JP4253883B2 - 発光素子の製造方法 - Google Patents

発光素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4253883B2
JP4253883B2 JP33276398A JP33276398A JP4253883B2 JP 4253883 B2 JP4253883 B2 JP 4253883B2 JP 33276398 A JP33276398 A JP 33276398A JP 33276398 A JP33276398 A JP 33276398A JP 4253883 B2 JP4253883 B2 JP 4253883B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
layer
cathode electrode
manufacturing
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP33276398A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000164353A (ja
Inventor
裕康 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Casio Computer Co Ltd filed Critical Casio Computer Co Ltd
Priority to JP33276398A priority Critical patent/JP4253883B2/ja
Publication of JP2000164353A publication Critical patent/JP2000164353A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4253883B2 publication Critical patent/JP4253883B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と表示)の製造に好適な、発光素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
所定の光を発光する発光素子の中には、電圧を印加することにより内部に電子と正孔が再結合して発光する有機エレクトロルミネッセンス層(以下、有機EL層と記載)と、有機EL層を挟むアノード電極並びにカソード電極と、を有する有機EL素子がある。
有機EL層は、例えば正孔輸送層、電子輸送層等の複数の有機材料からなる薄膜で構成され、無機EL層より薄く成膜することができるので、発光素子自体を薄くかつ軽量にすることができる。
【0003】
これらの各構成要素を形成する一般的な方法は、メタルマスクを併用した真空蒸着法である。すなわち、アノード電極をパターン形成した基板に、正孔輸送層と、電子輸送層とを同じパターンに形成し、さらに、カソード電極を別のパターンに形成する。
また、特開平9−167684号に開示された方法によれば、予めインクシート上に正孔輸送層の材料,有機EL層の材料,電子輸送層の材料をそれぞれ別個に形成し、これら各材料を、予めアノード電極をパターン形成した基板に、順次昇華転写した後に、カソード電極をメタルマスクを用いた真空蒸着法により形成することにより、有機EL素子の発光部を形成する。
さらに、特開平9−7763号に開示された方法によれば、アノード電極と正孔輸送層を一方の基板上に形成し、有機EL層と電子輸送層を他方の基板上に形成し、前記一方の基板と前記他方の基板とを貼り合わせることにより、有機EL素子の発光部を形成する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した方法を用いて前記複数の薄膜を所定のパターンに形成するには、真空中においてメタルマスクを用いる必要があった。
すなわち、通常の真空蒸着法においては、正孔輸送層、電子輸送層、カソード電極を形成する際に、基板にメタルマスクを用いる必要があった。
また、特開平9−167684や特開平9−7763においても、アノード電極およびカソード電極の双方を形成する際にはメタルマスクを用いる必要があった。
このため、従来の方法においては、一つの層を所定のパターンに形成する度に、メタルマスクの位置合わせや基板の移動を高精度に行う必要があり、スループットが低かった。
【0005】
さらに、これらの各層の積層工程では、積層する度に、通常減圧された炉内に蒸着装置が配置された蒸着炉から減圧炉を介し次の蒸着炉に基板を移送して行われる。したがって、各層の成膜毎に一旦減圧炉に基板を移送しなければならず、スループットを上げられなかった。
従って、生産装置一つあたりの単位時間あたりの生産量、すなわち製造コストを下げることが困難であった。
【0006】
本発明は、上記問題点を解決するためのものであり、メタルマスクを使う回数を従来より減らした又はメタルマスクを使用しない発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、積層工程中に蒸着炉−減圧炉間の移送回数を従来より減らした発光素子の製造方法を提供することも目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項1記載の発明は、
基板上に積層されたアノード電極と、前記アノード電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成されたカソード電極と、を含む複数の層から構成される発光部を有する発光素子の製造方法において、
前記アノード電極の周縁部上を覆うように形成された層間絶縁膜上に、表面エネルギーを低くする官能基を有する離容易な物質からなる離型層を積層し、
前記アノード電極上に発光層及びカソード電極を順次形成するとともに、前記離型層上に発光層及びカソード電極を順次形成し、
接着層を有した支持体を前記離型層上の前記カソード電極上に貼着し、前記支持体によって前記離型層とともに前記離型層の上に積層した前記発光層及び前記カソード電極を剥離させること、を特徴とする。
【0008】
ここで、前記離型層は、前記複数の層を構成する物質との界面における接合力が弱い物質や、あるいは軟らかくて容易に分断する物質である。
また、前期離型層は、支持体との密着性がある点で、−OH,−COOH,−CNなどから選択された官能基を有する分子鎖を持つポリマーが望ましく、更に表面エネルギーを低くする長鎖アルキル基,フッ素基,珪素基などから選択された官能基を有することが望ましい。
具体的には、(メタ)アクリル酸,アクリロニトリル,ヒドロキシエチルアクリレートとステアリン酸ビニル,ステアリルビニルエーテル,(メタ)アクリル酸ステアリルなどの共重合体、離型用シリコーン樹脂(東レシリコーン製:SH200など)を汎用ポリマー(アクリル樹脂,エポキシ樹脂,ウレタン樹脂,キシレン樹脂,etc)にブレンドする材料等が望ましい。
また、前記支持体としては、例えばPETフィルムを用いる。
また、前記支持体としては、例えば一面に熱軟化性樹脂を塗布したPETフィルムを用いる。また、熱を加える手段としては、例えば抵抗加熱手段を有するサーマルヘッドを用いてもよい。
さらに、前記複数の層の一部は、微細なパターンである場合はメタルマスクを用いた真空プロセスやフォトリソグラフィプロセスにより積層することもでき、、例えばバックライトのようなラフパターンの場合は印刷により積層することもできる。
また、前記複数の層の一部および前記複数の層の他部としては、ともに、単層であっても複層であってもよい。
【0009】
この請求項1記載の発明によれば、前記基板上に形成された前記複数の層の一部の上のうち、所定部分に、前記離型層を積層する。続いて、前記複数の層の他部を前記離型層及び前記複数の層の一部の上に積層する。続いて、前記基板の複数の層の上に前記支持体を貼り合わせて剥がすことにより、前記複数の層の他部の前記離型層の上に積層した部分を剥離させ、前記複数の層の他部のパターン形成を行うことにより、前記発光部を作製できる。
すなわち、発光部の作製において、メタルマスク等の位置合わせを高精度に行う回数は従来と比べて減少するため、生産装置一つあたりの単位時間あたりの生産量、すなわちスループットは従来と比べて大幅に向上して、発光素子の製造コストを下げることができる。
さらに、例えば液晶表示装置のバックライトなど、微細構造を有さない発光素子の発光部を作製する場合は、前記複数の層の一部は印刷によってそれぞれのパターンに積層できるため、複数の層の他部を形成するためのメタルマスクを全く用いずに発光部を作製できる。
【0010】
また、請求項2記載の発明は、請求項1記載の発光素子の製造方法において、
前記層間絶縁膜は前記アノード電極の側面も覆っており、前記カソード電極と前記アノード電極との短絡を防ぐこと、を特徴とする。
【0011】
この請求項2記載の発明によれば、カソード電極と前記アノード電極との配線構造をより簡単に製造することができる。
【0012】
また、請求項3記載の発明は、請求項2記載の発光素子の製造方法において、
前記アノード電極の外部端子接続部に対応する部分には前記層間絶縁膜を形成せず、かつ、前記離型層を形成し、前記カソード電極の外部端子接続部に対応する部分には前記離型層を形成しないこと、を特徴とする。
【0013】
この請求項3記載の発明によれば、前記アノード電極の外部端子接続部の上に直接積層された前記複数の層の他部は除去され、かつ、前記カソード電極の外部端子接続部は除去されないので、前記アノード電極の外部端子接続部と前記カソード電極の外部端子接続部の双方は、特別な作業を行うことなしに形成される。
【0014】
また、請求項4記載の発明は、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の発光素子の製造方法において、
前記接着層は加熱により接着性を発揮する部材からなり、前記複数の層に貼り合わせ、さらに加熱して前記複数の層の上に貼着した後に、前記複数の層から剥がされること、を特徴とする。
【0015】
ここで、前記支持体は、例えば一面に熱軟化性樹脂か加熱しても接着性が失われない部材を塗布することにより、加熱により接着性を発揮するか、又は、加熱しても粘着性を失わない。また、前記支持体の全面を加熱してもよいし、前記複数の層の他部の不要部に対応する部分のみを選択的に加熱してもよい。また加熱は複数の層の他部を柔らかくし、より分割しやすい作用がある。
【0016】
この請求項4記載の発明によれば、前記支持体は前記複数の層に接着するので、前記複数の層の不要箇所の除去、すなわちパターン形成はより確実に行われる。
【0017】
また、請求項5記載の発明は、請求項4に記載の発光素子の製造方法において、
前記支持体は加熱手段により加熱され、
前記支持体の加熱側には、前記支持体と前記加熱手段との接着を防止するための耐熱層を設けることを特徴とする。
【0018】
ここで、前記耐熱層としては、アクリル系、ウレタン系、アクリルウレタン系、エポキシ系、シリコーン系等のポリマー、具体的には、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスルトールヘキサ(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、N,N−ジメチルアクリルアミド、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等から選択される反応性化合物に、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、(1−6−η−クメン)(η−シクロペンタジエニル)鉄(1+)六フッ化リン酸(1−)、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、ミヒラーズケトン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノ−1−プロパノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド等から選択された光重合開始剤が添加されて重合されたポリマーものが望ましい。
【0019】
この請求項5記載の発明によれば、前記支持体の加熱側に耐熱潤滑層を設けたので、熱が前記支持体に与える影響は緩和され、従って、前記所定部分への加熱は前記支持体に与える影響を考慮することなく行える。
【0020】
また、請求項6記載の発明は、請求項1〜請求項5のいずれかに記載の発光素子の製造方法において、
前記基板の一面を、一つの真空空間内に別個に配置された複数の材料蒸発源にさらすことにより、前記発光層及びカソード電極を形成すること、を特徴とする。
【0021】
ここで、前記一つの真空空間とは、一つの真空チャンバー内において、一度も大気圧に戻さないことを意味する。また、前記材料蒸発源としては、例えば真空蒸発源を用いる。
【0022】
この請求項6記載の発明によれば、前記複数の層の他部は、一つの真空空間、すなわち一つの真空チャンバー内において、一度も常圧に戻さずに、連続的に形成できるので、前記一部の層の製造コストは下がる。従って、前記発光素子の製造コストを下げられる。
【0023】
また、請求項7記載の発明は、請求項1〜請求項6のいずれかに記載の発光素子の製造方法において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする。
【0024】
この請求項7記載の発明によれば、有機EL素子の製造方法において、一つの装置あたりのスループットは向上するので、有機EL素子の製造コストは下がる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、図を参照して、本発明の実施の形態例である有機EL発光部1の製造方法について、図1〜図4を用いて詳細に説明する。
ここで、有機EL発光部1は、例えばバックライトなどに用いられるラフパターンとする。
図1は、有機EL発光部1の製造方法の各工程で薄膜が成膜された平面図である。
図2は、予めアノード電極10a(複数の層の一部)及び層間絶縁層10b(複数の層の一部)をそれぞれのパターンに積層した基板10上に、正孔輸送層11(複数の層の他部),発光層12(複数の層の他部),電子輸送層13(複数の層の他部),カソード電極14(複数の層の他部)を連続して形成する薄膜連続形成装置2の構成および動作を説明する概略図である。
図3は、基板10の表部に形成された、正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14を、必要部分を残して、支持体15の上に除去する方法を説明する概略図である。
図4は、有機EL発光部1の積層構造を説明する概略図である。
【0026】
まず、薄膜連続形成装置2の構成について、図2を用いて説明する。
図2(A)に示すように、連続薄膜形成装置2は、真空チャンバー100の中に、正孔輸送層蒸着装置111と、発光層蒸着装置121と、電子輸送層蒸着装置131と、カソード電極蒸着装置141と、ロール状に巻かれた基板10を正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,カソード電極蒸着装置141上に支持するとともに所定方向に移動させるリール16,16と、を設けた構成とする。
なお、正孔輸送層蒸着装置111と発光層蒸着装置121の間と、発光層蒸着装置121と電子輸送層蒸着装置131の間と、電子輸送層蒸着装置131とカソード電極蒸着装置141との間には、それぞれの蒸着源の侵入を防ぐための隔壁17,17,17が、それぞれ設けられる。さらに、真空チャンバー100は、配管(図示省略)を介して真空排気系(図示省略)に接続される。
【0027】
正孔輸送層蒸着装置111は、正孔輸送層11を構成する正孔輸送層材料を適量入れることができるように上方に開口部を有する坩堝と、正孔輸送層材料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱することができる加熱手段と、により構成される。
正孔輸送層蒸着装置111の坩堝内にはN,N'-ジ(α-ナフチル)-N,N'-ジフェニル-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン(以下、α−NPD)が入れられている。
【0028】
発光層蒸着装置121は、発光層12を構成する発光層材料を適量入れることができるように上方に開口部を有する坩堝と、発光層材料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱することができる加熱手段と、により構成される。
発光層蒸着装置121の坩堝内には4,4'-ビス(2,2-ジフェニルビニレン)ビフェニル(以下、DPVBi)96wt%と4,4'-ビス(2-カルバゾールビニレン)ビフェニル(以下、BCzVBi)4wt%の混合物が入れられている。
【0029】
電子輸送層蒸着装置131は、電子輸送層13を構成する電子輸送層材料を適量入れることができ、上方に開口部を有する坩堝と、電子輸送層材料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱することができる加熱手段と、により構成される。
電子輸送層蒸着装置131の坩堝内にはトリス(8-キノリノレート)アルミニウム錯体(以下、Alq3)が入れられている。
【0030】
カソード電極蒸着装置141は、カソード電極14を構成するカソード電極材料を適量入れることができ、上方に開口部を有する坩堝と、カソード電極材料を蒸発させるために坩堝を所定の温度に加熱することができる加熱手段と、により構成される。
カソード電極蒸着装置141の坩堝内にはカソード電極材料としてAl−Li合金が入れられている。カソード電極材料としては、例えばAl−Li合金の他にMg、MgAg、MgIn、Alが適用可能な場合もある。
【0031】
リール16は、真空チャンバー100外部に設けられたモータなどの駆動源(図示省略)から伝達される動力により、ロール状に巻かれた基板10を正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,カソード電極蒸着装置141にさらした後に再びロール状に巻き取る。
【0032】
次に、有機EL発光部1の製造方法について、図1に沿って説明する。
なお、基板10としては、PET(Polyethylene Terephthalate)フィルムが、また、支持体15としては、表面に接着層15aを有していて裏面には、例えば、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスルトールヘキサ(メタ)アクリレート、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、N,N−ジメチルアクリルアミド、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート等から選択される反応性化合物に、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、(1−6−η−クメン)(η−シクロペンタジエニル)鉄(1+)六フッ化リン酸(1−)、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、ミヒラーズケトン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノ−1−プロパノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−ブタノン−1、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド等から選択された光重合開始剤が添加されて重合されたポリマーからなる耐熱滑性層15bを有するPETフィルムが、それぞれ好適に用いられる。
【0033】
まず、図1(A)に示すように、基板10上に、ITO(Indium Tin Oxide)やIn2O3(ZnO)x(x>0)等の可視光に対して十分な透過性を示す材料からなっていて所定のパターンを有するアノード電極10aと、アノード電極10aの周縁部上を覆うとともにその一部は基板10と接する層間絶縁層10bとを、複数の有機EL発光部1,1・・・に対応するように設ける。
【0034】
ここで、層間絶縁層10bは、酸化シリコンまたは窒化シリコン等からなり、アノード電極10aとカソード電極14とが短絡することを防ぐための層でもあるため、後に層間絶縁層10bの上に積層される正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14の層厚の和より厚く形成される。さらに、層間絶縁層10bは、アノード電極10aをリード線などの外部端子と接続するために開口されたアノード電極取り出し部10dには設けない。
なお、有機EL発光部1はラフパターンでもよいため、層間絶縁層10bは、メタルマスクを用いた真空プロセスではなく、印刷により積層される。アノード電極10aはメタルマスクを用いてもよく、またメタルマスクを用いずにフォトリソグラフィプロセスで形成してもよい。
【0035】
次に、図1(B)に示すように、層間絶縁層10bおよびアノード電極取り出し部10dの上に、カソード電極取り出し部10eを除いて、離型層23を、印刷により積層する。
【0036】
ここで、離型層23は、離型層23と他の層との界面の接合力が、後に積層する正孔輸送層11〜カソード電極14間の各界面の接合力より弱くなってこの界面で分離するように、あるいは離型層23そのものが容易に層間絶縁層10b上の残存離型層24と正孔輸送層11に貼り付いた剥離離型層25に分断するように、支持体との密着性がある点で−OH,−COOH,−CNなどから選択された官能基を有する分子鎖を持つポリマーが望ましく、更に表面エネルギーを低くする長鎖アルキル基,フッ素基,珪素基などから選択された官能基を有することが望ましい。具体的には、(メタ)アクリル酸,アクリロニトリル,ヒドロキシエチルアクリレートとステアリン酸ビニル,ステアリルビニルエーテル,(メタ)アクリル酸ステアリルなどの共重合体、離型用シリコーン樹脂(東レシリコーン製:SH200など)を汎用ポリマー(アクリル樹脂,エポキシ樹脂,ウレタン樹脂,キシレン樹脂,etc)にブレンドする材料を用いる。
【0037】
次に、薄膜連続形成装置2を用いて、基板10の、先端部と終端部を除いた表面全面に、正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14を連続的に積層させて、図1(C)に示す状態とする。
【0038】
すなわち、リール16、16を用いて、基板10を図2(A)の矢印に示す方向に動かす。このため、基板10は、正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,カソード電極蒸着装置141に、この順序の通りにさらされる。
【0039】
ここで、基板10は、正孔輸送層蒸着装置111にさらされる間、正孔輸送層蒸着装置111より蒸発した正孔輸送層材料を表面に捕捉する。従って、基板10の表部には正孔輸送層11が一定厚さほど堆積する。
【0040】
続いて、基板10は、発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,カソード電極蒸着装置141にさらされる間、発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,カソード電極蒸着装置141より蒸発した発光層材料,電子輸送層材料,カソード電極材料を表部にそれぞれ捕捉する。従って、基板10の表部に堆積した正孔輸送層11の上に、発光層12,電子輸送層13,カソード電極14が、この順序の通りに積層する。
【0041】
すなわち、支持体15のうち、下方に正孔輸送層蒸着装置111が配置される箇所には、正孔輸送層蒸着装置111より蒸発した正孔輸送層材料を表面にそれぞれ捕捉する。従って、支持体15の表部には正孔輸送層11が一定厚さほど堆積する。蒸着の間、支持体15はリール16、16により図1中の矢印方向に進行しても良いし、停止していてもよい。
【0042】
またこの間、支持体15のうち、正孔輸送層蒸着装置111により既に正孔輸送層11が蒸着された箇所は、発光層蒸着装置121上に位置し、発光層蒸着装置121上から蒸発した発光層材料を正孔輸送層11の表面にそれぞれ捕捉し、発光層12が所定の厚さに堆積する。
【0043】
またこの間、支持体15のうち、発光層蒸着装置121により既に発光層12が蒸着された箇所は、電子輸送層蒸着装置131上に位置し、電子輸送層蒸着装置131から蒸発した電子輸送層材料を発光層12の表面にそれぞれ捕捉し、電子輸送層13が所定の厚さに堆積する。
【0044】
さらにこの間、支持体15のうち、電子輸送層蒸着装置131により既に電子輸送層13が蒸着された箇所は、カソード電極蒸着装置141上に位置し、カソード電極蒸着装置141から蒸発したカソード電極材料層を電子輸送層13の表面にそれぞれ捕捉し、カソード電極14が所定の厚さに堆積する。
【0045】
正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,及びカソード電極蒸着装置141が、それぞれ正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14をそれぞれ所定の厚さに成膜し終えれば、リール16、16により支持体15は矢印方向に移動し、支持体15には、正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,及びカソード電極14が連続して成膜される。
【0046】
このように、1つの支持体15に連続して正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,及びカソード電極蒸着装置141で同時に蒸着することにより、従来のように各蒸着装置で、別々の期間に蒸着する製造方法に比べてスループットを向上することができる。
本実施形態では、支持体15が、正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,及びカソード電極蒸着装置141の上方をリール16、16により移動する速度は同じであるため、蒸着の間に支持体15を移動している場合は、蒸着する材料の蒸着速度に応じて正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,カソード電極蒸着装置141のそれぞれの蒸着面の矢印方向の距離を設定すればよい。例えばカソード電極蒸着装置141がカソード電極14を所定の膜厚にするための蒸着速度が、電子輸送層蒸着装置131が電子輸送層13を所定の膜厚にするための蒸着速度の半分であれば、カソード電極蒸着装置141の支持体15への蒸着面の矢印方向の距離を電子輸送層蒸着装置131の支持体15への蒸着面の矢印方向の距離の二倍にすれば、カソード電極14及び電子輸送層13をそれぞれ最適の厚さに成膜することができる。
なお、基板10の通過速度はすべての部分で一定であるため、正孔輸送層蒸着装置111,発光層蒸着装置121,電子輸送層蒸着装置131,カソード電極蒸着装置141の各加熱手段の出力を調節することにより、各坩堝の厚さを制御して正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14をそれぞれ所定の厚さに堆積してもよい。
【0047】
次に、図1(C)に示す、支持体15を用いて、基板10上の正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14の不要部分を基板10上から除去する。
【0048】
すなわち、図3に示すように、基板10と支持体15とを、基板10上のカソード電極14と支持体15表部に設けた接着層15aとが対向するように配置する。ここで、接着層15aは熱軟化性樹脂または、後述する加熱されたサーマルヘッド21の熱でも接着性が失われない樹脂により形成され、また、その接着力は、サーマルヘッド21とほぼ同温度で離型層23よりも強く、かつ、離型層23を除いた正孔輸送層11〜カソード電極14間のすべての部分よりも弱いものとする。
【0049】
次に、基板10と支持体15を、サーマルヘッド21とローラー22との間に挟む。ここで、支持体15の接着層15aは、サーマルヘッド21により加熱されて接着性を発揮するため、カソード電極14と支持体15とは接着する。
【0050】
その後、サーマルヘッド21とローラー22と重ならないところでは、基板10と支持体15の復元力により基板10と支持体15は再び互いに離れる。
【0051】
ここで、カソード電極14と支持体15とは接着しているため、離型層23を有する部分においては最も結合力の弱い離型層23を境に、また、他の部分、つまり接着層15aがカソード電極14と接触していない部分においては正孔輸送層11〜カソード電極14が剥離せずに基板10と支持体15は離れる。すなわち、基板10上の正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14の不要部分及び剥離離型層25は図1(D)に示すように、基板10上から除去され、支持体15に貼り付けられる。
また、サーマルヘッド21の熱は正孔輸送層11〜カソード電極14にも加わり、正孔輸送層11〜カソード電極14が柔らかくなり、正孔輸送層11〜カソード電極14を厚さ方向により分割しやすいような作用ももたらす。
ここで、アノード電極取り出し部10d上には離型層23が形成され、また、カソード電極取り出し部10e上には離型層23は形成されていないため、図1(D)に示すように、アノード電極取り出し部10dからはアノード電極10aが、カソード電極取り出し部10eからはカソード電極14が、それぞれ露出する。
なお、耐熱滑性層15bの存在により、基板10はサーマルヘッド21には付着しない。
【0052】
次に、図1(E)に示す点線で囲まれた領域を封止して、有機EL発光部1は完成する。
この結果、図4に示すように、有機EL発光部1は、同図(C)に示す基板10上に、同図(B)に示す、アノード電極10aと、層間絶縁層10bと、同図(A)に示す支持体15およびサーマルヘッド21により加熱されて不要部分を除去した正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14と、を積層した構造となる。
また、アノード電極取り出し部10dおよびカソード電極取り出し部10eは前記点線領域外に位置する。
そして、基板10上に縦横に複数列配置された有機EL発光部1は、基板10をスクライブして個々に分割して形成される。
【0053】
以上より、本発明の実施の形態例によれば、基板10のアノード電極10a上に、印刷によりと層間絶縁層10bをパターンに形成した後に、正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14を、この順序通りに、メタルマスクを用いない真空蒸着法により基板10の表面の先端・終端を除いた全面に積層する。続いて、基板10と支持体15とを、カソード電極14と接着層15aとが対向するように貼り合わせ、サーマルヘッド21を用いて熱を加えることにより正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14の不要部分を支持体15に付着して除去することにより、有機EL発光部1を作製する。
すなわち、有機EL発光部1の作製工程において、正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14のパターニングの際にメタルマスクを真空中にて用いないため、離型層23を印刷形成するだけで、各層毎に高精度な位置合わせを行う必要はなく、従って、生産装置一つあたりの単位時間あたりの生産量、すなわちスループットは従来と比べて大幅に向上するため、有機EL素子の製造コストを下がる。
また、基板10の上のアノード電極10aと層間絶縁層10bとは、複数の有機EL発光部1に対応するように設けられるので、正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14の不要部分を支持体15に付着して除去する効率はさらに向上する。従って、有機EL素子の製造コストをさらに下がる。
【0054】
さらに、層間絶縁層10bを設けたので、離型層23の印刷領域、すなわち正孔輸送層11〜カソード電極14の除去領域が多少ずれても、アノード電極10aとカソード電極14とは短絡しない。
また、アノード電極取り出し部10dおよびカソード電極取り出し部10eは前記点線領域外に位置するため、アノード電極10aおよびカソード電極14は外部端子と容易に接続できる。
【0055】
さらに、支持体15の接着層15aの接着力を、正孔輸送層11〜カソード電極14間のいずれの部分の強度よりも強くし、かつ、サーマルヘッド21に微細パターン加工を施して支持体15の不必要な部分のみ加熱して接着性を発揮させ、正孔輸送層11〜カソード電極14の前記不必要な部分を除去することにより、微細な構造を有する有機EL発光部の作製できる。
【0056】
なお、本発明は、上述した実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で任意に変形してもよい。
例えば、支持体15を加熱する部分は全面である必要はなく、離型層23を塗布した部分に限定してもよい。この場合は、より確実に、正孔輸送層11〜カソード電極14の不要部分のみを、必要部分に影響を与えることなく剥離できる。
【0057】
さらに、発光素子は有機ELを用いた素子に限定する必要はなく、当然、積層構造を有する他の発光素子に適用することも可能である。
【0058】
また、薄膜連続形成装置2は、図2(B)のように、シート状の基板18,18・・・を、ソーター19a,19bおよび基板18の周縁の非発光領域で基板18を支持し、発光領域が開口されたベルトコンベア(図示省略)により輸送する形状に変形してもよい。
この場合は、基板10をロール状に巻く必要はないので、シート抵抗を低くするため、例えばITOからなるアノード電極10aを厚く堆積しても、アノード電極10aは割れることはない。 本実施形態では、サーマルヘッド21を加熱して圧着したが、接着層15aが常温でも十分な粘着性があれば、サーマルヘッド21の替わりに加熱しない部材で押圧して正孔輸送層11〜カソード電極14を接着層15aに貼り付けても良い。
【0059】
【発明の効果】
例えば発光部の作製において、メタルマスクの位置合わせを高精度に行う回数は従来と比べて減少するため、生産装置一つあたりの単位時間あたりの生産量、すなわちスループットは従来と比べて大幅に向上して、発光素子の製造コストを下げることができる。
さらに、例えば液晶表示装置のバックライトなど、微細構造を有さない発光素子の発光部を作製する場合は、前記複数の層の一部は印刷によってそれぞれのパターンに積層できるため、複数の層の他部を形成するためのメタルマスクを全く用いずに発光部を作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態例である、有機EL発光部1の製造方法の概略を説明する概略図である。
【図2】予めアノード電極10a,層間絶縁層10bをそれぞれのパターンに積層した基板10上に、正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14を形成する薄膜連続形成装置2の構成および動作を説明する概略図である。
【図3】基板10の表部に形成された、層間絶縁層10b上の離型層23上に形成された正孔輸送層11,発光層12,電子輸送層13,カソード電極14を、支持体15の上に転写する方法を説明する概略図である。
【図4】図4(A)は、サーマルヘッド21により所定箇所を熱転写された支持体15を説明する概略図であり、図4(B)は、有機EL発光部1の積層構造を説明する概略図であり、図4(C)は、サーマルヘッド21により所定箇所に熱転写された基板10を説明する概略図である。
【符号の説明】
1 有機EL発光部(発光部)
2 薄膜連続形成装置
10 基板
10a アノード電極(複数の層の一部)
10b 層間絶縁層(複数の層の一部)
10d アノード電極取り出し部
10e カソード電極取り出し部
11 正孔輸送層(複数の層の他部)
12 発光層(複数の層の他部)
13 電子輸送層(複数の層の他部)
14 カソード電極(複数の層の他部)
15 支持体
16 リール
17 隔壁
21 サーマルヘッド
22 ローラー
23 離型層
100 真空チャンバー

Claims (7)

  1. 基板上に積層されたアノード電極と、前記アノード電極上に形成された発光層と、前記発光層上に形成されたカソード電極と、を含む複数の層から構成される発光部を有する発光素子の製造方法において、
    前記アノード電極の周縁部上を覆うように形成された層間絶縁膜上に、表面エネルギーを低くする官能基を有する離容易な物質からなる離型層を積層し、
    前記アノード電極上に発光層及びカソード電極を順次形成するとともに、前記離型層上に発光層及びカソード電極を順次形成し、
    接着層を有した支持体を前記離型層上の前記カソード電極上に貼着し、前記支持体によって前記離型層とともに前記離型層の上に積層した前記発光層及び前記カソード電極を剥離させること、
    を工程中に含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
  2. 請求項1記載の発光素子の製造方法において、
    前記層間絶縁膜は前記アノード電極の側面も覆っており、前記カソード電極と前記アノード電極との短絡を防ぐこと、
    を特徴とする発光素子の製造方法。
  3. 請求項2記載の発光素子の製造方法において、
    前記アノード電極の外部端子接続部に対応する部分には、前記層間絶縁膜を形成せず、かつ、前記離型層を形成し、
    前記カソード電極の外部端子接続部に対応する部分には前記離型層を形成しないこと、
    を特徴とする発光素子の製造方法。
  4. 請求項1〜請求項3のいずれかに記載の発光素子の製造方法において、
    記接着層は加熱により接着性を発揮する部材からなり、
    前記複数の層に貼り合わせ、さらに加熱して前記複数の層の上に貼着した後に、前記複数の層から剥がされること、
    を特徴とする発光素子の製造方法。
  5. 請求項4に記載の発光素子の製造方法において、
    前記支持体は加熱手段により加熱され、前記支持体の加熱側には、前記支持体と前記加熱手段との接着を防止するための耐熱層を設けること、
    を特徴とする発光素子の製造方法。
  6. 請求項1〜請求項5のいずれかに記載の発光素子の製造方法において、
    前記基板の一面を、一つの真空空間内に別個に配置された複数の材料蒸発源にさらすことにより、前記発光層及びカソード電極を形成すること、を特徴とする発光素子の製造方法。
  7. 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の発光素子の製造方法において、
    前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする発光素子の製造方法。
JP33276398A 1998-11-24 1998-11-24 発光素子の製造方法 Expired - Lifetime JP4253883B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33276398A JP4253883B2 (ja) 1998-11-24 1998-11-24 発光素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33276398A JP4253883B2 (ja) 1998-11-24 1998-11-24 発光素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000164353A JP2000164353A (ja) 2000-06-16
JP4253883B2 true JP4253883B2 (ja) 2009-04-15

Family

ID=18258577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33276398A Expired - Lifetime JP4253883B2 (ja) 1998-11-24 1998-11-24 発光素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4253883B2 (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100334080B1 (ko) * 2000-06-23 2002-04-26 김순택 유기 전자발광소자의 제조방법
JP4491931B2 (ja) * 2000-08-04 2010-06-30 凸版印刷株式会社 El素子の製造方法
US20030232563A1 (en) * 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
CN100459220C (zh) 2002-09-20 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
JP2004146369A (ja) * 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
JP4820536B2 (ja) 2003-06-25 2011-11-24 彬雄 谷口 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR101633118B1 (ko) * 2009-12-20 2016-06-23 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자의 실링방법
WO2012090771A1 (ja) 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法
US9076989B2 (en) 2010-12-27 2015-07-07 Sharp Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film, and method for producing display device
CN104025297B (zh) * 2011-11-03 2017-04-05 皇家飞利浦有限公司 Oled的结构化
JP6064502B2 (ja) * 2012-10-05 2017-01-25 大日本印刷株式会社 積層体製造方法、積層体製造装置および積層体
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US10326076B2 (en) * 2015-04-13 2019-06-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Method of manufacturing display substrate, display substrate and display device
CN104779200B (zh) * 2015-04-13 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置
TWI671931B (zh) * 2018-03-19 2019-09-11 謙華科技股份有限公司 使用熱轉印膜製備有機發光二極體之方法
TW201943114A (zh) * 2018-03-31 2019-11-01 謙華科技股份有限公司 使用熱轉印膜連續製備有機發光二極體之方法
CN114242925B (zh) * 2021-12-17 2022-11-29 惠科股份有限公司 Oled封装方法、oled器件及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000164353A (ja) 2000-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4253883B2 (ja) 発光素子の製造方法
JP4948836B2 (ja) 低圧冷間溶接によるデバイス製造方法
EP0821862B1 (en) Manufacture of organic light emitting devices
JP6343026B2 (ja) 封止用積層体、有機発光装置及びこれらの製造方法
WO1999046961A1 (fr) Procede de fabrication d'un dispositif organique electroluminescent
US8029684B2 (en) Self-emission panel and method of manufacturing the same
JP4288732B2 (ja) 発光素子を製造するための転写体の製造方法
WO2002005361A1 (en) Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US20090004419A1 (en) Multi-layer masking film
TW200526068A (en) Segmented organic light emitting device
CN101409331A (zh) 电致发光显示装置和用于电致发光显示装置的热转移给体膜
KR20010050324A (ko) 유기 전계 발광 장치와 그 제조 방법
JP4325249B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP4325248B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2012108217A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製法
JP4211277B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び面発光光源、並びにディスプレイ、液晶ディスプレイ
JP2012182005A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製法
JP2004079403A (ja) 高分子el素子およびその製造方法
KR20050020681A (ko) 플랫 패널 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4538948B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
JP4491931B2 (ja) El素子の製造方法
EP2149167A1 (en) Preparation of organic light emitting diodes by a vapour deposition method combined with vacuum lamination
WO2015159887A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2002208483A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR101622652B1 (ko) 유기 발광층 전사 시스템 및 이를 이용한 유기 발광 다이오드 표시장치의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051115

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080820

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080924

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090106

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090119

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081125

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term