CN109935610A - 微型元件结构 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种微型元件结构，包括基板、至少一微型元件以及至少一固定结构。微型元件配置于基板上且具有远离基板的顶表面。固定结构配置于基板上且包括至少一连接部以及至少一固定部。连接部配置于微型元件的至少一边缘。固定部连接连接部且延伸至基板。从俯视方向观看下，连接部从微型元件的边缘往固定部的宽度渐增。

Description

微型元件结构
技术领域
本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种微型元件结构。
背景技术
目前微型发光二极管的转移主要是通过静电力或磁力等方式，将载体基板上的微型发光二极管转板至接收基板上。一般来说，微型发光二极管会通过固定结构来固持而使微型发光二极管较容易自载体基板上拾取并运输与转移至接收基板上放置，且通过固定结构来巩固微型发光二极管于转板时不会受到其他外因而影响品质。然而，固定结构与微型发光二极管之间接触面的面积大小以及形状，会影响微型发光二极管的运输与转移的良率。因此，如何让固定结构可以暂时地固持微型发光二极管，且可以更轻易且更有效率地运输与转移微型发光二极管在载体基板与接收基板之间，已成为目前业界相当重视的课题之一。
发明内容
本发明提供一种微型元件结构，其可有效提升微型元件的运输与转移的良率。
本发明的一种微型元件结构，包括基板、至少一微型元件以及至少一固定结构。微型元件配置于基板上。微型元件具有远离基板的顶表面。固定结构配置于基板上。固定结构包括至少一连接部以及至少一固定部。连接部配置于微型元件的至少一边缘。固定部连接连接部且延伸至基板，其中从俯视方向观看下，连接部从微型元件的边缘往固定部的宽度渐增。
在本发明的一实施例中，从俯视方向观看下，上述的固定结构的连接部的外型轮廓为曲线轮廓。
在本发明的一实施例中，从俯视方向观看下，上述的固定结构的连接部的外型轮廓为直线轮廓。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件包括第一型电极与第二型电极，而第一型电极与第二型电极位于相对于顶表面的底表面上。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构在顶表面的正投影面积与微型元件的顶表面的面积的比值大于等于0.5且小于1。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件包括第一型电极与第二型电极，而第一型电极或第二型电极位于顶表面上。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构在顶表面的正投影面积与微型元件的该顶表面的面积的比值大于等于0.01且小于等于0.5。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构还包括至少一覆盖部。覆盖部配置于微型元件的顶表面上，且连接部连接于覆盖部与固定部之间。
在本发明的一实施例中，上述的覆盖部的中心宽度大于连接部在顶表面相对应的边缘的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的覆盖部具有多个反曲点，且覆盖部从这些反曲点往连接部的宽度渐增。
在本发明的一实施例中，上述的覆盖部的中心宽度小于连接部在顶表面相对应的边缘的宽度。
在本发明的一实施例中，上述的覆盖部往连接部的宽度渐增。
在本发明的一实施例中，上述的至少一覆盖部包括多个覆盖部，且这些覆盖部彼此分离。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件的顶表面的中心至每一个这些覆盖部的最小距离相同。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件的顶表面的中心至每一个这些覆盖部的最小距离小于等于1/2的顶表面的最短边长。
在本发明的一实施例中，上述的每一个这些覆盖部至顶表面的边缘具有最大距离，且最大距离与对应的微型元件的边缘的长度的比值小于等于0.2。
在本发明的一实施例中，上述的连接部在边缘的宽度与边缘的长度的比值介于0.01至0.6之间。
在本发明的一实施例中，上述的微型元件结构还包括至少一个缓冲结构。缓冲结构配置于固定结构的固定部与基板之间，其中固定部通过缓冲结构连接至基板上。
在本发明的一实施例中，上述的固定结构的材质不同于缓冲结构的材质，且固定结构的杨式模量大于缓冲结构的杨式模量。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲结构远离微型元件。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲结构在基板上的正投影与微型元件在基板上的正投影具有最小距离，而前述的最小距离小于等于10微米。
在本发明的一实施例中，其中在单位面积内，上述的缓冲结构在基板上的正投影面积与固定结构在基板上的正投影面积的比值介于0.2至0.9之间。
基于上述，在本发明的微型元件结构的设计中，从俯视方向观看下，固定结构的连接部沿水平方向延伸而连接于覆盖部与固定部之间，且连接部从微型元件的边缘往固定部的宽度变化是逐渐增加。也就是说，固定结构的连接部在微型元件的边缘的宽度实质上是最窄(或最小)。藉此设计，可使得微型元件在不同的暂时基板之间的运输与转移以应用于微型元件显示器时，让固定结构的断裂点可以尽量地接近微型元件的边缘或角落，以降低固定结构断不干净或残留的问题，进而可以提升微型发光二极管的运输与转移的良率。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A示出为本发明第一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图1B示出为图1A的微型元件结构的剖面示意图。
图2A示出为本发明第二实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图2B示出为图2A的微型元件结构的剖面示意图。
图3示出为本发明第三实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图4A示出为本发明第四实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图4B示出为图4A的微型元件结构的剖面示意图。
图5示出为本发明第五实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图6A示出为本发明第六实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图6B示出为图6A的微型元件结构的剖面示意图。
图7示出为本发明第七实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图8示出为本发明第八实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图9示出为本发明第九实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。
图10示出为本发明第十实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图11示出为本发明第十一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图12示出为本发明第十二实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图13示出为本发明第十三实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图14示出为本发明第十四实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图15示出为本发明第十五实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图16示出为本发明第十六实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图17示出为本发明第十七实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图18示出为本发明第十八实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图19示出为本发明第十九实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。
图20示出为本发明一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。
图21示出为本发明另一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。
图22示出为本发明又一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。
附图标记说明：
100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900：微型元件结构
2000、2100、2200：微型元件装置
120：基板
140、140'、440、640、840、940：微型元件
141P、641P：中心
141、441、641、841、941：顶表面
142、442、942：底表面
143、943：周围表面
144、444、644、944：第一型电极
145、445、645、945：第二型电极
146、646、946：发光层
947：第一型半导体层
948：第二型半导体层
949：绝缘层
T：通孔
160、260、360、460、560、660、760、860、960、1060、1160、1260、1360、1460、1560、1660、1760、1760'、1860、1860'、1960：固定结构
161a、161b、261a、261b、361a、361b、861、1061、1261、1361、1461、1761、1761'、1861、1861'：固定部
162a、162b、262a、262b、362a、362b、462a、462b、562a、562b、662a、662b、862a、862b、862c、862d、962a、962b、1062、1162、1562：连接部
163、363、463、563a、563b、663a、663b、763、863、1663a、1663b：覆盖部
763p：反曲点
170：缓冲层
280a、280b、680a、680b、680c、1880、1880'：缓冲结构
2110：导光层
2020：线路基板
2050、2250：导光结构
SD1、SD2、SD3、SD4：边缘
C1、C2、C3、C4：角落
H1：垂直距离
L：距离
L2：最大距离
L3：最小距离
L4、L5：长度
G1：空气间隙
D1：水平方向
W1、W2、W4：最小宽度
W3：中心宽度
U：单位面积
具体实施方式
本发明的实施例描述微型元件(例如微型发光二极管(Micro LED)和微型晶片)的结构，使之准备好拾取及转移到线路基板。例如，接收基板可为显示基板、发光基板、具诸如晶体管或集成电路(ICs)等功能元件的基板或具金属重分配线的基板，但不以此为限。虽然本发明的一些实施例特定于描述包含p-n二极管的微型发光二极管，但应理解本发明的实施例不限于此，某些实施例也可应用到其他微型半导体元件，该等元件依此方式设计成控制执行预定电子功能(例如二极管、晶体管、集成电路)或光子功能(LED、激光)。
图1A示出为本发明第一实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。图1B示出为图1A的微型元件结构的剖面示意图。在此需说明的是，图1B的微型元件结构100是沿图1A的A-A’剖线所示出。
请同时参照图1A与图1B，本实施例的微型元件结构100包括基板120、至少一微型元件140(图1A中示意地示出多个)以及至少一固定结构160(图1A中示意地示出多个)。微型元件140配置于基板120上。微型元件140具有顶表面141、底表面142、周围表面143、第一型电极144以及第二型电极145。顶表面141与底表面142彼此相对，且顶表面141较底表面142远离基板120。周围表面143连接顶表面141与底表面142。固定结构160配置于基板120上，并且与对应的微型元件140的第一型电极144与第二型电极145不直接接触。每一固定结构160包括至少一个覆盖部163(图1A中示意地示出一个)、至少一个连接部(图1A中示意地示出二个连接部162a、162b)以及至少一个固定部(图1A中示意地示出二个固定部161a、161b)。覆盖部163直接接触微型元件140的部分顶表面141。连接部162a、162b分别自微型元件140的相对二边缘SD1、SD3连接覆盖部163。固定部161a、161b连接连接部162a、162b且延伸至基板120上。如图1A所示，相邻两个微型元件140通过对应的固定结构160的固定部161a、161b而连接在一起。并且，从俯视方向观看下，连接部162a、162b沿平行于基板120的延伸方向的一水平方向D1延伸而连接于覆盖部163与固定部161a、161b之间，且连接部162a、162b从微型元件140的相对二边缘SD1、SD3往对应的固定部161a、161b的宽度变化为逐渐增加。
具体而言，基板120例如是塑胶基板、玻璃基板或蓝宝石基板等可具有固定性且表面平整的临时基板，但不以此为限。如图1A所示，从俯视方向观看下，微型元件140的顶表面141具有四个边缘SD1、SD2、SD3、SD4以及与边缘SD1、SD2、SD3、SD4所构成的四个角落C1、C2、C3、C4。微型元件140的顶表面141的边缘SD1与边缘SD3相对设置，而边缘SD2与边缘SD4相对设置。在本实施例中，边缘SD1与边缘SD3的长度大于边缘SD2与边缘SD4的长度。也就是说，微型元件140在俯视方向观看下的轮廓具体化为矩形，但本发明并不以此为限。在其他实施例中，微型元件140在俯视时的轮廓也可为其他适当的形状，如梯形或其他适宜的形状。须说明的是，如图1A所示，此处微型元件140的顶表面141是指对应微型元件140的发光层146位置的表面。
在本实施例中，微型元件140的第一型电极144位于顶表面141上。也就是说，本实施例的微型元件140实质上为水平式微型元件。当然，在其他未示出的实施例中，也可以是第二型电极145位于顶表面141上，但本发明不限于此。此处，第一型电极144例如为P型电极，而第二型电极145例如为N型电极。然而，在其他实施例中，第一型电极144也可以是N型电极，而第二型电极145也可以是P型电极，在此并不加以限制。在其他实施例中，微型元件140的形式也可以为水平式微型发光二极管或是其他不同种类的微型发光二极管。此处，微型元件140例如是一微型发光二极管，且微型元件140的最大尺寸小于等于100微米，后续可以转移整合及组装到异质整合系统，包括微型显示器至大面积显示器等任何尺寸的基板。在其他未示出的实施例中，微型元件140也可以是微型集成电路(micro IC)、微型激光二极管(micro LD)或微型传感器(micro sensor)等，在此并不加以限制。
请再参考图1A，固定结构160的连接部162a是从微型元件140的顶表面141的边缘SD1连接覆盖部163的一侧，且从微型元件140的边缘SD1往固定部161a的宽度变化是逐渐增加。固定结构160的连接部162b是从微型元件140的顶表面141的边缘SD3连接覆盖部163的另一侧，且连接部162b从微型元件140的边缘SD3往固定部161b的宽度变化是逐渐增加。换句话说，连接部162a在微型元件140的顶表面141相对应的边缘SD1上具有最小宽度W1，且连接部162b在微型元件140的顶表面141相对应的边缘SD3上具有最小宽度W2。较佳地，连接部162a、162b在边缘SD1、SD3的最小宽度W1、W2与相对应的边缘SD1、SD3的长度的比值介于0.01至0.6之间。当比值小于0.01时，固定结构160无法有效地固定微型元件140，即固定结构160所提供的固定力不够大；反之，当比值大于0.6时，固定结构160所提供的固定力太大，导致无法顺利地从基板120上拾取微型元件140。其中最小宽度W1、W2例如是小于等于20微米。更具体来说，从俯视方向观看下，本实施例的固定结构160的连接部162a、162b的外型轮廓为曲线轮廓，但并不以此为限。特别说明的是，固定结构160在顶表面141上的正投影面积与微型元件140的顶表面141的表面积的比值例如是大于等于0.01且小于等于0.6。小于0.01时，固定结构160所提供的固定力不够大；大于0.6时，将可能造成固定结构160接触到第一型电极144，影响后续转移到线路基板(未示出)的良率。
需要说明的是，当从基板120上拾取微型元件140时，拾取的力(如：下压力或上拉力)会使固定结构160产生断裂。由于连接部162a、162b具有最小宽度W1、W2的位置是在对应的微型元件140的边缘SD1、SD3上，因此可以使固定结构160的断裂点尽量地接近或实质上位于微型元件140的边缘SD1、SD3，以降低固定结构160断不干净或残留的问题，进而可以提升微型元件140的运输与转移的良率。
在一些实施例中，若固定结构160的连接部162a、162b直接覆盖于微型元件140的其中一个或多个角落C1、C2、C3、C4，也可以使连接部162a、162b在所覆盖的角落C1、C2、C3、C4或对应的边缘SD1、SD2、SD3、SD4(如：角落C1所对应的边缘SD1、SD4)具有最小宽度，而可以提升微型元件140的运输与转移的良率。
请再同时参考图1A与图1B，在本实施例中，固定结构160的连接部162a、162b更直接接触微型元件140的周围表面143，但本发明不限于此。从俯视方向观看下，固定结构160的覆盖部163连续地连接在微型元件140的顶表面141上，且覆盖部163从连接部162a、162b往微型元件140的顶表面141的中心141P方向的宽度变化逐渐变小。也就是说，覆盖部163的中心宽度W3小于连接部162a、162b在顶表面141相对应的边缘SD1、SD3的宽度(即，最小宽度W1、W2)。如此一来，在通过曝光蚀刻制程以形成固定结构160的过程中，纵使具有不预期的细微偏移，例如是沿D1方向的偏移，也可以使固定结构160配置于微型元件140的顶表面141而不至于偏移至其他位置，也可以使固定结构160的连接部162a、162b在微型元件140的边缘SD1、SD3与固定部161a、161b间的最小宽度W1、W2可以最窄，藉此可以提升固定结构160的制程裕度(process window)。
在本实施例中，固定结构160的固定部161a和161b直接接触基板，但本发明不限于此。此外，微型元件140与基板120之间可以不具有任何构件(如：微型元件140与基板120之间在非真空状态下具有空气间隙/气体间隙)，上述仍属于本发明所欲保护的范围。
在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参照前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
图2A示出为本发明第二实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。图2B示出为图2A的微型元件结构的剖面示意图。在此需说明的是，图2B的微型元件结构200是沿图2A的B-B’剖线所示出。本实施例的微型元件结构200与第一实施例的微型元件结构100相似，两者的差异在于：微型元件结构200还包括至少一缓冲结构(图2A中示意地示出多个缓冲结构280a、280b)。缓冲结构280a、280b配置于固定结构260的固定部261a、261b与基板120之间，其中固定部261a、261b通过缓冲结构280a、280b连接至基板120上。
具体而言，缓冲结构280a、280b远离微型元件140，也即缓冲结构280a、280b不直接接触微型元件140。缓冲结构280a、280b的相对两侧分别直接接触固定结构260与基板120。也就是说，本实施例的固定结构260并不是直接接触基板120，而是通过缓冲结构280a、280b而连接于基板120上。此处，固定结构260在基板120上的正投影重叠于缓冲结构280a、280b在基板120上的正投影。较佳地，在一单位面积U内，缓冲结构280a、280b在基板120上的正投影面积与固定结构260在基板120上的正投影面积的比值例如是介于0.2至0.9之间。小于0.2缓冲结构的缓冲力不够；大于0.9缓冲结构与固定结构之间的连接太大会影响后续的拾取。更佳地，在单位面积U内，缓冲结构280a、280b在基板120上的正投影面积与对应缓冲结构280a、280b位置的固定部261a、261b在基板120上的正投影面积的比值例如是介于0.5至0.9之间，使得缓冲结构280a、280b可提供更大范围的缓冲且不至于影响后续的拾取。
在本实施例中，固定结构260的材质不同于缓冲结构280a、280b的材质，且固定结构260的杨式模量大于缓冲结构280a、280b的杨式模量，藉此缓冲结构280a、280b具有缓冲的功能。此处，固定结构260的材质例如是无机材料，且缓冲结构280a、280b的材质例如是有机材料。
如图2A所示，缓冲结构280a、280b在基板120上的正投影不重叠于微型元件140在基板120上的正投影，因此缓冲结构280a、280b可在吸收固定结构260在固持微型元件140进行运输与转移时所受到外力，以提高运输与转移的良率的情况下，不影响微型元件140的拾取良率。较佳地，缓冲结构280a、280b在基板120上的正投影与微型元件140在基板120上的正投影相隔的一最小距离L3，最小距离L3可以小于等于10微米，但本发明不限于此。
此外，如图2B所示，本实施例的固定结构260、基板120、微型元件140以及缓冲结构280a、280b之间具有一空气间隙G1。此处，固定结构260的连接部262a、262b并未完全覆盖微型元件140的周围表面143。其中，微型元件140与基板120之间的垂直距离H1是依据微型元件140的高度来做设计。较佳地，垂直距离H1大于0且小于微型元件140的高度的0.5倍。若垂直距离H1大于微型元件140的高度的0.5倍，固定结构260的高低落差过大，不易制作且会产生断裂现象。一般来说垂直距离H1是介于0.1微米至5微米之间。
图3示出为本发明第三实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。本实施例的微型元件结构300与第一实施例的微型元件结构100相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构360的连接部362a、362b的外型轮廓为直线轮廓
具体而言，从俯视方向观看下，覆盖部363、连接部362a、362b及固定部361a、361b所构成的形状例如是哑铃形。固定结构360连续地连接于微型元件140的顶表面141上，且覆盖部363从连接部362a、362b往元件的顶表面141的中心141P方向的宽度变化为先逐渐变小，再趋于一致。如此一来，在通过曝光蚀刻制程以形成固定结构360的过程中，纵使具有不预期的细微偏移，例如是沿D1方向的偏移，也可以使固定结构160配置于微型元件140的顶表面141而不致于偏移至其他位置，也可以使固定结构360的连接部362a、362b在微型元件140的边缘SD1、SD3与固定部361a、361b间的宽度为最窄(即最小宽度W1、W2)，藉此可以提升固定结构360的制程裕度。
图4A示出为本发明第四实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。图4B示出为图4A的微型元件结构的剖面示意图。在此需说明的是，图4B的微型元件结构400是沿图4A的C-C’剖线所示出。本实施例的微型元件结构400与第二实施例的微型元件结构200相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件440的第一型电极444与第二型电极445位于同一表面上。此处，微型元件440的第一型电极444与第二型电极445位于底表面442上。固定结构460的形状例如是绑带形。具体而言，从俯视方向观看下，固定结构460连续地连接于微型元件440的顶表面441上，且覆盖部463的中心宽度W3大于连接部462a、462b在顶表面141相对应的边缘SD1、SD3的宽度(即最小宽度W1、W2)。此处，较佳地，固定结构460的在微型元件440的顶表面441的正投影面积与微型元件440的顶表面441的表面积的比值大于等于0.5且小于1。较佳地，固定结构460的在微型元件440的顶表面441的正投影面积与微型元件440的顶表面441的表面积的比值大于0.7且小于1。值得一提的是，由于本实施例的固定结构460的覆盖部463几乎布满微型元件440的顶表面441，因此可增加微型元件440在后续转移时的平整度。
图5示出为本发明第五实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。本实施例的微型元件结构500与第一实施例的微型元件结构100相似，两者的差异在于：本实施例的各个固定结构560皆具有二个彼此分离的覆盖部563a、563b。也就是说，本实施例的覆盖部563a、563b的结构为非连续性的结构。
更具体来说，固定结构560的二个覆盖部563a、563b分别位于相对的两个边缘SD1、SD3上，而连接部562a在微型元件140的顶表面141相对应的边缘SD2上具有最小宽度W1，且连接部562b在微型元件140的顶表面141相对应的边缘SD4上具有最小宽度W2。覆盖部563a、563b从对应的连接部562a、562b往微型元件140的顶表面141的中心141P方向的宽度变化逐渐变小，而可以提升固定结构560的制程裕度。
从俯视方向观看下，固定结构560不重叠该微型元件140的顶表面141的中心141P，且微型元件140的顶表面141的中心141P至每一个覆盖部563a、563b的最小距离L1可以相同，但本发明不限于此。较佳地，微型元件140的顶表面141的中心141P至每一个覆盖部563a、563b的最小距离L1可以小于等于1/2的边缘SD2、SD4的长度，可有较佳固定力，但本发明不限于此。此外，如图5所示，每一个覆盖部563a、563b至微型元件140的顶表面141的边缘SD1、SD3具有一最大距离L2。较佳地，最大距离L2与边缘SD1、SD3的长度的比值小于等于0.2。大于0.2时会使固定力太大，影响后续的拾取转移。特别说明的是，最大距离L2可以小于等于10微米。
图6A示出为本发明第六实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。图6B示出为一种微型元件结构的剖面示意图。需要说明的是，图6B为沿图6A的剖线D-D’所示出。本实施例的微型元件结构600与第五实施例的微型元件结构200相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构660部分配置在顶表面641上。更具体来说，从俯视观之，本实施例的微型元件640具有彼此相邻的一第一侧边S1与一第二侧边S2，第一侧边S1的长度L4小于第二侧边S2的长度L5，固定结构660的连接部662a、662b及覆盖部663a、663b分别配置于相对的第一侧边S1上，也即固定结构660配置于微型元件640的相对较短边上，通过固定结构660配置于微型元件640的相对较短边，可以使微型元件640排列更密集，减少微型元件640的制作成本。特别说明的是，如图6B所示，固定结构660不共平面。具体而言，固定结构660的连接部662a、662b及覆盖部663a、663b不共平面，避免固定结构660配置于微型元件640的落差上，增加制作时的制程裕度。
此外，本实施例的微型元件结构600更包括至少一缓冲结构(图6A和图6B中示意地示出多个缓冲结构680a、680b、680c)。缓冲结构680a、680b、680c配置于固定结构660与基板120之间，以使固定结构660通过缓冲结构680a、680b、680c连接至基板120。在本实施例中，缓冲结构680a、680b、680c的配置方式与前述实施例的缓冲结构(如：第二实施例中的缓冲结构280a、280b)的配置方式可以相同或相似，故在此不加以赘述。
图7示出为本发明第七实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。本实施例的微型元件结构700与第一实施例的微型元件结构100相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构760的覆盖部763具有多个反曲点763p，且覆盖部763从反曲点763p往连接部162a、162b的宽度变化为逐渐变宽。换言之，固定结构760的覆盖部763在反曲点763p的位置具有最小宽度W4。较佳地，覆盖部763的中心宽度W3大于连接部162a、162b在顶表面641相对应的边缘SD1、SD3的一宽度(即最小宽度W1、W2)，可以避开第一型电极644且布满微型元件140的顶表面641，增加微型元件140在后续转移时的平整度。通过上述反曲点763p，在通过曝光蚀刻制程以形成固定结构760的过程中，纵使具有不预期的细微偏移，可以使固定结构760配置于微型元件140的顶表面641而不致于偏移至其他位置，也也可以使固定结构760的连接部162a、162b在微型元件140的边缘SD1、SD3的宽度为最窄(即最小宽度W1、W2)，藉此可以提升固定结构760的制程裕度。特别说明的是，此处固定结构760通过顶表面641的中心641P，使得固定结构760可以更牢固的固持微型元件140。
图8示出为本发明第八实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。本实施例的微型元件结构800与第四实施例的微型元件结构400相似，两者的差异在于：本实施例的每一个固定结构860具有多个连接部(图8中示意地示出四个862a、862b、862c、862d)，且连接部862a、862b、862c、862d从微型元件840的角落C1、C2、C3、C4延伸而连接于覆盖部863与固定部861之间。
从俯视方向观看下，其中连接部862a、862b、862c、862d分别直接接触微型元件840的顶表面841的四个角落C1、C2、C3、C4。具体来说，连接部862a直接接触顶表面841的角落C1并连接固定部861与覆盖部863，连接部862b直接接触顶表面841的角落C2并连接固定部861与覆盖部863，连接部862c直接接触顶表面841的角落C3并连接固定部861与覆盖部863，连接部862d直接接触顶表面841的角落C4并连接固定部861与覆盖部863。需要说明的是，本实施例是将固定结构860的连接部861a、861b、861c、861d设置在微型元件840的顶表面841的对角位置。藉此设计可节省配置多个固定结构860所需要的空间，并使多个微型元件840能密集排列，进而减少成本。另须说明的是，在其他未示出实施例中，并不限定固定结构配置于微型元件的角落数，只要是固定结构配置于微型元件的顶表面的角落处，使多个微型元件能密集排列，皆属本发明的范围。
图9示出为本发明第九实施例的一种微型元件结构的俯视示意图。本实施例的微型元件结构900与第八实施例的微型元件结构800相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构900的各个固定结构960具有二个连接部962a、962b。连接部962a直接接触微型元件840的顶表面841的角落C2并连接固定部861与覆盖部863，而连接部962b直接接触顶表面841的角落C4并连接固定部861与覆盖部863。
图10示出为本发明第十实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图1B与图10，本实施例的微型元件结构1000与第一实施例的微型元件结构100相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构1000间具有缓冲层170。换言之，本实施例的微型元件140、固定结构1060以及基板120之间可以不具有空气间隙。此处，固定结构1060的固定部1061直接接触基板120，且固定结构1060的连接部1062直接接触微型元件140的周围表面143，缓冲层170直接接触固定结构1060与微型元件140。缓冲层170可吸收微型元件140接合至基板120上时所产生应力，以提高接合良率。换言之，缓冲层170可提供微型元件140与基板120之间应力缓冲的效果。较佳的，缓冲层170的杨氏模量小于固定结构1060的杨氏模量。此处，缓冲层170的材质包括一发泡材料或有机高分子材料，而使缓冲层170具有多个不规则的空气孔洞，其中由发泡材料所构成的缓冲层170的孔隙率可以大于等于50％，可提供良好的缓冲效果。
图11示出为本发明第十一实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图10与图11，本实施例的微型元件结构1100与第十实施例的微型元件结构1000相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构1100的固定结构1160的连接部1162不直接接触微型元件140的周围表面143。
图12示出为本发明第十二实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图11与图12，本实施例的微型元件结构1200与第十一实施例的微型元件结构1100相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构1260的固定部1261更延伸覆盖在微型元件140的部分底表面142上。也就是说，固定结构1260的固定部1261延伸接触微型元件140的底表面142。
图13示出为本发明第十三实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图11与图13，本实施例的微型元件结构1300与第十一实施例的微型元件结构1100相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构1360的固定部1361更延伸配置于微型元件140的部分底表面142上。也就是说，固定结构1360的固定部1361延伸接触微型元件140的底表面142。
图14示出为本发明第十四实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图11与图14，本实施例的微型元件结构1400与第十一实施例的微型元件结构1100相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构1460的固定部1461未切齐微型元件140的周围表面143。也就是说，微型元件140于基板120上的正投影不重叠于固定结构1460的固定部1461在基板120上的正投影。
图15示出为本发明第十五实施例的微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图11与图15，本实施例的微型元件结构1500与第十一实施例的微型元件结构1100相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构1560的连接部1562未完全覆盖微型元件140的周围表面143。也就是说，固定结构1560的连接部1562仅覆盖部分周围表面143，所以微型元件140于基板120上的正投影不重叠于固定结构1560的连接部1562于基板120上的正投影。
图16示出为本发明第十六实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图10与图16，本实施例的微型元件结构1600与第十实施例的微型元件结构1000相似，两者的差异在于：本实施例的固定结构1660的覆盖部1663a、1663b有多个且彼此分离。
图17示出为本发明第十七实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图10与图17，本实施例的微型元件结构1700与第十实施例的微型元件结构1000相似，两者的差异在于：在本实施例中，相邻两微型元件140、140’通过固定结构1760、1760’的固定部1761、1761’而连接在一起。在未示出的实施例中，固定部1761、1761’也可以不互相连接，在此并不为限。
图18示出为本发明第十八实施例的一种微型元件结构的剖面示意图。请同时参照图10与图18，本实施例的微型元件结构1800与第十实施例的微型元件结构1000相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件结构1800分别更包括多个缓冲结构1880、1880’，其中微型元件140、140’的固定结构1860、1860’分别通过缓冲结构1880、1880’而连接至基板120，且相邻两微型元件140、140’通过固定结构1860、1860’的固定部1861、1861’而连接在一起。
图19示出为本发明第十九实施例的一种微型元件结构的微型元件的剖面示意图。请同时参照图4B与图19，本实施例的微型元件结构1900的微型元件940包括第一型半导体层947、发光层946、第二型半导体层948、绝缘层949、通孔T、第一型电极944以及第二型电极945。具体而言，通孔T依序贯穿第二型半导体层948、发光层946以及第一型半导体层947的一部分。绝缘层949覆盖周围表面943、部分底表面942以及通孔T的内壁。固定结构1960直接接触顶表面941与位于周围表面943上的绝缘层949。第一型电极944以及第二型电极945配置于底表面942上，且第一型电极944填入通孔T内并与第一型半导体层947电性连接，而第二型电极945穿过底表面942上的绝缘层949并与第二型半导体层948电性连接。
更具体而言，在本实施例中，固定结构1960的材质不同于绝缘层949的材质。此处，绝缘层949的材质例如是二氧化硅、氮化硅、氧化硅玻璃(SOG)或相似材料，但不以此为限。较佳地，固定结构1960的硬度等于或低于绝缘层949的硬度，固定结构1960的厚度小于或等于绝缘层949的厚度。藉此设计，可避免微型元件940在转移时，固定结构1960与绝缘层949同时被拔除。此外，在本实施例中，固定结构1960的重心低于微型元件940的重心，且固定结构1960在微型元件940的顶表面941以及周围表面943的角度相同，可更有效固定微型元件940于基板120上。
另须说明的是，当微型元件结构100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400、1500、1600、1700、1800、1900中的微型元件140、140'、440、640、840、940从基板120上拾取并运输与转移至线路基板2020(请参考图20)上放置后，仅有部分固定结构160、260、360、460、560、660、760、860、960、1060、1160、1260、1360、1460、1560、1660、1760、1760'、1860、1860'、1960仍会覆盖在微型元件140、140'、440、640、840、940的顶表面141、441、641、841、941或部分周围表面143、943上，其相关实施例将于以下方进行说明。
图20示出为本发明一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。请参照图20，将多个微型元件140转移至线路基板2020上，而形成微型元件装置2000。微型元件装置2000例如为微型发光二极管显示器或其他具有显示器的电子装备。此处，微型元件140示出为覆晶式微型发光二极管，可以是相同色光的发光二极管或是不同色光的发光二极管，在此并不加以限制。也就是说，微型元件140以覆晶的方式电性连接至线路基板2020上。原本在微型元件140的顶表面141上的固定结构，在拾取微型元件140后，可以仅剩下一部分，即为导光结构2050。在一些未示出的实施例中，导光结构也可以同时配置在微型元件的顶表面与部分周围表面上。此处，线路基板2020可例如是显示背板或其他具有电路的基板。
图21示出为本发明另一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。请同时参照图20与图21，本实施例的微型元件装置2100与图20的微型元件装置2000相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件装置2100更包括导光层2110。具体而言，导光层2110配置于微型元件140上，且导光结构2050与微型元件140分别位与导光层2110的相对两侧，其中导光层2110直接接触微型元件140的顶表面141。较佳地，导光层2110同形配置于微型元件140上，且导光结构2050同形配置于导光层2110上。
在本实施例中，微型元件140的折射率可以大于导光层2110的折射率，和/或导光层2110的折射率可以大于等于导光结构2050的折射率。藉此设计，可避免微型元件140发出的光在导光层2110与微型元件140之间的界面和/或导光结构2050与导光层2110之间的界面产生全反射，进而可提高微型元件140的出光率。此处，导光层2110的材质可不同于导光结构2050微型元件140的材质，其中导光层2110的材质例如是二氧化硅、氮化硅、氧化硅玻璃(SOG)或其组合，但不以此为限。此外，本实施例的导光层2110的杨式模量小于微型元件140的杨式模量。导光结构2050于微型元件140的顶表面141上的正投影面积等于导光层2110于顶表面141上的正投影面积，但不以此为限。
图22示出为本发明又一实施例的一种微型元件结构转移至线路基板上的剖面示意图。请同时参照图21与图22，本实施例的微型元件装置2200与图21的微型元件装置2100相似，两者的差异在于：本实施例的微型元件装置2200的导光结构2250在顶表面141上的正投影面积小于导光层2110在顶表面141上的正投影面积。较佳地，导光结构2250在顶表面141上的正投影面积与导光层2110在顶表面141上的正投影面积的比值为介于0.8至1之间。
综上所述，在本发明的微型元件结构的设计中，从俯视方向观看下，固定结构的连接部沿水平方向延伸而连接于覆盖部与固定部之间，且连接部从微型元件的边缘或角落往固定部的宽度变化是逐渐增加。也就是说，固定结构的连接部在微型元件的边缘或角落的宽度可以最窄。藉此设计，可使得微型元件在不同的暂时基板之间的运输与转移时，可以控制固定结构的断裂点可以接近微型元件的边缘或角落，以降低固定结构断不干净或残留的问题，而可以提升微型发光二极管的运输与转移的良率。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

Claims (22)

1.一种微型元件结构，其特征在于，包括：
基板；
至少一微型元件，配置于所述基板上，且具有远离所述基板的顶表面；以及
至少一固定结构，配置于所述基板上，且所述固定结构包括：
至少一连接部，配置于所述微型元件的至少一边缘；以及
至少一固定部，连接所述连接部且延伸至所述基板，其中从俯视方向观看下，所述连接部从所述微型元件的所述边缘往所述固定部的宽度渐增。
2.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，从俯视方向观看下，所述固定结构的所述连接部的外型轮廓为曲线轮廓。
3.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，从俯视方向观看下，所述固定结构的所述连接部的外型轮廓为直线轮廓。
4.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述微型元件包括第一型电极与第二型电极，而所述第一型电极与所述第二型电极位于相对于所述顶表面的底表面上。
5.根据权利要求4所述的微型元件结构，其特征在于，所述固定结构在所述顶表面的正投影面积与所述微型元件的所述顶表面的面积的比值大于等于0.5且小于1。
6.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述微型元件包括第一型电极与第二型电极，而所述第一型电极或所述第二型电极位于所述顶表面上。
7.根据权利要求6所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一固定结构在所述顶表面的正投影面积与所述微型元件的所述顶表面的面积的比值大于等于0.01且小于等于0.5。
8.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述固定结构还包括至少一覆盖部，配置于所述微型元件的所述顶表面上，且所述连接部连接于所述覆盖部与所述固定部之间。
9.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，所述覆盖部的中心宽度大于所述连接部在所述顶表面相对应的所述边缘的宽度。
10.根据权利要求9所述的微型元件结构，其特征在于，所述覆盖部具有多个反曲点，且所述覆盖部从所述多个反曲点往所述连接部的宽度渐增。
11.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，所述覆盖部的中心宽度小于所述连接部在所述顶表面相对应的所述边缘的宽度。
12.根据权利要求11所述的微型元件结构，其特征在于，所述覆盖部往所述连接部的宽度渐增。
13.根据权利要求8所述的微型元件结构，其特征在于，所述至少一覆盖部包括多个覆盖部，且所述多个覆盖部彼此分离。
14.根据权利要求13所述的微型元件结构，其特征在于，所述微型元件的所述顶表面的中心至每一所述多个覆盖部的最小距离相同。
15.根据权利要求13所述的微型元件结构，其特征在于，所述微型元件的所述顶表面的中心至每一所述多个覆盖部的最小距离小于等于1/2的所述顶表面的最短边长。
16.根据权利要求13所述的微型元件结构，其特征在于，每一所述多个覆盖部至所述顶表面的所述边缘具有最大距离，且所述最大距离与对应的所述微型元件的所述边缘的长度的比值小于等于0.2。
17.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，所述连接部在所述边缘的宽度与所述边缘的长度的比值介于0.01至0.6之间。
18.根据权利要求1所述的微型元件结构，其特征在于，还包括：
至少一缓冲结构，配置于所述固定结构的所述固定部与所述基板之间，其中所述固定部通过所述缓冲结构连接至所述基板上。
19.根据权利要求18所述的微型元件结构，其特征在于，所述固定结构的材质不同于所述至少一缓冲结构的材质，且所述固定结构的杨式模量大于所述缓冲结构的杨式模量。
20.根据权利要求18所述的微型元件结构，其特征在于，所述缓冲结构远离所述微型元件。
21.根据权利要求20所述的微型元件结构，其特征在于，所述缓冲结构在所述基板上的正投影与所述微型元件在所述基板上的正投影具有最小距离，而所述最小距离小于等于10微米。
22.根据权利要求18所述的微型元件结构，其特征在于，在单位面积内，所述缓冲结构在所述基板上的正投影面积与所述固定结构在所述基板上的正投影面积的比值介于0.2至0.9之间。
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