TWI811810B - 微型發光二極體顯示面板 - Google Patents

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Abstract

提供一種微型發光二極體顯示面板。微型發光二極體顯示面板包含驅動基板及多個接合墊，接合墊彼此間隔地設置於驅動基板之上。微型發光二極體顯示面板也包含多個微型發光二極體結構，微型發光二極體結構電性連接於接合墊。每個微型發光二極體結構包含至少一電極，電極設置於微型發光二極體結構面向驅動基板的一側。電極具有正接觸面及側接觸面，正接觸面朝向驅動基板，且側接觸面與對應的接合墊側向地連接。

Description

微型發光二極體顯示面板
本揭露實施例是有關於一種發光二極體顯示面板，且特別是有關於一種微型發光二極體顯示面板，其中微型發光二極體顯示面板的微型發光二極體結構是透過電極的側接觸面與驅動基板上的接合墊側向地連接。
隨著光電科技的進步，光電元件的體積逐漸往小型化發展。相較於有機發光二極體(organic light-emitting diode, OLED)，微型發光二極體(micro LED, mLED/μLED)具有效率高、壽命較長、材料不易受到環境影響而相對穩定等優勢。因而，使用以陣列排列製作的微型發光二極體的顯示器在市場上逐漸受到重視。
在一般的微型發光二極體顯示面板中，微型發光二極體的電極是與基板上的凸塊(bump)正面接合(即，正向地接合)，以將微型發光二極體與基板電性連接。隨著微型發光二極體的微小化，每個微型發光二極體結構中的電極的面積也隨之縮小，將微型發光二極體的電極與基板上的凸塊接合時可能發生水平位移(horizontal shift)，容易導致斷路或短路。
此外，當欲修復或移除故障的(fail)微型發光二極體時，常從基板的背面透過雷射修整(laser trimming)將微型發光二極體移除。然而，由於凸塊為金屬材質而易於反射雷射，正面接合方式導致雷射能量被基板上的凸塊遮住而難以作用在電極與凸塊的交界面。在此限制下，現有的雷射修整製程僅能將基板上的凸塊直接燒融並在原處重新製作，無法重複使用。亦即，現有的正面接合方式較難藉由剝離(debonding)進行非破壞性移除。
另一種修整方式為在基板上預留其他的空間以設置額外的凸塊，在透過雷射修整將故障的微型發光二極體移除後，將修補的微型發光二極體與額外的凸塊接合。然而，此種方式會占用微型發光二極體顯示面板的像素空間，不利於提高顯示器的像素密度。
本揭露實施例的微型發光二極體顯示面板包含多個微型發光二極體結構。由於每個微型發光二極體結構是透過電極的側接觸面與驅動基板上的接合墊側向地連接，當(例如從驅動基板的背面)透過雷射照射電極與接合墊的接觸面以將故障的微型發光二極體剝離時，接合墊只有在接觸面之處被局部燒融。因此，接合墊仍可再次使用，不需要預留其他的空間設置額外的接合墊或者重新製作接合墊。此外，被移除的微型發光二極體結構的空間可直接容置(接合)新的微型發光二極體結構。
本揭露實施例包含一種微型發光二極體顯示面板。微型發光二極體顯示面板包含驅動基板及多個接合墊，接合墊彼此間隔地設置於驅動基板之上。微型發光二極體顯示面板也包含多個微型發光二極體結構，微型發光二極體結構電性連接於接合墊。每個微型發光二極體結構包含至少一電極，電極設置於微型發光二極體結構面向驅動基板的一側。電極具有正接觸面及側接觸面，正接觸面朝向驅動基板，且側接觸面與接合墊側向地連接。
以下的揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下的揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若是本揭露實施例敘述了第一特徵部件形成於第二特徵部件之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵部件與上述第二特徵部件是直接接觸的實施例，亦可能包含了有其他的特徵部件形成於上述第一特徵部件與上述第二特徵部件之間，而使上述第一特徵部件與第二特徵部件可能未直接接觸的實施例。
應理解的是，額外的操作步驟可實施於所述方法之前、之間或之後，且在所述方法的其他實施例中，部分的操作步驟可被取代或省略。
此外，其中可能用到與空間相關用詞，例如「在… 之下」、「在… 的下方」、「下」、「在… 之上」、「在… 的上方」、「上」及類似的用詞，這些空間相關用詞係為了便於描述圖式中一個(些)元件或特徵部件與另一個(些)元件或特徵部件之間的關係，這些空間相關用詞包括使用中或操作中的裝置之不同方位，以及圖式中所描述的方位。當裝置被轉向不同方位時(旋轉90度或其他方位)，則其中所使用的空間相關形容詞也將依轉向後的方位來解釋。
在說明書中，「約」、「大約」、「實質上」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，或10%之內，或5%之內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「實質上」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「實質上」之含義。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
以下所揭露之不同實施例可能重複使用相同的參考符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
第1A圖至第1B圖是根據本揭露一實施例繪示將微型發光二極體結構20轉移至驅動基板10之上以形成微型發光二極體顯示面板100的各個階段的部分剖面圖。應注意的是，為了更清楚顯示本揭露實施例的技術特徵，第1A圖至第1B圖中已省略微型發光二極體顯示面板100的一些部件。
參照第1A圖，在一些實施例中，提供驅動基板10。驅動基板10可例如為顯示基板、發光基板、具有薄膜電晶體(thin-film transistor, TFT)或積體電路(integrated circuit, IC)等功能元件的基板或其他類型的電路基板，但本揭露實施例並非以此為限。舉例來說，驅動基板10可為整塊的(bulk)半導體基板或包含由不同材料形成的複合基板，並且可以將驅動基板10摻雜(例如，使用p型或n型摻質)或不摻雜。此外，驅動基板10可包含半導體基板、玻璃基板或陶瓷基板，例如矽基板、矽鍺基板、碳化矽基板、氮化鋁基板、藍寶石(sapphire)基板、前述之組合或類似的材料，但本揭露實施例並非以此為限。
參照第1A圖，在一些實施例中，在驅動基板10之上形成多個接合墊12。如第1A圖所示，在一些實施例中，多個接合墊12彼此間隔地設置於驅動基板10之上。接合墊12包含導電材料，例如金屬、金屬矽化物、類似的材料或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。舉例來說，金屬可包含金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、類似的材料、前述之合金或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。
此外，接合墊12可透過沉積製程與圖案化製程，彼此間隔地設置於驅動基板10之上。沉積製程例如包含化學氣相沉積製程、原子層沉積製程、旋轉塗佈製程、類似的沉積製程或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。圖案化製程可包含在前述的材料之上形成遮罩層(未繪示)，接著蝕刻前述的材料未被遮罩層覆蓋的部分，以形成彼此間隔的接合墊12，但本揭露實施例並非以此為限。
如第1A圖所示，在一些實施例中，在驅動基板10之上形成多個佈線層14，佈線層14與接合墊12電性連接。具體而言，佈線層14可與對應的接合墊12直接接觸。佈線層14包含導電材料，例如金屬、金屬矽化物、類似的材料或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。金屬的範例如前所述，在此不再重複。佈線層14的材料可與接合墊12的材料相同或不同。舉例來說，佈線層14可包含銅(Cu)，而接合墊12可包含金(Au)，但本揭露實施例並非以此為限。此外，佈線層14可透過沉積製程與圖案化製程，彼此間隔地 設置於驅動基板10之上。沉積製程與圖案化製程的範例如前所述，在此不再重複。
如第1A圖所示，在一些實施例中，在佈線層14之上形成多個鈍化層16。舉例來說，鈍化層16可包含例如氧化矽之氧化物、例如氮化矽之氮化物、類似的材料或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。可透過沉積製程將鈍化層16形成於佈線層14之上。舉例來說，鈍化層16可如第1A圖所示設置於佈線層14的頂表面14T，但本揭露實施例並非以此為限。
如第1A圖所示，在一些實施例中，在驅動基板10之上形成多個隔離結構18，隔離結構18設置於驅動基板10面向微型發光二極體結構20的一側。具體而言，如第1A圖所示，隔離結構18可設置於成對的兩個接合墊12(例如，第1A圖中的接合墊12-1與接合墊12-2)之間，但本揭露實施例並非以此為限。隔離結構18可包含具電絕緣性之無機化合物(例如，氧化矽、氮化矽)或有機化合物。此外，隔離結構18可透過沉積製程與圖案化製程形成於驅動基板10之上。沉積製程與圖案化製程的範例如前所述，在此不再重複。
參照第1A圖，在一些實施例中，提供微型發光二極體結構20。微型發光二極體結構20包含磊晶層22，磊晶層22包含第一型半導體層、發光層與第二型半導體層(未詳細繪示於第1A圖與第1B圖)，發光層設置於第一型半導體層之上，第二型半導體層設置於發光層之上。換言之，發光層設置於第一型半導體層與第二型半導體層之間，但本揭露實施例並非以此為限。
第一型半導體層包含N型半導體材料。舉例來說，第一型半導體層可包含Ⅱ-Ⅵ族材料(例如，硒化鋅(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ族材料(例如，氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN))，且第一型半導體層可包含矽(Si)或鍺(Ge)等摻雜物，但本揭露實施例並非以此為限。此外，第一型半導體層可以是單層或多層結構。
發光層包含至少一無摻雜(undoped)半導體層或是至少一低摻雜半導體層。舉例來說，發光層為量子井(quantum well, QW)層，其可包含氮化銦鎵(indium gallium nitride, InxGa 1-xN)或氮化鎵(gallium nitride, GaN)，但本揭露實施例並非以此為限。或者，發光層也可為多重量子井(multiple quantum well, MQW)層，但本揭露實施例並非依此為限。
此外，發光層可發出紅色(red)光、綠色(green)光或藍色(blue)光，但本揭露實施例並非以此為限。舉例來說，發光層也可發出白色(white)光、青色(cyan)光、洋紅色(magenta)光、黃色(yellow)光、其他合適的色光或其組合。
第二型半導體層包含P型半導體材料。舉例來說，第二型半導體層可包含Ⅱ-Ⅵ族材料(例如，硒化鋅(ZnSe))或Ⅲ-Ⅴ族材料(例如，氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦(InN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化鋁銦鎵(AlInGaN))，且第二型半導體層可包含鎂(Mg)、碳(C)等摻雜物，但本揭露實施例並非以此為限。此外，第二型半導體層可以是單層或多層結構。
參照第1A圖，在一些實施例中，微型發光二極體結構20也包含電極26與電極28，電極26與電極28設置於微型發光二極體結構20面向驅動基板10的一側，並電性連接於磊晶層22。舉例來說，電極26與電極28可分別電性連接於磊晶層22的第一半導體層與第二半導體層(未詳細繪示於第1A圖與第1B圖)，但本揭露實施例並非以此為限。
電極26與電極28包含導電材料，例如金屬、金屬矽化物、類似的材料或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。舉例來說，金屬可包含金(Au)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銥(Ir)、鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎢(W)、鋁(Al)、銅(Cu)、類似的材料、前述之合金或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。電極26與電極28可透過物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層沉積、蒸鍍(evaporation)、濺鍍(sputtering)、類似的製程或前述之組合所形成，但本揭露實施例並非以此為限。
參照第1A圖，在一些實施例中，微型發光二極體結構20更包含絕緣層24，絕緣層24設置於磊晶層22之上。舉例來說，絕緣層24可包含例如氧化矽之氧化物、例如氮化矽之氮化物、類似的材料或前述之組合，但本揭露實施例並非以此為限。可透過沉積製程將絕緣層24形成於磊晶層22面向驅動基板10的表面與磊晶層22的側表面之上，但本揭露實施例並非以此為限。此外，可執行圖案化製程，以移除絕緣層24的一部分，使得電極26與電極28電性連接於磊晶層22，但本揭露實施例並非以此為限。沉積製程與圖案化製程的範例如前所述，在此不再重複。
參照第1B圖，將微型發光二極體結構20與驅動基板10接合，以形成微型發光二極體顯示面板100。舉例來說，可透過(熱)壓合製程將多個微型發光二極體結構20轉移至驅動基板10之上(第1B圖中僅繪示一個微型發光二極體結構20)，但本揭露實施例並非以此為限。如第1A圖與第1B圖所示，在一些實施例中，電極26具有正接觸面26N以及側接觸面26S，正接觸面26N朝向驅動基板10，且側接觸面26S與對應的接合墊12(12-1)側向地(laterally)連接。類似地。如第1A圖與第1B圖所示，在一些實施例中，電極28具有正接觸面28N以及側接觸面28S，正接觸面28N朝向驅動基板10，且側接觸面28S與對應的接合墊12(12-2)側向地連接。
如第1B圖所示，在本揭露的實施例中，微型發光二極體顯示面板100包含驅動基板10及多個接合墊12，接合墊12彼此間隔地設置於驅動基板10之上。微型發光二極體顯示面板100也包含多個微型發光二極體結構20，微型發光二極體結構20電性連接於接合墊12。每個微型發光二極體結構20包含至少一電極(26、28)，電極設置於微型發光二極體結構20面向驅動基板10的一側。電極具有正接觸面(26N、28N)及側接觸面(26S、28S)，正接觸面(26N、28N)朝向驅動基板10，且側接觸面(26S、28S)與對應的接合墊12側向地連接。
如第1B圖所示，在一些實施例中，電極26的正接觸面26N和電極28的正接觸面28N都與驅動基板10直接接觸。在一些其他的實施例中，驅動基板10之表面亦可以額外包含其他膜層(例如但不限於介電材料層)，而電極26的正接觸面26N與電極28的正接觸面28N藉由這些膜層而接觸驅動基板10的情況，仍屬於上述直接接觸的態樣。此外。在一些實施例中，電極26與電極28位於接合墊12-1與接合墊12-2之間。再者，在一些實施例中，隔離結構18位於電極26與電極28之間。隔離結構18可用於防止電極26與電極28在(熱)壓合製程中彼此接觸造成短路。
如第1B圖所示，微型發光二極體結構20是透過電極26的側接觸面26S和電極28的側接觸面28S分別與位於驅動基板10之上的接合墊12-1和接合墊12-2側向地連接。因此，當微型發光二極體結構20故障時，可從驅動基板10的背面10B透過雷射LS照射電極26與接合墊12-1的接觸面(即，電極26的側接觸面26S)和電極28與接合墊12-2的接觸面(即，電極28的側接觸面28S)，以將故障的微型發光二極體20剝離。然而，在其他未繪示的實施例中，雷射LS亦可從驅動基板10的正面照射前述接觸面。
由於接合墊12-1和接合墊12-2只有在與電極26和電極28的接觸面之處被局部燒融，因此在將微型發光二極體結構20移除後，接合墊12-1和接合墊12-2仍可再次使用。亦即，不需要在驅動基板10之上預留其他的空間設置額外的接合墊或者重新製作接合墊。此外，將微型發光二極體結構20移除後的空間可直接容置(接合)新的微型發光二極體結構。
第2圖是根據本揭露一實施例繪示微型發光二極體顯示面板102的部分剖面圖。類似地，為了更清楚顯示本揭露實施例的技術特徵，第2圖中已省略微型發光二極體顯示面板102的一些部件。
參照第2圖，微型發光二極體顯示面板102具有與第1B圖所示的微型發光二極體顯示面板100類似的結構，其主要的不同之處在於，第2圖所示的微型發光二極體顯示面板102的微型發光二極體結構20’更包含平坦層29，平坦層29設置於微型發光二極體結構20’面向驅動基板10的一側。如第2圖所示，平坦層29具有孔洞29O，電極26的一部分與電極28的一部分位於孔洞29O之中。
電極26具有本體部分26-1及延伸部分26-2，延伸部分26-2連接本體部分26-1並經由孔洞29O延伸至平坦層29面向驅動基板的表面29S。類似地，電極28具有本體部分28-1及延伸部分28-2，延伸部分28-2連接本體部分28-1並經由孔洞29O延伸至平坦層29面向驅動基板的表面29S。
換言之，在第2圖中，兩個電極(26、28)分別透過其延伸部分(26-2、28-2)的側接觸面(26S、28S)側向地連接對應的接合墊(12-1、12-2)。在本實施例中，接合墊12(例如，12-1或12-2)是與微型發光二極體結構20’的兩個電極(26、28)的延伸部分(26-2、28-2)直接接觸。
由於電極(26、28)的本體部分(26-1、28-1)之高度(即，側面的歐姆接觸面積)會隨著微型發光二極體結構20’的尺寸微縮而受到限制，故在第2圖的實施例中，延伸部分(26-2、28-2)有助於放大電極(26、28)與兩個接合墊(12-1、12-2)之間的接觸面積，藉此確保接合良率，同時最佳化電致發光效率。
在一些實施例中，電極26的延伸部分26-2在驅動基板10上的正投影完全覆蓋電極26的本體部分26-1在驅動基板上10的正投影。類似地，在一些實施例中，電極28的延伸部分28-2在驅動基板10上的正投影完全覆蓋電極28的本體部分28-1在驅動基板上10的正投影。
第3圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板104的部分剖面圖。第4圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板106的部分剖面圖。第5圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板108的部分剖面圖。第6圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板110的部分剖面圖。類似地，為了更清楚顯示本揭露實施例的技術特徵，第3圖至第6圖中已省略微型發光二極體顯示面板104、微型發光二極體顯示面板106、微型發光二極體顯示面板108和微型發光二極體顯示面板110的一些部件。
參照第3圖，微型發光二極體顯示面板104具有與第2圖所示的微型發光二極體顯示面板102類似的結構，其主要的不同之處在於，第3圖所示的微型發光二極體顯示面板104的接合墊12(例如，接合墊12-1或接合墊12-2)設置於鈍化層16之上。具體而言，接合墊12(例如，接合墊12-1或接合墊12-2)設置於鈍化層16的頂表面16T之上，並與鈍化層16直接接觸。
參照第4圖，微型發光二極體顯示面板106具有與第3圖所示的微型發光二極體顯示面板104類似的結構，其主要的不同之處在於，第4圖所示的微型發光二極體顯示面板106的接合墊12(例如，接合墊12-1或接合墊12-2)具有突出部12P，突出部12P可進一步增加接合墊12(例如，接合墊12-1或接合墊12-2)與電極26(的延伸部分26-2)或電極28(的延伸部分28-2)的接觸面積。
參照第5圖，微型發光二極體顯示面板108具有與第2圖所示的微型發光二極體顯示面板102類似的結構，其主要的不同之處在於，第5圖所示的微型發光二極體顯示面板108的接合墊12(例如，接合墊12-1或接合墊12-2)設置於驅動基板10與鈍化層16之間。具體而言，接合墊12(例如，接合墊12-1或接合墊12-2)設置於鈍化層16的底表面16B之上，並與驅動基板10與鈍化層16直接接觸。
參照第6圖，微型發光二極體顯示面板110具有與第2圖所示的微型發光二極體顯示面板102類似的結構，其主要的不同之處在於，第6圖所示的微型發光二極體顯示面板110的一個接合墊12(例如，接合墊12-1)設置於鈍化層16之上，而另一個接合墊12(例如，接合墊12-2)設置於驅動基板10與鈍化層16之間。具體而言，接合墊12-1設置於鈍化層16的頂表面16T之上，並與鈍化層16直接接觸，而接合墊12-2設置於鈍化層16的底表面16B之上，並與驅動基板10與鈍化層16直接接觸。
總合而言，在第3圖至第6圖的微型發光二極體顯示面板(104、106、108以及110)中，接合墊12可以分佈在對應於第2圖中之佈線層14的位置。換言之，由於本揭露採取側向連接的結構，且在雷射修整製程後仍可重複使用，故在前述圖式所示的實施例中，接合墊12亦可以指佈線層14之電路佈局(layout)的一部分，並不限定於第2圖所繪出的獨立元件。
第7圖是根據本揭露一實施例繪示微型發光二極體顯示面板112的部分剖面圖。第8圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板114的部分剖面圖。類似地，為了更清楚顯示本揭露實施例的技術特徵，第7圖與第8圖中已省略微型發光二極體顯示面板112與微型發光二極體顯示面板114的一些部件。
參照第7圖，微型發光二極體顯示面板112具有與第1B圖所示的微型發光二極體顯示面板100類似的結構，其主要的不同之處在於，第7圖所示的微型發光二極體顯示面板112的電極26’和電極28’分別具有重疊區域(即，第7圖中的虛線圈起之圓角處)，使得電極26’和電極28’在驅動基板10之上的正投影與對應的接合墊12(即，接合墊12-1和12-2)在驅動基板10之上的正投影部分地重疊。
在一些實施例中，電極26’在驅動基板10之上的正投影及對應的接合墊12(即，接合墊12-1)在驅動基板10之上的正投影具有重疊面積，且此重疊面積占電極26’在驅動基板10之上的正投影的面積的30%以下。類似地，在一些實施例中，電極28’在驅動基板10之上的正投影及對應的接合墊12(即，接合墊12-2)在驅動基板10之上的正投影的重疊面積占電極28’在驅動基板10之上的正投影的面積的30%以下。
一般而言，將微型發光二極體的電極與基板上的凸塊(例如，接合墊)接合時容易可能發生水平位移。在第7圖所示的實施例中，由於每個微型發光二極體結構20是透過電極26’和電極28’的側接觸面26S和側接觸面28S分別與驅動基板10上對應的接合墊12-1和接合墊12-2側向地(或實質上垂直地)連接，接合墊12-1和接合墊12-2會自動適應電極26’和電極28’的形狀而填滿此處的空隙，使微型發光二極體結構20與驅動基板10的導電性不會受水平位移影響。
電極26’和電極28’的重疊區域(即，第7圖中的虛線圈起之圓角處)的形狀例如是因為接合墊12-1和接合墊12-2的圖形化距離(即，接合墊12-1和接合墊12-2在水平方向上的最短距離)稍微小於電極26’和電極28’的邊界寬度(即，電極26’和電極28’在水平方向上的最大距離)而導致，使得微型發光二極體結構20在壓合過程中會自然擠壓接合墊12-1和接合墊12-2而形成重疊區域。換言之，意味著兩個電極(即，電極26’和電極28’)和接合墊(即，接合墊12-1和接合墊12-2)之間都是密合地接觸。
因此，在本揭露的實施例中，縮短接合墊(例如，接合墊12-1和接合墊12-2)之間距離不會增加短路風險，因為接合墊可被微型發光二極體結構20隔開。相對地，在一般的微型發光二極體顯示面板中，由於微型發光二極體的電極是與基板上的凸塊(例如，接合墊)正面接合(即，正向地接合)，無法達到前述效果，且縮短凸塊的間距容易增加短路的風險。
參照第8圖，微型發光二極體顯示面板114具有與第1B圖所示的微型發光二極體顯示面板100類似的結構，其主要的不同之處在於，第8圖所示的微型發光二極體顯示面板114的電極26”與對應的接合墊12(即，接合墊12-1)側向地連接的側接觸面26S為斜面。類似地，電極28”與對應的接合墊12(即，接合墊12-2)側向地連接的側接觸面28S也為斜面。
如第8圖所示，在一些實施例中，電極26”的側接觸面26S與驅動基板10之間的夾角θ1大於約45度且小於約90度。類似地，在一些實施例中，電極28”的側接觸面28S與驅動基板10之間 的夾角θ2大於約45度且小於約90度。在第8圖所示的實施例中，夾角θ1與夾角θ2相同，但本揭露實施例並非以此為限。在一些其他的實施例中，夾角θ1與夾角θ2不同。
第9圖至第13圖繪示接合墊12(包含接合墊12-1與接合墊12-2)的不同範例。此外，為了更清楚地顯示接合墊12-1與接合墊12-2的對應關係，第9圖至第13圖也繪示出鈍化層16。但要注意的是，並非所有的微型發光二極體顯示面板都需要包含鈍化層16。
參照第9圖，接合墊12-1與接合墊12-2的形狀為直線形，且接合墊12-1與接合墊12-2成對設置。在第9圖所示的俯視圖中，接合墊12-1與接合墊12-2為中心對稱(centrosymmetric)。當將微型發光二極體結構20與驅動基板10接合時，即便兩者之間產生對位誤差(例如，第9圖所示的情況)，接合墊12-1與接合墊12-2仍可與電極26與電極28側向地連接。亦即，接合墊12-1與接合墊12-2具有止擋的效果，可用於校正對位時因為水平偏移或旋轉產生的對位誤差。
參照第10圖，接合墊12-1與接合墊12-2的形狀為L形，且接合墊12-1與接合墊12-2成對設置。在第10圖所示的俯視圖中，接合墊12-1與接合墊12-2為中心對稱。類似地，當將微型發光二極體結構20與驅動基板10接合時，即便兩者之間產生對位誤差(例如，第10圖所示的情況)，接合墊12-1與接合墊12-2仍可與電極26與電極28側向地連接。亦即，接合墊12-1與接合墊12-2具有止擋的效果，可用於校正對位時因為水平偏移或旋轉產生的對位誤差。
另外，在第9圖以及第10圖中，接合墊12-1與接合墊12-2亦為反對稱(anti-symmetric)之配置。亦即，在驅動基板10的配置區域內，接合墊12-1與接合墊12-2的正投影圖形係基於彼此的中線互為上下顛倒、左右相反。
第11圖至第13圖將省略電極26與電極28(及微型發光二極體結構20)，且第11圖至第13圖中的接合墊12-1與接合墊12-2產生的止擋的效果將不再重複。
參照第11圖，接合墊12-1與接合墊12-2的形狀為口字形(hallow square)，且接合墊12-1與接合墊12-2成對設置。在第11圖所示的俯視圖中，接合墊12-1與接合墊12-2為軸對稱(axial symmetric)及中心對稱。
參照第12圖，接合墊12-1與接合墊12-2的形狀為U形，U形的開口彼此相對，且接合墊12-1與接合墊12-2成對設置。在第12圖所示的俯視圖中，接合墊12-1與接合墊12-2為軸對稱及中心對稱。
參照第13圖，接合墊12-1與接合墊12-2的形狀為直線形，且接合墊12-1與接合墊12-2成對設置。在第13圖所示的俯視圖中，接合墊12-1與接合墊12-2為軸對稱及中心對稱。
結合前述段落以及第9圖至第13圖的說明可知，由於微型發光二極體與驅動基板係以正向施壓的方式接合，在對準位置時，可能因為各種因素而導致水平位移的誤差。而在本揭露中，由於接合墊12-1、接合墊12-2被設置在電極26、電極28的側邊(同樣為水平方向)，即使存在前述的誤差情形，仍不會影響發光二極體結構的接合良率。甚至，例如在第9圖與第10圖中，電極26、電極28的水平位移或旋轉可以增加和接合墊12-1、接合墊12-2的接觸面積。
承上述說明，在本揭露的實施例中，由於每個微型發光二極體結構是透過電極的側接觸面與驅動基板上的接合墊側向地連接，當(例如從驅動基板的背面)透過雷射照射電極與接合墊的接觸面以將故障的微型發光二極體剝離時，接合墊只有在接觸面之處被局部燒融。因此，接合墊仍可再次使用，不需要預留其他的空間設置額外的接合墊或者重新製作接合墊。此外，被移除的微型發光二極體結構的空間可直接容置(接合)新的微型發光二極體結構。
以上概述數個實施例的部件，以便在本揭露所屬技術領域中具有通常知識者可以更理解本揭露實施例的觀點。在本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應該理解，他們能以本揭露實施例為基礎，設計或修改其他製程和結構以達到與在此介紹的實施例相同之目的及/或優勢。在本揭露所屬技術領域中具有通常知識者也應該理解到，此類等效的結構並無悖離本揭露的精神與範圍，且他們能在不違背本揭露之精神和範圍之下，做各式各樣的改變、取代和替換。因此，本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。另外，雖然本揭露已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露。
整份說明書對特徵、優點或類似語言的引用，並非意味可以利用本揭露實現的所有特徵和優點應該或者可以在本揭露的任何單個實施例中實現。相對地，涉及特徵和優點的語言被理解為其意味著結合實施例描述的特定特徵、優點或特性包括在本揭露的至少一個實施例中。因而，在整份說明書中對特徵和優點以及類似語言的討論可以但不一定代表相同的實施例。
再者，在一個或多個實施例中，可以任何合適的方式組合本揭露的所描述的特徵、優點和特性。根據本文的描述，相關領域的技術人員將意識到，可在沒有特定實施例的一個或多個特定特徵或優點的情況下實現本揭露。在其他情況下，在某些實施例中可辨識附加的特徵和優點，這些特徵和優點可能不存在於本揭露的所有實施例中。
100,102,104,106,108,110,112,114:微型發光二極體顯示面板 10:基板 10B:背面 12,12-1,12-2:接合墊 12P:突出部 14:佈線層 14T:頂表面 16:鈍化層 16B:底表面 16T:頂表面 18:隔離結構 20,20’:微型發光二極體結構 22:磊晶層 24:絕緣層 26,26’,26’’,28,28’,28’’:電極 26-1,28-1:本體部分 26-2,28-2:延伸部分 26N,28N:正接觸面 26S,28S:側接觸面 29:平坦層 29O:孔洞 29S:表面 LS:雷射 θ1,θ2:夾角
以下將配合所附圖式詳述本揭露實施例。應注意的是，各種特徵部件並未按照比例繪製且僅用以說明例示。事實上，元件的尺寸可能經放大或縮小，以清楚地表現出本揭露實施例的技術特徵。 1A圖至第1B圖是根據本揭露一實施例繪示將微型發光二極體結構轉移至驅動基板之上以形成微型發光二極體顯示面板的各個階段的部分剖面圖。 第2圖是根據本揭露一實施例繪示微型發光二極體顯示面板的部分剖面圖。 第3圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板的部分剖面圖。 第4圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板的部分剖面圖。 第5圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板的部分剖面圖。 第6圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板的部分剖面圖。 第7圖是根據本揭露一實施例繪示微型發光二極體顯示面板的部分剖面圖。 第8圖是根據本揭露另一實施例繪示微型發光二極體顯示面板的部分剖面圖。 第9圖至第13圖繪示接合墊的不同範例。
100:微型發光二極體顯示面板 10:基板 10B:背面 12,12-1,12-2:接合墊 14:佈線層 16:鈍化層 18:隔離結構 20:微型發光二極體結構 22:磊晶層 24:絕緣層 26,28:電極 26N,28N:正接觸面 26S,28S:側接觸面 LS:雷射

Claims (10)

  1. 一種微型發光二極體顯示面板，包括：一驅動基板；複數個接合墊，彼此間隔地設置於該驅動基板之上；以及複數個微型發光二極體結構，電性連接於該些接合墊，其中每該微型發光二極體結構包括：至少一電極，設置於每該微型發光二極體結構面向該驅動基板的一側，該電極具有一正接觸面及一側接觸面，該正接觸面朝向該驅動基板，且該側接觸面與該些接合墊中的一個側向地連接，其中該至少一電極包括一第一電極與一第二電極，該第一電極的側接觸面與該第二電極的側接觸面分別與該些接合墊中的兩個接合，且該第一電極與該第二電極位於該些接合墊中的該兩個之間。
  2. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示面板，其中該電極在該驅動基板之上的正投影及該些接合墊中對應的一個在該驅動基板之上的正投影具有一重疊面積，且該重疊面積占該電極在該驅動基板之上的正投影的面積的30%以下。
  3. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示面板，其中該正接觸面與該驅動基板直接接觸。
  4. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示面板，其中每該微型發光二極體結構更包括： 一平坦層，設置於每該微型發光二極體結構面向該驅動基板的一側且具有至少一孔洞，該電極的至少一部分位於該孔洞之中；其中該至少一電極具有一本體部分及一延伸部分，該延伸部分連接該本體部分並經由該孔洞延伸至該平坦層面向該驅動基板的表面。
  5. 如請求項4所述之微型發光二極體顯示面板，其中該延伸部分在該驅動基板上的正投影完全覆蓋該本體部分在該驅動基板上的正投影。
  6. 如請求項4所述之微型發光二極體顯示面板，其中該至少一電極包括一第一電極與一第二電極，該平坦層具有兩個孔洞，該第一電極具有一部分位於該些孔洞中的一個，該第二電極具有一部分位於該些孔洞中的另一個。
  7. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示面板，其中該至少一電極包括一第一電極與一第二電極，且該微型發光二極體顯示面板更包括：複數個隔離結構，設置於該驅動基板面向該些微型發光二極體結構的一側，其中每該隔離結構位於該第一電極與該第二電極之間。
  8. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示面板，其中該些接合墊包括一第一接合墊與一第二接合墊，該第一接合墊與該第二接合墊成對設置，且在該微型發光二極體顯示面板的俯視圖中，該第一接合墊與該第二接合墊為中心對稱。
  9. 如請求項8所述之微型發光二極體顯示面板，其中該第一接合墊在該驅動基板上的正投影及該第二接合墊在該驅動基板上的正投影的形狀包括L形、U形、口字形或直線形。
  10. 如請求項1所述之微型發光二極體顯示面板，其中該側接觸面與該驅動基板之間的夾角大於45度且小於90度。
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