KR20200102924A - 조명 장치 및 조명 장치 제조를 위한 방법 - Google Patents

조명 장치 및 조명 장치 제조를 위한 방법 Download PDF

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쿠안-팽 리
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Abstract

본 발명은 조명 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 일 실시예의 조명 장치는 기판, 발광 유닛 및 광 조정층을 포함한다. 발광 유닛은 기판 상에 배치되고, 발광 유닛은 광 출력 표면을 포함한다. 광 조정층은 발광 유닛 상에 배치되고, 광 조정층은 제1 부분 및 제1 부분에 연결된 제2 부분을 포함한다. 여기서, 제1 부분은 광 출력 표면만을 부분적으로 덮고, 제2 부분은 광 출력 표면을 덮지 않는다.

Description

조명 장치 및 조명 장치 제조를 위한 방법{LIGHTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING LIGHTING DEVICE}
본 발명은 조명 장치 및 그 제조 방법(lighting device and a manufacturing method thereof)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광(emitting light)을 균일하게 하기 위한 광 조정층(light adjusting layer)을 갖는 조명 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
전자 장치의 진화 및 발달에 따라, 전자 장치가 널리 사용되고 있으며 요즘 필수 아이템이 되었다.
예를 들어, 전자 장치의 일종 인 조명 장치는 텔레비전, 모니터, 노트북, 스마트 폰, 시계 및 차량의 디스플레이 장치와 같은 디스플레이 기능을 갖는 임의의 적합한 전자 제품에 사용될 수 있고, 보다 편리하게 정보를 전송하고 표시한다.
일반적으로, 전자 장치는 발광 다이오드(LED)와 같은 발광 유닛을 구비하여 발광할 수 있다. 하나의 개별 발광 유닛의 에지 영역은 에칭과 같은 제조 공정으로 인해 손상될 수 있고, 그 결과 과도한 집중 또는 집중된 광을 초래한다. 또한, 전자 장치의 해상도를 향상시키거나 크기를 감소시키기 위해 발광 유닛의 크기가 감소될 때, 손상된 영역이 감소되지 않을 것이다. 따라서, 발광 유닛의 손상된 영역은 높은 비율을 가질 것이며, 이는 광의 집중화 현상을 더욱 심각하게 하여 불균일한 광 및 적은 광 출력을 초래한다.
일 실시예에 따르면, 본 발명은 기판(substrate), 발광 유닛(light emitting unit) 및 광 조정층(light adjusting layer)을 포함하는 조명 장치(lighting device)를 제공한다. 발광 유닛은 기판 상에 배치되고, 발광 유닛은 광 출력 표면(light output surface)을 포함한다. 광 조정층은 발광 유닛 상에 배치되고, 광 조정층은 제1 부분(first portion) 및 제1 부분에 연결된 제2 부분(second portion)을 포함한다. 제1 부분은 광 출력 표면만을 부분적으로 덮고, 제2 부분은 광 출력 표면을 덮지 않는다.
다른 실시예에 따르면, 본 발명은 기판, 발광 유닛 및 광 조정층을 포함하는 조명 장치를 제공한다. 발광 유닛은 기판 상에 배치되고, 발광 유닛은 광 출력 표면을 포함한다. 광 조정층은 발광 유닛 상에 배치되고, 광 조정층은 제1 부분 및 제1 부분에 연결된 제2 부분을 포함하고, 광 조정층은 무기 절연 재료(inorganic insulating material)를 포함한다. 제1 부분은 광 출력 표면을 덮고, 제2 부분은 광 출력 표면을 덮지 않는다.
다른 실시예에 따르면, 본 발명은 발광 유닛을 지지하는 제1 기판 및 발광 유닛 상에 배치된 광 조정층을 제공하는 단계 - 발광 유닛은 광 출력면을 포함하고, 광 조정층은 제1 부분과 상기 제1 부분에 연결된 제2 부분을 포함하는 -; 제2 기판을 제공하는 단계; 및 발광 유닛 및 광 조정층을 제2 기판으로 전사하는 단계를 포함하는 조명 장치의 제조 방법을 제공한다. 제1 부분은 광 출력 표면을 덮고, 제2 부분은 광 출력 표면을 덮지 않는다.
본 개시의 이들 및 다른 목적은 다양한 도면 및 도면에 도시된 실시예의 다음의 상세한 설명을 읽은 후 당업자에게 명백하게 될 것이다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다.
도 2b 내지 도 2c는 다양한 실시예에 따른 도 1의 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 각각 도시한 개략도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예의 변형 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 각각 도시한 개략도이다.
도 7 내지 도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 조명 장치의 제조 방법 동안의 처리 상태의 단면도를 각각 도시한 개략도이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다.
도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 16은 본 개시 내용의 제3 실시예의 변형 실시예에 따른 조명 장치의 평면도를 도시한 개략도이다.
도 17은 본 발명의 제4 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 18은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다.
도 19는 본 발명의 제5 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다.
도 20a는 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다.
도 20b는 본 발명의 제5 실시예의 변형 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다.
본 개시는 아래에서 설명되는 도면과 관련하여 취해진 다음의 상세한 설명을 참조하여 이해될 수 있다. 이해하기 쉽게 설명하기 위해, 본 개시의 다양한 도면은 전자 장치의 일부를 도시하고, 다양한 도면에서의 특정 구성 요소는 축척대로 도시되지 않을 수 있음을 유의한다. 게다가, 도면에 도시된 각 장치의 수 및 치수는 단지 예시적인 것이며 본 개시의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다.
특정 용어는 설명 및 다음의 청구 범위 전체에서 특정 구성 요소를 지칭하기 위해 사용된다. 당업자라면 이해할 수 있는 바와 같이, 전자 장비 제조업체는 상이한 이름으로 구성 요소를 언급할 수 있다. 이 문서는 이름은 다르지만 작동하지 않는 구성 요소를 구별하지는 않는다. 다음의 설명 및 청구 범위에서, 용어 "포함하다(include)", "포함하다(comprise)" 및 "가지고 있다(have)"는 개방형 방식으로 사용되므로, "포함하지만, 이에 제한되지 않는"을 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 따라서, 용어 "포함하다(include)", "포함하다(comprise)" 및/또는 "가지고 있다(have)"가 본 개시의 설명에서 사용될 때, 대응하는 특징들, 영역들, 단계들, 동작들 및/또는 컴포넌트들은 존재하는 것으로 지적될 것이지만, 대응하는 특징들, 영역들, 단계들, 동작들 및/또는 컴포넌트들 중 하나 또는 복수의 존재로 제한되지 않는다. 본 개시에서, 임의의 형용사에 의해 설명되지 않은 경우, 용어 "덮다"는 "부분적으로 덮다" 또는 "완전히 덮다"를 의미할 수 있다.
층 또는 영역과 같은 대응하는 구성 요소가 "다른 구성 요소(또는 이의 변형체)"또는 "다른 구성 요소로 확장"에 언급될 때, 다른 구성 요소에 직접 있거나 다른 구성 요소로 직접 확장되거나 다른 구성 요소 사이에 존재할 수 있다. 반면에, 구성 요소가 "다른 구성 요소(또는 이의 변형)에 직접" 또는 "다른 구성 요소에 직접 확장"으로 언급될 때, 그 사이에 어떠한 구성 요소도 존재하지 않는다.
구성 요소 또는 층(layer)이 다른 구성 요소 또는 층(layer)에 "연결되어(connected to)" 또는 "상에(on)"로 언급될 때, 그것은 다른 구성 요소 또는 층에 직접 또는 직접 연결될 수 있거나, 개재 구성 요소 또는 층이 있을 수 있다. 대조적으로, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소 또는 층을 "직접 연결되어(directly connected to)" 또는 "상에 직접(directly on)"있다고 언급된 경우, 제시된 개재 구성 요소 또는 층이 없다.
요소 또는 층이 다른 요소 또는 층에 "온" 또는 "연결된" 것으로 언급될 때, 그것은 다른 요소 또는 층에 직접 또는 직접 연결될 수 있거나, 중간 요소 또는 층이 제시될 수 있다. 대조적으로, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소 또는 층을 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 제시된 개재 요소 또는 층이 없다. 또한, 구성 요소가 "다른 구성 요소(또는 그 변형 예)와 결합되거나 결합될" 것으로 언급될 때, 다른 구성 요소에 직접 연결되거나 다른 구성 요소를 통해 다른 구성 요소에 간접적으로 연결(예를 들어, 전기적으로 연결)될 수 있다.
이하에서 설명되는 상이한 실시예에서의 기술적 특징들은 본 개시의 사상을 벗어나지 않고 다른 실시예를 구성하기 위해 서로 대체, 재조합 또는 혼합될 수 있음에 유의해야 한다.
본 개시에서, 조명 장치는 빛을 방출할 수 있는 적합한 전자 장치이다. 일부 실시예에서, 조명 장치는 LED 디스플레이, 마이크로 LED 디스플레이, 미니 LED 디스플레이, OLED(유기 발광 다이오드) 디스플레이, QLED(양자점 발광 다이오드) 디스플레이, 가요성 디스플레이 또는 다른 적합한 자체 발광 디스플레이와 같은 디스플레이 기능을 갖는 전자 장치일 수 있다. 또는, 일부 실시예에서, 조명 장치는 LC(액정) 디스플레이의 백라이트 모듈과 같은 디스플레이 기능을 갖는 전자 장치의 구성 요소일 수 있다.
도 1 및 도 2a를 참조하면, 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다. 도 2a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다. 도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 조명 장치(lighting device)(100)는 기판(substrate)(110), 회로층(circuit layer)(120), 하나 이상의 발광 유닛(들)(light emitting unit(s))(130) 및 광 조정층(light adjusting layer)(140)을 포함한다. 기판(110)은 유리 기판, 플라스틱 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 회로 기판(예를 들어, 인쇄 회로 기판) 또는 다른 적합한 경질 기판과 같은 경질 기판(hard substrate)일 수 있고, 또는 폴리이미드(polyimide)(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate)(PET) 및/또는 다른 적합한 가요성 재료를 포함하는 가요성 기판일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 기판(110)의 유형 및 재료는 조명 장치(100)의 응용에 따라 선택될 수 있으며; 예를 들어, 조명 장치(100)가 비가요성 마이크로 LED 디스플레이로서 제공된다면, 기판(110)은 유리 기판일 수 있고, 기판(110)은 조명 장치(100)가 백라이트 모듈로서 제공된다면 회로 보드일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
이 실시예에 따르면, 회로층(120)은 기판(110) 상에 배치되고, 회로층(120) 상에 복수의 발광 유닛(130)이 배치되고, 회로층(120)은 발광을 위해 발광 유닛(130)을 구동하도록 구성된다. 상세히, 회로층(120)은 트레이스, 박막 트랜지스터, 커패시터 또는 다른 적절한 구성 요소와 같은 복수의 전자 구성 요소를 형성하기 위해 하나 이상의 전도층, 하나 이상의 절연층 및/또는 하나 이상의 반도체층을 포함할 수 있고, 발광 유닛(130)은 각각의 전자 컴포넌트들 중 적어도 하나에 전기적으로 연결된다. 전도층(conductive layer)은 금속 및/또는 투명 전도성 재료를 포함할 수 있다. 투명 전도성 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및/또는 다른 적절한 전도성 물질을 포함할 수 있다. 각 절연층의 재료는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산 질화물을 개별적으로 포함할 수 있다. 각각의 반도체층의 재료는 저온 폴리 실리콘(low temperature poly-silicon)(LTPS), 인듐 갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide)(IGZO) 또는 비정질 실리콘(amorphous silicon)(a-Si)을 포함할 수 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
회로층(120)은 최상위 전도층으로 형성된 적어도 하나의 본딩 패드(122)(bonding pad)를 포함할 수 있다. 발광 유닛(light emitting unit)(130) 중 하나는 본딩 패드(122)를 통해 회로층(120)에 포함된 전자 부품과 전기적으로 연결된다. 게다가, 본 실시예의 조명 장치(100)는 회로층(120) 및 발광 유닛(130)에 포함된 전자 부품(electronic component)과 전기적으로 연결된 집적 회로(도면에 도시되지 않음)를 더 포함하여, 회로층(120)의 집적 회로 및 전자 부품은 발광을 위해 발광 유닛(130)을 구동할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 회로층(120)의 전자 부품들은 발광 유닛(130)을 구동하기 위한 구동 회로를 형성할 수 있다.
발광 유닛(130) 중 하나는 LED, 마이크로 LED, 미니 LED, OLED, QLED 또는 다른 적절한 발광 구성 요소일 수 있다. 예를 들어, 조명 장치(100)가 자발광 디스플레이(self-luminous display)로서 제공된다면, 발광 유닛(130)은 서브 픽셀 내에 배치된 컴포넌트 일 수 있고; 조명 장치(100)가 백라이트 모듈 인 경우, 발광 유닛(130)은 백라이트를 제공하는 컴포턴트일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 발광 유닛(130)은 제1 반도체층(first semiconductor layer)(132), 제1 반도체층(132) 상에 배치된 발광층(light emitting layer)(134) 및 발광층(134) 상에 배치된 제2 반도체층(second semiconductor layer)(136)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체층(132)은 p 형 반도체층일 수 있고, 제2 반도체층(136)은 n 형 반도체층일 수 있으며, 발광층(134)은 다중 양자 우물(multiple quantum well)(MQW)이지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 발광 유닛(130)은 LED의 유형 및 광의 색에 기초하여 적합한 재료를 포함할 수 있다. 또한, 발광 유닛(130)은 제1 전극(first electrode)(138-1) 및 제2 전극(second electrode)(138-2)을 포함한다. 제1 전극(138-1)은 제1 반도체층(132)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극(138-2)은 제2 반도체층(136)과 전기적으로 연결된다. 이 실시예에서, 발광 유닛(130)은 플립칩 타입(flip-chip type)이며, 제1 전극(138-1)과 제2 전극(138-2)은 발광 유닛(130)의 동일한 면에 배치되고, 제1 전극(138-1) 및 제2 전극(138-2) 각각은 본딩 요소(bonding element)(BE)를 갖는 회로층(120)의 하나의 본딩 패드(122)에 각각 전기적으로 연결된다. 제2 전극(138-2)은 내부 연결 컴포넌트(inner connecting component)(139a)를 통해 제2 반도체층(136)에 전기적으로 연결되고, 내부 연결 컴포넌트(139a)는 내부 절연체(inner insulator)(139b)에 의해 제1 반도체층(132)과 분리되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 요구 사항에 따라, 제1 전극(138-1) 및 제2 전극(138-2)의 위치는 조정될 수 있다. 또한, 제1 전극(138-1) 및 제2 전극(138-2)의 재질은 금속일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 발광 유닛(130)은 예를 들어 버퍼층 또는 다른 적절한층을 선택적으로 포함할 수 있다.
본 개시에서, 발광 유닛(130)은 광 출력 표면(130s)(도 1에서 굵은 선으로 표시됨)을 포함하고, 광 출력 표면(130s)은 발광층(134)으로부터 방출된 광이 통과할 수 있는 표면으로 정의된다. 예를 들어, 도 1에서, 제1 전극(138-1) 및 제2 전극(138-2)이 금속을 포함하고 발광층(134)으로부터 방출된 광을 차폐할 수 있는 경우, 제1 전극(138-1) 및 제2 전극(138-2)이 차지하는 표면은 광 출력면(130s)에 속하지 않는다.
하나의 개별 발광 유닛의 에지 영역은 에칭과 같은 제조 공정으로 인해 손상될 수 있고, 그 결과 과도한 집중 또는 집중된 광을 초래한다. 더욱이, 발광 유닛의 크기가 감소될 때 발광 유닛의 손상된 영역은 높은 비율을 가질 것이고, 이는 광의 집중화 현상을 더욱 심각하게 하여 불균일한 광 및 낮은 광 출력을 초래한다. 발광 유닛(130)에서 방출된 광을 균일하게 하기 위해, 광 조정층(140)은 발광의 광 경로를 조정하기 위해 발광 유닛(130) 상에 배치된다. 본 개시의 일부 실시예에서, 광 조정층(140)의 배치 및 디자인은 보다 균일한 광 및 효과적인 광 출력을 초래할 수 있다. 광 조정층(140)은 발광 유닛(130)의 최상층(uppermost layer)(예를 들어, 제2 반도체층(136))의 굴절률과 다른 굴절률을 갖는다. 예를 들어, 발광 광(emitting light)은 광 조정층(140)을 통해 산란될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일부 실시예에서, 광 조정층(140)은 무기 절연 물질(inorganic insulating material)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 무기 절연 물질은 질화규소(silicon nitride), 산화 규소(silicon oxide), 산화 알루미늄(aluminum oxide), 산화 티타늄(titanium oxide) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 광 조정층(140)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 또한, 광 조정층(140)은 단층 구조 또는 다층 구조일 수 있으며, 다층 구조물(multi-layer structure)은 복수의 무기 절연층, 복수의 유기 절연층, 또는 하나 이상의 무기 절연층과 하나 이상의 유기 절연층의 조합을 포함할 수 있다.
구체적으로, 도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이, 광 조정층(140)은 제1 부분(first portion)(142) 및 제2 부분(second portion)(144)을 포함한다. 제2 부분(144)은 광 출력 표면(light output surface)(130s)을 덮지 않는 부분으로 정의될 수 있고, 제1 부분(142)은 제2 부분(144)을 제외한 부분일 수 있다. 구체적으로, 제1 부분(142)은 발광 유닛(130)의 광 출력 표면(130s)을 덮을 수 있다. 일부 구체 예에서, 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s)을 완전히 덮을 수 있다. 일부 구체 예에서, 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s)을 부분적으로 덮을 수 있다. 제2 부분(144)은 제1 부분(142)에 연결되고 발광 유닛(130)의 광 출력 표면(130s)을 덮지 않는다. 일부 실시예에 따르면, 도 1에 도시된 바와 같이, 하나의 개별 발광 유닛(130)은 하나의 개별 광 조정층(140)에 의해 덮여 있지만, 이에 제한되지 않는다. 즉, 하나의 발광 유닛을 덮는 광 조정층과 다른 발광 유닛을 덮는 광 조정층은 연속적이지 않을 수 있다. 일부 실시예에서, 평면도에서, 제1 부분(142)의 투영 영역(projected area)(A1)은 제2 부분(144)의 투영 영역(A2-1 및 A2-2의 합) 보다 클 수 있다. 일부 구체 예에서, 광 출력 표면(130s)의 투영 영역(A3)에 대한 제1 부분(142)의 투영 영역(A1)의 비는 1/10 이상 1 미만일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
또한, 일부 실시예에서, 도 1 및 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s)만을 부분적으로 덮는다. 광 출력 표면(130s)이 완전히 덮히지 않기 때문에, 발광 유닛(130)에서 발생된 열이 효과적으로 소멸될 수 있다. 상세히, 광 출력 표면(130s)은 발광 유닛(130)의 외부 윤곽을 포함하는 표면이지만, 전극이 금속을 포함하는 경우 전극(electrode)(138-1 및 138-2)이 차지하는 파트를 제외한다. 광 출력 표면(130s)은 상부면(top surface)(130s1), 측면(side surface)(130s2) 및 하부면(bottom surface)(130s3)을 포함한다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 광 조정층(140)의 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s)의 상부 표면(130s1)의 파트 및 측면(130s2)의 파트를 덮을 수 있다. 구체적으로, 도 2a의 평면도에서, 광 조정층(140)은 제1 방향(first direction)(D1)을 따라 연장되고, 제1 부분(142) 및 제2 부분(144)은 제1 방향(D1)을 따라 연결된다. 제1 부분(142)은 발광 유닛(130)과 부분적으로만 중첩되고, 발광 유닛(130)의 파트(130n으로 표시됨)는 제1 부분(142)과 중첩되지 않는다.
또한, 다양한 실시예에 따르면, 도 2b는 도 1의 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다. 도 1 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 광 조정층(140)의 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s)의 상부 표면(130s1)의 전체 파트 및 측면(130s2)의 전체 파트를 덮을 수 있다. 구체적으로, 도 2b의 평면도에서, 제1 부분(142)은 발광 유닛(130)과 완전히 중첩될 수 있고, 제2 부분(144)은 제1 방향(first direction)(D1) 및 제2 방향(second direction)(D2)을 따라 연장되고 제1 부분(142)을 둘러쌀 수 있다. 제1 방향(D1)과 제2 방향(D2)은 수직일 수 있다. 또한, 다양한 실시예에 따르면, 도 2c는 도 1의 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시하는 개략도이다. 도 1 및 도 2c에 도시된 바와 같이, 광 조정층(140)의 제1 부분(142)은 상부 표면(130s1)의 전체 파트 및 광 출력 표면(130s)의 측면(130s2)의 파트를 덮을 수 있다. 구체적으로, 도 2c의 평면도에서, 제1 부분(142)은 발광 유닛(130)과 완전히 중첩될 수 있고, 제2 부분(144)은 제1 방향(D1)에만 존재하지만 제2 방향(D2)에는 존재하지 않는다.
반면에, 방출된 광의 일부는 조정되어 광 조정층(140)의 제2 부분(144)을 통과하여 제2 부분(144)이 시야각을 더 넓게 할 수 있다. 일부 실시예에 따르면, 광 출력 표면(130s)의 투영 영역(A3)에 대한 제2 부분(144)의 투영 영역(A2-1 및 A2-2의 합)의 비는 0 보다 크고 1/2 이하일 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 평면도에서, 광 출력면(130s)으로부터 가장 먼 제2 부분(144)의 지점과 광 출력 표면(130s) 사이의 최소 거리(L)는 3㎛ 내지 100㎛의 범위 일 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 이 면적비와 이 최소 거리(L)는 발광 유닛(130)의 두께와 관련이 있다.
특히, 광 시야각의 방향은 광 조정층(140)의 평면도 형상(top-view shape) 및 광 조정층(140)의 제2 부분(144)의 배치와 관련된다. 광 조정층(140)의 평면도 형상은 다각형, 원, 타원 또는 모서리가 휘어진 형상 등의 임의의 적합한 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 광 조정층(140)은 요구 사항에 기초하여 설계될 수 있으며, 일부 실시예가 아래에서 설명된다. 도 2a에 도시된 이 실시예에서, 광 조정층(140)의 평면도 형상은 D1 방향과 평행한 연장선을 갖는 직사각형이므로, 제2 부분(144)은 발광 유닛(130)의 좌측 및 우측에 배치된 2 개의 파트를 포함하며, 우측 시야각 및 좌측 시야각이 더 넓다. 변형 실시예에서(도시되지는 않았지만), 광 조정층(140)의 평면도 형상은 도 2a에 도시된 형상과 유사하지만, 경사 방식으로 배열된, 즉 방향(D1)에 대해 경사진 연장선(extending line)(E1)으로 배열된 직사각형일 수 있다. 도 3에 도시된 다른 변형 실시예에서, 광 조정층(140)의 평면도 형상은 십자형 형상이고, 제2 부분(144)은 발광 유닛(130)의 상부, 좌측, 하부 및 우측에 배치된 4 개의 파트를 포함하여, 이들 4 개의 시야각이 더 넓다. 다른 변형 실시예에서(도시되지는 않았지만), 광 조정층(140)의 평면도 형상은 도 3에 도시된 것과 유사한 십자형 형상일 수 있지만, 경사 방식으로 배열된다. 즉, 방향(D1)에 대해 경사진 연장선(E1)으로 배열된다. 그리고 연장선(E2)은 방향(D2)에 대해 경사져 있다. 즉, 광 조정층(140)의 평면도 형상은 x 자 형상일 수 있다. 제2 부분(144)은 발광 유닛(130)의 좌측 상부, 우측 상부, 좌측 하부 및 우측 하부에 배치되어, 이들 4 개의 시야각이 더 넓도록 4 개의 파트를 포함한다. 도 4에 도시된 다른 변형 실시예에서, 광 조정층(140)의 평면도 형상은 타원이고, 타원의 단축의 길이는 발광 유닛(130)의 치수와 동일하다. 다른 변형 실시예에서, 광 조정층(140)의 제1 부분(142)의 평면도 형상은 직사각형 일 수 있고, 광 조정층(140)의 제2 부분(144)의 평면도 형상은 곡선 에지를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 5에서, 제2 부분(144)은 2 개의 곡선 에지를 각각 갖는 2 개의 파트를 포함하고, 제1 부분(142)의 폭은 제2 부분(144)의 폭 보다 크다. 다른 변형 실시예에서, 광 조정층(140)의 가장자리는 불규칙할 수 있다. 예를 들어, 도 6에서, 제2 부분(144)의 에지는 지그재그이다. 게다가, 제2 부분(144)은 제1 부분(142)에 따라 대향하여 배치된 적어도 2 개의 파트를 포함할 수 있고; 예를 들어, 도 2a에서, 제2 부분(144)의 2 개의 파트는 제1 부분(142)의 좌측 및 우측에 배치되지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 제2 부분(144)은 단지 하나의 파트를 포함할 수 있다. 또한, 광 조정층(140)의 평면도 형상은 대칭 또는 비대칭이다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 부분(142)은 기판(substrate)(110)으로부터 이격된 제1 상부 표면(first top surface)(142t), 및 제1 상부 표면(142t)과 대향하는 제1 하부 표면(first bottom surface)(142b)을 포함한다. 제2 부분(144)은 기판(110)으로부터 이격된 제2 상부 표면(144t), 및 제2 상부 표면(144t)과 대향하는 제2 하부 표면(144b)을 포함한다. 일부 실시예에서, 제1 하부 표면(142b)은 광 출력 표면(130s)과 접촉할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 구체적으로, 일부 구체예에서, 제1 상부 표면(142t)의 거칠기는 제2 상부 표면(144t)의 거칠기 보다 클 수 있다. 일부 구체 예에서, 제1 상부 표면(142t)의 거칠기는 제1 하부 표면(142b)의 거칠기 보다 작을 수 있다. 거칠기 디자인을 통해, 광 조정층(140)의 산란 효과는 방출된 광을 보다 균일하게 하기 위해 향상될 수 있다. 이 실시예의 표면의 거칠기는 샘플링 길이 범위 내에서 표면의 2 개의 특정 지점 사이의 높이 차이에 의해 정의된다는 점에 유의한다. 예를 들어 샘플링 길이가 30μm 인 경우, 하나의 표면의 거칠기는 높은 피크와 낮은 밸리 사이의 높이 차이에 의해 정의될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 층의 거칠기의 정의는 임의의 적합한 정의일 수 있다.
또한, 광 조정층(140)의 두께 및 발광 유닛(130)의 두께는 광학적 고려에 따라 설계될 수 있다. 구체적으로, 광 조정층(140)의 두께가 너무 두껍다면, 방출된 광은 광 조정층(140)에 의해 많이 흡수될 수 있고; 광 조정층(140)의 두께가 너무 얇으면, 광 조정층(140)의 균일성 효과가 좋지 않다. 일부 구체 예에서, 제1 반도체층(132), 발광층(134) 및 제2 반도체층(136)의 총 두께(두 전극을 제외한 발광 유닛(130)의 두께)에 대한 광 조정층(140)의 두께의 비는 0.006과 같거나 더 클 수 있고 0.16과 같거나 더 작을 수 있다. 일부 구체 예에서, 광 조정층(140)의 두께는 0.05㎛와 같거나 더 클 수 있고 0.5㎛와 같거나 더 작을 수 있다. 일부 구체 예에서, 제1 반도체층(132), 발광층(134) 및 제2 반도체층(136)의 총 두께(두 전극을 제외한 발광 유닛(130)의 두께)는 3㎛와 같거나 더 클 수 있고 8㎛와 같거나 더 작을 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 조명 장치(100)는 요구 사항에 기초하여 다른 적절한 요소 또는 층을 더 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 조명 장치(100)는 발광 유닛(130)을 보호하기 위해 발광 유닛(130) 상에 배치된 커버층(cover layer)(CL)을 선택적으로 포함할 수 있다. 커버층(CL)은 보호막일 수 있으며, 절연 물질을 포함할 수 있으며, 커버층(CL)은 코팅에 의해 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 조명 장치(100)는 발광 유닛(130)의 고정을 강화하기 위해 발광 유닛(130)과 회로층(120) 사이에 배치된 접착제층(adhesive layer)(AL)을 선택적으로 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예에서, 조명 장치(100)는 임의로 블랙 매트릭스(BM), 픽셀 정의층(pixel define layer)(PDL), 편광판(polarizer), 인캡슐레이션층(encapsulation layer) 및/또는 중간층(medium layer)과 같은 것을 포함할 수 있다. 중간층은 액정층 또는 다른 적합한 중간 재료(medium material)일 수 있다.
도 7 내지 도 12를 참조하면, 도 7 내지 도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 조명 장치의 제조 방법 중 처리 상태의 단면도를 각각 도시한 개략도이다. 예로서, 이하에서는 도 1 및 도 2a에 도시된 조명 장치(100)의 제조 방법을 설명하지만, 이에 제한되지 않는다. 조명 장치(100)의 제조 방법은 조명 장치(100)의 구조에 따라 상응하게 조정될 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 먼저 성장 기판(growth substrate)(GS)이 제공될 수 있다. 그러면, 발광 유닛(130)에 포함된 층 및 요소가 형성될 수 있다. 구체적으로, 이 실시예에서, 제2 반도체층(136), 발광층(134) 및 제1 반도체층(132)은 순차적으로 형성되고, 제1 반도체층(132) 및 제2 반도체층(136)은 에피택셜 성장 프로세스 또는 다른 적절한 제조 프로세스와 같은 것에 의해 형성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 또한, 다른 실시예에서, 버퍼층(도시되지 않음)은 제2 반도체층(136)과 성장 기판(GS) 사이에 형성될 수 있다. 다음으로, 제1 전극(138-1) 및 제2 전극(138-2)이 형성될 수 있고, 내부 절연체(139b) 및 내부 연결 구성 요소(139a)가 선택적으로 형성될 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제조 방법은 발광 유닛(130)에 포함된 층 및 요소를 성장 기판(GS)으로부터 캐리어 기판(CS)으로 전달하기 위해 리프트 오프 프로세스(예를 들어, 레이저 리프트 오프 프로세스)를 사용하고, 접착 유닛(CAL)은 발광 유닛(130)에 포함된 층 및 요소를 캐리어 기판(CS)에 접착시키기 위해 사용될 수 있다. 리프트 오프 공정은 발광 유닛(130)의 상부 표면(예를 들어, 제2 반도체층(136)의 표면)을 거칠게 할 수 있음을 주목한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 층들(예를 들어, 제2 반도체층(136), 발광층(134) 및 제1 반도체층(132))은 예를 들어 포토 리소그래피 기술에 의해 패턴화 되어 발광 유닛(130)을 형성할 수 있다. 포토 리소그래피 기술은 건식 에칭 프로세스, 습식 에칭 프로세스 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 에칭 프로세스는 어느 정도 발광 유닛(130)을 손상시킬 수 있다. 그때, 예비 광 조정층(preliminary light adjusting layer)(140P)은 발광 유닛(130) 상에 형성되고, 예비 광 조정층(140P)은 적절한 증착 프로세스 또는 임의의 적절한 성형 프로세스에 의해 형성될 수 있다. 이 실시예에서, 예비 광 조정층(140P)은 발광 유닛(130)을 완전히 덮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다음으로, 도 10에 도시된 바와 같이, 예비 광 조정층(140P)을 패터닝 하여 광 조정층(140)을 형성할 수 있다. 광 조정층(140)은 상술한 바와 같이 발광 표면을 부분적으로 또는 완전히 덮을 수 있다. 또한, 평면도에서, 광 조정층(140)은 상술한 형상으로 설계될 수 있다.
도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 발광 유닛(130)과 광 조정층(140)을 전사하기 위한 전사 공정(transferring process)이 수행되고; 발광 유닛(130) 및 광 조정층(140)은 캐리어 기판(CS)으로부터 기판(110)으로 전사된다. 회로층(120)은 기판(110) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 도 11에서, 전사 기판(TS) 및 전사 기판(TS) 상에 배 된 전사 접착제층(transferring adhesive layer)(TAL)이 제공된다. 그리고, 전사 접착제층(TAL)은 광 조정층(140)에 접착되어, 광 조정층(140) 및 발광 유닛(130)이 캐리어 기판(CS)으로부터 이탈되도록 할 수 있다. 그리고, 도 12에서, 전사 프로세스는 발광 유닛(130)이 전기적 연결 및 고정을 위해 기판(110)상의 본딩 패드(122) 중 적어도 하나와 본딩되게 하고, 그리고 광 조정층(140) 및 발광 유닛(130)은 전사 기판(TS)으로부터 이탈된다. 본 개시의 전사 프로세스는 이에 제한되지 않으며, 다른 적절한 전사 프로세스가 사용될 수 있다. 위의 과정 후에, 도 1에 도시된 조명 장치(100)의 제조를 완료하기 위해 다른 적합한 층 및/또는 구성 요소가 형성될 수 있다(예를 들어, 커버층(CL)을 형성함).
일부 실시예들에 따르면, 광 조정층(140)을 형성하기 위한 패터닝 절차가 전사 프로세스 전에 수행되기 때문에, 회로층(120) 및 기판(110) 상의 다른층은 이러한 패터닝 절차에 의해 영향을 받지 않으므로, 수율이 향상될 수 있다.
본 발명의 조명 장치 및 그 제조 방법은 상기 실시예에 한정되지 않는다. 본 개시의 다른 실시예들이 아래에서 설명된다. 비교를 쉽게 하기 위해 동일한 구성 요소에는 다음과 같이 동일한 기호가 표시된다. 이하의 설명은 각각의 실시예 사이의 차이점에 관한 것이며, 반복되는 파트는 중복 설명되지 않을 것이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 도 13은 본 발명의 제2 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다. 도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다. 도 13 및 도 14에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 비교하여, 본 실시예의 조명 장치(200)의 광 조정층(140)은 둘 이상의 발광 유닛(130)을 연속적으로 덮는다. 예를 들어, 광 조정층(140)은 도 13 및 도 14에서 두 개의 발광 유닛(130)을 부분적으로 덮지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 동일한 광 조정층(140)으로 덮인 발광 유닛(130)은 동일한 서브 픽셀 내에 배치되고 동일한 컬러를 방출하거나, 다른 서브 픽셀 내에 배치되고, 동일한 컬러를 방출하거나, 다른 서브 픽셀 내에 배치되어 다른 컬러를 방출할 수 있다.
또한, 도 13에서, 커버층(CL)은 기판 또는 회로 기판일 수 있다. 커버층(CL)이 기판인 경우, 기판은 단단하거나 가요성일 수 있다. 기판의 재료는 유리, 플라스틱, 석영, 사파이어, 폴리이 미드, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 일부 구체 예에서, 커버층(CL)은 더 나은 보호 효과를 제공하기 위해 패시베이션층 보다 단단한 기판이다. 이 실시예에서, 조명 장치(200)는 스페이서(spacer)(SP) 및 대향 접착제층(opposite adhesive layer)(OAL)을 포함할 수 있고, 스페이서(SP)는 커버층(CL)을 기판(110)으로부터 분리할 수 있고, 대향 접착제층(OAL)은 커버층(CL)이 스페이서(SP)에 접착되고 광 조정층(140)과 접촉하도록 하기 위해 사용될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 도 15는 본 발명의 제3 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다. 도 16은 본 발명의 제3 실시예의 변형 실시예에 따른 조명 장치의 평면도를 도시한 개략도이다. 도 15에 도시 된 바와 같이, 조명 장치(300)는 제1 실시예와 비교하여 광 조정층(140) 상에 배치된 광학층(optical layer)(310)을 더 포함할 수 있다. 광학층(310)은 방출 광이 보다 균일하도록 방출 광의 광 경로를 조정할 수 있다. 이 실시예에서, 광학층(310)은 또한 방출 광을 산란시키고, 광학층(310)은 산란 효과를 갖는 재료를 포함할 수 있고; 예를 들어, 광학층(310)은 산화 티타늄(titanium oxide), 양자점(quantum dot) 또는 다른 적절한 입자와 같은 나노 입자를 포함할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 또한, 일부 실시예에서, 광학층(310)은 발광색을 변경하기 위한 컬러 필터일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 게다가, 광 조정층(140)의 투영 면적은 광학층(310)의 투영 면적 보다 작을 수 있고; 예를 들어, 본 실시예의 광학층(310)은 발광 유닛(130)을 완전히 덮을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이 실시예에서, 발광 유닛(130)에 대응하는 광학층(310)의 일부는 볼록한 구조(convex structure)(312)를 가질 수 있어서, 방출 광의 광 경로의 조정 효율을 향상시킬 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
게다가, 발광 유닛(130)은 디스플레이 이미지가 모아레 패턴(moir
Figure pat00001
pattern)을 갖지 않도록 다른 각도로 배치될 수 있다. 도 15에서, 하나의 발광 유닛(130)과 기판(110)의 표면 사이의 배치 각도는 다른 발광 유닛(130)과 기판(110)의 표면 사이의 다른 배치 각도와 상이하고; 예를 들어, 좌측 발광 유닛(130)과 기판(110)의 표면 사이의 배치 각도는 약 0도일 수 있고, 우측 발광 유닛(130)과 기판(110)의 표면 사이의 배치 각도는 0도 이상 45도 미만일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도 16에 도시된 바와 같이, 이 변형 실시예의 조명 장치(lighting device)(300')의 발광 유닛(130)은 기판(110)의 하나의 에지(edge)(예를 들어, 측면(322))와 관련하여 상이한 배치 각도를 가질 수 있고; 즉, 평면도에서, 발광 유닛(130) 중 하나의 측면(322)과 중심선(C1) 사이에 배치된 각도(
Figure pat00002
1)는 발광 유닛(130) 중 다른 하나의 측면(322)과 중심선(C2) 사이에 배치된 각도(
Figure pat00003
2)와 상이할 수 있다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 도 17은 본 발명의 제4 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다. 도 18은 본 발명의 제4 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다. 도 17 및 도 18에 도시된 바와 같이, 제1 실시예와 비교하면, 본 실시예의 조명 장치(400)는 다른 타입의(수직 타입) 발광 유닛(130)을 제공한다. 이 실시예에서, 제1 전극(138-1)은 제1 반도체층(132)과 회로층(120) 사이에 배치되어 하부 전극으로서 기능하고; 제2 전극(138-2)은 제2 반도체층(136)과 광 조정층(140) 사이에 배치되어 상부 전극으로서 기능한다. 이 실시예에서, 평면도에서 제2 전극(138-2)은 발광 유닛(130)의 중앙에 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 제2 전극(138-2)은 발광 유닛(130)의 일측에 인접하여 배치될 수 있다. 또한, 본 실시예에서, 제2 전극(138-2)이 회로층(120)에 전기적으로 연결되도록 하기 위해, 조명 장치(400)는 제2 전극(138-2)과 회로층(120) 사이에 전기적으로 연결된 투명 전도층(410)을 더 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 광 조정층(140)은 제2 전극(138-2)을 부분적으로 덮을 수 있고, 투명 전도층(transparent conductive layer)(410)은 제2 전극(138-2)과 접촉하기 위한 적어도 하나의 전극 연결 요소(electrode connecting element)(412)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(138-2)의 일부는 광 조정층(140)에 의해 노출되고(도 17에 도시되고 도 18에 138-2A로 표시된 부분으로 도시됨), 제2 전극(138-2)의 다른 부분은 광 조정층(140)에 의해 덮이고(도 17에 도시되고 도 18에 138-2B/142(140)로 표시된 부분으로 도시됨), 이에 제한되지 않는다. 또한, 본 실시예에서, 투명 전도층(410)(또는 전극 연결 요소(412))은 ITO, IZO 또는 다른 적절한 재료와 같은 투명 전도성 재료를 포함할 수 있다. 광 조정층(140)의 두께를 측정할 때, 광 조정층(140)의 두께는 제2 전극(138-2)을 덮지 않는 광 조정층(140)의 일부의 두께를 지칭할 수 있다. 일부 구체 예에서, 제2 전극(138-2)은 금속과 같은 방열 효과를 갖는 재료를 포함할 수 있고, 수직 타입 발광 유닛(130)의 방열 효과가 향상될 수 있다.
또한, 본 실시예에서, 조명 장치(400)는 회로층(120)과 커버층(CL) 사이에 배치된 절연층(IL)을 더 포함할 수 있고; 절연층(IL)은 발광 유닛(130)을 보호하기 위해 발광 유닛(130)을 부분적으로 덮을 수 있다. 이 실시예에서, 투명 전도층(410)의 존재로 인해, 절연층(IL)은 회로층(120)과 투명 전도층(410) 사이에 배치된다. 게다가, 조명 장치(400)는 도 17에는 도시되지 않았지만, 발광 유닛(130)과 발광 유닛(130)의 고정을 강화하기 위해 회로층(120) 사이에 배치된 접착층(adhesive layer)(AL)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 19 및 도 20a를 참조하면, 도 19는 본 발명의 제5 실시예에 따른 조명 장치의 단면도를 도시한 개략도이다. 도 20a는 본 발명의 제5 실시예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다. 도 19 및 도 20a에 도시된 바와 같이, 제4 실시예와 비교하면, 본 실시예의 조명 장치(500)의 발광 유닛(130)은 상부 전극으로서 기능하는 복수의 제2 전극(138-2)을 포함할 수 있고, 동일한 발광 유닛(130)에 대응하는 복수의 제2 전극(138-2)은 전극 연결 요소(412)를 통해 서로 전기적으로 연결된다. 제2 전극(138-2)은 매트릭스 형태로 배열될 수 있으며, 그러나 제2 전극(138-2)의 배치는 이에 제한되지 않는다. 이 실시예에서, 발광 유닛(130)의 광 균일성이 향상될 수 있다.
또한, 도 19 및 도 20a에서, 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s) 만을 부분적으로 덮고 제2 전극(138-2)을 노출시킨다. 상세히, 광 조정층(140)의 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s)의 상부 표면(130s1)의 파트 및 측면(130s2)의 파트를 덮을 수 있다. 광 조정층(140)은 제1 방향(D1)을 따라 연장되고, 제1 부분(142) 및 제2 부분(144)은 제1 방향(D1)을 따라 연결된다. 제1 부분(142)은 발광 유닛(130)과 부분적으로 만 중첩하고, 발광 유닛(130)의 파트(130n으로 표시됨)는 제1 부분(142)에 의해 중첩되지 않는다. 다양한 실시예에 따르면, 도 20b는 본 발명의 제5 실시예의 변형 예에 따른 발광 유닛 및 광 조정층의 평면도를 도시한 개략도이다. 도 19 및 도 20b에 도시된 바와 같이, 광 조정층(140)의 제1 부분(142)은 광 출력 표면(130s)의 상부 표면(130s1) 및 측면(130s2)의 전체 파트를 덮을 수 있고, 제1 부분(142)은 제2 전극(138-2)만을 노출시킨다. 제2 부분(144)은 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)을 따라 연장되고 제1 방향(142)을 둘러쌀 수 있다.
본 개시에서, 상기 실시예들이 예시 적으로 설명되지만, 본 개시는 이들 실시예들에 의해 제한되지 않는다. 상기 실시예에서 설명된 특징은 다른 실시예로 선택되고 조합될 수 있다.
요약하면, 일부 실시예들에 따르면, 광 조정층의 설계로 인해, 발광 유닛으로부터 방출된 광은 균일할 수 있다.
당업자는 본 개시의 교시를 유지하면서 장치 및 방법의 다수의 수정 및 변경이 이루어질 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다. 따라서, 상기 개시 내용은 첨부된 청구 범위의 범위 및 경계에 의해서만 제한되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 조명 장치에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되는 발광 유닛 - 상기 발광 유닛은 광 출력면을 포함하는 -; 및
    상기 발광 유닛 상에 배치되는 광 조정층 - 상기 광 조정층은 상기 제1 부분 및 상기 제1 부분에 연결된 제2 부분을 포함하는 -;을 포함하고,
    상기 제1 부분은 광 출력 표면만을 부분적으로 덮고, 및 상기 제2 부분은 광 출력 표면을 덮지 않는
    장치.
  2. 제1항에 있어서,
    평면도에서, 상기 제1 부분의 투영 면적은 상기 제2 부분의 투영 면적 보다 더 큰
    장치.
  3. 제1항에 있어서,
    평면도에서, 상기 제1 부분의 투영 영역 대 상기 광 출력 표면의 투영 영역의 비는 1/10 이상 1 미만인
    장치.
  4. 제1항에 있어서,
    평면도에서, 상기 제2 부분의 투영 영역 대 상기 광 출력 표면의 투영 영역의 비는 0 보다 크고 1/2 이하인
    장치.
  5. 제1항에 있어서,
    평면도에서, 상기 광 출력 표면으로부터 가장 먼 제2 부분의 지점과 상기 광 출력 표면 사이의 최소 거리는 3㎛ 내지 100㎛의 범위인
    장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 제1 부분에 따라 대향하여 배치된 적어도 2 개의 파트를 포함하는
    장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조명 장치는,
    적어도 하나의 전극 연결 요소를 더 포함하고, 및
    상기 발광 유닛은 전극 연결 요소를 통해 서로 전기적으로 연결된 복수의 상부 전극을 더 포함하는
    장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 전극 연결 요소는,
    투명 전도성 재료를 포함하는 것 인
    장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 다른 발광 유닛을 더 포함하고,
    상기 광 조정층은 상기 발광 유닛 및 상기 다른 발광 유닛을 부분적으로 덮는
    장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분은 기판으로부터 떨어진 제1 상부 표면을 포함하고,
    상기 제2 부분은 기판으로부터 떨어진 제2 상부 표면을 포함하고, 및
    상기 제1 상부 표면의 거칠기는 상기 제2 상부 표면의 거칠기 보다 더 큰
    장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분은 기판으로부터 이격된 제1 상부 표면 및 상기 제1 상부 표면에 대향하는 제1 하부 표면을 포함하고, 상기 제1 상부 표면의 거칠기는 상기 제1 하부 표면의 거칠기 보다 작은
    장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 광 조정층 상에 배치된 광학층을 더 포함하는
    장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 광 조정층의 투영 면적은 상기 광학층의 투영 면적 보다 작은
    장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 발광 유닛은,
    제1 반도체층;
    상기 제1 반도체층 상에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 상에 배치된 제2 반도체층; 을 포함하고,
    상기 제1 반도체층, 상기 발광층 및 상기 제2 반도체층의 총 두께에 대한 상기 광 조정층의 두께의 비는 0.006 이상 0.16 이하인
    장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 광 조정층의 두께는 0.05㎛ 이상 0.5㎛ 이하인
    장치.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 광 조정층은 무기 절연 재료를 포함하는
    장치.
  17. 조명 장치에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되는 발광 유닛 - 상기 발광 유닛은 광 출력면을 포함하는 -; 및
    상기 발광 유닛 상에 배치된 광 조정층 - 상기 광 조정층은 제1 부분 및 상기 제1 부분에 연결된 제2 부분을 포함하고, 상기 광 조정층은 무기 절연 재료를 포함하는 -; 을 포함하고,
    상기 제1 부분은 광 출력 표면을 덮고, 상기 제2 부분은 광 출력 표면을 덮지 않는
    장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 무기 절연 물질은 질화규소, 산화 규소 또는 이들의 조합을 포함하는
    장치.
  19. 조명 장치의 제조 방법에 있어서,
    발광 유닛 및 상기 발광 유닛 상에 배치된 광 조정층을 지지하는 제1 기판을 제공하는 단계 - 상기 발광 유닛은 광 출력면을 포함하고, 상기 광 조정층은 제1 부분 및 상기 제1 부분에 연결된 제2 부분을 포함함 -;
    제2 기판을 제공하는 단계; 및
    상기 발광 유닛 및 상기 광 조정층을 상기 제2 기판으로 전사하는 단계; 를 포함하고,
    상기 제1 부분은 광 출력 표면을 덮고, 상기 제2 부분은 광 출력 표면을 덮지 않는
    방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 발광 유닛 및 상기 광 조정층을 지지하는 제1 기판을 제공하는 단계는:
    상기 제1 기판 상에 상기 발광 유닛을 형성하는 단계;
    상기 발광 유닛 상에 예비 광 조정층을 형성하는 단계; 및
    상기 광 조정층을 형성하기 위하여 상기 예비 광 조정층을 패터닝 하는 단계를 포함하는
    방법.
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