JP2019186185A - 熱転写フィルムの利用による有機発光ダイオードの連続的準備方法 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 熱転写フィルムを用いて有機発光ダイオード(OLED)を連続的に準備する方法であって、
頂部から底部へ順に、第一の耐熱層、第一のベース層、第一の機能層、および第一の転写層を有する第一の熱転写フィルムと、頂部から底部へ順に、第二の耐熱層、第二のベース層、第二の機能層、および第二の転写層を有する第二の熱転写フィルムとを用意する工程と、
基板を用意し上記基板を上記第一の熱転写フィルムの下に配置する工程と、
上記第一の転写層を上記基板上へと転写するために上記第一の熱転写フィルムを加熱する工程と、
上記基板を上記第二の熱転写フィルムの下になるように移動させる工程と、
上記第二の転写層を上記基板の上の上記第一の転写層上へと転写するために上記第二の転写層を加熱する工程とを含むことを特徴とする方法。 - 第一の熱転写フィルムおよび第二の熱転写フィルムを用意する上記工程は、
第一の耐熱層を生成するために耐熱層溶液を第一のベース層の第一の面上に塗布する工程と、
第一の機能層を生成するために機能層溶液を上記第一のベース層の第二の面上に塗布する工程であって、上記第一の機能層の第三の面が上記第二の面の上に位置している工程と、
第一の転写層が上記第一の機能層の第四の面上に配置される配置プロセスを実行する工程と、
第一の熱転写フィルムを生成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 第一の熱転写フィルムおよび第二の熱転写フィルムを用意する上記工程は、
第二の耐熱層を生成するために第二のベース層の第一の面上に耐熱層溶液を塗布する工程と、
第二の機能層を生成するために機能層溶液を上記第二のベース層の第二の面上に塗布する工程であって、上記第二の機能層の第三の面が上記第二の面の上に位置している工程と、
第二の転写層が上記第二の機能層の第四の面上に配置される配置プロセスを実行する工程と、
第二の熱転写フィルムを生成する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 上記第一の熱転写フィルムおよび上記第二の熱転写フィルムは、結合されていることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の耐熱層および上記第二の耐熱層はともに、ステアリン酸亜鉛、ステアリルリン酸亜鉛、およびセスロースアセテートプロピオネートからなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の耐熱層および上記第二の耐熱層の厚さは、0.1μmから3μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一のベース層および上記第二のベース層は、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリイミド(PI)、ポリエチレンナフタレート(PEN)およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一のベース層および上記第二のベース層の厚さは、2μmから100μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の機能層および上記第二の機能層は、銀、アルミニウム、マグネシウムおよびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の機能層および上記第二の機能層は、トリメチロールプロパントリアクリレート(TMPTA)、ポリビニルブチラール(PVB)、四硝酸ペンタエリスリトール(PETN)、トリニトロトルエン(TNT)、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、セルロース樹脂、PVB樹脂、ポリ塩化ビニル(PVC)樹脂およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の機能層および上記第二の機能層の厚さは、0.3μmから10μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写層および上記第二の転写層は、正孔注入材料、正孔輸送材料、RGB光発光材料、電子輸送材料、電子注入材料、金属ナノマテリル、カーボンナノチューブ導電性材料およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写層および上記第二の転写層は、アリールアミン、アイオノマーのポリマー混合物、P型ドーパント、フェニルアリールアミン、有機蛍光材料、有機燐光材料、熱活性化遅延蛍光材料(TADF)、重金属錯体、有機多環芳香族、多環芳香族炭化水素(PAH)、青色発光材料、緑色発光材料、赤色発光材料、複素環化合物、オキサジアゾール誘導体、金属キレート、アゾール系誘導体、キノロン誘導体、キノキサリン誘導体、アントラゾリン誘導体、フェナンスロリン誘導体、シロール誘導体、フルオロベンゼン誘導体、N型ドーパント、金属、合金、金属錯体、金属化合物、金属酸化物、エレクトロルミネセンス材料、電子活性材料およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写装置および上記第二の転写層の厚さは、20nmから200nmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記配置プロセスは、真空蒸着、スピンコーティング、スロットダイコーティング、インクジェット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、およびスパッタリングからなるグループから選択されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 上記配置プロセスは、真空蒸着、スピンコーティング、スロットダイコーティング、インクジェット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、およびスパッタリングからなるグループから選択されることを特徴とする請求項3に記載の方法。
- 上記第一の転写層および上記第二の転写層は、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、および陰極からなるグループの隣接する組み合わせから選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記基板は、ガラス、ポリイミド(PI)、ポリエチレンテレフタレート(PET)およびこれらの組み合わせからなるグループから選択された材料により生成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写層を上記基板の上へと転写するために上記第一の熱転写フィルムを加熱する上記工程中、ならびに、上記第二の転写層を基板上の上記第一の転写層上へと転写するために上記第二の熱転写フィルムを加熱する上記工程中で、熱プリントヘッド(TPH)が、上記第一の熱転写フィルムおよび上記第二の熱転写フィルムの加熱のために使用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 上記第一の転写層を上記基板の上へと転写するために上記熱転写フィルムを加熱する上記工程中、ならびに、上記第二の転写層を基板上の上記第一の転写層上へと転写するために上記第二の熱転写フィルムを加熱する上記工程中で、上記第一の熱転写フィルムおよび第二の熱転写フィルムは最高で摂氏80―300度(℃)まで加熱されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
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