CN111599908B - 发光装置以及制造发光装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光装置以及其制造方法，一个实施例的发光装置包括基板、发光单元以及光调整层。发光单元设置在基板上，且发光单元包括光输出表面。光调整层设置在发光单元上，且光调整层包括第一部分以及连接于第一部分的第二部分。其中，第一部分仅部分覆盖光输出表面，第二部分不覆盖光输出表面。

Description

发光装置以及制造发光装置的方法
技术领域
本发明涉及一种发光装置以及其制造方法，特别是涉及一种具有光调整层以使发射光均匀的发光装置以及其制造方法。
背景技术
随着电子装置的演进与发展，电子装置在现今社会中已成为不可或缺的物品。举例而言，作为一种电子装置的发光装置已被用于任何适合的具有显示功能的电子产品中，例如电视、屏幕、笔记本电脑、智能手机、手表以及车用显示器等，以提供更方便的信息传递与显示。
一般而言，电子装置可具有发光单元，例如发光二极管(light-emitting diode,LED)，以发射光线。各个发光单元的边缘区域可能会因为如蚀刻等制造过程而受损，因此导致发射光过度集中。另外，当发光单元的尺寸缩小以提高分辨率或缩小电子装置的尺寸时，损伤区域并不会对应缩小。因此，发光单元会具有高比例的损伤区域，使得光线集中的现象会更加严重，因而导致光线不均匀及/或光输出量低。
发明内容
在一实施例中，本发明提供了一种发光装置，其包括基板、发光单元以及光调整层。发光单元设置在基板上，且发光单元包括光输出表面。光调整层设置在发光单元上，且光调整层包括第一部分以及连接于第一部分的第二部分。第一部分仅部分覆盖光输出表面，第二部分不覆盖光输出表面。
在另一实施例中，本发明提供了一种发光装置，其包括基板、发光单元以及光调整层。发光单元设置在基板上，且发光单元包括光输出表面。光调整层设置在发光单元上，且光调整层包括第一部分以及连接于第一部分的第二部分，其中光调整层包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。第一部分覆盖光输出表面，第二部分不覆盖光输出表面。
在另一实施例中，本发明提供了一种制造发光装置的方法，其包括以下步骤：提供第一基板，其支撑发光单元以及设置在发光单元上的光调整层，其中发光单元包括光输出表面，且光调整层包括第一部分以及连接于第一部分的第二部分；提供第二基板；以及将发光单元与光调整层转移至第二基板。第一部分覆盖光输出表面，第二部分不覆盖光输出表面。
在阅读了下文绘示有各种附图的实施例的详细描述之后，对于所属领域的技术人员来说，应可清楚明了本发明的目的。
附图说明
图1所示为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图。
图2A所示为本发明第一实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。
图2B与图2C所示分别为对于图1的发光单元与光调整层的变化实施例的俯视示意图。
图3至图6所示分别为本发明第一实施例的变化实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。
图7至图12所示分别为本发明第一实施例的发光装置的制造方法中的过程状态的剖视示意图。
图13所示为本发明第二实施例的发光装置的剖视示意图。
图14所示为本发明第二实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。
图15所示为本发明第三实施例的发光装置的剖视示意图。
图16所示为本发明第三实施例的变化实施例的发光装置的俯视示意图。
图17所示为本发明第四实施例的发光装置的剖视示意图。
图18所示为本发明第四实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。
图19所示为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图。
图20A所示为本发明第五实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。
图20B所示为本发明第五实施例的变化实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。
附图标记说明：100、200、300、300'、400、500-发光装置；110-基板；120-电路层；122-接合垫；130-发光单元；130n、138-2A、138-2B-部分；130s-光输出表面；130s1-上表面；130s2-侧表面；130s3-底表面；132-第一半导体层；134-发光层；136-第二半导体层；138-1-第一电极；138-2-第二电极；139a-内部连接件；139b-内部绝缘体；140-光调整层；140P-初步光调整层；142-第一部分；142b-第一底表面；142t-第一上表面；144-第二部分；144b-第二底表面；144t-第二上表面；310-光学层；312-凸状结构；322-边缘；410-透明导电层；412-电极连接件；A1、A2-1、A2-2、A3-投影面积；AL、CAL-黏着层；BE-接合元件；C1、C2-中心线；CL-覆盖层；CS-乘载基板；D1-第一方向；D2-第二方向；E1、E2-延伸线；GS-成长基板；IL-绝缘层；L-最短距离；OAL-对向黏着层；SP-间隔物；TAL-转移黏着层；TS-转移基板；θ1、θ2-角度。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“包括”、“包含”及“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为…”之意。因此，当本发明的描述中使用术语“包括”、“包含”及/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。在本发明中，若没有额外描述，词语“覆盖”可意指“部分覆盖”或“完全覆盖”。
当相应的构件例如膜层或区域被称为“在另一个构件(或其变化型)上”或“延伸到另一个构件”时，它可以直接在另一个构件上或直接延伸到另一个构件，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件(或其变化型)上”或“直接延伸到另一个构件”时，则两者之间不存在任何构件。
应当理解到，当构件或膜层被称为“连接至”另一个构件或膜层时，它可以直接连接到此另一构件或膜层，或者两者之间存在有其他构件或膜层。当构件被称为“直接连接至”另一个构件或膜层时，两者之间不存在有其他构件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变化型)”时，它可以是直接地连接到此另一构件，或者可以是通过一或多个构件间接地连接(例如电性连接)到此另一构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以构成其他实施例。
在本发明中，发光装置可为任何适合的可发光的电子装置。在一些实施例中，发光装置可为具有显示功能的电子装置，例如发光二极管(light-emitting diode,LED)显示器、微型发光二极管(micro LED)、次毫米发光二极管(mini LED)显示器、有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器，量子点发光二极管(quantum dotslight-emitting diode,QLED)显示器，可挠式显示器或任何适合的自发光显示器。或者在一些实施例中，发光装置可为具有显示功能的电子装置中的一元件，例如液晶(liquidcrystal,LC)显示器的背光模块。
请参考图1与图2A，图1所示为本发明第一实施例的发光装置的剖视示意图，图2A所示为本发明第一实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。如图1与图2A所示，本实施例的发光装置100包括基板110、电路层120、一个或多个发光单元130以及光调整层140。基板110可为硬质基板，例如玻璃基板、塑料基板、石英基板、蓝宝石基板、电路板(如印刷电路板)或其他适合的硬质基板。或者基板110可为可挠式基板，例如包括聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)及/或其他适合的材料，但不以此为限。基板110的类型或材料可根据发光装置100的应用来选择。举例而言，若发光装置100作为非可挠式的微型发光二极管显示器，则基板110例如可为玻璃基板，而若发光装置100作为背光模块，则基板110例如可为电路板，但不以此为限。
根据本实施例，电路层120设置在基板110上，多个发光单元130设置在电路层120上，电路层120用以驱动发光单元130以发射光线。详细而言，电路层120可包括至少一导电层、至少一绝缘层及/或至少一半导体层以形成多个电子元件，例如走线、薄膜晶体管、电容及/或其他适合的元件，发光单元130分别电连接至其中至少一个电子元件。导电层可包括金属及/或透明导电材料，而透明导电材料可包括氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)及/或其他适合的导电材料。绝缘层的材料可包括氧化硅、氮化硅及/或氮氧化硅。半导体层的材料可包括低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)、氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)或非晶硅(amorphoussilicon,a-Si)，但本发明不以此为限。
电路层120可包括至少一接合垫122，由顶层的导电层所形成，发光单元130通过接合垫122电连接于包括在电路层120中的电子元件。另外，本实施例的发光装置100可另包括集成电路(图未示)，电连接于发光单元130以及包括在电路层120中的电子元件，使得集成电路与电路层120的电子元件可驱动发光单元130以发射光线，但不以此为限。在一些实施例中，电路层120的电子元件可形成驱动电路以驱动发光单元130。
发光单元130可为发光二极管、微型发光二极管、次毫米发光二极管、有机发光二极管、量子点发光二极管或其他适合的发光元件。举例而言，若发光装置100作为自发光显示器，则发光单元130可为设置在子像素中的元件；若发光装置100作为背光模块，则发光单元130可为提供背光的元件，但不以此为限。在本实施例中，如图1所示，发光单元130可包括第一半导体层132、设置在第一半导体层132上的发光层134以及设置在发光层134上的第二半导体层136。举例来说，第一半导体层132可为P型半导体层，第二半导体层136可为N型半导体层，发光层134可为多重量子井(multiple quantum well,MQW)，但不以此为限。发光单元130可依据发光二极管的类型与发射光的颜色而包括适合的材料。此外，发光单元130包括第一电极138-1以及第二电极138-2，第一电极138-1电连接于第一半导体层132，第二电极138-2电连接于第二半导体层136。在本实施例中，发光单元130为覆晶(flip-chip)类型，因此第一电极138-1与第二电极138-2设置在发光单元130的同一侧，且第一电极138-1与第二电极138-2通过接合元件BE分别电连接于电路层120中的一个接合垫122。第二电极138-2通过内部连接件139a电连接于第二半导体层136，内部连接件139a通过内部绝缘体139b而与第一半导体层132分隔，但连接方式不以此为限，第一电极138-1与第二电极138-2的位置可依据需求而调整。此外，第一电极138-1与第二电极138-2的材料可为金属，但不以此为限。另外，发光单元130举例可选择性地包括缓冲层或其他适合的膜层。
在本发明中，发光单元130包括光输出表面130s(如图1中的粗线所示)，而光输出表面130s定义为由发光层134发射的光可通过的表面。举例而言，在图1中，当第一电极138-1与第二电极138-2包括金属而可遮蔽由发光层134发射的光时，第一电极138-1与第二电极138-2所占据的表面并不属于光输出表面130s。
各发光单元的边缘区域可能会因为例如蚀刻制程而被损伤，因此导致发射光过度集中。另外，当发光单元的尺寸缩小时，发光单元会具有高比例的损伤区域，使得光线集中的现象会更加严重，因而导致光线不均匀及/或光输出量低。依据一些实施例，为了使发光单元130的发射光均匀，将光调整层140设置在发光单元130上，以调整发射光的光路径。在本发明的一些实施例中，光调整层140的设置与设计可造成更均匀的光线及/或有效的光输出。光调整层140所具有的折射率不同于发光单元130的顶层(例如第二半导体层136)的折射率。举例来说，发射光可透过光调整层140而散射，但不以此为限。在一些实施例中，光调整层140可包括无机绝缘材料。例如，无机绝缘材料可包括氮化硅、氧化硅、氧化铝、氧化钛或其组合，但不以此为限。在一些实施例中，光调整层140可包括有机绝缘材料。此外，光调整层140可为单层结构或多层结构，其中多层结构可包括多个无机绝缘层、多个有机绝缘层或至少一无机绝缘层与至少一有机绝缘层的组合。
详细而言，如图1与图2A所示，光调整层140包括第一部分142与第二部分144，第二部分144可定义为不覆盖光输出表面130s的部分，第一部分142可为除了第二部分144以外的部分。详细而言，第一部分142可覆盖发光单元130的光输出表面130s。在一些实施例中，第一部分142可完全覆盖光输出表面130s；在一些实施例中，第一部分142可部分覆盖光输出表面130s。第二部分144连接于第一部分142，且不覆盖发光单元130的光输出表面130s。根据一些实施例，如图1所示，一个单独的发光单元130由一个单独的光调整层140所覆盖，但不以此为限。也就是说，覆盖一个发光单元的光调整层与覆盖另一个发光单元的光调整层可为不连续的。在一些实施例中，在俯视方向上，第一部分142的投影面积(A1)可大于第二部分144的投影面积(A2-1与A2-2的总和)。在一些实施例中，第一部分142的投影面积(A1)对光输出表面130s的投影面积(A3)的比值可大于或等于1/10且小于1，但不以此为限。
另外，在一些实施例中，如图1与图2A所示，第一部分142仅部分覆盖光输出表面130s。由于光输出表面130s并未完全被覆盖，因此发光单元130所产生的热可有效的消散。详细而言，光输出表面130s为包括发光单元130的外轮廓的表面，但若电极138-1、138-2包括金属，则光输出表面130s排除被电极138-1、138-2所占据的部分。光输出表面130s包括上表面130s1、侧表面130s2与底表面130s3，如图2A所示，光调整层140的第一部分142可覆盖光输出表面130s的上表面130s1的一部分以及侧表面130s2的一部分。详细而言，在图2A的俯视图中，光调整层140沿第一方向D1延伸，第一部分142与第二部分144在第一方向D1上互相连接。第一部分142仅部分覆盖发光单元130，发光单元130的一部分(标示为130n)并未被第一部分142重叠。
此外，依据一变化实施例，图2B显示图1的发光单元与光调整层的俯视示意图。如图1与图2B所示，光调整层140的第一部分142可覆盖光输出表面130s整个上表面130s1以及整个侧表面130s2。详细而言，在图2B的俯视图中，第一部分142可完全重叠发光单元130，第二部分144可沿着第一方向D1与第二方向D2延伸而环绕第一部分142，其中第一方向D1与第二方向D2可彼此垂直。另外，依据一变化实施例，图2C显示图1的发光单元与光调整层的俯视示意图。如图1与图2C所示，光调整层140的第一部分142可覆盖光输出表面130s的整个上表面130s1以及侧表面130s2的一部分。详细而言，在图2C的俯视图中，第一部分142可完全重叠发光单元130，第二部分144仅存在于第一方向D1上，但不存在于第二方向D2上。
另一方面，发射光的一部分可被调整且通过光调整层140的第二部分144，因此第二部分144可使观看视角更宽广(即广视角)。根据一些实施例，第二部分144的投影面积(A2-1与A2-2的总和)对光输出表面130s的投影面积(A3)的比值可大于0且小于或等于1/2。根据一些实施例，在俯视图中，第二部分144距离光输出表面130s最远的一点与光输出表面130s之间的最短距离L的范围为3微米(μm)至100微米(μm)之间，但不以此为限。此面积比值与此最短距离L，与发光单元130的厚度有关。
广视角的方向，与光调整层140在俯视方向上的形状以及光调整层140的第二部分144的设置有关。光调整层140在俯视方向上的形状可为任何适合的形状，例如多边形、圆形、椭圆形或具有弯曲边缘的形状，但不以此为限。光调整层140可依据需求而设计，将在下文详述一些实施例。在图2A所示的实施例中，由于光调整层140在俯视方向上的形状为矩形，且其延伸线E1平行于第一方向D1，第二部分144包括分别设置在发光单元130左侧与右侧的两个部分，因此，左侧视角与右侧视角会较宽广。在一个变化实施例中(图未示)，光调整层140在俯视方向上的形状可为类似于图2A所示的矩形，但以倾斜的方式设置，也就是说，延伸线E1相较于第一方向D1倾斜设置。在图3所示的变化实施例中，光调整层140在俯视方向上的形状可为十字形，第二部分144包括分别设置在发光单元130上侧、下侧、左侧与右侧的四个部分，使得此四侧视角会较宽广。在一个变化实施例中(图未示)，光调整层140在俯视方向上的形状可为类似于图3所示的十字形，但以倾斜的方式设置，也就是说，延伸线E1相较于第一方向D1倾斜设置，延伸线E2相较于第二方向D2倾斜设置，即光调整层140在俯视方向上的形状可为X形。第二部分144包括分别设置在发光单元130左上侧、右上侧、左下侧与右下侧的四个部分，使得此四侧视角会较宽广。在图4所示的变化实施例中，光调整层140在俯视方向上的形状可为椭圆形，椭圆形的短轴的长度可相同于发光单元130在此方向上的尺寸。在另一个变化实施例中，光调整层140的第一部分142在俯视方向上的形状可为矩形，光调整层140的第二部分144在俯视方向上的形状可为具有弯曲边缘的形状，举例而言，在图5中，第二部分144包括两个部分，并分别具有两个弯曲边缘，第一部分142的宽度大于第二部分144的宽度。在另一个变化实施例中，光调整层140可具有不规则边缘，举例而言，在图6中，第二部分144的边缘为锯齿状。此外，第二部分144可包括至少两个部分，分别设置在第一部分142相对侧；例如，在图2A中，第二部分144的两个部分设置在第一部分142的左侧与右侧，但不以此为限。在另一实施例中，第二部分144可仅包括一个部分。另外，光调整层140在俯视方向上的形状可为对称或不对称。
另外，如图1所示，第一部分142包括第一上表面142t与第一底表面142b，第一上表面142t远离基板110，第一底表面142b相对于第一上表面142t。第二部分144包括第二上表面144t与第二底表面144b，第二上表面144t远离基板110，第二底表面144b相对于第二上表面144t。在一些实施例中，第一底表面142b可与光输出表面130s接触，但不以此为限。特别地，在一些实施例中，第一上表面142t的粗糙度可大于第二上表面144t的粗糙度。在一些实施例中，第一上表面142t的粗糙度可小于第一底表面142b的粗糙度。通过粗糙度的设计，光调整层140的散射效果可提升，以使发射光更加均匀。须注意的是，本实施例的表面的粗糙度定义为：在取样长度范围内，表面的两个特定点的高度差。举例而言，在取样长度为30微米的范围中，表面粗糙度可由其高峰与低谷之间的高度差所定义，但不以此为限。膜层的粗糙度可由任何适合定义方式来定义。
光调整层140的厚度与发光单元130的厚度可根据光学考虑而设计。详细而言，若光调整层140的厚度太厚，则发射光会被光调整层140吸收过多；若光调整层140的厚度太薄，光调整层140的均匀效果不佳。在一些实施例中，光调整层140的厚度对于第一半导体层132、发光层134和第二半导体层136的总厚度(即发光单元130排除两个电极后的厚度)的比值可为大于或等于0.006且小于或等于0.16。在一些实施例中，光调整层140的厚度可为大于或等于0.05微米且小于或等于0.5微米。在一些实施例中，第一半导体层132、发光层134和第二半导体层136的总厚度(即发光单元130排除两个电极后的厚度)可为大于或等于3微米且小于或等于8微米，但不以此为限。
另外，发光装置100可依据需求而另包括其他适合的元件或膜层。如图1所示，本实施例的发光装置100可选择性地包括覆盖层CL，设置在发光单元130上，以保护发光单元130。覆盖层CL可为钝化层并包括绝缘材料，而覆盖层CL可通过涂布来形成，但不以此为限。如图1所示，本实施例的发光装置100可选择性地包括黏着层AL，设置在发光单元130与电路层120之间，以加强发光单元130的固定，但不以此为限。在一些实施例中，发光装置100可选择性地包括，例如黑色矩阵(black matrix,BM)、像素定义层(pixel define layer,PDL)、偏光片、封装层及/或介质层。介质层可为液晶层或包括其他适合的介质材料。
请参考图7至图12，图7至图12所示分别为本发明第一实施例的发光装置的制造方法中的过程状态的剖视示意图。下文范例详述了制造图1与图2A所示的发光装置100的方法，但不以此为限，制造发光装置的方法可根据发光装置的结构而对应调整。如图7所示，首先，可提供成长基板GS。然后，可形成包括在发光单元130内的膜层与元件。详细而言，在本实施例中，依序形成第二半导体层136、发光层134与第一半导体层132，其中第一半导体层132与第二半导体层136可通过例如磊晶成长制程(epitaxial growth process)或其他适合的制程来形成，但不以此为限。此外，在一些实施例中，可形成缓冲层(图未示)于第二半导体层136与成长基板GS之间。接着，可形成第一电极138-1与第二电极138-2，并可选择性地形成内部绝缘体139b与内部连接件139a。如图8所示，制造方法可使用剥离制程(liftoff process)(例如激光剥离制程)以将包括在发光单元130内的膜层与元件从成长基板GS转移至乘载基板(第一基板)CS，而黏着层CAL可用以将包括在发光单元130内的膜层与元件黏着在乘载基板CS上。须注意的是，剥离制程可造成发光单元130的上表面(例如第二半导体层136的表面)粗糙。
如图9所示，可通过例如微影(photolithography)技术来图案化膜层(如第二半导体层136、发光层134与第一半导体层132)，以形成发光单元130。微影技术可包括干式蚀刻制程、湿式蚀刻制程或其组合。须注意的是，蚀刻制程可能会对发光单元130造成一定程度的损伤。然后，在发光单元130上形成初步光调整层140P，初步光调整层140P可通过适合的沉积制程或任何适合的形成制程来形成。在本实施例中，初步光调整层140P可完全覆盖发光单元130，但不以此为限。接着，如图10所示，可图案化初步光调整层140P以形成光调整层140。如此，如图10所示，乘载基板(第一基板)CS支撑发光单元130以及设置在发光单元上的光调整层140。如上文所述，光调整层140可部分覆盖或完全覆盖光输出表面130s。另外，在俯视方向上，光调整层140可设计成上文所述的形状。
如图11与图12所示，进行转移制程以转移发光单元130与光调整层140，其中发光单元130与光调整层140由乘载基板(第一基板)CS转移至基板(第二基板)110上。电路层120可形成在基板(第二基板)110上。详细而言，在图11中，提供了转移基板TS与设置在转移基板TS上的转移黏着层TAL。然后，转移黏着层TAL可黏着光调整层140，以使光调整层140与发光单元130离开乘载基板(第一基板)CS。然后，在图12中，转移制程使发光单元130接合在基板(第二基板)110上的至少一个接合垫122上，以与固定发光单元130电连接，而光调整层140与发光单元130离开转移基板TS。本发明的转移制程并不以此为限，可使用任何适合的转移制程。在上述制程之后，可形成其他适合的膜层及/或元件(例如形成覆盖层CL)，以完成图1所示的发光装置100的制造。
根据一些实施例，由于用以形成光调整层140的图案化制程在转移制程之前进行，因此，基板110上的电路层120与其他膜层并不会被此图案化制程所影响，使得合格率可提高。
本发明的发光装置与其制造方法不以上述实施例为限，下文将继续揭示其它实施例，然而为了简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。
请参考图13与图14，图13所示为本发明第二实施例的发光装置的剖视示意图，图14所示为本发明第二实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。如图13与图14所示，相较于第一实施例，本实施例的发光装置200的光调整层140连续覆盖两个或更多的发光单元130。举例而言，在图13与图14中，光调整层140部分覆盖两个发光单元130，但不以此为限。由相同光调整层140所覆盖的发光单元130可设置在同一个子像素中并发射相同颜色的光线、可设置在不同子像素中并发射相同颜色的光线或者可设置在不同子像素中并发射不同颜色的光线。
另外，在图13中，覆盖层CL可为基板或电路板。当覆盖层CL为基板时，基板可为硬质基板或可挠式基板。基板的材料可为玻璃、塑料、石英、蓝宝石、聚酰亚胺及/或聚对苯二甲酸乙二酯，但不以此为限。在一些实施例中，覆盖层CL为比钝化层还硬的基板，以提供更好的保护效果。须注意的是，在本实施例中，发光装置200可包括间隔物SP与对向黏着层OAL，其中间隔物SP可分隔覆盖层CL与基板110，对向黏着层OAL可用以使覆盖层CL黏着于间隔物SP与光调整层140，但不以此为限。
请参考图15与图16，图15所示为本发明第三实施例的发光装置的剖视示意图，图16所示为本发明第三实施例的变化实施例的发光装置的俯视示意图。如图15所示，相较于第一实施例，发光装置300可包括光学层310，设置在光调整层140上。依据一些实施例，光学层310可调整发射光的光路径，使得发射光更加均匀。在本实施例中，光学层310也可散射发射光，光学层310可包括具有散射效果的材料；例如，光学层310可包括纳米粒子，如氧化钛(titanium oxide)、量子点或其他适合的粒子，但不以此为限。此外，在一些实施例中，光学层310可为色阻(color filter)，以改变发射光的颜色，但不以此为限。另外，光调整层140的投影面积可小于光学层310的投影面积；举例而言，本实施例的光学层310可完全覆盖发光单元130，但不以此为限。另外，在本实施例中，光学层310中对应发光单元130的部分可具有凸状结构312，以提升发射光的光路径的调整性能，但不以此为限。
此外，发光单元130可以不同的角度设置，以避免显示画面具有莫列波纹(moirépattern)。在图15中，一个发光单元130与基板110表面之间的设置角度不同于另一个发光单元130与基板110表面之间的设置角度；举例而言，左侧发光单元130与基板110表面之间的设置角度可为约0度，而右侧发光单元130与基板110表面之间的设置角度可大于0度且小于45度，但不以此为限。如图16所示，相对于基板110的一个边缘(例如边缘322)，本变化实施例的发光装置300’的发光单元130可具有不同的设置角度；换句话说，在俯视图中，边缘322与一个发光单元130的中心线C1之间的设置角度θ1，可不同于边缘322与另一个发光单元130的中心线C2之间的设置角度θ2。
请参考图17与图18，图17所示为本发明第四实施例的发光装置的剖视示意图，图18所示为本发明第四实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。如图17与图18所示，相较于第一实施例，本实施例的发光装置400提供另一种类型(如垂直类型(vertical type))的发光单元130。在本实施例中，第一电极138-1设置在第一半导体层132与电路层120之间，以作为下电极，第二电极138-2设置在第二半导体层136与光调整层140之间，以作为上电极。在本实施例中，第二电极138-2可设置在发光单元130于俯视上的中心，但不以此为限。在另一实施例中，第二电极138-2可设置在发光单元130的一侧邻近。此外，在本实施例中，为了使第二电极138-2电连接至电路层120，发光装置400可另包括透明导电层410，电连接于第二电极138-2与电路层120之间。在本实施例中，光调整层140可部分覆盖第二电极138-2，透明导电层410可包括至少一电极连接件412，以接触第二电极138-2。举例来说，第二电极138-2的一部分由光调整层140所暴露(绘示于图17中，且此部分在图18以138-2A来标示)，而第二电极138-2的其他部分被光调整层140所覆盖(绘示于图17中，且此部分在图18以138-2B/142(140)来标示)，但不以此为限。另外，在本实施例中，透明导电层410(或电极连接件412)可包括透明导电材料，例如ITO、IZO或其他适合的材料。当在测量光调整层140的厚度时，光调整层140的厚度可参考光调整层140中未覆盖第二电极138-2的部分的厚度。在一些实施例中，第二电极138-2可包括具有散热作用的材料，例如金属，使得垂直类型的发光单元130的散热效果可得以提升。
另外，在本实施例中，发光装置400还可包括绝缘层IL，设置在电路层120与覆盖层CL之间，其中绝缘层IL可部分覆盖发光单元130以保护发光单元130。在本实施例中，由于透明导电层410存在的缘故，绝缘层IL会设置在电路层120与透明导电层410之间。此外，虽然图17并未绘示黏着层，但发光装置400亦可包括设置在发光单元130与电路层120之间的黏着层，以强化发光单元130的固定，但不以此为限。
请参考图19与图20A，图19所示为本发明第五实施例的发光装置的剖视示意图，图20A所示为本发明第五实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。如图19与图20A所示，相较于第四实施例，本实施例的发光装置500的各发光单元130可包括多个第二电极138-2，以作为多个上电极，其中对应相同的发光单元130的第二电极138-2通过电极连接件412而彼此电连接。电极连接件412可包括透明导电材料。第二电极138-2可以矩阵形式排列，但第二电极138-2的排列方式并不以此为限。在本实施例中，发光单元130的发射光均匀度可被提高。
另外，在图19与图20A中，第一部分142仅部分覆盖光输出表面130s并暴露出第二电极138-2。详细而言，光调整层140的第一部分142可覆盖光输出表面130s的上表面130s1的一部分以及侧表面130s2的一部分。光调整层140沿第一方向D1延伸，且第一部分142与第二部分144在第一方向D1上连接。第一部分142仅部分重叠于发光单元130，而发光单元130的一部分(由130n所标示)并未被第一部分142重叠。此外，图20B所示为本发明第五实施例的变化实施例的发光单元与光调整层的俯视示意图。如图19与图20B所示，光调整层140的第一部分142可覆盖光输出表面130s的上表面130s1与侧表面130s2的整个部分，且第一部分142仅暴露第二电极138-2。第二部分144可沿第一方向D1与第二方向D2延伸，并环绕第一部分142。
在本发明中，上述的实施例仅为示例性的描述，但本发明并不以此些实施例为限。可选择并组合在上述任何实施例所述的任何特征以形成另一实施例。
综上所述，根据一些实施例，由于光调整层的设计，由发光单元所发射的光线可被均匀化。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
一基板；
一发光单元，设置在所述基板上，所述发光单元包括一光输出表面；以及
一光调整层，设置在所述发光单元上，所述光调整层包括一第一部分以及连接于所述第一部分的一第二部分；
其中所述第一部分仅部分覆盖所述光输出表面，所述第二部分不覆盖所述光输出表面，且在俯视图中，所述第一部分的投影面积对所述光输出表面的投影面积的比值大于或等于1/10且小于1。
2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在俯视图中，所述第一部分的投影面积大于所述第二部分的投影面积。
3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在俯视图中，所述第二部分的投影面积对所述光输出表面的投影面积的比值大于0且小于或等于1/2。
4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在俯视图中，所述第二部分距离所述光输出表面最远的一点与所述光输出表面之间的最短距离的范围为3微米至100微米之间。
5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二部分包括至少两个部分，分别设置在所述第一部分的相对侧。
6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括至少一电极连接件，所述发光单元还包括多个上电极，所述多个上电极通过所述电极连接件而彼此电连接。
7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述电极连接件包括透明导电材料。
8.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括另一个发光单元，设置在所述基板上，其中所述光调整层部分覆盖所述发光单元与所述另一个发光单元。
9.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一部分包括远离所述基板的一第一上表面，所述第二部分包括远离所述基板的一第二上表面，所述第一上表面的粗糙度大于所述第二上表面的粗糙度。
10.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一部分包括一第一上表面与一第一下表面，所述第一上表面远离所述基板，且所述第一下表面相对于所述第一上表面，所述第一上表面的粗糙度小于所述第一下表面的粗糙度。
11.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，还包括一光学层，设置在所述光调整层上。
12.如权利要求11所述的发光装置，其特征在于，所述光调整层的投影面积小于所述光学层的投影面积。
13.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光单元包括：
一第一半导体层；
一发光层，设置在所述第一半导体层上；以及
一第二半导体层，设置在所述发光层上；
其中所述光调整层的厚度对所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的总厚度的比值大于或等于0.006且小于或等于0.16。
14.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调整层的厚度大于或等于0.05微米且小于或等于0.5微米。
15.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述光调整层包括无机绝缘材料。
16.一种发光装置，其特征在于，包括：
一基板；
一发光单元，设置在所述基板上，所述发光单元包括一光输出表面；以及
一光调整层，设置在所述发光单元上，所述光调整层包括一第一部分以及连接于所述第一部分的一第二部分，其中所述光调整层包括无机绝缘材料；
其中所述第一部分覆盖所述光输出表面，所述第二部分不覆盖所述光输出表面，且在俯视图中，所述第一部分的投影面积对所述光输出表面的投影面积的比值大于或等于1/10且小于1。
17.如权利要求16所述的发光装置，其特征在于，所述无机绝缘材料包括氮化硅、氧化硅、或氮化硅与氧化硅的组合。
18.一种制造发光装置的方法，其特征在于，包括：
提供一第一基板，其支撑一发光单元以及设置在所述发光单元上的一光调整层，其中所述发光单元包括一光输出表面，且所述光调整层包括一第一部分以及连接于所述第一部分的一第二部分；
提供一第二基板；以及
将所述发光单元与所述光调整层转移至所述第二基板；
其中所述第一部分覆盖所述光输出表面，所述第二部分不覆盖所述光输出表面，且在俯视图中，所述第一部分的投影面积对所述光输出表面的投影面积的比值大于或等于1/10且小于1。
19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，在提供支撑所述发光单元与所述光调整层的所述第一基板的步骤中，还包括：
形成所述发光单元在所述第一基板上；
形成一初步光调整层在所述发光单元上；以及
图案化所述初步光调整层，以形成所述光调整层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11355686B2 (en) * 2019-03-29 2022-06-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Unit pixel having light emitting device, pixel module and displaying apparatus
KR102684757B1 (ko) * 2019-08-22 2024-07-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI728583B (zh) * 2019-12-03 2021-05-21 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件結構與微型元件顯示裝置
US11574895B2 (en) * 2019-12-19 2023-02-07 Innolux Corporation Method of manufacturing electronic device
KR20220031364A (ko) * 2020-09-04 2022-03-11 삼성전자주식회사 마이크로 발광 소자 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
WO2024129340A1 (en) * 2022-12-14 2024-06-20 Lumileds Llc Optical coating for pixels of micro-light emitting diode (led) devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2410583A2 (en) * 2010-07-23 2012-01-25 LG Innotek Co., Ltd. Reflective electrode configuration for a light emitting diode
EP2833421A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
EP2197051B1 (en) * 2008-12-12 2016-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and method for manufacturing same

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7297856B2 (en) 1996-07-10 2007-11-20 Sitrick David H System and methodology for coordinating musical communication and display
JP4357311B2 (ja) * 2004-02-04 2009-11-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオードチップ
KR101263934B1 (ko) * 2006-05-23 2013-05-10 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 그의 제조방법
CN100529809C (zh) * 2006-07-07 2009-08-19 群康科技(深圳)有限公司 导光板及使用该导光板的背光模组
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
TWI473246B (zh) * 2008-12-30 2015-02-11 Epistar Corp 發光二極體晶粒等級封裝
CN101515621B (zh) * 2009-02-19 2011-03-30 旭丽电子(广州)有限公司 发光二极管芯片、制法及封装方法
WO2010114250A2 (en) * 2009-03-31 2010-10-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having plurality of light emitting cells and method of fabricating the same
KR100986397B1 (ko) * 2010-02-08 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
JP5467388B2 (ja) * 2010-04-06 2014-04-09 ソニー株式会社 照明装置および表示装置
TWI462338B (zh) * 2010-08-16 2014-11-21 Lextar Electronics Corp A light-emitting diode with a protective layer of the region
KR101941029B1 (ko) * 2011-06-30 2019-01-22 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20130024089A (ko) * 2011-08-30 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US8573469B2 (en) * 2011-11-18 2013-11-05 LuxVue Technology Corporation Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer
TWI497781B (zh) 2012-07-19 2015-08-21 Univ Nat Cheng Kung 具提升散熱效果之發光二極體裝置及其製備方法
TW201407086A (zh) * 2012-08-15 2014-02-16 Ultimate Image Corp 有機發光二極體平面照明裝置
KR20140073351A (ko) * 2012-12-06 2014-06-16 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN105098025A (zh) * 2014-05-07 2015-11-25 新世纪光电股份有限公司 发光装置
CN106463578B (zh) * 2014-05-08 2019-11-22 Lg伊诺特有限公司 发光器件
CN104948949B (zh) * 2015-05-14 2018-03-09 达亮电子（苏州）有限公司 发光模块
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
KR102465382B1 (ko) 2015-08-31 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
TWI780041B (zh) * 2016-02-04 2022-10-11 晶元光電股份有限公司 一種發光元件及其製造方法
KR102608421B1 (ko) 2016-02-23 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10069051B2 (en) * 2016-04-08 2018-09-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
KR20170125587A (ko) * 2016-05-04 2017-11-15 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지
WO2018116814A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 シャープ株式会社 表示装置および製造方法
US10672957B2 (en) * 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2197051B1 (en) * 2008-12-12 2016-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device and method for manufacturing same
EP2410583A2 (en) * 2010-07-23 2012-01-25 LG Innotek Co., Ltd. Reflective electrode configuration for a light emitting diode
EP2833421A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

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