び基板の製造方法
KR101504331B1 (ko) * 2013-03-04 2015-03-19 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
US8928014B2 (en) * 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
US9217541B2 (en) * 2013-05-14 2015-12-22 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including shear release posts
TWI590498B (zh) * 2013-06-03 2017-07-01 財團法人工業技術研究院 電子元件的轉移方法及電子元件陣列
US9035279B2 (en) * 2013-07-08 2015-05-19 LuxVue Technology Corporation Micro device with stabilization post
TWI561150B (en) * 2013-11-28 2016-12-01 E Ink Holdings Inc Flexible display apparatus
JP2015207754A (ja) * 2013-12-13 2015-11-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101501020B1 (ko) 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
DE102014106503B4 (de) * 2014-05-08 2016-03-03 Epcos Ag Verfahren zur Herstellung eines Mikrofons
US9219197B1 (en) * 2014-05-30 2015-12-22 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Micro-light-emitting diode
US9590137B2 (en) 2014-05-30 2017-03-07 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light-emitting diode
US9929053B2 (en) * 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
CN111180381B (zh) * 2014-06-18 2021-08-27 艾克斯展示公司技术有限公司 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法
US9941207B2 (en) * 2014-10-24 2018-04-10 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield
TWI578581B (zh) * 2014-11-18 2017-04-11 錼創科技股份有限公司 發光元件
US9773711B2 (en) * 2014-12-01 2017-09-26 Industrial Technology Research Institute Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module
US9607907B2 (en) * 2014-12-01 2017-03-28 Industrial Technology Research Institute Electric-programmable magnetic module and picking-up and placement process for electronic devices
TWI720972B (zh) * 2015-03-18 2021-03-11 新世紀光電股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
CN107454985B (zh) * 2015-03-30 2020-08-21 亮锐控股有限公司 用于高亮度发光装置的外围散热布置
US20160297671A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-13 Epcos Ag MEMS Sensor Component
TWI557831B (zh) * 2015-05-15 2016-11-11 友達光電股份有限公司 微組件的傳送方法
US9640715B2 (en) * 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US20160351548A1 (en) 2015-05-28 2016-12-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Light emitting diode display device and manufacturing method thereof
US9704821B2 (en) * 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US9969078B2 (en) * 2015-08-03 2018-05-15 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Transfer head array and transferring method
KR20170026801A (ko) 2015-08-28 2017-03-09 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈
US10193025B2 (en) * 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
CN106229326B (zh) * 2016-07-22 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 转印微发光二极管的方法及显示面板的制作方法
TWI618266B (zh) * 2016-09-07 2018-03-11 友達光電股份有限公司 微型發光二極體單元之中介結構及其製造方法、微型發光二極體單元及其製造方法與微型發光二極體裝置
TWI611599B (zh) * 2016-10-27 2018-01-11 友達光電股份有限公司 過渡載板裝置、顯示面板以及兩者的製造方法、微型發光件的檢測方法
CN106601657B (zh) * 2016-12-12 2019-12-17 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的转移系统、转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN107068665B (zh) * 2017-04-18 2019-02-05 天津三安光电有限公司 微型发光二极管器件及其制作方法
CN107425101B (zh) * 2017-07-11 2019-03-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种微型发光二极管芯片巨量转移的方法
CN107452840B (zh) * 2017-07-14 2019-03-01 华灿光电（浙江）有限公司 一种led面板及其制作方法
CN109671661B (zh) * 2017-10-16 2023-09-26 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光元件结构
US10797029B2 (en) 2017-12-19 2020-10-06 PlayNitride Inc. Structure with micro device
US10804130B2 (en) 2017-12-19 2020-10-13 PlayNitride Inc. Structure with micro device
CN208352328U (zh) * 2018-07-18 2019-01-08 易美芯光（北京）科技有限公司 一种Micro LED封装结构
TWI729389B (zh) * 2019-05-07 2021-06-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003209295A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Sony Corp 電子部品及びその製造方法、これを用いた画像表示装置
CN106716611A (zh) * 2014-10-17 2017-05-24 英特尔公司 微拾取和键合组装
US20160240516A1 (en) * 2015-02-17 2016-08-18 Chun-Yen Chang Method of manufacturing semiconductor device array
US20170256522A1 (en) * 2016-03-03 2017-09-07 X-Celeprint Limited Micro-printed display

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110993552A (zh) * 2019-12-03 2020-04-10 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构
CN110993552B (zh) * 2019-12-03 2023-07-25 錼创显示科技股份有限公司 微型元件结构

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