KR20200068001A - 열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드를 연속적으로 제조하는 방법 - Google Patents
열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드를 연속적으로 제조하는 방법 Download PDFInfo
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 181
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 200
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 65
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 12
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 12
- 238000010923 batch production Methods 0.000 claims description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 10
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 claims description 10
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-trinitrotoluene Chemical compound CC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O SPSSULHKWOKEEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N Pentaerythritol Tetranitrate Chemical compound [O-][N+](=O)OCC(CO[N+]([O-])=O)(CO[N+]([O-])=O)CO[N+]([O-])=O TZRXHJWUDPFEEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000026 Pentaerythritol tetranitrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 6
- 229960004321 pentaerithrityl tetranitrate Drugs 0.000 claims description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000015 trinitrotoluene Substances 0.000 claims description 6
- PORPEXMDRRVVNF-UHFFFAOYSA-L zinc;octadecyl phosphate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCCOP([O-])([O-])=O PORPEXMDRRVVNF-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000005575 polycyclic aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 claims description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011263 electroactive material Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 150000008423 fluorobenzenes Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 claims description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 3
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 3
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 150000007980 azole derivatives Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 claims description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GDISDVBCNPLSDU-UHFFFAOYSA-N pyrido[2,3-g]quinoline Chemical class C1=CC=NC2=CC3=CC=CN=C3C=C21 GDISDVBCNPLSDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims 1
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 34
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 4
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 4
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N (1-hydroxycyclohexyl)-phenylmethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1(O)CCCCC1 QNODIIQQMGDSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920005547 polycyclic aromatic hydrocarbon Polymers 0.000 description 1
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 1
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
-
- H01L51/0013—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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Abstract
열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드 (OLED)를 연속적으로 제조하는 방법을 밝혀낸다. 복잡한 공정 및 낮은 재료 효율을 포함한 통상적인 진공 증발의 단점들을 극복하기 위하여, 적어도 2개의 열 전사 층들이 순서대로 열 전사 인쇄에 의해 기판 상으로 전사된다. 진공 증발시에는, 50% 미만의 재료만이 기판에 도달한다.
Description
본 발명은 유기 발광 다이오드 (OLED)를 제조하는 방법, 특히 열 전사 필름(thermal transfer film)을 사용하여 유기 발광 다이오드 (OLED)를 연속적으로 제조하는 방법에 관한 것이다.
반도체는 전기 전도성 값이 절연체와 전도체의 것 사이에 속하는 종류의 재료이다. 반도체는 기술 또는 경제 발전 중 어느 하나에 지대한 영향을 준다. 가장 흔한 반도체 재료에는 규소, 게르마늄, 비소화갈륨 등이 포함된다. 규소가 가장 흔하며, 광범위한 상업적 적용분야에서 사용되고 있다.
우리 생활의 사실상 모든 측면이 반도체 제품과 연관되어 있다. 예를 들어, 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD)는 조명, 표시등 광원, 광학 정보 저장 시스템, 레이저 프린터, 광 섬유 통신 및 의료 분야 등에 적용되어 왔다. 광 검출기, 태양 전지, 광학 증폭기, 트랜지스터 등과 같은 다른 제품들은 이와 같은 첨단 기술 시대의 우리 생활에 막대한 영향을 준다. 비디오 통신 시대에, 디스플레이 품질은 특히 중요하다.
첨단 기술 및 개인용 컴퓨터의 보급, 인터넷 사용 및 정보 통신 기술과 함께, 디스플레이는 인간-컴퓨터 상호작용의 필수적인 수단이 되었다. 빠르게 발전하는 디스플레이 기술은 평판 디스플레이 산업을 더욱 번창시키고 있다.
통상적인 음극선관(Cathode Ray Tube) (CRT) 스크린은 사용자에게는 부피가 크고 무겁다. 따라서, CRT 스크린은 더 얇고 더 크기가 큰 플라스마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) (PDP) 및 훨씬 더 얇고 더 가벼운 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display) (LCD)로 점차 대체되어 왔다.
유기 전계발광체(organic electroluminescence) (OEL)로도 지칭되는 OLED (유기 발광 다이오드)는 차세대 평판 디스플레이 기술의 파생물이다. 소형성 이외에도, OLED 디스플레이는 유연성, 휴대성, 풀 컬러 용량 및 높은 휘도, 낮은 전력 소비, 광범위한 시야 각, 잔상 없음 등을 포함한 특유의 장점들을 갖고 있다. 이에 따라, OLED는 평판 디스플레이 산업에서 주류가 되었다. 대학교 및 그의 업계 파트너의 전문가들이 이와 같은 새로운 기술의 연구 및 개발에 헌신하고 있다.
OLED에 인가된 전압의 영향하에서는, 정공 및 전자가 정공 주입 층 및 전자 주입 층으로 주입되어, 각각 정공 수송 층 및 전자 수송 층으로 통과된다. 다음에, 정공 및 전자는 발광 층으로 진입하여 재결합함으로써, 에너지의 방출에 의해 바닥 상태로 이완되는 엑시톤(exciton)을 형성한다. 단일항 또는 삼중항 상태인 엑시톤의 바닥 상태로의 이완으로 인하여, 에너지는 광으로 방출된다. 사용되는 발광 재료 및 전자의 스핀 상태 특징으로 인하여, 방출되는 (단일항으로부터 바닥 상태로) 에너지 중 25%만이 OLED 발광으로서 사용되는 반면, 나머지 75% (삼중항으로부터 바닥 상태로)는 인광 또는 열의 형태로 방출된다. 방사선의 주파수는 사용되는 재료의 밴드 갭(band gap)에 따라 달라지는데, 그에 따라 생성되는 광의 색상이 달라질 수 있다.
OLED의 원리는 LED (발광 다이오드)의 것과 유사하다. OLED와 LED 사이의 차이는 OLED가 광을 방출하는 재료로 유기 화합물을 사용하며, 대부분의 광자가 가시광 스펙트럼에 걸쳐 생성되기 때문에, OLED의 발광이 더 효율적이라는 것이다.
또한, OLED는 자가-방출성이기 때문에, 백라이트(backlight)를 필요로 하지 않는다. 이에 따라, OLED는 최적의 가시성 및 높은 휘도를 갖는다. OLED는 낮은 구동-전압, 높은 효율, 빠른 반응, 가벼운 중량, 얇은 프로파일 등을 특징으로 한다. LCD와 비교할 때, OLED는 화상 지연(image retention)이 없으며, 광범위한 온도 범위를 갖는다. 저온에서의 OLED의 반응 시간은 실온에서의 것과 동일한 반면, LCD에는 온도가 영향을 준다. 저온에서는 더 긴 반응 시간을 필요로 하며, 심지어는 액정이 냉동되어 성능 문제를 야기할 수 있다.
그러나, 반도체 제품 (예컨대 OLED)의 제조 공정에서 소정의 문제점들이 발생한다. 고진공하에서는, 전류, 전자 빔 조사 및 레이저에 의해 원료가 가열되어 원자 또는 분자로 증발된 다음, 요구되는 기판 상에 균일하게 침착될 수 있다. 진공 증발 동안에는, 금속 마스크를 필요로 한다. 설계 방법은 까다로운데, 그와 같이 고도로 정밀한 금속 마스크의 위치지정을 필요로 하며, 더 큰 금속 마스크는 정밀도를 상실하기가 쉽기 때문이다. 이에 따라, 사용되는 기판은 소형 규모의 것으로 제한되며, 규모 증대가 어렵고, 대량 생산하기가 불가능하다. 금속 마스크의 비용은 극히 높으며, 금속 마스크의 제조시에는 세척 공정이 요구된다. 금속 마스크의 위치지정은 매우 정밀해야 한다.
또한, 대량의 OLED 재료들이 진공 증발 동안 폐기된다. 진공 증발은 간단하기는 하지만, 10-40%의 재료만이 공정 후 기판에 도달하기 때문에, 비효율적이다. OLED는 낮은 재료 이용률을 갖는다.
이에 따라, 개선의 여지가 존재하며, 통상적인 진공 증발 동안 발생하는 문제점들 (예컨대 대형-규모 제품의 대량 생산에 있어서의 어려움 및 낮은 재료 효율)을 해결하여 새로운 OLED를 제공할 필요성이 존재한다.
따라서, 통상적인 진공 증발의 복잡한 공정 및 낮은 재료 효율 문제를 해결하기 위해, 적어도 2개의 열 전사 필름 상의 전사 층이 가열되어, 순서대로 열 전사 인쇄에 의해 기판 상으로 전사되는 것인, 열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드 (OLED)를 연속적으로 제조하는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 일차적인 목적이다. 진공 증발 후에는 50% 미만의 재료만이 기판에 도달한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드 (OLED)를 제조하는 방법은 하기의 단계들을 포함한다. 먼저, 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 취하며, 여기서 상기 제1 열 전사 필름은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제1 내열성 층, 제1 기저 층, 제1 기능성 층 및 제1 전사 층을 포함하고, 상기 제2 열 전사 필름은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제2 내열성 층, 제2 기저 층, 제2 기능성 층 및 제2 전사 층을 포함한다. 다음에, 기판을 취하고, 제1 열 전사 필름 아래에 기판을 설치한다. 제1 열 전사 필름을 가열하여, 기판 상으로 제1 전사 층을 전사한다. 다음에, 제2 열 전사 필름의 아래에 오도록 기판을 이동시킨다. 이후, 제2 열 전사 필름을 가열하여, 기판 위의 제1 전사 층 상으로 제2 전사 층을 전사한다.
제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 취하는 단계는 하기의 단계들을 추가로 포함한다: 제1 기저 층의 제1 표면 상에 내열성 층 용액을 코팅하여, 제1 내열성 층을 형성시키는 단계, 제1 기저 층의 제2 표면 상에 기능성 층 용액을 코팅하여, 제1 기능성 층을 형성시키고, 제2 표면 상에 제1 기능성 층의 제3 표면을 위치시키는 단계, 제1 기능성 층의 제4 표면 상에 제1 전사 층을 설치하는 배치 공정을 수행하는 단계, 및 제1 열 전사 필름을 형성시키는 단계.
제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 취하는 단계는 또한 하기의 단계들을 포함한다: 제2 기저 층의 제1 표면 상에 내열성 층 용액을 코팅하여, 제2 내열성 층을 형성시키는 단계, 제2 기저 층의 제2 표면 상에 기능성 층 용액을 코팅하여, 제2 기능성 층을 형성시키고, 제2 표면 상에 제2 기능성 층의 제3 표면을 위치시키는 단계, 제2 기능성 층의 제4 표면 상에 제2 전사 층을 설치하는 배치 공정을 수행하는 단계, 및 제2 열 전사 필름을 형성시키는 단계.
상기 제1 열 전사 필름과 제2 전사 필름은 연결된다.
제1 내열성 층 (20) 및 제2 내열성 층 (20') 둘 다는 아연 스테아레이트 (SPZ-100F), 아연 스테아릴 포스페이트 (LBT-1830) 및 셀룰로스 아세테이트 프로피오네이트 (CAP-504-0.2)로 구성된다.
제1 내열성 층 및 제2 내열성 층의 두께는 0.1 um 내지 3 um의 범위이다.
제1 기저 층 및 제2 기저 층은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리이미드 (PI), 폴리(에틸렌 나프탈레이트) (PEN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 기저 층 및 제2 기저 층 둘 다의 두께는 2 um 내지 100 um의 범위이다.
제1 기능성 층 및 제2 기능성 층은 은, 알루미늄, 마그네슘 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 기능성 층 및 제2 기능성 층은 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 (TMPTA), 폴리비닐 부티랄 (PVB), 펜타에리트리톨 테트라니트레이트 (PETN), 트리니트로톨루엔 (TNT), 아크릴 수지, 에폭시 수지, 셀룰로스 수지, PVB 수지, 폴리비닐 클로라이드 (PVC) 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 기능성 층 및 제2 기능성 층의 두께는 0.3 um 내지 10 um의 범위이다.
제1 전사 층 및 제2 전사 층은 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, RGB 발광 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 금속 나노재료, 탄소 나노튜브 전도성 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 전사 층 및 제2 전사 층은 아릴아민, 이오노머들의 중합체 혼합물, P-도펀트(dopant), 페닐 아릴아민, 유기 형광 재료, 유기 인광 재료, 열-활성화 지연 형광 (TADF) 재료, 중금속 착물, 유기 폴리시클릭 방향족, 폴리시클릭 방향족 탄화수소 (PAH), 청색 방출 재료, 녹색 방출 재료, 적색 방출 재료, 헤테로시클릭 화합물, 옥사디아졸 유도체, 금속 킬레이트, 아졸계 유도체, 퀴놀론 유도체, 퀴녹살린 유도체, 안트라졸린 유도체, 페난트롤린 유도체, 실롤 유도체, 플루오로벤젠 유도체, N-도펀트, 금속, 합금, 금속 착물, 금속 화합물, 금속 산화물, 전계발광 재료, 전기활성 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 전사 층 및 제2 전사 층의 두께는 20 nm 내지 200 nm의 범위이다.
제1 전사 층 및 제2 전사 층을 배열하기 위한 배치 공정은 진공 증발, 회전 코팅, 슬롯 다이(slot die) 코팅, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 스크린 인쇄, 화학적 증착 (CVD), 물리적 증착 (PVD) 및 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
제1 전사 층 및 제2 전사 층은 애노드, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 캐소드로 이루어진 군의 인접 조합으로부터 선택된다.
기판은 유리, 폴리이미드 (PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 열 전사 필름을 가열하여, 기판 상으로 제1 전사 층을 전사하는 단계 및 제2 열 전사 필름을 가열하여, 기판 위의 제1 전사 층 상으로 제2 전사 층을 전사하는 단계에서는, 열 인쇄 헤드 (TPH)가 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 가열하기 위해 사용된다.
제1 열 전사 필름을 가열하여, 기판 상으로 제1 전사 층을 전사하는 단계 및 제2 열 전사 필름을 가열하여, 기판 위의 제1 전사 층 상으로 제2 전사 층을 전사하는 단계에서, 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름은 80-300℃까지 가열된다.
상기 목적 및 기타 목적들을 달성하기 위하여 본 발명에 의해 채택되는 구조 및 기술적 수단들은 바람직한 실시양태에 대한 하기 상세한 설명 및 첨부 도면을 참조하는 것에 의해 가장 잘 이해될 수 있는 바, 그 중:
도 1은 본 발명에 따른 실시양태의 단계들을 보여주는 흐름도이며;
도 2a-2e는 각각 본 발명에 따른 실시양태의 각 단계를 보여주는 개략도이고;
도 3a는 본 발명에 따른 실시양태 제1 열 전사 필름의 구조를 보여주는 개략도이며;
도 3b는 본 발명에 따른 실시양태 제1 열 전사 필름의 제조 단계들을 보여주는 흐름도이고;
도 4a는 본 발명에 따른 실시양태 제2 열 전사 필름의 구조를 보여주는 개략도이며;
도 4b는 본 발명에 따른 실시양태 제2 열 전사 필름의 제조 단계들을 보여주는 흐름도이고;
도 5는 본 발명에 따른 또 다른 실시양태의 구조를 보여주는 개략도이며;
도 6a-6b는 본 발명에 따라 각각 녹색 방출 재료를 사용하는 실시양태들의 시험 결과를 보여주는 개략도이고;
도 6c는 본 발명에 따라 녹색 방출 재료를 사용하는 실시양태의 구조를 보여주는 개략도이다.
도 1은 본 발명에 따른 실시양태의 단계들을 보여주는 흐름도이며;
도 2a-2e는 각각 본 발명에 따른 실시양태의 각 단계를 보여주는 개략도이고;
도 3a는 본 발명에 따른 실시양태 제1 열 전사 필름의 구조를 보여주는 개략도이며;
도 3b는 본 발명에 따른 실시양태 제1 열 전사 필름의 제조 단계들을 보여주는 흐름도이고;
도 4a는 본 발명에 따른 실시양태 제2 열 전사 필름의 구조를 보여주는 개략도이며;
도 4b는 본 발명에 따른 실시양태 제2 열 전사 필름의 제조 단계들을 보여주는 흐름도이고;
도 5는 본 발명에 따른 또 다른 실시양태의 구조를 보여주는 개략도이며;
도 6a-6b는 본 발명에 따라 각각 녹색 방출 재료를 사용하는 실시양태들의 시험 결과를 보여주는 개략도이고;
도 6c는 본 발명에 따라 녹색 방출 재료를 사용하는 실시양태의 구조를 보여주는 개략도이다.
본 발명의 특징 및 기능들을 이해함에 있어서, 하기의 실시양태들 및 관련 상세한 설명을 참조하기 바란다.
유기 발광 다이오드 (OLED)를 제조하기 위해 사용되는 것이며, 높은 제조 비용을 야기하는 통상적인 진공 증발의 문제점들 (예컨대 규모-증대의 어려움 및 낮은 재료 효율)을 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 열 전사 필름을 사용하여 OLED를 연속적으로 제조하는 방법을 제공하는 바이다.
하기하는 실시양태로서, 본 발명에 따른 열 전사 필름을 사용하여 OLED를 연속적으로 제조하는 방법의 특징, 구조를 나타내었다.
도 1 및 도 2a-2e를 참조하면, 본 발명에 따른 열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드 (OLED)를 연속적으로 제조하는 방법은 하기의 단계들을 포함한다.
S1: 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 취하는 단계이며, 여기서 상기 제1 열 전사 필름은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제1 내열성 층, 제1 기저 층, 제1 기능성 층 및 제1 전사 층을 포함하고, 상기 제2 열 전사 필름은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제2 내열성 층, 제2 기저 층, 제2 기능성 층 및 제2 전사 층을 포함하는 것인 단계;
S3: 기판을 취하고, 제1 열 전사 필름 아래에 기판을 설치하는 단계;
S5: 제1 열 전사 필름을 가열하여, 기판 상으로 제1 전사 층을 전사하는 단계;
S7: 제2 열 전사 필름의 아래에 오도록 기판을 이동시키는 단계;
S9: 제2 열 전사 필름을 가열하여, 기판 위의 제1 전사 층 상으로 제2 전사 층을 전사하는 단계.
도 2 및 단계 S1을 참조하면, 제1 열 전사 필름 (1) 및 제2 열 전사 필름 (1')을 취한다. 제1 열 전사 필름 (1)은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제1 내열성 층 (20) , 제1 기저 층 (10), 제1 기능성 층 (30) 및 제1 전사 층 (40)을 포함한다. 제2 열 전사 필름 (1')은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제2 내열성 층 (20'), 제2 기저 층 (10'), 제2 기능성 층 (30') 및 제2 전사 층 (40')으로 이루어진다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 제1 열 전사 필름의 구조를 보여주는 개략도 및 제1 열 전사 필름의 제조 단계들을 보여주는 흐름도가 개시되어 있다. 단계 S1은 하기의 단계들을 추가로 포함한다.
S11: 제1 기저 층의 제1 표면 상에 내열성 층 용액을 코팅하여, 제1 내열성 층을 형성시키는 단계;
S13: 제1 기저 층의 제2 표면 상에 기능성 층 용액을 코팅하여, 제1 기능성 층을 형성시키고, 제2 표면 상에 제1 기능성 층의 제3 표면을 위치시키는 단계;
S15: 제1 기능성 층의 제4 표면 상에 제1 전사 층을 설치하는 배치 공정을 수행하는 단계; 및
S17: 제1 열 전사 필름을 형성시키는 단계.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 제2 열 전사 필름의 구조를 보여주는 개략도 및 제2 열 전사 필름의 제조 단계들을 보여주는 흐름도가 개시되어 있다. 단계 S1은 하기의 단계들을 추가로 포함한다.
S21: 제2 기저 층의 제1 표면 상에 내열성 층 용액을 코팅하여, 제2 내열성 층을 형성시키는 단계;
S23: 제2 기저 층의 제2 표면 상에 기능성 층 용액을 코팅하여, 제2 기능성 층을 형성시키고, 제2 표면 상에 제2 기능성 층의 제3 표면을 위치시키는 단계;
S25: 제2 기능성 층의 제4 표면 상에 제2 전사 층을 설치하는 배치 공정을 수행하는 단계; 및
S27: 제2 열 전사 필름을 형성시키는 단계.
제1 내열성 층 (20) 및 제2 내열성 층 (20') 둘 다는 아연 스테아레이트 (SPZ-100F), 아연 스테아릴 포스페이트 (LBT-1830) 및 셀룰로스 아세테이트 프로피오네이트 (CAP-504-0.2)로 구성된다. 제1 내열성 층 (20) 및 제2 내열성 층 (20')의 두께는 0.1 um 내지 3 um의 범위이다.
단계 S11 및 단계 S21의 내열성 층 용액은 하기와 같이 제조된다. 60.2 g의 부타논 (MEK), 25.8 g의 톨루엔, 1.6 g의 아연 스테아레이트 (SPZ-100F), 1 g의 아연 스테아릴 포스페이트 (LBT-1830), 0.5 g의 나노 개질 점토 (C34-M30), 0.2 g의 페인트 첨가제 (KP-341), 0.2 g의 음이온성 계면활성제 (KC-918), 10 g의 셀룰로스 아세테이트 프로피오네이트 (CAP-504-0.2) 및 0.25 g의 분산제 (BYK103)를 취하여 제1 용액을 형성시킨다. 다음에, 모든 용질을 완전히 용해시키기 위하여, 상기 제1 용액을 2시간 동안 교반한다.
다음에, 3 g의 지방 알콜 폴리옥시에틸렌 에테르 (AEO) (L75) 및 3 g의 부타논 (MEK)을 취하여 제2 용액을 형성시킨다. 마지막으로, 상기 제1 용액과 상기 제2 용액을 혼합하여 내열성 층 용액을 수득한다.
다음에, 135, 150 및 250을 포함한 상이한 메시 계수(mesh count)를 갖는 로토그라비아(rotogravure) 인쇄 기계 (싱 웨이 머신 인더스트리 캄파니, 리미티드(Hsing Wei Machine Industry Co., Ltd.))를 사용하여 제1 기저 층 (10)의 제1 표면 (11) 및 제2 기저 층 (10')의 제1 표면 (11') 상에 각각 내열성 층 용액을 인쇄한다. 다음에, 오븐에서 50 ~ 120℃로 1 ~ 10분 동안 기저 층 (10) 및 제2 기저 층 (10')을 가열한다.
제1 기저 층 (10) 및 제2 기저 층 (10')은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리이미드 (PI), 폴리(에틸렌 나프탈레이트) (PEN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다. 제1 기저 층 (10) 및 제2 기저 층 (10') 둘 다의 두께는 2 um 내지 100 um의 범위이다.
제1 기능성 층 (30) 및 제2 기능성 층 (30')은 은, 알루미늄, 마그네슘 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 기능성 층 (30) 및 제2 기능성 층 (30')은 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 (TMPTA), 폴리비닐 부티랄 (PVB), 펜타에리트리톨 테트라니트레이트 (PETN), 트리니트로톨루엔 (TNT), 아크릴 수지, 에폭시 수지, 셀룰로스 수지, PVB 수지, 폴리비닐 클로라이드 (PVC) 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
단계 S13 및 단계 S23의 기능성 층 용액은 하기와 같이 제조된다. 14.85 g의 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 (TMPTA), 0.93 g의 폴리비닐 부티랄, 2.78 g의 수계 수지 (존크릴(Joncry) 671)을 10 g의 1-메톡시-2-프로판올 및 10 g의 부타논 (MEK)에 용해시켜 제3 용액을 형성시킨다. 1.25 g의 UV 경화제 (이르가큐어(Irgacure) 369)를 5 g의 부타논 (MEK)에 용해시켜 제4 용액을 형성시킨다. 0.19 g의 광개시제 (이르가큐어 184)를 2.5 g의 부타논 (MEK)에 용해시켜 제5 용액을 형성시킨다.
다음에, 5 g의 제3 용액, 0.81 g의 제4 용액 및 0.352 g의 제5 용액을 혼합하여 배합된 용액을 형성시킨다. 마지막으로, 용매로서 부타논 (MEK)을 사용하여 요구되는 용해 고체 함량으로 배합된 용액을 희석한다.
다음에, 135 또는 250과 같은 상이한 메시 계수를 갖는 전기 그라비아 코팅 기계 (RK 프린트코트 인스트루먼츠(RK printcoat instruments)의 K 프린팅 프루퍼(Printing Proofer))를 사용하여 제1 기저 층 (10)의 제2 표면 (12) 및 제2 기저 층 (10')의 제2 표면 (12) 상에 기능성 층 용액을 인쇄한다. 다음에, 오븐에서 30 ~ 140℃로 1 ~ 30분 동안 제1 기저 층 (10) 및 제2 기저 층 (10')을 가열하고, 나중에 UV 방사선에 의해 경화시킴으로써, 제1 기능성 층 (30) 및 제2 기능성 층 (30')을 형성시킨다. 제1 기능성 층 (30)의 제3 표면 (31)은 제2 표면 (12) 상에 위치되는 반면, 제2 기능성 층 (30')의 제3 표면 (31')은 제2 표면 (12') 상에 위치된다. 제1 기능성 층 (30) 및 제2 기능성 층 (30')의 두께는 0.3 um 내지 10 um의 범위이다.
제1 전사 층 (40) 및 제2 전사 층 (40')은 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, RGB 발광 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 금속 나노재료, 탄소 나노튜브 전도성 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
제1 전사 층 (40) 및 제2 전사 층 (40')의 두께는 20 nm 내지 200 nm의 범위이다. 제1 전사 층 (40) 및 제2 전사 층 (40')은 애노드, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 캐소드로 이루어진 군의 인접 조합으로부터 선택된다.
상기 애노드 및 캐소드는 일반적으로 금속, 합금, 금속 화합물, 금속 산화물, 전기활성 재료, 전도성 분산물 및 전도성 중합체와 같은 전도성 재료로 제조된다. 예를 들면, 상기 재료에는 금, 백금, 팔라듐, 알루미늄, 칼슘, 티타늄, 질화티타늄 (TiN), 산화인듐주석 (ITO), 플루오린-도핑 산화주석 (FTO), 폴리아닐린 등이 포함된다.
정공 주입 층은 아릴아민, 이오노머들의 중합체 혼합물 (예컨대 PEDOT:PSS), P-도펀트 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
정공 수송 층은 아릴아민, 페닐 아릴아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
발광 층은 유기 형광 재료, 유기 인광 재료, 열-활성화 지연 형광 (TADF) 재료, 중금속 착물 (예컨대 이리듐, 백금, 은, 오스뮴, 납 등), 유기 폴리시클릭 방향족, 폴리시클릭 방향족 탄화수소 (PAH), 청색 방출 재료, 녹색 방출 재료, 적색 방출 재료, 전계발광 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
전자 수송 층은 헤테로시클릭 화합물, 옥사디아졸 유도체, 금속 킬레이트, 아졸계 유도체, 퀴놀론 유도체, 퀴녹살린 유도체, 안트라졸린 유도체, 페난트롤린 유도체, 실롤 유도체, 플루오로벤젠 유도체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
전자 주입 층은 N-도펀트, 금속 착물 및 금속 화합물 (예컨대 알칼리 금속 화합물, 알칼리토 금속 화합물 등), 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
단계 S15 및 단계 S25에서, 제1 전사 층 (40) 및 제2 전사 층 (40')배열하기 위한 배치 공정은 진공 증발, 회전 코팅, 슬롯 다이 코팅, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 스크린 인쇄, 화학적 증착 (CVD), 물리적 증착 (PVD) 및 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 제1 전사 층 (40) 및 제2 전사 층 (40')은 각각 제1 기능성 층 (30)의 제4 표면 (32) 및 제2 기능성 층 (30')의 제4 표면 (32')에 배열된다.
단계 S3 및 도 2b를 참조하면, 기판 (50)을 취하여, 제1 열 전사 필름 (1) 아래에 기판 (50)을 설치한다.
기판은 유리, 폴리이미드 (PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조된다.
단계 S5 및 도 2c에 나타낸 바와 같이, 제1 열 전사 필름 (1)을 가열하여, 기판 (50) 상으로 제1 전사 층 (40)을 전사하고, 제1 내열성 층 (20), 제1 기저 층 (10) 및 제1 기능성 층 (30)을 제거한다. 단계 S5에서는, 열 인쇄 헤드 (TPH)를 사용하여 80-300℃까지 제1 열 전사 필름 (1)을 가열한다. 열 전사 인쇄 후에는, 제1 내열성 층 (20), 제1 기저 층 (10) 및 제1 기능성 층 (30)을 제거한다.
단계 S7 및 도 2d를 참조하면, 제2 열 전사 필름 (1')의 아래에 오도록 기판 (50)을 이동시킨다.
다음에, 단계 S9 및 도 2e에 나타낸 바와 같이, 제2 열 전사 필름 (1')을 가열하여, 기판 (50) 위의 제1 전사 층 (40) 상으로 제2 전사 층 (40')을 전사하고, 제2 내열성 층 (20'), 제2 기저 층 (10') 및 제2 기능성 층 (30')을 제거한다. 단계 S9에서는, 열 인쇄 헤드 (TPH)를 사용하여 80-300℃까지 제2 열 전사 필름 (1')을 가열한다. 열 전사 인쇄 후에는, 제2 내열성 층 (20'), 제2 기저 층 (10') 및 제2 기능성 층 (30')을 제거한다.
마지막으로, 애노드, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 캐소드가 기판 (50) 상에 순서대로 적층될 때까지, 계속 열 전사 인쇄를 수행한다. 이에 따라, 유기 발광 다이오드 (OLED)가 형성된다.
도 5를 참조하면, 또 다른 실시양태가 나타나 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, 제1 열 전사 필름 (1)과 제2 열 전사 필름 (1')은 연결되며, 컨베이어 벨트상에서 열 인쇄 헤드 (TPH)에 의해 가열됨으로써, 기판 (50) 상으로 제1 전사 층 (40) 및 제2 전사 층 (40')을 전사한다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 녹색 방출 재료를 사용하는 실시양태의 구조를 보여주는 개략도가 나타나 있다. 제1 열 전사 필름 (1) (공여(donor) 필름 (1))의 제1 전사 층 (40)에서는, 4,4',4"-트리스(카르바졸-9-일)-트리페닐아민 (TCTA)을 정공 수송 층 (약 400 Å의 두께를 가짐)으로 사용하여, 제1 기능성 층 (30) 상에 배치한다. 다음에, 제1 기능성 층 (30)을 가열함으로써, 유리 기판 (50) (Sub) 상으로 전사한다. 기판 (50)에는 이미 진공 증발에 의해 산화인듐주석 (ITO)이 미리 제공되어 있는데, ITO는 애노드로 사용된다. 다음에, 회전 코팅에 의해 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술포네이트))를 코팅하여, 전자 주입 층으로 사용한다. TPH를 사용하여 가열함으로써 전사하는데, 결과는 도 6a에 나타내었다. TCTA의 두께 (THK)는 446.4 Å이며, 반복 실험 후, 전사율은 99%를 초과한다. 다음에, 연속하여 전사를 수행한다. 제2 열 전사 필름 (1') (공여 필름 (1'))의 제2 전사 층 (40')은 2-층 전사 층이다. 1,3,5-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)벤젠 (TPBI)을 전자 전달 층으로 사용하고, CBP:Ir(ppy)3(4,4'-비스(카르바졸-9-일)비페닐:트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III)) (두께 약 500 Å)을 발광 층으로 사용하는데, 이들 둘 다 제2 기능성 층 (30')에 배열된다. 다음에, TPH를 사용하여 가열함으로써, 전자 전달 층 및 발광 층을 제1 전사 층 (40) (TCTA) 상으로 전사한다. 전사 후에는, 전자 주입 층으로 사용되는 리튬 플루오라이드 (LiF) 및 캐소드로 사용되는 알루미늄 (Al)을 증착에 의해 TPBI 상에 배치함으로써, 유기 발광 다이오드를 형성시킨다. 도 6b에 나타낸 바와 같이, TCTA/CBP:Ir(ppy)3/TPBI의 THK는 1383 Å이며, 반복 실험 후, 전사율은 99%를 초과한다. 정공 전사 층, 발광 층 및 전자 전달 층이 열적 가열 인쇄에 의해 배열되는 것 이외에도, OLED의 각 층 (예컨대 애노드, 정공 주입 층, 전자 주입 층 및 캐소드 등)이 열 전사 인쇄에 의해 기판 (50) 상으로 전사될 수 있다.
도 6c를 참조하면, 산화인듐주석 (ITO) (61), PEDOT:PSS (62), 4,4',4"-트리스(카르바졸-9-일)-트리페닐아민 (TCTA) (63), CBP:Ir(ppy)3 (64), 1,3,5-트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸-2-일)벤젠 (65), 리튬 플루오라이드 (LiF) (66) 및 알루미늄 (67)이 순서대로 기판 (50) 상에 적층되어 있다.
관련 기술분야 숙련자라면, 용이하게 추가적인 장점 및 변형들을 떠올리게 될 것이다. 따라서, 해당하는 광의의 측면에 있어서의 본 발명은 본원에서 나타내고 기술된 구체적인 세부사항 및 대표적인 장치들로 제한되지 않는다. 이에 따라, 첨부된 청구범위 및 그의 등가물에 의해 한정되는 바와 같은 본 발명의 일반적인 개념의 기술사상 또는 영역에서 벗어나지 않고도, 다양한 변형들이 이루어질 수 있다.
Claims (19)
- 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 취하는 단계이며, 여기서 상기 제1 열 전사 필름은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제1 내열성 층, 제1 기저 층, 제1 기능성 층 및 제1 전사 층을 포함하고, 상기 제2 열 전사 필름은 상단으로부터 하단으로의 순서로 제2 내열성 층, 제2 기저 층, 제2 기능성 층 및 제2 전사 층을 포함하는 것인 단계;
기판을 취하고, 제1 열 전사 필름 아래에 기판을 설치하는 단계;
제1 열 전사 필름을 가열하여, 기판 상으로 제1 전사 층을 전사하는 단계;
제2 열 전사 필름의 아래에 오도록 기판을 이동시키는 단계; 및
제2 열 전사 필름을 가열하여, 기판 위의 제1 전사 층 상으로 제2 전사 층을 전사하는 단계
를 포함하는, 열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드 (OLED)를 연속적으로 제조하는 방법. - 제1항에 있어서, 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 취하는 단계가,
제1 기저 층의 제1 표면 상에 내열성 층 용액을 코팅하여, 제1 내열성 층을 형성시키는 단계;
제1 기저 층의 제2 표면 상에 기능성 층 용액을 코팅하여, 제1 기능성 층을 형성시키고, 제2 표면 상에 제1 기능성 층의 제3 표면을 위치시키는 단계;
제1 기능성 층의 제4 표면 상에 제1 전사 층을 설치하는 배치 공정을 수행하는 단계; 및
제1 열 전사 필름을 형성시키는 단계
를 추가로 포함하는 것인 방법. - 제1항에 있어서, 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 취하는 단계가,
제2 기저 층의 제1 표면 상에 내열성 층 용액을 코팅하여, 제2 내열성 층을 형성시키는 단계;
제2 기저 층의 제2 표면 상에 기능성 층 용액을 코팅하여, 제2 기능성 층을 형성시키고, 제2 표면 상에 제2 기능성 층의 제3 표면을 위치시키는 단계; 및
제2 기능성 층의 제4 표면 상에 제2 전사 층을 설치하는 배치 공정을 수행하는 단계; 및
제2 열 전사 필름을 형성시키는 단계
를 추가로 포함하는 것인 방법. - 제1항에 있어서, 제1 열 전사 필름과 제2 열 전사 필름이 연결되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 내열성 층 및 제2 내열성 층 둘 다가, 아연 스테아레이트, 아연 스테아릴 포스페이트 및 셀룰로스 아세테이트 프로피오네이트로 구성되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 내열성 층 및 제2 내열성 층의 두께가 0.1 um 내지 3 um의 범위인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 기저 층 및 제2 기저 층이 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리이미드 (PI), 폴리(에틸렌 나프탈레이트) (PEN) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 기저 층 및 제2 기저 층 둘 다의 두께가 2 um 내지 100 um의 범위인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 기능성 층 및 제2 기능성 층이 은, 알루미늄, 마그네슘 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 기능성 층 및 제2 기능성 층이 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 (TMPTA), 폴리비닐 부티랄 (PVB), 펜타에리트리톨 테트라니트레이트 (PETN), 트리니트로톨루엔 (TNT), 아크릴 수지, 에폭시 수지, 셀룰로스 수지, PVB 수지, 폴리비닐 클로라이드 (PVC) 수지 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 기능성 층 및 제2 기능성 층의 두께가 0.3 um 내지 10 um의 범위인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 전사 층 및 제2 전사 층이 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, RGB 발광 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 금속 나노재료, 탄소 나노튜브 전도성 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 전사 층 및 제2 전사 층이 아릴아민, 이오노머들의 중합체 혼합물, P-도펀트, 페닐 아릴아민, 유기 형광 재료, 유기 인광 재료, 열-활성화 지연 형광 (TADF) 재료, 중금속 착물, 유기 폴리시클릭 방향족, 폴리시클릭 방향족 탄화수소 (PAH), 청색 방출 재료, 녹색 방출 재료, 적색 방출 재료, 헤테로시클릭 화합물, 옥사디아졸 유도체, 금속 킬레이트, 아졸계 유도체, 퀴놀론 유도체, 퀴녹살린 유도체, 안트라졸린 유도체, 페난트롤린 유도체, 실롤 유도체, 플루오로벤젠 유도체, N-도펀트, 금속, 합금, 금속 착물, 금속 화합물, 금속 산화물, 전계발광 재료, 전기활성 재료 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 전사 층 및 제2 전사 층의 두께가 20 nm 내지 200 nm의 범위인 방법.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 배치 공정이 진공 증발, 회전 코팅, 슬롯 다이 코팅, 잉크젯 인쇄, 그라비아 인쇄, 스크린 인쇄, 화학적 증착 (CVD), 물리적 증착 (PVD) 및 스퍼터링으로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 전사 층 및 제2 전사 층이 애노드, 정공 주입 층, 정공 수송 층, 발광 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 캐소드로 이루어진 군의 인접 조합으로부터 선택된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 기판이 유리, 폴리이미드 (PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 재료로 제조되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 열 전사 필름을 가열하여, 기판 상으로 제1 전사 층을 전사하는 단계 및 제2 열 전사 필름을 가열하여, 기판 위의 제1 전사 층 상으로 제2 전사 층을 전사하는 단계에서, 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름을 가열하기 위해 열 인쇄 헤드 (TPH)가 사용되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 제1 열 전사 필름을 가열하여, 기판 상으로 제1 전사 층을 전사하는 단계 및 제2 열 전사 필름을 가열하여, 기판 위의 제1 전사 층 상으로 제2 전사 층을 전사하는 단계에서, 제1 열 전사 필름 및 제2 열 전사 필름이 80-300℃까지 가열되는 것인 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW107111528 | 2018-03-31 | ||
| TW107111528A TW201943114A (zh) | 2018-03-31 | 2018-03-31 | 使用熱轉印膜連續製備有機發光二極體之方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200068001A true KR20200068001A (ko) | 2020-06-15 |
Family
ID=67770098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180079750A KR20200068001A (ko) | 2018-03-31 | 2018-07-10 | 열 전사 필름을 사용하여 유기 발광 다이오드를 연속적으로 제조하는 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10403820B1 (ko) |
| JP (1) | JP2019186185A (ko) |
| KR (1) | KR20200068001A (ko) |
| CN (1) | CN110323361A (ko) |
| TW (1) | TW201943114A (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113328037A (zh) * | 2021-05-18 | 2021-08-31 | 武汉大学 | 一种转移印刷光电薄膜的方法及转移印刷光电薄膜制备光电器件的方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4288732B2 (ja) * | 1998-11-16 | 2009-07-01 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子を製造するための転写体の製造方法 |
| JP4253883B2 (ja) * | 1998-11-24 | 2009-04-15 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| US6114088A (en) * | 1999-01-15 | 2000-09-05 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer element for forming multilayer devices |
| DE60003281T2 (de) * | 1999-01-15 | 2004-05-06 | 3M Innovative Properties Co., Saint Paul | Thermisches Übertragungsverfahren. |
| US6214151B1 (en) * | 1999-11-05 | 2001-04-10 | International Business Machines Corporation | Thermal dye transfer process for preparing opto-electronic devices |
| US6855384B1 (en) * | 2000-09-15 | 2005-02-15 | 3M Innovative Properties Company | Selective thermal transfer of light emitting polymer blends |
| JP2003077651A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| US20040206307A1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Eastman Kodak Company | Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays |
| JP2005078942A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 転写材料及びそれを用いた有機電界発光素子の製造方法 |
| US20050123850A1 (en) * | 2003-12-09 | 2005-06-09 | 3M Innovative Properties Company | Thermal transfer of light-emitting dendrimers |
| US20050145326A1 (en) * | 2004-01-05 | 2005-07-07 | Eastman Kodak Company | Method of making an OLED device |
| KR20060089839A (ko) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 패터닝된 유기전계발광소자의 제조 방법 |
| US7371605B2 (en) * | 2005-03-25 | 2008-05-13 | Lucent Technologies Inc. | Active organic semiconductor devices and methods for making the same |
| KR20060109373A (ko) * | 2005-04-15 | 2006-10-20 | 삼성전기주식회사 | 유기전자소자 제조방법 |
| US7582403B2 (en) * | 2006-07-17 | 2009-09-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metal compositions, thermal imaging donors and patterned multilayer compositions derived therefrom |
| US8466484B2 (en) * | 2011-06-21 | 2013-06-18 | Kateeva, Inc. | Materials and methods for organic light-emitting device microcavity |
| CN104022229A (zh) * | 2014-05-30 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件及其制备方法、显示装置 |
| CN107206823B (zh) * | 2015-01-28 | 2020-06-23 | 凸版印刷株式会社 | 热敏转印记录介质 |
| JP6102998B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2017-03-29 | 大日本印刷株式会社 | 熱転写シート |
| TW201715769A (zh) * | 2015-10-27 | 2017-05-01 | 謙華科技股份有限公司 | 製作有機發光二極體的方法 |
-
2018
- 2018-03-31 TW TW107111528A patent/TW201943114A/zh unknown
- 2018-05-02 CN CN201810411566.1A patent/CN110323361A/zh active Pending
- 2018-05-29 US US15/991,246 patent/US10403820B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-07-10 KR KR1020180079750A patent/KR20200068001A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-07-11 JP JP2018131308A patent/JP2019186185A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10403820B1 (en) | 2019-09-03 |
| JP2019186185A (ja) | 2019-10-24 |
| TW201943114A (zh) | 2019-11-01 |
| CN110323361A (zh) | 2019-10-11 |
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| E601 | Decision to refuse application |