CN107732029A - 一种oled显示面板及其制作方法 - Google Patents
一种oled显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107732029A CN107732029A CN201710850038.1A CN201710850038A CN107732029A CN 107732029 A CN107732029 A CN 107732029A CN 201710850038 A CN201710850038 A CN 201710850038A CN 107732029 A CN107732029 A CN 107732029A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- anode
- common
- azobenzene
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- -1 azobenzene compound Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N azobenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 DMLAVOWQYNRWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 12
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 228
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
Abstract
本发明提出了一种OLED显示面板及其制作方法，所述OLED显示面板包括薄膜晶体管层、阳极层、阳极修饰层、第一公共层、发光层、第二公共层以及阴极层；其中，所述阳极修饰层的材料为偶氮苯类化合物，所述偶氮苯类化合物包含有用于传输空穴的功能基团和用于增强其在常见有机溶剂中溶解性的功能基团；另外，所述阳极修饰层为三维浮雕光栅结构。有益效果：通过对所述阳极修饰层的三维光栅结构的精细调控，可以实现顶发射OLED器件微腔效应的调节，达到改善OLED器件发光的光色，同时，也增强了器件的出光耦合效率的效果。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示器制造技术领域，特别涉及一种OLED显示面板及其制造方法。
背景技术
在平板显示技术中，有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。相对于LCD(Liquid crystal displays，液晶显示器)，OLED具有更省电，更薄，且视角宽的优势，这是LCD无法比拟的。目前，人们对显示的细腻程度即分辨率要求越来越高，但生产高质量、高分辨率的OLED显示屏仍然面临着许多挑战。
OLED显示装置的核心部件是OLED显示面板，传统的OLED显示面板包括：薄膜晶体管层以及制作于TFT基板上的阳极层、像素定义层、第一公共层、发光层、第二公共层、阴极层；而OLED显示面板的工作原理是在阳极和阴极之间电场的作用下，空穴通过第一公共层传输到发光层，电子通过第二公共层传输到发光层，空穴和电子在发光层之内复合进而发光。
随着小面积、无源驱动技术的日趋成熟，大面积、有源驱动技术已成为目前有机发光研究的主流。实现大尺寸显示需要采用TFT驱动技术，而传统的底发射器件(Bottom-emitting OLEDs，BOLEDs)是以透明衬底上的氧化铟锡(ITO)阳极作为出光面的，当使用非透明的硅衬底或迁移率小的非晶硅、有机TFT为衬底时，容易造成开口率低的问题。因此，要实现有源驱动的大面积、高亮度有机发光显示屏，必须研制顶发射结构的有机发光器件(Top-emitting OLEDs，TOLEDs)，通过将出光面与衬底(TFT)分开，从而使开口率的问题得到根本解决。
在现有的顶发射OLED制备过程中，一般制备全反射阳极和半透明阴极的结构实现OLED器件的顶发射，通过结构的优化有效地调节TOLED的微腔效应，改善OLED器件发光的光色，同时增强器件的出光耦合效率。
发明内容
本发明提供了一种OLED显示面板及其制作方法，以改善现有OLED器件发光的光色。
为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种OLED显示面板的制作方法，所述方法包括：
步骤S30、在阳极上制备阳极修饰层，其中，所述阳极为三维浮雕光栅结构；
步骤S40、在所述阳极修饰层上依次沉积第一公共层、发光层以及第二公共层；
步骤S50、在所述第二公共层上沉积阴极层。
根据本发明一优选实施例，在所述步骤S30之前还包括：
步骤S10、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层；
步骤S20、在所述薄膜晶体管层上形成阳极层，使用第一光罩，对所述阳极层实施第一光罩制程，以使所述阳极层形成至少两个所述阳极。
根据本发明一优选实施例，所述步骤S30包括：
S31、在所述阳极层上涂布偶氮苯类化合物溶液，以形成偶氮苯类化合物薄膜；
S32、利用激光照射所述偶氮苯类化合物薄膜，以形成具有所述三维浮雕光栅结构的所述阳极修饰层。
根据本发明一优选实施例，所述阳极修饰层材料为偶氮苯类化合物；
其中，所述偶氮苯类化合物为偶氮苯类高分子化合物或偶氮苯类小分子化合物。
根据本发明一优选实施例，所述偶氮苯类化合物包含有至少一种用于传输空穴的功能基团以及至少一种用于增强所述偶氮苯类化合物在有机溶剂中溶解性的功能基团。
根据本发明一优选实施例，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
本发明还提供了一种OLED显示面板，所述显示面板包括：
薄膜晶体管层；
阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述阳极层用于提供吸收电子的空穴；以及
阳极修饰层，形成于所述阳极层上，所述阳极修饰层为三维光栅结构；
第一公共层，形成于所述阳极修饰层上，所述第一公共层用于所述空穴的注入和传输；
发光层，形成于所述第一公共层上；
第二公共层，形成于所述第一公共层上，所述第一公共层用于所述电子的注入和传输；
阴极层，形成于所述第二公共层上，所述阴极层用于提供所述电子。
根据本发明一优选实施例，所述阳极修饰层材料为偶氮苯类化合物；
其中，所述偶氮苯类化合物为偶氮苯类高分子化合物或偶氮苯类小分子化合物。
根据本发明一优选实施例，所述偶氮苯类化合物包含有至少一种用于传输空穴的功能基团以及至少一种用于增强所述偶氮苯类化合物在有机溶剂中溶解性的功能基团。
根据本发明一优选实施例，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
本发明的有益效果：相比于现有技术，本发明在所述阳极上设置阳极修饰层，其中，所述阳极修饰层为三维浮雕光栅结构；通过对所述阳极修饰层的三维光栅结构的精细调控，以实现顶发射OLED器件微腔效应的调节，达到改善OLED器件发光的光色，同时，也增强了器件的出光耦合效率的效果。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明优选实施例一种OLED显示面板的制作方法步骤图；
图2～图7为本发明优选实施例一种OLED显示面板制作方法的工艺流程图；
图8为本发明优选实施例一种OLED显示面板的膜层结构图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明针对现有的OLED显示面板，无须在OLED制备过程中，制备全反射阳极和半透明阴极的结构以实现OLED器件的顶发射，而在传统的OLED显示面板的膜层结构中引入一种新型的结构，达到改善OLED器件发光的光色，增强了器件的出光耦合效率的效果本实施例能够实现该技术方案。
图1为本发明优选实施例一种OLED显示面板的制作方法步骤图，所述方法包括：
步骤S10、提供一衬底基板101，在所述衬底基板101上形成薄膜晶体管层102；
首先，提供一衬底基板101，可以利用磁控溅射工艺在所述衬底基板101上沉积第一金属层薄膜，金属材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构；
其次，在第一金属层薄膜上涂布第一光阻层，采用掩模板通过曝光、显影、蚀刻、剥离的构图工艺处理，在所述衬底基板101上形成栅极与栅线；
再次，利用化学方法在所述衬底基板101上沉积栅绝缘层，在本实施例中，优选的，所述栅绝缘层的材料为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等；
随后，通过溅射的方法在所述栅绝缘层上沉积金属氧化物薄膜作为有源层，并采用磁控溅射工艺，在所述有源层沉积第二金属层；
最后，在形成栅绝缘层、有源层以及第二金属层的所述衬底基板101上涂布第二光阻层，采用掩模板通过曝光、显影、蚀刻、剥离的构图工艺处理，以在所述衬底基板101上形成源极、漏极以及有源层图案，并在所述衬底基板101上沉积一层钝化层，形成如图2所示的结构，优选的，所述钝化层材料通常为氮化矽化合物。
步骤S20、在所述薄膜晶体管层102上形成阳极层103，使用第一光罩，对所述阳极层103实施第一光罩制程，以使所述阳极层103形成至少两个所述阳极。
首先，在所述薄膜晶体管层102上沉积所述阳极层103，如图3所示，在所述阳极层103上涂布第三光阻层，采用掩模板通过曝光、显影、蚀刻、剥离的构图工艺处理，在所述衬底基板101上形成呈阵列排布的至少两个阳极；
其中，所述阳极层103主要用于提供吸收电子的空穴，所述阳极层103为透明的，并允许放出来的光通过。
步骤S30、在阳极上制备阳极修饰层104，其中，所述阳极为三维浮雕光栅结构；
首先，在经过图案化的每一所述阳极上，通过旋涂、喷墨打印或者刮涂等溶液加工的方式将偶氮苯类化合物的溶液涂布在所述所述阳极上，并制备成薄膜偶氮苯类化合物；
然后，利用双光束干涉激光系统照射偶氮苯类化合物薄膜，使所述偶氮苯类化合物薄膜形成具有有序的三维浮雕光栅结构的阳极修饰层104，如图4和图5所示；
其中，所述偶氮苯类化合物为偶氮苯类高分子或者偶氮苯类小分子；所述偶氮苯类化合物中应包含有至少一种具有传输空穴的功能基团，例如咔唑，苯胺或是噻吩等；所述偶氮苯化合物中也应至少包含一种能够用于增强其在常见有机溶剂中溶解性的功能基团，例如短链烷基链等。
步骤S40、在所述阳极修饰层104上依次沉积第一公共层105、发光层106以及第二公共层107；
与现有技术相同，在所述阳极修饰层104上依次沉积第一公共层105、发光层106以及第二公共层107，如图6所示；
其中，所述第一公共层105可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成，在本实施例中，所述第一公共层105包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层按照远离所述阳极的方向依次叠层设置，所述空穴注入层和所述空穴传输层的功能相近，可以统称为空穴传输功能层；
所述发光层106形成于所述第一公共层105上，所述发光层106包括至少两个发光单元，每一所述发光单元与每一所述阳极对应；所述发光层106为有机物半导体，其具有特殊的能带结构，可以在吸收所述阳极迁移过来的电子后，再散发出来一定波长的光子，而这些光子进入我们眼睛就是我们看到的色彩；
所述第二公共层107形成于所述第一公共层105上，所述第二公共层107可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成；在本实施例中，所述第二公共层107包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层和所述电子传输层按照远离所述因基层的方向依次叠层设置，所述电子注入层和所述电子传输层的功能相近，可以统称为电子传输功能层。
步骤S50、在所述第二公共层107上沉积阴极层108；
如图7所示，所述阴极层108形成于所述第二公共层107上，所述阴极层108通常是低逸出功的合金，在给定电压下产生电子，所述电子经过电子注入层和电子传输层在所述发光层106中与空穴结合；优选的，在本实施例，所述阴极层108为半透明。
相比现有技术，本发明在所述阳极上设置阳极修饰层，其中，所述阳极修饰层的材料为偶氮苯类化合物，所述偶氮苯类化合物包含有空穴传输性质较好的功能基团和能够增强其在常见有机溶剂中溶解性的功能基团；另外，所述阳极修饰层为三维浮雕光栅结构，通过对所述阳极修饰层的三维光栅结构的精细调控，可以实现顶发射OLED器件微腔效应的调节，达到改善OLED器件发光的光色，同时，也增强了器件的出光耦合效率的效果。
图8所示为本发明优选实施例一种OLED显示面板的膜层结构图，所述显示面板包括：薄膜晶体管层202、阳极层203、阳极修饰层204、第一公共层205、发光层206、第二公共层207以及阴极层208。
其中，所述所述薄膜晶体管层202形成于衬底基板201上，所述薄膜晶体管层202包括有源层、栅绝缘层、栅极层、源漏极层以及钝化层；
所述栅极层由第一金属薄膜层经过曝光、显影、蚀刻、剥离的构图工艺处理而形成，所述第一金属得材料可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构；
所述栅绝缘层形成于所述衬底基板201上，在本实施例中，优选的，所述栅绝缘层的材料为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等；
所述有源层通过溅射的方法形成于所述栅绝缘层上，其中，所述有源层为金属氧化物薄膜；
在形成有栅绝缘层、有源层的所述衬底基板201上沉积第二金属层，并采用掩模板通过曝光、显影、蚀刻、剥离的构图工艺处理，在所述衬底基板201上形成源极、漏极以及有源层图案；
所述钝化层形成于所述衬底基板201上，优选的，所述钝化层材料通常为氮化矽化合物。
阳极层203，所述阳极层203形成于所述薄膜晶体管层202上，所述阳极层203在所述衬底基板201上经过图形化处理，形成成阵列排布的至少两个阳极；其中，所述阳极层203主要用于提供吸收电子的空穴，所述阳极层203为透明的，并允许放出来的光通过。
阳极修饰层204，所述阳极修饰层204形成于所述阳极层203上，在经过图案化的每一所述阳极上，通过旋涂、喷墨打印或者刮涂等溶液加工的方式将偶氮苯类化合物的溶液涂布在所述所述阳极上，并制备成薄膜偶氮苯类化合物；
然后，利用双光束干涉激光照射偶氮苯类化合物薄膜，使所述偶氮苯类化合物薄膜形成具有有序的三维浮雕光栅结构的阳极修饰层204，如图8所示；
其中，所述偶氮苯类化合物为偶氮苯类高分子或者偶氮苯类小分子；所述偶氮苯类化合物中应包含有至少一种用于传输空穴的功能基团，例如咔唑，苯胺或是噻吩等；所述偶氮苯化合物中也应至少包含一种能够用于增强其在常见有机溶剂中溶解性的功能基团，例如短链烷基链等。
第一公共层205，所述第一公共层205可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成，在本实施例中，所述第一公共层205包括空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层按照远离所述阳极的方向依次叠层设置，所述空穴注入层和所述空穴传输层的功能相近，可以统称为空穴传输功能层。
发光层206，所述发光层206形成于所述第一公共层205上，所述发光层206包括至少两个发光单元，每一所述发光单元与每一所述阳极对应；所述发光层206为有机物半导体，其具有特殊的能带结构，可以在吸收所述阳极迁移过来的电子后，再散发出来一定波长的光子，而这些光子进入我们眼睛就是我们看到的色彩。
第二公共层207，所述第二公共层207形成于所述第一公共层205上，所述第二公共层207可以由一层材料构成，也可以是两层或以上的材料层构成；在本实施例中，所述第二公共层207包括电子注入层和电子传输层，所述电子注入层和所述电子传输层按照远离所述因基层的方向依次叠层设置，所述电子注入层和所述电子传输层的功能相近，可以统称为电子传输功能层。
阴极层208，所述阴极层208形成于所述第二公共层207上，所述阴极层208通常是低逸出功的合金，在给定电压下产生电子，所述电子经过电子注入层和电子传输层在所述发光层206中与空穴结合；优选的，在本实施例，所述阴极层208为半透明。
本发明提出了一种OLED显示面板及其制作方法，所述OLED显示面板包括薄膜晶体管层、阳极层、阳极修饰层、第一公共层、发光层、第二公共层以及阴极层；其中，所述阳极修饰层的材料为偶氮苯类化合物，所述偶氮苯类化合物包含有空穴传输性质较好的功能基团和能够增强其在常见有机溶剂中溶解性的功能基团；另外，所述阳极修饰层为三维浮雕光栅结构，通过对所述阳极修饰层的三维光栅结构的精细调控，可以实现顶发射OLED器件微腔效应的调节，达到改善OLED器件发光的光色，同时，也增强了器件的出光耦合效率的效果。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S30、在阳极上制备阳极修饰层，其中，所述阳极为三维浮雕光栅结构；
步骤S40、在所述阳极修饰层上依次沉积第一公共层、发光层以及第二公共层；
步骤S50、在所述第二公共层上沉积阴极层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S30之前还包括：
步骤S10、提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层；
步骤S20、在所述薄膜晶体管层上形成阳极层，使用第一光罩，对所述阳极层实施第一光罩制程，以使所述阳极层形成至少两个所述阳极。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S30包括：
S31、在所述阳极层上涂布偶氮苯类化合物溶液，以形成偶氮苯类化合物薄膜；
S32、利用激光照射所述偶氮苯类化合物薄膜，以形成具有所述三维浮雕光栅结构的所述阳极修饰层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述阳极修饰层材料为偶氮苯类化合物；
其中，所述偶氮苯类化合物为偶氮苯类高分子化合物或偶氮苯类小分子化合物。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述偶氮苯类化合物包含有至少一种用于传输空穴的功能基团以及至少一种用于增强所述偶氮苯类化合物在有机溶剂中溶解性的功能基团。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
7.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管层；
阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上，所述阳极层用于提供吸收电子的空穴；以及
阳极修饰层，形成于所述阳极层上，所述阳极修饰层为三维光栅结构；
第一公共层，形成于所述阳极修饰层上，所述第一公共层用于所述空穴的注入和传输；
发光层，形成于所述第一公共层上；
第二公共层，形成于所述第一公共层上，所述第一公共层用于所述电子的注入和传输；
阴极层，形成于所述第二公共层上，所述阴极层用于提供所述电子。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述阳极修饰层材料为偶氮苯类化合物；
其中，所述偶氮苯类化合物为偶氮苯类高分子化合物或偶氮苯类小分子化合物。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述偶氮苯类化合物包含有至少一种用于传输空穴的功能基团以及至少一种用于增强所述偶氮苯类化合物在有机溶剂中溶解性的功能基团。
10.根据权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一公共层包括空穴注入层和空穴传输层，所述第二公共层包括电子注入层和电子传输层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710850038.1A CN107732029B (zh) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
| US15/576,712 US10505140B2 (en) | 2017-09-20 | 2017-11-09 | OLED display panel and method for manufacturing same |
| PCT/CN2017/110197 WO2019056524A1 (zh) | 2017-09-20 | 2017-11-09 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710850038.1A CN107732029B (zh) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107732029A true CN107732029A (zh) | 2018-02-23 |
| CN107732029B CN107732029B (zh) | 2019-12-31 |
Family
ID=61206926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710850038.1A Active CN107732029B (zh) | 2017-09-20 | 2017-09-20 | 一种oled显示面板及其制作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107732029B (zh) |
| WO (1) | WO2019056524A1 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109119548A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-01-01 | 华中科技大学 | 带有阴极单面光栅的顶发射oled器件及其制备方法 |
| CN110098351A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN111384286A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| WO2022246906A1 (zh) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101132055A (zh) * | 2007-09-28 | 2008-02-27 | 天津理工大学 | 一种能提高有机电致发光器件亮度和效率的器件及制法 |
| US20100141612A1 (en) * | 2006-11-24 | 2010-06-10 | Comissariat A L'energie Atomique | Electrode of a light-emitting device of the oled type |
| US20140124746A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-08 | Jae-Kwon HWANG | Thin film transistor, and organic light-emitting display device therewith |
| US20150115226A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Optoelectronic component, a method for manufacturing an optoelectronic component, and a method for processing a carrier |
| CN105405983A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-03-16 | 吉林大学 | 具有周期性规则褶皱结构的可拉伸有机电致发光器件 |
| US20170033315A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104425546B (zh) * | 2013-09-09 | 2018-04-13 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
| CN104425758A (zh) * | 2013-09-09 | 2015-03-18 | 宸鸿光电科技股份有限公司 | 有机发光二极管显示器及其制造方法 |
| CN105633115B (zh) * | 2014-11-27 | 2018-11-09 | 昆山国显光电有限公司 | Oled器件及其制造方法、显示装置 |
| CN104966723B (zh) * | 2015-07-27 | 2018-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置 |
| CN106920902B (zh) * | 2017-05-17 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板及其制造方法、显示装置及其封装方法 |
-
2017
- 2017-09-20 CN CN201710850038.1A patent/CN107732029B/zh active Active
- 2017-11-09 WO PCT/CN2017/110197 patent/WO2019056524A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100141612A1 (en) * | 2006-11-24 | 2010-06-10 | Comissariat A L'energie Atomique | Electrode of a light-emitting device of the oled type |
| CN101132055A (zh) * | 2007-09-28 | 2008-02-27 | 天津理工大学 | 一种能提高有机电致发光器件亮度和效率的器件及制法 |
| US20140124746A1 (en) * | 2012-11-08 | 2014-05-08 | Jae-Kwon HWANG | Thin film transistor, and organic light-emitting display device therewith |
| US20150115226A1 (en) * | 2013-10-28 | 2015-04-30 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Optoelectronic component, a method for manufacturing an optoelectronic component, and a method for processing a carrier |
| US20170033315A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
| CN105405983A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-03-16 | 吉林大学 | 具有周期性规则褶皱结构的可拉伸有机电致发光器件 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109119548A (zh) * | 2018-08-07 | 2019-01-01 | 华中科技大学 | 带有阴极单面光栅的顶发射oled器件及其制备方法 |
| CN111384286A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | Tcl集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN111384286B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-07-06 | Tcl科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管及其制备方法 |
| CN110098351A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| WO2020220551A1 (zh) * | 2019-04-30 | 2020-11-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示模组 |
| WO2022246906A1 (zh) * | 2021-05-28 | 2022-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019056524A1 (zh) | 2019-03-28 |
| CN107732029B (zh) | 2019-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10784471B2 (en) | Organic light emitting display device and method of making the same | |
| CN104835831B (zh) | 有机发光显示面板及其制造方法 | |
| KR101920766B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| WO2018227748A1 (zh) | Oled显示面板及其制作方法 | |
| KR101976829B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| US20140206117A1 (en) | Method for manufacturing display device | |
| KR20110138787A (ko) | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
| US8816341B2 (en) | Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same | |
| US9679953B2 (en) | WOLED back panel and method of manufacturing the same | |
| KR20160032749A (ko) | 유기발광표시장치, 유기발광표시패널 및 그 제조방법 | |
| CN107732029A (zh) | 一种oled显示面板及其制作方法 | |
| KR102122518B1 (ko) | 고 투과율 투명 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20110035049A (ko) | 유기전계발광소자 및 이의 제조방법 | |
| KR20080057412A (ko) | 유기전계발광 소자의 제조방법 | |
| KR102058239B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102043851B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102089248B1 (ko) | 유기발광다이오드소자 및 그의 제조방법 | |
| KR20090132356A (ko) | 유기발광다이오드 표시소자와 그 제조방법 | |
| KR102045560B1 (ko) | 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20150075135A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR20180061777A (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 | |
| KR20030058153A (ko) | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 | |
| CN103560211B (zh) | 有机电致发光器件的制作方法及制作的有机电致发光器件 | |
| KR100768711B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| CN108269946A (zh) | 发光元件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |