TWI774143B - 有機發光二極體及其製備方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種有機發光二極體的製備方法，其包含提供一基板及進行一層狀結構形成步驟。進行層狀結構形成步驟時，係於基板上依序形成一陽極層、一散射層、一發光層及一陰極層，以獲得一有機發光二極體，其中散射層之材料為一準晶材料。藉此，可以提升有機發光二極體的發光效率及發光強度，更可以降低製備散射層時的複雜度，有利於大規模製程。
Description
本發明是有關一種有機發光二極體，特別是有關一種包含準晶材料的有機發光二極體。
有機發光二極體（organic light-emitting diode，OLED）是一種電致發光層為有機材料的發光二極體。由於選用的材料不同，相較於傳統液晶顯示器，有機發光二極體具有低成本、製程簡單、高對比度、廣視角、低反應時間、可撓性以及較佳的能源使用效率等優點，使得有機發光二極體成為極具發展潛力的發光元件。
然而，由於有機發光二極體中的電極層、玻璃基板及大氣的折射率差異，導致有機發光二極體的光取出效率（light extraction efficiency）仍較不佳。為了改善此缺點，目前已發展出許多提升光取出效率的方法，例如，使用布拉格光柵（Bragg grating）、低折射率網格（low-index grid）或具有奈米結構表面的基板，但上述方法耗費的成本極高，且製程複雜不利於大規模的生產。
有鑑於此，如何利用簡便的製程達到改善有機發光二極體的發光特性，遂成為相關業者努力的目標。
為了達到上述目標，本發明提供一種包含準晶材料的有機發光二極體的製備方法。
本發明之一態樣的一實施方式提供一種有機發光二極體的製備方法，其包含提供一基板及進行一層狀結構形成步驟。進行層狀結構形成步驟時，係於基板上依序形成一陽極層、一散射層、一發光層及一陰極層，以獲得一有機發光二極體，且散射層之材料為一準晶材料。
據此，本發明之有機發光二極體的製備方法藉由選用準晶材料作為散射層，不僅可以提升有機發光二極體的發光效率及發光強度，更可以降低製備散射層時的複雜度，有利於大規模製程。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，準晶材料可以為一鋁-鈷-銅奈米準晶。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，鋁-鈷-銅奈米準晶可以由一合成方法所製備，所述合成方法包含提供一原料、進行一退火步驟以及進行一剝離步驟。原料包含鋁金屬、鈷金屬及銅金屬。進行退火步驟時，係將原料熔融後進行退火，以得到一鋁-鈷-銅準晶。進行剝離步驟時，係將鋁-鈷-銅準晶與一溶劑混合，以得到一準晶溶液，並對準晶溶液施以超音波處理，使鋁-鈷-銅準晶剝離形成鋁-鈷-銅奈米準晶。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，於進行退火步驟時，可以將熔融的原料於900°C的真空環境中退火15天。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，溶劑可以為一二甲基甲醯胺溶劑，且進行剝離步驟時，可以對準晶溶液施以60小時的超音波處理。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，散射層可以採用旋轉塗佈法形成於陽極層上。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，於進行層狀結構形成步驟時，更可以包含於散射層及發光層之間形成一電洞傳輸層。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，於進行層狀結構形成步驟時，更可以包含於發光層及陰極層之間形成一電子傳輸層。
本發明之另一態樣的一實施方式提供一種有機發光二極體，其係由如前段所述之有機發光二極體的製備方法所製成。
依據上述的有機發光二極體，準晶材料可以為一鋁-鈷-銅奈米準晶。
本發明之一態樣的另一實施方式提供一種有機發光二極體的製備方法，其包含提供一基板、進行一散射層形成步驟及進行一層狀結構形成步驟。基板包含相對的一上表面及一下表面。進行散射層形成步驟時，係於基板的下表面形成一散射層。進行層狀結構形成步驟時，係於基板的上表面依序形成一陽極層、一發光層及一陰極層，以獲得一有機發光二極體，且散射層之材料為一準晶材料。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，準晶材料可以為一鋁-鈷-銅奈米準晶。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，鋁-鈷-銅奈米準晶可以由一合成方法所製備，所述合成方法包含提供一原料、進行一退火步驟以及進行一剝離步驟。原料包含鋁金屬、鈷金屬及銅金屬。進行退火步驟時，係將原料熔融後進行退火，以得到一鋁-鈷-銅準晶。進行剝離步驟時，係將鋁-鈷-銅準晶與一溶劑混合，以得到一準晶溶液，並對準晶溶液施以超音波處理，使鋁-鈷-銅準晶剝離形成鋁-鈷-銅奈米準晶。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，於進行退火步驟時，可以將熔融的原料於900°C的真空環境中退火15天。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，溶劑可以為一二甲基甲醯胺溶劑，且進行剝離步驟時，可以對準晶溶液施以60小時的超音波處理。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，散射層可以採用滴落塗佈法形成於基板的下表面。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，於進行層狀結構形成步驟時，更可以包含於陽極層及發光層之間形成一電洞傳輸層。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，於進行層狀結構形成步驟時，更可以包含於陽極層及電洞傳輸層之間形成一電洞注入層。
依據上述的有機發光二極體的製備方法，於進行層狀結構形成步驟時，更可以包含於發光層及陰極層之間形成一電子傳輸層。
本發明之另一態樣的另一實施方式提供一種有機發光二極體，其係由如前段所述之有機發光二極體的製備方法所製成。
下述將更詳細討論本發明各實施方式。然而，此實施方式可為各種發明概念的應用，可被具體實行在各種不同的特定範圍內。特定的實施方式是僅以說明為目的，且不受限於揭露的範圍。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示，並且重複之元件將可能使用相同的編號或類似的編號表示。
請參照第1圖及第2圖，第1圖為本發明之一實施方式的有機發光二極體的製備方法100的步驟流程圖，第2圖為依照第1圖的有機發光二極體的製備方法100所製備出來的一有機發光二極體200的結構示意圖。有機發光二極體的製備方法100包含步驟110及步驟120。
步驟110為提供一基板210，基板210的材料可以為玻璃、聚醯亞胺（polyimide，PI）或聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate，PEN）等光穿透度較高之透明材質。
步驟120為進行一層狀結構形成步驟，係於基板210上依序形成一陽極層220、一散射層230、一發光層250及一陰極層270，以獲得有機發光二極體200。此外，更可以於散射層230及發光層250之間形成一電洞傳輸層240，或於發光層250及陰極層270之間形成一電子傳輸層260，電洞傳輸層240及電子傳輸層260用以增加電洞及電子的傳遞效果，故電洞傳輸層240及電子傳輸層260可以視其他層的材料傳遞特性來決定是否設置。
值得注意的是，散射層230可以採用旋轉塗佈法形成於陽極層220上，以獲得較佳的塗佈效果。散射層230的材料為一準晶材料，且可以為一鋁-鈷-銅奈米準晶。請參照第3圖，第3圖為第1圖的有機發光二極體的製備方法100中所選用的鋁-鈷-銅奈米準晶的一合成方法300的步驟流程圖。合成方法300包含步驟310、步驟320及步驟330。
詳言之，步驟310為提供一原料，其包含鋁金屬、鈷金屬及銅金屬。
步驟320為進行一退火步驟，係將原料熔融後進行退火，以得到一鋁-鈷-銅準晶。其中，熔融的原料可以於900°C的真空環境中退火15天。
步驟330為進行一剝離步驟，係將鋁-鈷-銅準晶與一溶劑混合，以得到一準晶溶液，並對準晶溶液施以超音波處理，使鋁-鈷-銅準晶剝離形成鋁-鈷-銅奈米準晶。其中，溶劑可以選用一二甲基甲醯胺溶劑，且可以對準晶溶液施以60小時的超音波處理。
請參照第4圖及第5圖，第4圖為本發明之另一實施方式的有機發光二極體的製備方法400的步驟流程圖，第5圖為依照第4圖的有機發光二極體的製備方法400所製備出來的另一有機發光二極體500的結構示意圖。有機發光二極體的製備方法400包含步驟410、步驟420及步驟430。
步驟410為提供一基板510，基板510的材料係如上所述，且基板510包含相對的一上表面511及一下表面512。
步驟420為進行一散射層形成步驟，係於基板510的下表面512形成一散射層530，散射層530可以採用滴落塗佈法形成於基板510的下表面512，以獲得較佳的塗佈效果。同樣地，散射層530的材料為一準晶材料，且可以為一鋁-鈷-銅奈米準晶，有關鋁-鈷-銅奈米準晶的合成方法已如上所述，於此不再贅述。
步驟430為進行一層狀結構形成步驟，係於基板510的上表面511依序形成一陽極層520、一發光層550及一陰極層570，以獲得有機發光二極體500。在層狀結構形成步驟中，同樣可以選擇形成電洞傳輸層540及電子傳輸層560，其細節亦如上所述，於此不再贅述。
請參照第6圖，第6圖為依照第4圖的有機發光二極體的製備方法400所製備出來的又一有機發光二極體600的結構示意圖。有機發光二極體600同樣具有一基板610、一陽極層620、一散射層630、一電洞傳輸層640、一發光層650、一電子傳輸層660及一陰極層670，上述結構的排列方式及形成過程均與有機發光二極體500類似，其差異在於，有機發光二極體600於進行層狀結構形成步驟時，更包含於陽極層620及電洞傳輸層640之間形成一電洞注入層680，可以幫助電洞更有效地傳遞到電洞傳輸層640中。
遂將針對不同製備方法所製備出來的有機發光二極體進行發光特性之檢測。在下列實驗中，將對各個實施例及比較例進行電流-電壓-發光強度之檢測，每個實施例及比較例的發光區域為0.09平方公分，且皆在未封裝的狀態下，於大氣環境中進行檢測。
實施例1及比較例1的有機發光二極體均由第1圖之製備方法所製備，且具有如第2圖所示之結構。詳言之，實施例1及比較例1均以氧化銦錫（ITO）、PEDOT:PSS、Ir(ppy)
2(acac):CBP、TPBi及氟化鋰/鋁分別作為陽極層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極層的材料，實施例1及比較例1的差異在於，實施例1包含準晶材料，而比較例1不包含準晶材料。
請參照第7圖、第8圖及第9圖，第7圖為實施例1與比較例1的發光強度與功率效率之關係圖，第8圖為實施例1與比較例1的發光強度與電流效率之關係圖，第9圖為實施例1與比較例1的電壓與發光強度之關係圖。由第7圖、第8圖及第9圖可以得知，在不同的發光強度下，實施例1的功率效率、電流效率及外部量子效率均較比較例1有所提升，證明本發明的製備方法所製備出來的有機發光二極體確實具有較佳的發光特性。
接著，請參照第10圖，第10圖為實施例1與比較例1的正規化發光光譜圖。由第10圖可以得知，實施例1與比較例1所發出的光線波長大部分落在綠光的波長範圍（495～570 nm）內，代表上述有機發光二極體均為接近全綠光的光源。
實施例2及比較例2的有機發光二極體均由第4圖之製備方法所製備，且具有如第5圖所示之結構。詳言之，實施例2及比較例2均以氧化銦錫（ITO）、PEDOT:PSS、Ir(ppy)
2(acac):CBP、TPBi及氟化鋰/鋁分別作為陽極層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極層的材料，實施例2及比較例2的差異在於，實施例2包含準晶材料，而比較例2不包含準晶材料。
請參照第11圖、第12圖及第13圖，第11圖為實施例2與比較例2的發光強度與功率效率之關係圖，第12圖為實施例2與比較例2的發光強度與電流效率之關係圖，第13圖為實施例2與比較例2的電壓與發光強度之關係圖。此外，實施例2與比較例2在操作電壓、不同發光強度下的功率效率、電流效率與外部量子效率（external quantum efficiency，EQE）及最大發光強度均列於下表1。
| 表1、實施例2與比較例2的發光特性 | ||||
| 實施例2 | 比較例2 | 提升比例 (%) | ||
| 操作電壓 (V) | 3.2 | 3.0 | - | |
| 功率效率 (lm/W) | 發光強度為10 2cd/m 2 | 47.9 | 32.1 | 49 |
| 發光強度為10 3cd/m 2 | 31.4 | 22.9 | 37 | |
| 發光強度為10 4cd/m 2 | 10.2 | 7.1 | 44 | |
| 電流效率 (cd/A) | 發光強度為10 2cd/m 2 | 47.0 | 30.5 | 50.1 |
| 發光強度為10 3cd/m 2 | 31.1 | 26.4 | 17.6 | |
| 發光強度為10 4cd/m 2 | 10.1 | 8.98 | 13 | |
| 外部量子效率 (%) | 發光強度為10 2cd/m 2 | 15.2 | 11.0 | 38 |
| 發光強度為10 3cd/m 2 | 13.1 | 10.0 | 31 | |
| 發光強度為10 4cd/m 2 | 6.9 | 4.9 | 41 | |
| 最大發光強度 (cd/m 2) | 18800 | 16430 | - |
由第11圖、第12圖、第13圖及上表1可以得知，在不同的發光強度下，實施例2的功率效率、電流效率及外部量子效率均較比較例2有所提升，且最大發光強度也由16430 cd/m
2上升至18800 cd/m
2，證明本發明的製備方法所製備出來的有機發光二極體確實具有較佳的發光特性。
實施例3及比較例3的有機發光二極體均由第4圖之製備方法所製備，且具有如第6圖所示之結構。詳言之，實施例3及比較例3均以氧化銦錫（ITO）、HAT-CN、TAPC、CBP、TPBi及氟化鋰/鋁分別作為陽極層、電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層及陰極層的材料，實施例3及比較例3的差異在於，實施例3包含準晶材料，而比較例3不包含準晶材料。
請參照第14圖、第15圖及第16圖，第14圖為實施例3與比較例3的發光強度與功率效率之關係圖，第15圖為實施例3與比較例3的發光強度與電流效率之關係圖，第16圖為實施例3與比較例3的電壓與發光強度之關係圖。此外，實施例3與比較例3在操作電壓、不同發光強度下的功率效率、電流效率與外部量子效率及最大發光強度均列於下表2。
| 表2、實施例3與比較例3的發光特性 | ||||
| 實施例3 | 比較例3 | 提升比例 (%) | ||
| 操作電壓 (V) | 2.8 | 3.0 | - | |
| 功率效率 (lm/W) | 發光強度為10 2cd/m 2 | 58.3 | 50.1 | 16 |
| 發光強度為10 3cd/m 2 | 66.4 | 31.8 | 108 | |
| 發光強度為10 4cd/m 2 | 32.5 | 11.4 | 41 | |
| 電流效率 (cd/A) | 發光強度為10 2cd/m 2 | 53.2 | 56.8 | - |
| 發光強度為10 3cd/m 2 | 70.8 | 47.3 | 50 | |
| 發光強度為10 4cd/m 2 | 55.0 | 26.4 | 108 | |
| 外部量子效率 (%) | 發光強度為10 2cd/m 2 | 14.6 | 15.4 | - |
| 發光強度為10 3cd/m 2 | 19.5 | 12.0 | 63 | |
| 發光強度為10 4cd/m 2 | 15.2 | 7.1 | 114 | |
| 最大發光強度 (cd/m 2) | 37000 | 18740 | - |
由第14圖、第15圖、第16圖及上表2可以得知，在不同的發光強度下，實施例3的功率效率、電流效率及外部量子效率大致上表現較佳，特別是在高發光強度（10
4cd/m
2）時，電流效率及外部量子效率分別提升了180%及114%，另一方面，實施例3的最大發光強度也大幅增加至37000 cd/m
2，證明本發明的製備方法所製備出來的有機發光二極體確實具有較佳的發光特性。
接著，請參照第17圖，第17圖為實施例2、實施例3、比較例2與比較例3的正規化發光光譜圖。由第17圖可以得知，實施例2、實施例3、比較例2與比較例3所發出的光線波長大部分落在綠光的波長範圍（495～570 nm）內，代表上述有機發光二極體均為接近全綠光的光源。
綜上所述，本發明之有機發光二極體的製備方法藉由選用準晶材料作為散射層，不僅可以提升有機發光二極體的發光效率及發光強度，更可以降低製備散射層時的複雜度，有利於大規模製程。
然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100,400:有機發光二極體的製備方法
110,120,310,320,330,410,420,430:步驟
200,500,600:有機發光二極體
210,510,610:基板
511:上表面
512:下表面
220,520,620:陽極層
230,530,630:散射層
240,540,640:電洞傳輸層
250,550,650:發光層
260,560,660:電子傳輸層
270,570,670:陰極層
300:合成方法
680:電洞注入層
第1圖為本發明之一實施方式的有機發光二極體的製備方法的步驟流程圖；
第2圖為依照第1圖的有機發光二極體的製備方法所製備出來的一有機發光二極體的結構示意圖；
第3圖為第1圖的有機發光二極體的製備方法中所選用的一鋁-鈷-銅奈米準晶的一合成方法的步驟流程圖；
第4圖為本發明之另一實施方式的有機發光二極體的製備方法的步驟流程圖；
第5圖為依照第4圖的有機發光二極體的製備方法所製備出來的另一有機發光二極體的結構示意圖；
第6圖為依照第4圖的有機發光二極體的製備方法所製備出來的又一有機發光二極體的結構示意圖；
第7圖為實施例1與比較例1的發光強度與功率效率之關係圖；
第8圖為實施例1與比較例1的發光強度與電流效率之關係圖；
第9圖為實施例1與比較例1的電壓與發光強度之關係圖；
第10圖為實施例1與比較例1的正規化發光光譜圖；
第11圖為實施例2與比較例2的發光強度與功率效率之關係圖；
第12圖為實施例2與比較例2的發光強度與電流效率之關係圖；
第13圖為實施例2與比較例2的電壓與發光強度之關係圖；
第14圖為實施例3與比較例3的發光強度與功率效率之關係圖；
第15圖為實施例3與比較例3的發光強度與電流效率之關係圖；
第16圖為實施例3與比較例3的電壓與發光強度之關係圖；以及
第17圖為實施例2、實施例3、比較例2與比較例3的正規化發光光譜圖。
200:有機發光二極體
210:基板
220:陽極層
230:散射層
240:電洞傳輸層
250:發光層
260:電子傳輸層
270:陰極層
Claims (17)
- 一種有機發光二極體的製備方法，包含：提供一基板；以及進行一層狀結構形成步驟，係於該基板上依序形成一陽極層、一散射層、一發光層及一陰極層，以獲得一有機發光二極體；其中，該散射層之材料為一鋁-鈷-銅奈米準晶。
- 如請求項1所述之有機發光二極體的製備方法，該鋁-鈷-銅奈米準晶係由一合成方法所製備，該合成方法包含下列步驟：提供一原料，其包含鋁金屬、鈷金屬及銅金屬；進行一退火步驟，係將該原料熔融後進行退火，以得到一鋁-鈷-銅準晶；以及進行一剝離步驟，係將該鋁-鈷-銅準晶與一溶劑混合，以得到一準晶溶液，並對該準晶溶液施以超音波處理，使該鋁-鈷-銅準晶剝離形成該鋁-鈷-銅奈米準晶。
- 如請求項2所述之有機發光二極體的製備方法，其中於進行該退火步驟時，係將熔融的該原料於900℃的真空環境中退火15天。
- 如請求項2所述之有機發光二極體的製備方法，其中該溶劑為一二甲基甲醯胺溶劑，且進行該剝離步 驟時，係對該準晶溶液施以60小時的超音波處理。
- 如請求項1所述之有機發光二極體的製備方法，其中該散射層係以旋轉塗佈法形成於該陽極層上。
- 如請求項1所述之有機發光二極體的製備方法，其中於進行該層狀結構形成步驟時，更包含於該散射層及該發光層之間形成一電洞傳輸層。
- 如請求項1所述之有機發光二極體的製備方法，其中於進行該層狀結構形成步驟時，更包含於該發光層及該陰極層之間形成一電子傳輸層。
- 一種有機發光二極體，其係由如請求項1所述之有機發光二極體的製備方法所製成。
- 一種有機發光二極體的製備方法，包含：提供一基板，其包含相對的一上表面及一下表面；進行一散射層形成步驟，係於該基板的該下表面形成一散射層；以及進行一層狀結構形成步驟，係於該基板的該上表面依序形成一陽極層、一發光層及一陰極層，以獲得一有機發光二極體；其中，該散射層之材料為一鋁-鈷-銅奈米準晶。
- 如請求項9所述之有機發光二極體的製備方法，其中該鋁-鈷-銅奈米準晶係由一合成方法所製備，該合成方法包含下列步驟：提供一原料，其包含鋁金屬、鈷金屬及銅金屬；進行一退火步驟，係將該原料熔融後進行退火，以得到一鋁-鈷-銅準晶；以及進行一剝離步驟，係將該鋁-鈷-銅準晶與一溶劑混合，以得到一準晶溶液，並對該準晶溶液施以超音波處理，使該鋁-鈷-銅準晶剝離形成該鋁-鈷-銅奈米準晶。
- 如請求項10所述之有機發光二極體的製備方法，其中於進行該退火步驟時，係將熔融的該原料於900℃的真空環境中退火15天。
- 如請求項10所述之有機發光二極體的製備方法，其中該溶劑為一二甲基甲醯胺溶劑，且進行該剝離步驟時，係對該準晶溶液施以60小時的超音波處理。
- 如請求項9所述之有機發光二極體的製備方法，其中該散射層係以滴落塗佈法形成於該基板的該下表面。
- 如請求項9所述之有機發光二極體的製備方法，其中於進行該層狀結構形成步驟時，更包含於該陽極 層及該發光層之間形成一電洞傳輸層。
- 如請求項14所述之有機發光二極體的製備方法，其中於進行該層狀結構形成步驟時，更包含於該陽極層及該電洞傳輸層之間形成一電洞注入層。
- 如請求項9所述之有機發光二極體的製備方法，其中於進行該層狀結構形成步驟時，更包含於該發光層及該陰極層之間形成一電子傳輸層。
- 一種有機發光二極體，其係由如請求項9所述之有機發光二極體的製備方法所製成。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060163587A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Erchak Alexei A | Packaging designs for LEDs |
| TW201240112A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-01 | Ind Tech Res Inst | Circular photonic crystal structure, light emitting diode device and photoelectric conversion device |
| TW201436279A (zh) * | 2013-01-02 | 2014-09-16 | Micron Technology Inc | 具有磊晶樣板之工程基板總成及其相關系統、方法及裝置 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7868542B2 (en) * | 2007-02-09 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus having periodic structure and sandwiched optical waveguide |
| DE102007039784A1 (de) * | 2007-08-23 | 2009-02-26 | Clariant International Limited | Anionische wasserlösliche Additive auf Allyl- und Vinyletherbasis |
| JP5219745B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 発光装置 |
| JP5219493B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-06-26 | キヤノン株式会社 | 発光素子及びそれを用いた発光装置 |
| JP5284036B2 (ja) * | 2007-11-14 | 2013-09-11 | キヤノン株式会社 | 発光装置 |
| JP2009272194A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Canon Inc | 発光装置 |
| JP2010170969A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Asahi Glass Co Ltd | 電極付き基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| US8283853B2 (en) * | 2010-03-31 | 2012-10-09 | General Electric Company | Light-emitting device and article |
| KR102294113B1 (ko) * | 2015-01-09 | 2021-08-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN104932136B (zh) * | 2015-07-01 | 2018-01-26 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 彩膜基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| US10312228B2 (en) * | 2017-01-25 | 2019-06-04 | Innolux Corporation | Display device |
| US20180269260A1 (en) * | 2017-01-29 | 2018-09-20 | Emagin Corporation | Quantum dot array on directly patterned amoled displays and method of fabrication |
| CN110320671A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 立体显示装置和立体显示装置的控制方法 |
| CN108336123B (zh) * | 2018-04-04 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板及其制备方法、显示装置 |
| US10692941B2 (en) * | 2018-07-20 | 2020-06-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN109004095B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板及woled显示装置 |
| KR20240119186A (ko) * | 2018-09-27 | 2024-08-06 | 카티바, 인크. | 양자점 컬러 필터 잉크 조성물 및 이를 이용하는 장치 |
| KR20200054423A (ko) * | 2018-11-09 | 2020-05-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US10826020B2 (en) * | 2018-11-16 | 2020-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Quantum dot LED structure having optically transparent layer on partially transmitting reflector for enhanced emission |
| KR102630000B1 (ko) * | 2018-12-26 | 2024-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| US20200227484A1 (en) * | 2019-01-13 | 2020-07-16 | Innolux Corporation | Lighting device |
| US11309355B2 (en) * | 2019-04-26 | 2022-04-19 | Innolux Corporation | Display device |
| KR20210030538A (ko) * | 2019-09-09 | 2021-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 컬러 필터 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
-
2020
- 2020-11-30 TW TW109142114A patent/TWI774143B/zh active
-
2021
- 2021-03-23 US US17/210,200 patent/US11588136B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060163587A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Erchak Alexei A | Packaging designs for LEDs |
| TW201240112A (en) * | 2011-03-28 | 2012-10-01 | Ind Tech Res Inst | Circular photonic crystal structure, light emitting diode device and photoelectric conversion device |
| TW201436279A (zh) * | 2013-01-02 | 2014-09-16 | Micron Technology Inc | 具有磊晶樣板之工程基板總成及其相關系統、方法及裝置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| A Ramakrishnan, KK Kesavan, S Chavhan, MR Nagar, JH Jou, SW Chen, HW Hsiao, JM Zuo, LY Hung, Advanced Photonics Research 1 (2), 2000042, 09 October 2020 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11588136B2 (en) | 2023-02-21 |
| US20220173357A1 (en) | 2022-06-02 |
| TW202224223A (zh) | 2022-06-16 |
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