CN111863874B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置，其包括阴极电极、第一阳极电极、第二阳极电极、第一发光层、第一光转换层、第二发光层、第二光转换层与辅助电极。第一发光层设置在阴极电极与第一阳极电极之间，第一光转换层设置在第一发光层上，第二发光层设置在阴极电极与第二阳极电极之间，第二光转换层设在第二发光层上，辅助电极电性连接阴极电极，辅助电极的一部分在显示装置的俯视方向上位于第一光转换层与第二光转换层之间。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，特是涉及一种提升亮度均匀性的显示装置。
背景技术
显示装置已广泛地使用，而随着显示装置的尺寸增加，显示装置的亮度均匀性会降低，使得显示装置的质量受到影响。因此，业界正努力改善显示装置的亮度均匀性。
发明内容
在一实施例中，本发明提供了一种显示装置，其包括阴极电极、第一阳极电极、第二阳极电极、第一发光层、第一光转换层、第二发光层、第二光转换层以及辅助电极。第一发光层设置在阴极电极与第一阳极电极之间，第一光转换层设置在第一发光层上，第二发光层设置在阴极电极与第二阳极电极之间。第二光转换层设置在第二发光层上，辅助电极电性连接阴极电极，辅助电极的一部分在显示装置的俯视方向上位于第一光转换层与第二光转换层之间。
在另一实施例中，本发明提供了一种显示装置，其包括第一发光单元、第二发光单元以及辅助电极。第二发光单元与第一发光单元相邻设置，辅助电极电性连接第一发光单元与第二发光单元，辅助电极的一部分在显示装置的俯视方向上位于第一发光单元与第二发光单元之间。
在阅读了下文绘示有各种附图的实施例的详细描述之后，对于所属领域的技术人员来说，应可清楚明了本发明的目的。
附图说明
图1为本发明第一实施例的显示装置的俯视示意图。
图2为本发明第一实施例的显示装置的剖面示意图。
图3为本发明第一实施例的发光层的剖面示意图。
图4为本发明第一实施例的显示装置的光转换层、辅助电极与光遮蔽层的俯视示意图。
图5为本发明另一实施例的显示装置的辅助电极与子像素的俯视示意图。
图6为本发明另一实施例的显示装置的辅助电极与子像素的俯视示意图。
图7为本发明另一实施例的显示装置的辅助电极与子像素的俯视示意图。
图8为本发明第二实施例的显示装置的剖面示意图。
图9为本发明第三实施例的显示装置的剖面示意图。
图10为本发明第四实施例的显示装置的剖面示意图。
图11为本发明第五实施例的显示装置的剖面示意图。
图12为本发明第六实施例的显示装置的剖面示意图。
图13为本发明第七实施例的显示装置的剖面示意图。
图14为本发明第八实施例的显示装置的剖面示意图。
图15为本发明第九实施例的显示装置的剖面示意图。
附图标记说明：100、200、300、400、500、600、700、800、900-显示装置；110-基板；110a-显示区；110b-周边区；120-第一导电层；122-第一绝缘层；124-半导体层；126-第二导电层；128-第二绝缘层；129-连接结构；130-第一电极；132-发光层；134-第二电极层；134a-第二电极；140-保护层；150-第一平坦层；160-对向基板；170、170_1、170_2-光转换层；170a、170a_1、170a_2-第一光转换层；170b、170b_1、170b_2-第二光转换层；172-第一转换部；174-第二转换部；176-散射层；180-光遮蔽层；182、184-子层；190-第二平坦层；210-过涂层；310、320-透明导电层；330-绝缘层；610-共享电极；620、V1-导电通孔；AE-辅助电极；AE1-第一辅助部；AE2-第二辅助部；AG-空隙；B、G、R-子像素；BM-光阻挡结构；CL-电路层结构；CNt-通道层；d1、d3-距离；d2-宽度；Dt-汲极电极；EIL-电子注入层；ETL-电子传输层；GL-布拉格层；Gt-闸极电极；HIL-电洞注入层；HTL-电洞传输层；LS-发光结构；LU-发光单元；LU1-第一发光单元；LU2-第二发光单元；LU3-第三发光单元；OL-光学层；PB-周边垫；PDL-像素定义层；PDS-像素定义结构；PS1、PS2-突起结构；PW-周边走线；SP1-第一子像素；SP2-第二子像素；SP3-第三子像素；SP4-第四子像素；SP5-第五子像素；St-源极电极；T-薄膜晶体管；X-第一方向；Y-第二方向；Z-俯视方向。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出显示装置的一部分，且图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。
本发明通篇说明书与权利要求书中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，「包括」、「含有」、「具有」等词为开放式词语，因此其应被解释为「含有但不限定为…」之意。因此，当本发明的描述中使用术语「包括」、「含有」及/或「具有」时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作及/或构件的存在。
当相应的构件例如膜层或区域被称为「在另一个构件(或其变体)上」或「延伸到另一个构件」时，它可以直接在另一个构件上或直接延伸到另一个构件，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为「直接在另一个构件(或其变体)上」或「直接延伸到另一个构件」时，则两者之间不存在任何构件。
应当理解到，当构件或膜层被称为「连接至」或「接触」另一个构件或膜层时，它可以直接连接到(或直接接触)此另一构件或膜层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。当构件被称为「直接连接至」或「直接接触」另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为「耦接于另一个构件(或其变体)」时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。当构件被称为「设置在」B1构件「上」时，它可以直接设置在B1构件上，或者可以通过其他构件而间接设置在B1构件上。当构件被称为「设置在」B1构件与B2构件「之间」时，它可以直接设置在B1构件与B2构件之间，或者可以通过其他构件而间接设置在B1构件与B2构件之间。
应当理解到，当「结构的一部分」位于另两构件之间时，此结构可完全地或部分地位于此两构件之间。
术语「大约」、「等于」、「相等」或「相同」、「实质上」或「大致上」一般解释为在所给定的值或范围的20％以内，或解释为在所给定的值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％以内。
说明书与权利要求书中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词用以修饰元件，其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求书与说明书中可不使用相同用词，据此，说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神下，可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用。
在本发明中，显示装置可为发光二极管(light-emitting diode,LED)显示器(如微型发光二极管(micro-LED、mini-LED))显示器、有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器、量子点发光二极管(quantum dotslight-emitting diode,QLED或QD-LED)显示器、可挠式显示器或任何其他适合的显示器。
请参考图1至图4，图1为本发明第一实施例的显示装置的俯视示意图，图2为本发明第一实施例的显示装置的剖面示意图，图3为本发明第一实施例的发光层的剖面示意图，图4为本发明第一实施例的显示装置的光转换层、辅助电极与光遮蔽层的俯视示意图，其中图2仅绘示一个第一子像素SP1、一个第二子像素SP2与一个第三子像素SP3，但不以此为限。如图1所示，显示装置100包括显示区110a与周边区110b，周边区110b位于显示区110a的一侧或多侧，而驱动电路、集成电路(integrated circuit)、周边垫(peripheral pad)及/或周边走线例如设置在周边区110b上。在一些实施例中，周边区110b可环绕显示区110a，但不以此为限。在一些实施例中，多个像素对应于显示区110a设置，显示区110a可定义为含有所有子像素的区域。须说明的是，显示区110a(及/或周边区110b)的位置与范围仅为示例，并不以此为限。在一些实施例中，一个像素可包括多个子像素，例如，像素可包括发射红光的子像素R、发射绿光的子像素G及/或发射蓝光的子像素B，但不以此为限。须注意的是，在周边区110b中，图1仅绘示两个周边走线PW与两个周边垫PB而省略了其他元件，以使图1简洁与清楚。设置在周边区110b中的周边走线PW电性连接设置在周边区110b中的周边垫PB，且周边走线PW的材料可相同或不同于周边垫PB的材料。
如图1与图2所示，显示装置100包括基板110、电路层结构CL、多个发光单元LU(例如第一发光单元LU1、第二发光单元LU2与第三发光单元LU3)、像素定义层(pixel defininglayer)PDL、至少一辅助电极AE、多个光转换层170以及光遮蔽层180，但不以此为限。显示装置100还可包括对向基板160，其中电路层结构CL、发光单元LU、像素定义层PDL、辅助电极AE、光转换层170与光遮蔽层180设置在基板110与对向基板160之间，但不以此为限。基板110与对向基板160可包括硬质基板或可挠式基板，其中硬质基板可包括玻璃基板、塑料基板、石英基板、蓝宝石基板或其他适合的硬质基板，可挠式基板可包括聚亚酰胺(polyimide,PI),聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)及/或其他适合的可挠材料，但不以此为限。
电路层结构CL设置在基板110上，发光单元LU与像素定义层PDL设置在电路层结构CL上，其中电路层结构CL用来驱动发光单元LU以发光，像素定义层PDL用以将发光单元LU彼此分隔以定义出不同的发光单元LU(例如第一发光单元LU1、第二发光单元LU2与第三发光单元LU3)。在一些实施中，一个发光单元LU可对应并被包括在子像素(例如第一子像素SP1(R)、第二子像素SP2(G)、第三子像素SP3(B))中。在一些实施例中，电路层结构CL可包括走线、薄膜晶体管、电容及/或其他适合的元件，但不以此为限。发光单元LU电性连接对应的薄膜晶体管T。在一些实施例中，电路层结构CL可包括第一导电层120、第一绝缘层122、半导体层124、第二导电层126与第二绝缘层128，依序设置在基板110上，但不以此为限。另外，多个薄膜晶体管T、多个数据线(未绘示)与多个扫描线(未绘示)设置在基板110上，而电路层结构CL包括多个薄膜晶体管T、多个数据线(未绘示)与多个扫描线(未绘示)。薄膜晶体管T的闸极电极Gt与扫描线可由同一层(如第一导电层120)所形成，但不以此为限。须说明的是，当本发明中使用「A由B形成」的描述，其可包括「A仅由B形成、或A由B及/或另一元件或材料所形成」。薄膜晶体管T的源极电极St及/或汲极电极Dt可与数据线由同一层(如第二导电层126)所形成，但不以此为限。薄膜晶体管T的通道层CNt可由同一层(如半导体层124)所形成，但不以此为限。
如图2所示，薄膜晶体管T可为底闸型晶体管(bottom gate transistor)，但不以此为限。在一些实施例中，薄膜晶体管T可包括顶闸型晶体管(top gate transistor)、双闸极晶体管(double gate transistor或dual gate transistor)、其他适合的晶体管或其组合，但不以此为限。薄膜晶体管T的类型与元件或膜层的设置可依据需求而调整。
电路层结构CL的导电层的材料可包括金属及/或透明导电材料，其中透明导电材料可包括氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide,IZO)、任何其他适合的导电材料或其组合，但不以此为限。电路层结构CL的绝缘层的材料可包括有机材料或无机材料。电路层结构CL的绝缘层的材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、任何其他适合的绝缘材料或其组合，但不以此为限。电路层结构CL的半导体层124的材料可包括低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)、氧化铟镓锌(indium gallium zincoxide,IGZO)、非晶硅(amorphous silicon,a-Si)、其他适合的材料或其组合，但不以此为限。
发光单元LU可包括发光二极管(LED)、微型发光二极管(micro-LED或mini-LED)、有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED或QD-LED)或任何其他适合的发光元件，但不以此为限。本发明举例使用有机发光二极管作为发光单元LU，但显示装置中的发光单元LU可为其他类型的发光元件。在图2中，一个发光单元LU(如第一发光单元LU1、第二发光单元LU2或第三发光单元LU3)可包括多个第一电极130中的其中一个、第二电极层134的一部分(如第二电极134a)以及设置在第一电极130与第二电极134a之间的发光层132的一部分。在一些实施例中，多个发光单元LU可共享发光层132，但不以此为限。在一些实施例中，发光层132可对应至少一个发光单元LU设置。第二电极层134包括多个第二电极134a，第二电极层134可设置在多个发光单元LU中。在一些实施例中，第二电极134a可定义为第二电极层134在显示装置的俯视方向Z上重叠于发光层132并对应于第一电极130的一部分，其中显示装置的俯视方向Z可为基板110的法线方向。第一电极130设置在发光层132与电路层结构CL之间，并电性连接电路层结构CL中的薄膜晶体管T(例如，图2中的第一电极130通过连接结构129以电性连接对应的薄膜晶体管T中的汲极电极Dt，但不以此为限)。在一些实施例中，第一电极130可为阳极电极，第二电极134a可为阴极电极，但不以此为限。须注意的是，第一发光单元LU1的第一电极130可称为第一阳极电极，第二发光单元LU2的第一电极130可称为第二阳极电极，第三发光单元LU3的第一电极130可称为第三阳极电极，但不以此为限。在一些实施例中，第二电极层134可为共享阴极电极，且可通过周边走线PW(如图1所示)从周边元件提供共享电压(common voltage)给第二电极层134，但不限于此。在一些实施例中，第一电极130的材料可为金属、透明导电材料或其组合。在一些实施例中，第二电极层134的材料可包括透明导电材料或可透光导电材料，而第二电极层134的厚度可在
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)，但不以此为限。
如图2与图3所示，发光层132用以发射光线，而发光层132可包括一多层结构，其中发光层132中所包括的膜层数量与类型可依据需求而设计。举例而言，图3中的发光层132可设置在第一电极130与第二电极层134之间，发光层132包括依序堆栈在第一电极130上的至少一电洞注入层HIL、至少一电洞传输层HTL、至少一发光结构LS、至少一电子传输层ETL及/或至少一电子注入层EIL，但不以此为限。发光单元LU所发射的光由发光结构LS所产生。需注意的是，设置于第二电极134a(例如阴极电极)与第一阳极电极(例如第一发光单元LU1中的第一电极130)之间的发光层132的部分即为第一发光层，设置于第二电极134a(例如阴极电极)与第二阳极电极(例如第二发光单元LU2中的第一电极130)之间的发光层132的部分即为第二发光层，设置于第二电极134a(例如阴极电极)与第三阳极电极(例如第三发光单元LU3中的第一电极130)之间的发光层132的部分即为第三发光层，但不限于此。
须注意的是，在图2中，像素定义层PDL包括多个像素定义结构PDS，且发光单元LU(如第一发光单元LU1、第二发光单元LU2与第三发光单元LU3)位于相邻的像素定义结构PDS之间。在一些实施例中(如图2)，子像素(如SP1(R)、SP2(G)、SP3(B))可由光阻挡结构BM来界定，但不以此为限。在一些实施例中，显示装置可不包括光阻挡结构BM，而子像素(如SP1(R)、SP2(G)、SP3(B))可由像素定义层PDL来界定，例如像素定义层PDL包括多个开口以分隔或形成像素定义结构PDS，而子像素(如SP1(R)、SP2(G)、SP3(B))的区域可由在显示装置的俯视方向Z上对应开口的区域来界定。在一些实施例中，发光层132与第二电极层134可跨过像素定义结构PDS以形成连续膜层，但不以此为限。另一方面，由于图2中的发光层132的一部分可重叠于像素定义层PDL，且此部分不对应且不电性连接第一电极130，因此发光层132的此部分可不发光。换句话说，夹在第二电极层134及第一电极130的发光层132的部分才可发光。在其它实施例(未绘示)，第一电极130可分别设置于像素定义层PDL的多个开口中，第一电极130可接触部分的像素定义层PDL的侧壁，使第一电极130于剖示上呈现凹字形或U字形的结构，故夹在第一电极130及第二电极层134之间的发光层132的部分才可发光，可增加发光层132发光面积，但不以此为限。
如图2所示，光转换层170与光遮蔽层180可设置在发光单元LU上，光转换层170可在显示装置的俯视方向Z上由光遮蔽层180所分隔。光转换层170用以转换对应的发光单元LU所发射的光线的色彩。举例而言，在本实施例中，发光单元LU发射蓝光(或其他色光)，而光转换层170可将蓝光(或其他色光)转换为红光、绿光或具有其他任何适合颜色的光线。在一些实施例中，发光单元LU发射白光，光转换层170可将白光转换或过滤为红光、绿光、蓝光或具有其他任何适合颜色的光线。光转换层170的材料可包括量子点(quantum dots)、色阻(color filter)、磷光材料(phosphorescent material)或任何其他适合的材料，但不以此为限。在一些实施例中(如图2)，光转换层170可包括第一转换部172与设置在第一转换部172上的第二转换部174，第一转换部172包括量子点，第二转换部174包括色阻，但不以此为限。在一些实施例中，发光单元LU可发射蓝光，第一转换部172将蓝光转换为红光或绿光，但不以此为限。在一些实施例中，第二转换部174可吸收或过滤蓝光或其他光线(例如紫外光(UV light))，但不以此为限。光遮蔽层180可用以遮蔽不透明或反射性元件、阻挡不必要的光线及/或将子像素彼此分隔。光遮蔽层180可包括多个光阻挡结构BM，在显示装置的俯视方向Z上设置在光转换层170之间。在一些实施例中，光阻挡结构BM可在显示装置的俯视方向Z上重叠于对应的像素定义结构PDS，但不以此为限。在一些实施例中，光遮蔽层180可包括单层结构或多层结构。举例而言(如图2)，光遮蔽层180可具有，但不限于，两个子层(子层182及子层184)，而光遮蔽层180的材料可包括光阻材料、有机材料、金属材料或任何其他适合的材料，但不以此为限。子层182及子层184的材料可彼此相同或不同。
在图2中，由于发光单元LU可发射蓝光，因此光转换层170被包括在子像素中，例如被包括在第一子像素SP1(R)、第二子像素SP2(G)中，但光转换层170不被包括在第三子像素SP3(B)中，但不以此为限。另一方面，散射层176可被包括在第三子像素SP3(B)中，散射层176可包括多个粒子以散射蓝光，但不以此为限。在一些实施例中，发光单元LU可发射蓝光或紫外光，光转换层170可被包括在第一子像素SP1(R)、第二子像素SP2(G)与第三子像素SP3(B)中，蓝光或紫外光可被光转换层170转换为具有适当波长的光线，但不以此为限。
在本发明中，显示装置100包括电性连接第二电极134a的辅助电极AE，使显示装置100亮度的均匀性得以提升。在一些实施例中，辅助电极AE可在显示装置的俯视方向Z上重叠于第二电极层134的一部分并彼此电性连接。在一些实施例中，辅助电极AE电性连接第二电极层134，且辅助电极AE的电阻小于第二电极层134的电阻，使显示装置100亮度的均匀性得以提升。
在一些实施例中，辅助电极AE的厚度大于或等于0.1微米(μm)并小于或等于0.3微米，但不以此为限。在一些实施例中，辅助电极AE的厚度大于或等于0.15微米且小于或等于0.2微米，但不以此为限。辅助电极AE的厚度可定义为通过任何扫描式电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)图中沿着显示装置的俯视方向Z测量的最大厚度。在一些实施例中，辅助电极AE的宽度d2可大于或等于1.5微米且小于或等于8微米(1.5微米≤d2≤8微米)，但不以此为限。在一些实施例中，辅助电极AE的宽度d2可大于或等于3微米且小于或等于5微米(3微米≤d2≤5微米)。辅助电极AE的宽度d2可定义为通过任何SEM图或光学显微镜(optical microscope,OM)图测量的最大宽度。在一些实施例中(如图2与图3)，辅助电极AE的厚度可大于第二电极层134、电洞注入层HIL、电洞传输层HTL、电子传输层ETL、电子注入层EIL及/或电荷产生层(未示于图3)等膜层的厚度，但不以此为限。在一些实施例中，辅助电极AE的厚度可小于第一转换部172、第二转换部174及/或光遮蔽层180等膜层的厚度。上述膜层与元件的厚度可定义为通过任何SEM图中沿着显示装置的俯视方向Z测量的最大厚度。在一些实施例中(未绘示)，辅助电极AE的剖面轮廓可包括三角形、梯形、矩形、多边形、圆形、具有曲线边缘的形状、任何其他适合的形状或其组合，但不以此为限。在一些实施例中，辅助电极AE的材料可包括金属、透明导电材料、任何其他适合的导电材料或其组合。在一些实施例中，辅助电极AE的材料可相同于或不同于第二电极层134的材料及/或第一电极130的材料。
在一些实施例中，辅助电极AE的一部分在显示装置的俯视方向Z上可设置在两相邻的发光单元LU之间。为了详细描述，子像素R(红色子像素)的其中一个可称为第一子像素SP1，子像素G(绿色子像素)的其中一个可称为第二子像素SP2，子像素B(蓝色子像素)的其中一个可称为第三子像素SP3(如图1与图2所示)，其中第一子像素SP1、第二子像素SP2与第三子像素SP3可邻近于位于周边区110b上的周边垫PB，且第二子像素SP2可设置在第一子像素SP1与第三子像素SP3之间。在一些实施例中，如图1与图2所示，第一子像素SP1可包括至少一薄膜晶体管T、第一发光单元LU1与第一光转换层170a，第二子像素SP2可包括至少一薄膜晶体管T、第二发光单元LU2与第二光转换层170b，第三子像素SP3可包括至少一薄膜晶体管T、第三发光单元LU3与散射层176，但不以此为限。在图1中，辅助电极AE的俯视图案包括具有圆角的矩形图案，辅助电极AE可环绕至少一子像素(或至少一像素)，且辅助电极AE可以组合成网状，但不以此为限。第一光转换层170a在显示装置的所述俯视方向Z上可被辅助电极AE所环绕。更具体地，辅助电极AE可环绕(或邻近)第一光转换层170a，辅助电极AE的一部分在显示装置的俯视方向Z上可设置在第一子像素SP1中的第一发光单元LU1与第二子像素SP2中的第二发光单元LU2之间。换句话说，在显示装置的俯视方向Z上，辅助电极AE的一部分设置在第一光转换层170a与第二光转换层170b之间。
在图2中，辅助电极AE在显示装置的俯视方向Z上可重叠于像素定义层PDL及/或光遮蔽层180。在一些实施例中(图2)，辅助电极AE沿基板110的法线方向(如俯视方向Z上)设置在像素定义层PDL与光遮蔽层180之间。在一些实施例中(如图2)，辅助电极AE依据基板110的法线方向(如俯视方向Z)设置在像素定义层PDL与第二电极层134之间。在一些实施例中(图未示)，辅助电极AE设置在第二电极层134上。在一些实施例中，辅助电极AE的宽度可小于所对应的光阻挡结构BM的宽度及/或所对应的像素定义结构PDS的宽度，可提升显示装置100的质量。在一些实施例中，根据显示装置的俯视方向Z，辅助电极AE在基板110上的投影面积可小于所对应的光阻挡结构BM在基板110上的投影面积。须注意的是，元件的投影面积定义为该元件沿着俯视方向Z投影在基板110的表面上的面积，但不以此为限。在一些实施例中，如图2与图4所示，在显示装置的俯视方向Z上，辅助电极与第一光转换层170a之间的最小距离d3大于或等于0.5微米并小于或等于10微米，但不以此为限。在一些实施例中，光阻挡结构BM与第一光转换层170a设置在相同的基板(如对向基板160)上或不同的基板，而辅助电极与第一光转换层170a之间的最小距离d3可由任何SEM图来测量，但不以此为限。在一些实施例中，在显示装置的俯视方向Z上，光阻挡结构BM可重叠于第一光转换层170a。
在一些实施例中，如图2与图4所示，在显示装置的俯视方向Z上，距离d1可定义为光阻挡结构BM在基板110上的投影面积的轮廓与辅助电极AE在基板110上的投影面积的轮廓之间的最小距离，距离d1大于或等于0.5微米并小于或等于10微米(0.5微米≤d1≤10微米)，但不以此为限。在一些实施例中，光阻挡结构BM与辅助电极AE可设置在相同的基板上或不同的基板上，距离d1可由任何SEM图来测量，但不以此为限。在一些实施例中，最小距离d1对于辅助电极AE的宽度d2的比值大于或等于0.06且小于或等于1.4(0.06≤d1/d2≤1.4)，但不以此为限。在一些实施例中(如图2)，在显示装置的俯视方向Z上，辅助电极AE可不重叠发光层132。在一些实施例中(如图2)，辅助电极AE设置在第二电极层134与发光层132之间。举例而言，辅助电极AE的上表面及/或侧表面可接触第二电极层134，辅助电极AE的下表面可接触发光层132，但不以此为限。在一些实施例中(如图2)，第二电极层134可覆盖辅助电极AE。在一些实施例中，抗氧化层(图未示)可设置在辅助电极AE上或覆盖辅助电极AE，以减少辅助电极AE的氧化。
在一些实施例中，辅助电极AE可具有反射性质的材料(如金属)，用以将从发光单元LU发射的光线反射至光转换层170，提升光线的利用率或提高显示装置100的亮度。在一些实施例中，辅助电极AE的反射率可大于第二电极层134及/或电路层结构CL的导电层的反射率，但不以此为限。在一些实施例中，辅助电极AE的剖面轮廓可依据光所需的反射角度而设计。
请参考图1，在一些实施例中，辅助电极AE可具有不同的宽度、厚度、长度、环绕面积及/或基板110上的投影面积。如图1所示，周边垫PB电性连接周边走线PW与辅助电极AE。在一些实施例中，辅助电极AE可接触周边垫PB，而外部提供的信号(如共享电压，但不以此为限)可依序由周边走线PW、周边垫PB、辅助电极AE传送至第二电极层134，但不以此为限。因此，在一些实施例中(图1)，辅助电极AE的宽度可随着辅助电极AE与周边垫PB之间的距离增加而增大，以增加辅助电极AE的电特性。为了详细描述，在图1中，子像素R中接近显示区110a的中心的其中一个可称为第四子像素SP4，子像素G中接近显示区110a的中心的其中一个可称为第五子像素SP5，第一子像素SP1(R)与第二子像素SP2(G)相邻于设置在周边区110b的周边垫PB，而环绕第一子像素SP1(R)的辅助电极AE的第一宽度可小于环绕第四子像素SP4(R)的辅助电极AE的第二宽度。在一些实施例中，第一宽度对于第二宽度的比值大于或等于0.1并小于1(0.1≤比值<1)，但不以此为限。在一些实施例中，环绕第二子像素SP2(G)的辅助电极AE的宽度可小于环绕第五子像素SP5(G)的辅助电极AE的宽度。在一些实施例中，周边垫PB设置在两相对侧(例如左侧与右侧，但不以此为限)。在另一实施例中(图未示)，显示装置100具有一个周边垫PB，周边垫PB可设置在一侧(例如左侧)，设置在邻近于周边垫PB的侧部分(如显示区110a的左部分)的辅助电极AE的宽度可例如小于设置在显示区110a的中间部分的辅助电极AE的宽度，设置在显示区110a的中间部分的辅助电极AE的宽度可小于设置在远离于周边垫PB的侧部分(如显示区110a的右部分)的辅助电极AE的宽度，但不以此为限。
辅助电极AE的俯视图案并不由上文所限制，可依据子像素或任何其他需求而设计。在一些实施例中，辅助电极AE为点状、直线形状、网状、任何其他适合的形状中的其中一种或其组合，但不以此为限。请参考图5与图6，一个像素包括一个子像素R、两个子像素G与一个子像素B，子像素R、G、B可以PenTile形式排列，但不以此为限。在图5中，像素沿第一方向X与第二方向Y排列而形成阵列，但不以此为限。第一方向X不同于第二方向Y，且第一方向X与第二方向Y垂直于基板110的法线方向(如俯视方向Z)。辅助电极AE可为网状，并可环绕至少一个像素，但不以此为限。在另一实施例中，辅助电极AE可环绕任何适合数量的子像素或像素。如图6所示，在一实施例中，子像素与像素的排列可相同于图5，而辅助电极AE可为点状，但不以此为限。辅助电极AE与像素之间的对应关系或辅助电极AE与子像素之间的对应关系可依据需求而设计。如图7所示，辅助电极AE为直线形状或条状，至少一个子像素可位于两辅助电极之间，但不以此为限。此外，在一些实施例中，显示装置100可包括不同形状的辅助电极AE，例如，相邻于位于周边区110b的周边垫PB的辅助电极AE可为点状，其他辅助电极AE可组合成网状、直线或条状，但不以此为限。
特别地，辅助电极AE可由化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)、压印制程(imprinting process)或其组合所形成，但不以此为限。化学气相沉积包括常压化学气相沉积(atmospheric pressurechemical vapor deposition,APCVD)、低压化学气相沉积(low pressure chemical vapordeposition,LPCVD)、气悬胶体辅助化学气相沉积(aerosol assisted chemical vapordeposition,AACVD)、超高真空化学气相沉积(ultra-high vacuum chemical vapordeposition,UHVCVD)、直接注入液体化学气相沉积(direct liquid injection chemicalvapor deposition,DLICVD)、微波电浆化学气相沉积(microwave plasma chemical vapordeposition,MPCVD)、有机金属化学气相沈积(metal organic chemical vapor phasedeposition,MOCVD)、电浆辅助化学气相沈积(plasma enhanced chemical vapordeposition,PECVD)、原子层化学气相沉积(atomic layer chemical vapor deposition,ALCVD)、混合物理化学气相沉积(hybrid physical-chemical vapor deposition,HPCVD)、热丝化学气相沉积(hot-wire chemical vapor deposition,HWCVD)、快速热退火化学气相沉积法(rapid-thermal chemical vapor deposition,RTCVD)与其它任何适合的化学气相沉积的方法。物理气相沉积可包括真空蒸镀制程(vacuum evaporation process)、溅镀制程(sputtering process)、离子镀制程(ion plating process)或其它任何适合的物理气相沉积的方法。关于压印制程，先形成印模，其中印模可具有至少一凹结构及/或至少一凸结构。印模的材料可为任何适合的材料，例如聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane,PDMS)。之后，在一些实施例中，油墨溶液散布在印模的凸结构上，然后，通过印模将油墨印在导电层上，以形成辅助电极AE。在此情况下，油墨作为屏蔽。然后，进行蚀刻制程以移除未与油墨重叠的导电层的部分，以形成辅助电极AE。在另一实施例中，导电油墨可设置在基板110上，然后，将印模压在导电油墨上以压印导电油墨，以形成辅助电极AE。在另一实施例中，可将导电油墨设置在印模的凹结构中，并将导电油墨固化，然后，印模以固化的导电油墨压印在基板110上，以形成辅助电极AE。上述压印制程仅为范例，任何其他适合的制程可于本发明中使用。
在一些实施例中，在图2中，阵列基板结构与对向基板结构被包括在显示装置100中，阵列基板结构形成在基板110上，对向基板结构形成在对向基板160上。在一些实施例中，阵列基板结构可包括电路层结构CL，发光单元LU、像素定义层PDL与辅助电极AE，但不以此为限。在一些实施例中，对向基板结构可包括光转换层170与光遮蔽层180，但不以此为限。在一些实施例中，阵列基板结构可包括保护层140与第一平坦层150，保护层140可设置在发光单元LU及/或辅助电极AE上，以保护位于保护层140下的元件及/或结构。第一平坦层150设置在保护层140上，以平坦化阵列基板结构的表面，但不以此为限。在一些实施例中，对向基板结构可包括第二平坦层190，光转换层170与光遮蔽层180，光转换层170及/或光遮蔽层180可设置在第二平坦层190与对向基板160之间，第二平坦层190可用以平坦化对向基板结构的表面。保护层140、第一平坦层150与第二平坦层190的材料可分别包括任何适合的绝缘材料，保护层140的材料可包括至少一无机绝缘层及/或至少一有机绝缘层，但不以此为限。举例而言，第一平坦层150的材料与第二平坦层190的材料可具有相同或相似的折射率(如折射率约为1.3～1.6)。在一些实施例中，第一平坦层150的反射率与第二平坦层190的折射率之间的差可为0至0.3之间(0≤Δn≤0.3)，但不以此为限。在一些实施例中，保护层140可为单层结构或多层结构，保护层140可包括至少一无机绝缘层及/或至少一有机绝缘层，例如保护层140可包括两个无机绝缘层与设置于两无机绝缘层之间的一个有机绝缘层，但不以此为限。在另一实施例中，第一平坦层150的材料与第二平坦层190的材料可包括至少一无机绝缘层及/或至少一有机绝缘层。在一些实施例中，对向基板结构还可包括布拉格层(bragg layer)GL，与光转换层170相邻设置，布拉格层GL设置在光转换层170与发光单元LU之间。在一些实施例中，布拉格层GL可设置在光转换层170与第二平坦层190之间，其中由光转换层170及/或散射层176所造成的反射光可能难以通过布拉格层GL，使光的利用率提高。在一些实施例中，布拉格层GL可使一些波长的光线穿通过，并反射其他波长的光线。举例而言，布拉格层GL可使蓝光穿通过，并可反射其他颜色的光线。在一些实施例中，对向基板结构还可包括光学层OL，设置在对向基板160上，光学层OL可包括偏光膜(polarizer)、抗反射层(anti-reflection layer)、抗眩光层(anti-glare layer)、光扩散层(lightdiffusion layer)、隐私保护层(privacy protection layer)、隐私过滤层(privacyfilter)、防窥层(anti-peep layer)及/或防刮层(scratch resistant layer)，但不以此为限。除了上述内容以外，显示装置100还可包括任何其他适合的膜层或元件。
具有阵列基板结构的基板110与具有对向基板结构的对向基板160的组装制程可为任何适合的方法。在一些实施例中，具有阵列基板结构的基板110与具有对向基板结构的对向基板160可通过设置在周边区110b的密封剂(sealant)而组装，而空隙AG可存在于阵列基板结构与对向基板结构之间，但不以此为限。若空隙AG存在于第一平坦层150与第二平坦层190之间，当由发光单元LU所发射的光线依序穿通过第一平坦层150、空隙AG与第二平坦层190时，光线的路径会根据第二平坦层190与空隙AG而调整。举例而言，光线的路径会依据空气与第二平坦层190的折射率的不同而调整，使光线的散射率(或散射角度)、光线的反射(或反射角度)及/或光线的反射(或折射角度)可被调整。在一些实施例中，显示装置100具有至少一突起结构，突起结构可设置在对向基板160与辅助电极AE之间，在显示装置的俯视方向Z上，突起结构可对应或重叠于辅助电极AE。在一些实施例中，第一平坦层150包括突起结构PS1。在一些实施例中，突起结构PS2包括在对向基板结构中，举例来说，第二平坦层190包括突起结构PS2。突起结构PS1及突起结构PS2可用以释放应力或减轻显示装置100的变形。在另一实施例中，突起结构PS1及突起结构PS2可作为间隔物(spacer)，但不以此为限。
本发明的显示装置不以上述实施例为限，下文将继续揭示其它实施例，然为了简化说明并突显各实施例与上述实施例之间的差异，下文中使用相同标号标注相同元件，并不再对重复部分作赘述。须注意的是，图8至图15仅绘示第一子像素SP1与第二子像素SP2，并省略光学层OL，光阻挡结构BM为单层结构，以使附图简单明了。在一些实施例中，过涂层(overcoat layer)设置在阵列基板结构与对向基板结构之间(例如第一平坦层150与第二平坦层190之间)，以保护显示装置中的元件及/或结构。在一些实施例中，过涂层可具有黏着性质，使阵列基板结构与对向基板结构可被组装地更加坚固。
请参考图8，图8为本发明第二实施例的显示装置的剖面示意图。如图8所示，第一实施例与第二实施例的差异在于显示装置200的辅助电极AE设置在第二电极层134上。在图8中，辅助电极AE的下表面可接触第二电极层134，但不以此为限。在图8中，显示装置200并未包括保护层140、第一平坦层150及/或第二平坦层190。显示装置200使用过涂层210以保护显示装置200的元件及结构。在图8中，辅助电极AE可作为阵列基板结构与对向基板结构之间的间隔物，且辅助电极AE可包括有机材料及导电材料(如导电粒子)，但不以此为限。在一些实施例中，对向基板结构还可包括透明导电层310，透明导电层310设置在光遮蔽层180与辅助电极AE之间，辅助电极AE电性连接透明导电层310。在一些实施例中，辅助电极AE可接触透明导电层310。在一些实施例中，外部提供的信号(如共享电压)可依序由周边走线PW、周边垫PB、透明导电层310、辅助电极AE传送至第二电极层134，但不以此为限。在一些实施例中，透明导电层310可提升第二电极层134(例如共享阴极电极)的电特性(或降低电阻)。在一些实施例中(如图2与图8)，发光层132可为对应于不同发光单元LU的连续膜层。在一些实施例中(图未示)，发光层132可包括单膜层或多膜层。在一些实施例中(图未示)，发光层132可包括多膜层，多膜层的一部分可为对应于不同发光单元LU的连续膜层，多膜层的另一部分可彼此分离。在一些实施例中(图未示)，发光层132可包括多膜层，多膜层中的其中多个可为对应不同发光单元LU的连续膜层。在一些实施例中(图未示)，发光层132可包括多膜层，多膜层中的其中多个可各自彼此分离。另外，在图8中，过涂层210设置在发光单元LU与透明导电层310之间，但不以此为限。
请参考图9，图9为本发明第三实施例的显示装置的剖面示意图。如图9所示，第二实施例与第三实施例的差异在于显示装置300的透明导电层310设置在对向基板160与光遮蔽层180之间，第二电极层134可通过设置在光遮蔽层180中的至少一导电通孔(conductivevia)V1电性连接辅助电极AE。应注意的是，导电通孔V1可为填充导电材料的通孔(via)。透明导电层310可作为触控层，举例而言，透明导电层310可作为接收电极层与传输电极层的其中一者，透明导电层320可设置在透明导电层310上，透明导电层320可作为接收电极层与传输电极层的其中另一者，而至少一绝缘层330设置在透明导电层310与透明导电层320之间，但不以此为限。在一些实施例中，透明导电层310与透明导电层320的俯视图案可包括网格图案，但不以此为限。在一些实施例中，导电通孔V1包括金属材料，可用以减少由不同发光单元LU所发射的光线的干扰或增加光线的转换效率。
请参考图10，图10为本发明第四实施例的显示装置的剖面示意图。如图10所示，第二实施例与第四实施例的差异在于显示装置400的像素定义结构PDS对应多个辅助电极AE。在图10中，在显示装置的俯视方向Z上，像素定义结构PDS的一部分可重叠至少一辅助电极AE(如四个辅助电极AE)，但不以此为限。在一些实施例中，辅助电极AE的剖面轮廓可包括圆形。在一些实施例中，辅助电极AE可为球形，辅助电极AE可为导电弹性体，例如外表面镀(或涂)有导电材料的弹性体，但不以此为限。由于辅助电极AE为导电弹性体，阵列基板结构与对向基板结构之间的距离可在组装时调整。另一方面，辅助电极AE可在光转换层170形成之后形成。举例来说，在形成阵列基板结构的第二电极层134与形成对向基板结构的光转换层170(或透明导电层310)之后，作为间隔物的辅助电极AE可在组装制程中形成在阵列基板结构与对向基板结构之间，但不以此为限。第二电极层134可通过辅助电极AE电性连接透明导电层310，而外部提供的信号(如共享电压)可依序由周边走线PW、周边垫PB、透明导电层310、辅助电极AE传送至第二电极层134，但不以此为限。
请参考图11，图11为本发明第五实施例的显示装置的剖面示意图。如图11所示，第二实施例与第五实施例的差异在于显示装置500的辅助电极AE可包括第一辅助部AE1与第二辅助部AE2，第二电极层134设置在第一辅助部AE1与第二辅助部AE2之间。在一些实施例中，第一辅助部AE1与第二辅助部AE2的剖面轮廓可相同或不同。举例而言，在图11中，设置在第二电极层134上的第一辅助部AE1的剖面轮廓可为圆形，或第一辅助部AE1可为球形。设置在第二电极层134下的第二辅助部AE2的剖面轮廓可为梯形，但不以此为限。另外，第一辅助部AE1可包括导电弹性体，但不以此为限。
请参考图12，图12为本发明第六实施例的显示装置的剖面示意图。如图12所示，第一实施例与第六实施例的差异在于显示装置600还包括导电通孔620与共享电极(commonelectrode)610，导电通孔620与共享电极610会电性连接于辅助电极AE。在本实施例中(图12)，共享电极610设置在像素定义层PDL与基板110之间，导电通孔620穿过像素定义层PDL以电性连接辅助电极AE与共享电极610，但不以此为限。共享电极610的材料可为任何适合的导电材料，共享电极610的位置可依据需求而设计。举例而言，在图12中，共享电极610与第一电极130可由相同膜层所形成。在一些实施例中，共享电极610的材料可相同于辅助电极AE的材料。在一些实施例中，共享电极610由电路层结构CL中的一导电层所形成。在一些实施例中，共享电极610可包括电路层结构CL中的至少一导电层，例如第一导电层120或第二导电层126。在一些实施例中，共享电极610可包括不同于电路层结构CL的其他导电层。在一些实施例中，共享电极610可为多膜层。须注意的是，于俯视方向Z上，共享电极610可重叠光遮蔽层180，使共享电极610可被光遮蔽层180所遮蔽。在一些实施例中，共享电极610可作为电容的一部分。在一些实施例中，两共享电极610可具有不同的宽度、厚度、长度及/或环绕面积，及/或两共享电极610可由相同或不同的材料或膜层所形成。
在一些实施例中，导电通孔620的材料可包括金属，导电通孔620可作为隔间墙(partition wall)，以减轻不同子像素的光线之间彼此影响。在另一实施例中(图未示)，导电通孔620可具有彼此电性连接的多个部分，且这些部分可以成为阶梯型式，但不以此为限。关于导电通孔620的形成制程，可通过任何适合的制程形成穿孔，例如微影(photolithography)或雷射蚀刻，而可通过沉积制程而将导电材料形成在穿孔中，以形成导电通孔620，但不以此为限。在一些实施例中，外部提供的信号(如共享电压)可依序由周边走线PW、周边垫PB、辅助电极AE与导电通孔620传送至共享电极610，但不以此为限。在一些实施例中(图未示)，外部提供的信号可依序由周边走线PW、共享电极610与导电通孔620传送至辅助电极AE，但不以此为限。在一些实施例中(如图12)，辅助电极AE的侧表面可接触发光层132，但不以此为限。另外，在图12中，过涂层210设置在第一平坦层150与第二平坦层190之间，但不以此为限。
请参考图13，图13为本发明第七实施例的显示装置的剖面示意图。如图13所示，第一实施例与第七实施例的差异在于显示装置700的辅助电极AE设置在像素定义层PDL与基板110之间。在一些实施例中(如图13)，显示装置700的辅助电极AE设置在像素定义层PDL下方。在一些实施例中(如图13)，显示装置700还包括导电通孔620，导电通孔620可用以电性连接辅助电极AE与第二电极层134。在一些实施例中(如图13)，辅助电极AE与第一电极130由相同的膜层形成，导电通孔620可穿过像素定义层PDL与发光层132，但不以此为限。在一些实施例中(图未示)，辅助电极AE设置在电路层结构CL与像素定义层PDL之间，辅助电极AE的材料可不同于第一电极130。导电通孔620已于第六实施例中详述，在此不重复赘述。
请参考图13，光转换层170_1包括在阵列基板结构中，光转换层170_2包括在对向基板结构中，其中光转换层170_1包括第一光转换层170a_1与第二光转换层170b_1，光转换层170_2包括第一光转换层170a_2与第二光转换层170b_2。举例而言，光转换层170_1包括量子点(或磷光材料)，光转换层170_2包括色阻，光转换层170_2相似于第一实施例的光转换层170的第二转换部174。在本实施例中，光转换层170_1在俯视方向Z上可设置在两像素定义结构PDS之间。在本实施例中，光转换层170_1设置在保护层140与第一平坦层150之间，但不以此为限。在一些实施例中，保护层140可包括至少一无机绝缘层及/或至少一有机绝缘层，第一平坦层150可包括至少一无机绝缘层及/或至少一有机绝缘层，以保护光转换层170_1。在一些实施例中，包括在第一平坦层150中的膜层数可小于包括在保护层140中的膜层数，但不以此为限。在一些实施例中，第一平坦层150的厚度可大于保护层140的厚度，但不以此为限。
在一些实施例中，显示装置700的阵列基板结构中可包括光转换层170_1，但其对向基板结构中可不包括光转换层170_2。在其他实施例中(图未示)，辅助电极AE可在光转换层170_1形成之后形成。
请参考图14，图14为本发明第八实施例的显示装置的剖面示意图。如图14所示，第七实施例与第八实施例的差异在于显示装置800的辅助电极AE包括在电路层结构CL中。在图14中，辅助电极AE包括电路层结构CL的第二导电层126，但不以此为限。在另一实施例中(图未示)，辅助电极AE包括第一导电层120。
请参考图15，图15为本发明第九实施例的显示装置的剖面示意图。如图15所示，第一实施例与第九实施例的差异在于显示装置900的辅助电极AE设置在第二电极层134上。在本实施例中，辅助电极AE设置在保护层140及/或第一平坦层150上，导电通孔620穿过保护层140及/或第一平坦层150，而导电通孔620可电性连接辅助电极AE与第二电极层134。要注意的是，导电通孔620已于第六实施例中详述，在此不重复赘述。在一些实施例中，辅助电极AE可接触光遮蔽层180及/或导电通孔620，导电通孔620可接触第二电极层134，但不以此为限。在本实施例中，辅助电极AE形成在对向基板160上，但不以此为限。
在一些实施例中，辅助电极AE形成在基板110上并设置在导电通孔620上，也就是说，辅助电极AE包括于阵列基板结构中。在图15中，辅助电极AE可作为间隔物。在一些实施例中，过涂层210形成或设置在阵列基板结构与对向基板结构之间，且辅助电极AE可接触于过涂层210，但不以此为限。在一些实施例中，空隙可存在于阵列基板结构与对向基板结构之间，但不以此为限。在一些实施例中(图未示)，光阻挡结构BM可由辅助电极AE所取代，辅助电极AE可包括任何适合的导电材料，例如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚(苯乙烯磺酸盐)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate),PEDOT/PSS)，但不限于此，而导电通孔620可电性连接于辅助电极AE与第二电极层134之间。
在一些实施例中(图未示)，显示装置的辅助电极AE可嵌入像素定义层PDL中。更具体地，像素定义层PDL可具有至少一凹部，辅助电极AE可设置在此凹部中。在一些实施例中(图未示)，辅助电极AE的上表面与像素定义层PDL的上表面可大致形成为一平坦表面。在一些实施例中(图未示)，辅助电极AE的上表面与像素定义层PDL的上表面可大致彼此对准。在一些实施例中(图未示)，辅助电极AE的上表面与像素定义层PDL的上表面并没有彼此对准。在一些实施例中(图未示)，辅助电极AE可设置在像素定义层PDL的凹部中，且辅助电极AE可覆盖像素定义层PDL的上表面的一部分。
在一些实施例中(图未示)，光转换层170并没有包括在显示装置中，而不同的发光单元LU(例如第一发光单元LU1、第二发光单元LU2与第三发光单元LU3)可发射不同颜色的光线(例如红光、绿光及/或蓝光，但不以此为限)。在一些实施例中(图未示)，光转换层170可设置在基板110上或对向基板160上。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (20)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置具有一显示区与一周边区，所述显示装置包括：
一阴极电极；
一第一阳极电极与一第二阳极电极；
一第一发光层，设置在所述阴极电极与所述第一阳极电极之间；
一第一光转换层，设置在所述第一发光层上；
一第二发光层，设置在所述阴极电极与所述第二阳极电极之间；
一第二光转换层，设置在所述第二发光层上；
一辅助电极，电性连接所述阴极电极；
一周边垫，设置在所述周边区中；以及
一周边走线，设置在所述周边区中；
其中所述辅助电极的一部分在所述显示装置的一俯视方向上位于所述第一光转换层与所述第二光转换层之间；
其中所述周边垫电连接所述周边走线与所述辅助电极，且所述周边垫通过多个连接区电连接所述辅助电极。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一光转换层在所述显示装置的所述俯视方向上被所述辅助电极所环绕。
3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极为点状、直线形状与网状中的其中一种。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述显示装置的所述俯视方向上，所述辅助电极与所述第一光转换层之间的最小距离大于或等于0.5微米且小于或等于10微米。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极在所述第一光转换层与所述第二光转换层形成之后形成。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
一光遮蔽层，在所述显示装置的所述俯视方向上设置在所述第一光转换层与所述第二光转换层之间；
其中在所述显示装置的所述俯视方向上，所述光遮蔽层与所述辅助电极之间的最小距离对于所述辅助电极的宽度的比值大于或等于0.06且小于或等于1.4。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
一保护层，设置在所述阴极电极与所述辅助电极之间；以及
一导电通孔，穿过所述保护层，并电性连接所述辅助电极与所述阴极电极。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极的一侧表面接触所述第一发光层。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
一对向基板，设置在所述第一发光层与所述第二发光层上；以及
一突起结构，设置在所述对向基板与所述辅助电极之间。
10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括：
一基板，其中所述第一发光层与所述第二发光层设置在所述基板上；
一像素定义层，设置在所述基板上，并设置在所述第一发光层与所述第二发光层之间；以及
一导电通孔，穿过所述像素定义层，并电性连接所述辅助电极。
11.如权利要求10所述的显示装置，其特征在于，还包括一共享电极，设置在所述像素定义层与所述基板之间，其中所述导电通孔电性连接所述辅助电极与所述共享电极。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于，还包括一电路层结构，且所述共享电极由所述电路层结构中的一导电层所形成。
13.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极的厚度大于所述阴极电极的厚度。
14.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极包括一导电弹性体。
15.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极具有一第一辅助部与一第二辅助部，且所述阴极电极设置在所述第一辅助部与所述第二辅助部之间。
16.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极设置在所述阴极电极与所述第一发光层之间。
17.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极的宽度随着所述辅助电极与所述周边垫之间的距离增加而增大。
18.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置具有一显示区与一周边区，所述显示装置包括：
一第一发光单元；
一第二发光单元，与所述第一发光单元相邻设置；
一辅助电极，电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元；
一周边垫，设置在所述周边区中；以及
一周边走线，设置在所述周边区中；
其中所述辅助电极的一部分在所述显示装置的一俯视方向上设置在所述第一发光单元与所述第二发光单元之间；
其中所述周边垫电连接所述周边走线与所述辅助电极，且所述周边垫通过多个连接区电连接所述辅助电极。
19.如权利要求18所述的显示装置，其特征在于，所述辅助电极为点状、直线形状与网状中的其中一种。
20.如权利要求18所述的显示装置，其特征在于，还包括：
一光遮蔽层，在所述显示装置的所述俯视方向上设置在所述第一发光单元与所述第二发光单元之间，
其中在所述显示装置的所述俯视方向上，所述光遮蔽层投影在一基板上的轮廓与所述辅助电极投影在所述基板上的轮廓之间的最小距离大于或等于0.5微米且小于或等于10微米。
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