CN104779200B - 显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置。该显示基板的制备方法，显示基板划分为显示区和非显示区，该制备方法包括在显示区和非显示区形成有机材料层的步骤，还包括：在形成有机材料层之前，在非显示区形成辅助层，辅助层具有如下性质：辅助层受热后性能发生变化，使得有机材料层与辅助层对应的部分变得容易剥离；以及，采用热方法去除有机材料层与辅助层对应的部分。该显示基板的制备方法简单且易于实现，去除非显示区的有机材料的效果好，易于得到无有机材料残留的清洁的显示基板。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED，或者称有机发光二极管)技术一直被认为是最具有竞争力的下世代发光及显示技术之一。然而，在显示装置的应用方面，从1996年Pioneer发表的PLOLED显示装置商品化以来，OLED显示装置在大型化及量产化方面遭遇极强的挑战。重大挑战包括：主动矩阵的TFT背板以及有机材料的制程及封装问题。对于有机材料制程，目前主要有蒸镀制程和溶液制程。在面对大型化基板时，真空热蒸镀技术面临极大缺陷，如遮光板极易受工艺流程中的高温环境影响而发生偏移，导致难以在基板上保持均匀的沉积率；而喷墨印刷技术可以通过液态有机材料的均匀沉积形成薄膜层，因此理论上可以更好地解决大尺寸的问题。
喷墨印刷包括连续印刷和非连续印刷。连续印刷方式属于无光罩、无接触式的制程，优点在于逐次印刷，因为口径比较大，可以连续稳定地喷出墨水而不易堵塞喷嘴，良率高，易于大型化的同时Ink(墨水)组成自由度大；缺点在于连续打印(或者说印刷)制程需要额外将非显示区(也称除外区，显示区以外的部分)部分做材料清洁，这是其制程限制所在。另外，较为成熟的涂布技术也可以应用在显示领域，该技术同样也存在非显示区清洁的问题。
针对显示基板非显示区的有机材料清洁问题目前可能采用的方法包括Plasma干刻法、laser清洁法、擦拭法等，但以上方法对于常规的基板总存在一些问题，如由于能量太强对基板上某些结构造成伤害，或者由于能量不足或者不均清理不完全等。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置，该显示基板的制备方法简单且易于实现，去除非显示区的有机材料的效果好，易于得到无有机材料残留的清洁的显示基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该显示基板的制备方法，所述显示基板划分为显示区和非显示区，该制备方法包括在所述显示区和所述非显示区形成有机材料层的步骤，还包括：
在形成所述有机材料层之前，在所述非显示区形成辅助层，所述辅助层具有如下性质：所述辅助层受热后性能发生变化，使得所述有机材料层与所述辅助层对应的部分变得容易剥离；
以及，采用热方法去除所述有机材料层与所述辅助层对应的部分。
优选的是，所述辅助层由受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的材料形成；所述辅助层受热后性能发生变化包括：所述辅助层受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差。
优选的是，在形成所述有机材料层之前，还包括形成包括在所述显示区的多个薄膜晶体管并延伸至所述非显示区的薄膜晶体管层，以及在所述薄膜晶体管层上方形成像素限定层的步骤，所述显示区的所述有机材料层形成在所述像素限定层内以形成有机电致发光二极管；
所述辅助层包括第一辅助层和/或者第二辅助层，所述第一辅助层采用吸热性材料形成，形成于所述非显示区的所述薄膜晶体管层的下方；所述第二辅助层采用高分子热塑性材料或者热膨胀性材料形成，形成于所述非显示区的所述像素限定层的上方。
优选的是，形成所述薄膜晶体管层的步骤包括：形成包括栅极和栅线、有源层、源极和漏极的图形，所述栅极和所述栅线由同一栅金属材料层通过构图工艺形成，所述有源层图形、所述源极和所述漏极图形依次形成于所述栅极和栅线的上方。
优选的是，所述像素限定层在所述显示区内形成网格形状，形成所述有机电致发光二极管的步骤至少包括：形成位于所述像素限定层网格内的第一电极层的图形、覆盖在所述像素界定层上方的第二电极层以及位于所述第一电极层的图形和所述第二电极层之间的发光层的图形，所述第一电极层与薄膜晶体管电连接。
优选的是，所述吸热性材料包括吸热性强的金属或者吸热性强的金属氧化物，其中，吸热性强的金属包括黑钛、黑铬、黑钴，吸热性强的金属氧化物包括铝氧化物。
优选的是，所述高分子热塑性材料包括PP、PE、PVC，所述热膨胀性材料包括锌、铅、镁、铝或者以上至少一种金属的合金。
优选的是，所述有机材料层采用连续打印或者涂布方式同时形成于所述显示区和所述非显示区，所述有机材料层包括构成所述有机电致发光二极管的至少一种有机材料。
优选的是，所述第一辅助层采用构图工艺形成在所述非显示区的所述薄膜晶体管层的下方，所述第二辅助层采用粘性介质黏贴于所述非显示区的所述像素限定层的上方。
优选的是，采用热方法去除所述有机材料层与所述辅助层对应的部分包括：采用光照法、热弹力法或者热消融法对该所述显示基板进行加热。
一种显示基板半成品，所述显示基板划分为显示区和非显示区，所述显示区和所述非显示区设置有有机材料层，其中，在所述非显示区设置有辅助层，所述辅助层具有如下性质：所述辅助层受热后性能发生变化，使得所述有机材料层与所述辅助层对应的部分变得容易剥离。
优选的是，所述辅助层由受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的材料形成；所述辅助层受热后性能发生变化包括：所述辅助层具有受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的性质。
优选的是，包括设置在所述显示区内的多个薄膜晶体管并延伸至所述非显示区的薄膜晶体管层，以及设置在所述薄膜晶体管层上方的像素限定层，所述显示区的所述有机材料层设置在所述像素限定层内以形成有机电致发光二极管；
所述辅助层包括第一辅助层和/或者第二辅助层，所述第一辅助层采用吸热性材料形成，设置于所述非显示区的所述薄膜晶体管层的下方；所述第二辅助层采用高分子热塑性材料或者热膨胀性材料形成，设置于所述非显示区的所述像素限定层的上方。
优选的是，所述薄膜晶体管层包括：栅极图形和栅线图形、有源层图形、源极和漏极图形，所述栅极图形和栅线图形的上方依次设置所述有源层图形、所述源极和漏极图形。
优选的是，所述像素限定层在所述显示区内为网格形状，所述有机电致发光二极管至少包括：设置于所述像素限定层网格内的第一电极层的图形、覆盖在所述像素界定层上方的第二电极的图形、以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层的图形，所述第一电极层与所述薄膜晶体管电连接。
优选的是，所述吸热性材料包括吸热性强的金属或者吸热性强的金属氧化物，其中，吸热性强的金属包括黑钛、黑铬、黑钴，吸热性强的金属氧化物包括铝氧化物。
优选的是，所述高分子热塑性材料包括PP、PE、PVC，所述热膨胀性材料包括锌、铅、镁、铝或者以上至少一种金属的合金。
一种显示装置，包括上述的显示基板的制备方法形成的显示基板。
本发明的有益效果是：本发明的显示基板的制备方法和相应的显示基板的半成品，通过在非显示区采用具有受热温度升高或者产生形变或者粘性变差的材料增加辅助层，在采用热方式对有机材料进行清洁处理时，采用辅助层使对应着非显示区的有机材料与显示区的有机材料存在温度差异或者形变差异或者粘性变差，从而使该非显示区的有机材料层变得易于剥离，方法简单且易于实现。
附图说明
图1为本发明显示基板的显示区与非显示区划分示意图；
图2为本发明实施例1中显示基板的部分结构示意图；
图3为本发明实施例2中显示基板的部分结构示意图；
图4为本发明实施例3中显示基板的部分结构示意图；
图中：
10－显示区；11－非显示区；
20－衬底；21－薄膜晶体管层；211－栅金属材料层；22－像素限定层；23－有机电致发光二极管；24－第一辅助层；25－第二辅助层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明显示基板的制备方法、显示基板半成品以及显示装置作进一步详细描述。
如图1所示的显示基板中，对应显示区10的区域设置有薄膜晶体管层和有机电致发光二极管，形成图像显示的实体；对应非显示区11的区域设置有用于实现显示区10的图像显示所需的驱动电路，为图像显示提供数据支持电路。在显示基板的制备过程中，显示区10和非显示区11中的相同材料的层通常采用同一成膜工艺，然后通过构图工艺形成显示区10与非显示区11的图形。其中，对于OLED显示装置，由于形成有机电致发光二极管的有机材料是同时形成于显示区10和非显示区11，因此，针对非显示区11的阴极接触区、封装区和电路板连接区，在有机电致发光二极管形成之后，还需去除非显示区11的有机材料，避免影响显示基板的性能。
本发明的技术构思在于：通过在非显示区11增加辅助层，采用辅助层在受热状态下的性能发生变化，使非显示区11的有机材料更易于剥离，从而达到非显示区11有机材料的更易于清洁的效果。
本发明提供一种显示基板的制备方法，显示基板划分为显示区和非显示区，该制备方法包括在显示区和非显示区形成有机材料层的步骤，还包括：
在形成有机材料层之前，在非显示区形成辅助层，辅助层具有如下性质：辅助层受热后性能发生变化，使得有机材料层与辅助层对应的部分变得容易剥离；
以及，采用热方法去除有机材料层与辅助层对应的部分。
其中，辅助层由受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的材料形成；辅助层受热后性能发生变化包括：辅助层受热温度升高，或者受热产生形变，或者受热粘性变差。
采用本发明的显示基板的制备方法，可以有效、快速地去除非显示区的有机材料层与辅助层对应的部分，大大提高了生产显示基板的效率、降低了生产成本。
实施例1：
本实施例提供一种显示基板的制备方法以及采用该制备方法过程中形成的显示基板半成品。
其中，该显示基板划分为显示区10和非显示区11(也称除外区)，显示区划分为多个像素区，每一像素区形成一个子像素单元。对于OLED显示装置而言，每一子像素单元均包括有机电致发光二极管和用于控制该有机电致发光二极管是否发光的薄膜晶体管。即，在显示区10和非显示区11设置有薄膜晶体管层21，有机电致发光二极管23位于显示区10内的薄膜晶体管层21上方，薄膜晶体管至少包括栅极、有源层、源极和漏极，有机电致发光二极管23至少包括第一电极层、第二电极层以及形成位于第一电极层和第二电极层之间的多个有机材料层，有机材料层至少包括发光层(上述具体层结构在图2中未具体示出)。
在本实施例中，该显示基板的制备方法包括：
步骤S10)在形成有机电致发光二极管之前：在非显示区形成辅助层，辅助层为由具有受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的材料形成。其中，辅助层具有如下性质：辅助层受热后性能发生变化，使得有机材料层与辅助层对应的部分变得容易剥离；
以及，步骤S20)在形成有机电致发光二极管之后：采用热方法，去除辅助层上方与辅助层对应的有机材料层对应的部分。
该显示基板的制备方法中，在形成有机发光器件之前还包括形成薄膜晶体管层21，以及在薄膜晶体管层21的上方形成像素限定层22的步骤，其中，薄膜晶体管层21形成在显示区并延伸至非显示区。在本实施例中，辅助层包括第一辅助层24和第二辅助层25，第一辅助层24采用吸热性材料形成，形成于非显示区11的薄膜晶体管层21的下方；第二辅助层25采用高分子热塑性材料或者热膨胀性材料形成，形成于非显示区11的像素限定层22的上方。
以显示基板包括底栅型薄膜晶体管的薄膜晶体管层21(当然，并不限定底栅型薄膜晶体管，还可以为顶栅型薄膜晶体管)为例，该显示基板的制备方法中，形成栅极和栅线的栅金属材料层211形成于非显示区11的第一辅助层24的上方并同时形成于显示区10与第一辅助层24的上方的相当高度(栅金属材料层211对应着像素区的部分形成栅极，栅极为薄膜晶体管层的一部分，这里为便于理解将栅金属材料层211独立于薄膜晶体管层21在图2中示出)，第二辅助层25形成于位于非显示区11的像素限定层22的上方。具体的，在本实施例的显示基板的制备方法中，步骤S10)包括：
步骤11)在非显示区11形成第一辅助层24。
在该步骤中，如图2所示，第一辅助层24形成在衬底20的上方。形成第一辅助层24的吸热性材料包括吸热性强的金属或者吸热性强的金属氧化物，其中，吸热性强的金属包括黑钛、黑铬、黑钴，吸热性强的金属氧化物包括铝氧化物。优选的是，第一辅助层24采用构图工艺形成在非显示区11的薄膜晶体管层21的下方
步骤12)在显示区10和非显示区11形成薄膜晶体管层21。
在该步骤中，形成薄膜晶体管层21包括：形成包括栅极和栅线、有源层、源极和漏极的图形。其中，栅金属材料层211形成于第一辅助层24的上方以及与第一辅助层24的上方的相当高度的显示区10。在显示区10中，栅金属材料层211在对应着像素区的部分形成栅极，对应着像素区的边界部分形成栅线，栅极和栅线的上方依次形成有源层、形成源极和漏极的图形；在非显示区11中，栅金属材料层211形成薄膜晶体管的栅极与栅极驱动器的连接线。
步骤13)在显示区10和非显示区11形成像素限定层22。
在该步骤中，像素限定层22形成于薄膜晶体管层21的上方。其中，位于显示区的像素限定层22为网格状，每一网格内可形成一个有机电致发光二极管。
步骤14)形成有机电致发光二极管23。
在该步骤中，形成有机电致发光二极管23包括：形成位于像素限定层网格内的第一电极层的图形、覆盖在像素界定层上方的第二电极层的图形以及位于第一电极层和第二电极层之间的发光层的图形，第一电极层形成于薄膜晶体管层21上方并与薄膜晶体管的漏极电连接。
在该步骤中，形成构成有机电致发光二极管23的有机材料层时，采用连续打印或者涂布方式同时形成于显示区10和非显示区11，位于显示区10的有机材料层为构成有机电致发光二极管的有机材料图形。其中的有机材料层包括但不限于发光层，还可以为空穴传输层、电子传输层等其他的有机材料层。
步骤15)在非显示区11形成第二辅助层25。
在该步骤中，第二辅助层25形成于非显示区11的像素限定层22的上方。形成第二辅助层25的高分子热塑性材料包括PP、PE、PVC，热膨胀性材料包括锌、铅、镁、铝或者以上至少一种金属的合金。优选的是，第二辅助层采用粘性介质黏贴于非显示区的像素限定层22的上方。
相应的，采用上述显示基板的制备方法形成一种显示基板半成品，该显示基板半成品划分为显示区10和非显示区11，显示区10设置有有机电致发光二极管23，有机电致发光二极管23中包括有机材料图形，有机材料层同时设置于非显示区11和显示区10内，显示区10内的有机材料用于形成有机电致发光二极管23，非显示区11的有机材料层的下方还设置有辅助层。
其中，辅助层具有如下性质：辅助层受热后性能发生变化，使得有机材料层与辅助层对应的部分变得容易剥离。辅助层受热后性能发生变化包括：受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差。
其中，显示区划分为多个像素区，在像素区内设置有薄膜晶体管。薄膜晶体管层21包括多个薄膜晶体管并延伸至非显示区11；薄膜晶体管层21的上方设置有像素限定层，显示区10内的有机材料层设置在像素限定层内以形成有机电致发光二极管23；辅助层包括第一辅助层24和第二辅助层25，第一辅助层24采用吸热性材料形成，设置于非显示区11的薄膜晶体管层21的下方；第二辅助层25采用高分子热塑性材料或者热膨胀性材料形成，设置于非显示区11的像素限定层22的上方。
相应的，薄膜晶体管层21包括：栅极图形和栅线图形、有源层图形、源极和漏极图形，栅极图形和栅线图形均由栅金属材料层211形成，栅金属材料层211设置于第一辅助层24的上方并同时设置于显示区10与第一辅助层24的上方的相当高度，栅极图形和栅线图形的上方依次设置有源层图形、源极和漏极图形。以及，像素限定层22在显示区内为网格形状，有机电致发光二极管23至少包括：设置于像素限定层网格内的第一电极层的图形、覆盖在像素界定层上方的第二电极的图形、以及位于第一电极层和第二电极层之间的发光层的图形，第一电极层与薄膜晶体管的漏极电连接；第二辅助层25设置于非显示区11的像素限定层22的上方。
在本实施例的显示基板半成品中，形成第一辅助层24的吸热性材料包括吸热性强的金属或者吸热性强的金属氧化物，其中，吸热性强的金属包括黑钛、黑铬、黑钴，吸热性强的金属氧化物包括铝氧化物；形成第二辅助层25的高分子热塑性材料包括PP、PE、PVC，热膨胀性材料包括锌、铅、镁、铝或者以上至少一种金属的合金。
在以上的显示基板半成品中，有机材料层设置于显示区10和非显示区11，位于显示区10的有机材料层为构成有机电致发光二极管的有机材料图形。
针对上述的显示基板半成品，在该显示基板的制备方法中，通过步骤20)在形成有机电致发光二极管23之后：采用热方法，去除辅助层上方的、与用于形成有机电致发光二极管23的有机材料图形同时形成的其他有机材料层部分，从而形成显示基板。
其中，热方法包括：光照法(包括激光法)、热弹力法或者热消融法。
对于第一辅助层24，在使用热方式清洁有机材料时，由于吸热材料的吸热作用，使得非显示区11的温度明显升高，从而使得非显示区11表层的有机材料变得易于剥离而去除，而第一辅助层24保留在显示基板中；而对于第二辅助层25，在使用热方法清洁有机材料时，由于温度升高产生形变或者粘性变差，从而使得位于非显示区11的第二辅助层25以及位于第二辅助层25上方的有机材料容易剥离而同时去除。这里，第一辅助层24保留在最后的显示基板成品中，其在去除显示基板半成品的表层的有机材料层时能起到对热敏感，加剧响应的作用，减小基板清洁的难度。
应该理解的是，该显示基板的制备方法中的辅助层特别适用于形成有机电致发光二极管的比较敏感的有机材料的去除，但不限定只能用于形成有机电致发光二极管的有机材料的去除；同时，这里的显示基板可以为已经切割裂片后的显示基板单元，也可以为具有多个显示基板单元的母板。
该显示基板的制备方法简单且易于实现，去除非显示区11的有机材料的效果好，易于得到无有机材料残留的清洁的显示基板。
实施例2：
本实施例提供一种显示基板的制备方法以及采用该制备方法过程中形成的显示基板半成品。与实施例1相比，本实施例的显示基板的制备方法以及采用该制备方法形成的显示基板半成品，其仅在非显示区11，对应着非显示区11的栅金属材料层211的下方设置由吸热性材料形成的第一辅助层24。
如图3所示，在本实施例的显示基板的制备方法中，在形成薄膜晶体管层21之前，采用吸热性材料形成第一辅助层24(第一辅助层24设置在衬底20和栅金属材料层211之间)，其他层结构在图3中未具体示出。
本实施例中第一辅助层24的材料与实施例1中第一辅助层24的材料相同，第一辅助层24可以为厚度范围为10-1000nm的涂层。
本实施例中，去除显示基板半成品上方非显示区11的有机材料层的方法与实施例1相同，即在采用热方法对非显示区11的有机材料层部分清洁的过程中，由于第一辅助层24中吸热材料的吸热作用，使得非显示区11的温度明显升高，导致非显示区11与显示区10产生温度差异，从而使得非显示区11表层的有机材料层部分变得易于剥离而去除。
该显示基板的制备方法简单且易于实现，去除非显示区11的有机材料的效果好，易于得到无有机材料残留的清洁的显示基板。
实施例3：
本实施例提供一种显示基板的制备方法以及采用该制备方法过程中形成的显示基板半成品。与实施例1相比，本实施例的显示基板的制备方法以及采用该制备方法形成的显示基板半成品，其仅在像素限定层22的上方设置由高分子热塑性材料或者热膨胀性材料形成的辅助层。
如图4所示，在本实施例的显示基板的制备方法中，在形成像素限定层22之后，采用高分子热塑性材料或者热膨胀性材料在非显示区11的像素限定层22上方形成第二辅助层25，其他层结构在图4中未具体示出。
本实施例中第二辅助层25的材料与实施例1中第二辅助层25的材料相同，第二辅助层25可以为厚度范围为10-1000nm的涂层。
本实施例中，去除显示基板半成品上方非显示区11的有机材料层的方法与实施例1相同，即在采用热方法对非显示区11的有机材料层清洁的过程中，由于第二辅助层25中高分子热塑性材料或者热膨胀性材料在加热或者光照的时候会由于温度升高产生形变或者粘性变差，从而使得非显示区11的第二辅助层以及位于第二辅助层上方的有机材料层部分剥离而去除。
该显示基板的制备方法简单且易于实现，去除非显示区11的有机材料的效果好，易于得到无有机材料残留的清洁的显示基板。
这里应该理解的是，根据工艺条件，可以灵活选择实施例1-实施例3任一种显示基板的制备方法，在显示基板半成品中设置一层或者两层辅助层，以便于后期的因用于形成显示区有机电致发光二极管而形成在非显示区的有机材料的去除。本发明提供的显示基板的制备方法，特别适用于连续打印/涂布形成有机材料层的显示基板的制备。
综上，实施例1-实施例3中的显示基板的制备方法和相应的显示基板的半成品，通过在非显示区采用具有受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的材料形成的辅助层，在采用热源对有机材料进行清洁处理时，采用辅助层使对应着非显示区的有机材料与显示区的有机材料存在温度差异或者形变差异或者粘性变差，从而使该非显示区的有机材料层变得易于剥离，方法简单且易于实现。
实施例4：
本实施例提供一种显示装置，该显示装置采用实施例1-实施例3任一种显示基板的制备方法形成的显示基板，该显示基板可能保留有其中的第一辅助层。
该显示基板在制备过程中适用于有机材料的连续打印或者涂布制程，使用该显示基板制备方法制备完有机材料进行非显示区有机材料的清洁工艺，此时由于辅助层的作用，使得清洁工艺较目前普通基板难度大大降低，尤其是针对难以清洁的OLED显示面板的阴极接触区。
该显示装置可以为：电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示装置、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (16)
1.一种显示基板的制备方法，所述显示基板划分为显示区和非显示区，该制备方法包括在所述显示区和所述非显示区形成有机材料层的步骤，其特征在于，还包括：
在形成所述有机材料层之前，在所述非显示区形成辅助层，所述辅助层具有如下性质：所述辅助层受热后性能发生变化，使得所述有机材料层与所述辅助层对应的部分变得容易剥离；
以及，采用热方法去除所述有机材料层与所述辅助层对应的部分；
在形成所述有机材料层之前，还包括形成薄膜晶体管层以及在所述薄膜晶体管层上方形成像素限定层的步骤，所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区的多个薄膜晶体管并且所述薄膜晶体管层延伸至所述非显示区，所述显示区的所述有机材料层形成在所述像素限定层内以形成有机电致发光二极管；
所述辅助层包括第一辅助层和/或者第二辅助层，所述第一辅助层采用吸热性材料形成，形成于所述非显示区的所述薄膜晶体管层的下方；所述第二辅助层采用高分子热塑性材料或者热膨胀性材料形成，形成于所述非显示区的所述像素限定层的上方。
2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述辅助层由受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的材料形成；所述辅助层受热后性能发生变化包括：所述辅助层受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差。
3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，形成所述薄膜晶体管层的步骤包括：形成包括栅极和栅线、有源层、源极和漏极的图形，所述栅极和所述栅线由同一栅金属材料层通过构图工艺形成，所述有源层图形、所述源极和所述漏极图形依次形成于所述栅极和栅线的上方。
4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述像素限定层在所述显示区内形成网格形状，形成所述有机电致发光二极管的步骤至少包括：形成位于所述像素限定层网格内的第一电极层的图形、覆盖在所述像素限定层上方的第二电极层以及位于所述第一电极层的图形和所述第二电极层之间的发光层的图形，所述第一电极层与薄膜晶体管电连接。
5.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述吸热性材料包括吸热性强的金属或者吸热性强的金属氧化物，其中，吸热性强的金属包括黑钛、黑铬、黑钴，吸热性强的金属氧化物包括铝氧化物。
6.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述高分子热塑性材料包括PP、PE、PVC，所述热膨胀性材料包括锌、铅、镁、铝或者以上至少一种金属的合金。
7.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述有机材料层采用连续打印或者涂布方式同时形成于所述显示区和所述非显示区，所述有机材料层包括构成所述有机电致发光二极管的至少一种有机材料。
8.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一辅助层采用构图工艺形成在所述非显示区的所述薄膜晶体管层的下方，所述第二辅助层采用粘性介质黏贴于所述非显示区的所述像素限定层的上方。
9.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，采用热方法去除所述有机材料层与所述辅助层对应的部分包括：采用光照法、热弹力法或者热消融法对该所述显示基板进行加热。
10.一种显示基板半成品，所述显示基板划分为显示区和非显示区，所述显示区和所述非显示区设置有有机材料层，其特征在于，在所述非显示区设置有辅助层，所述辅助层具有如下性质：所述辅助层受热后性能发生变化，使得所述有机材料层与所述辅助层对应的部分变得容易剥离；
还包括设置在所述显示区内的多个薄膜晶体管并延伸至所述非显示区的薄膜晶体管层，以及设置在所述薄膜晶体管层上方的像素限定层，所述显示区的所述有机材料层设置在所述像素限定层内以形成有机电致发光二极管；
所述辅助层包括第一辅助层和/或者第二辅助层，所述第一辅助层采用吸热性材料形成，设置于所述非显示区的所述薄膜晶体管层的下方；所述第二辅助层采用高分子热塑性材料或者热膨胀性材料形成，设置于所述非显示区的所述像素限定层的上方。
11.根据权利要求10所述的显示基板半成品，其特征在于，所述辅助层由受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的材料形成；所述辅助层受热后性能发生变化包括：所述辅助层具有受热温度升高或者受热产生形变或者受热粘性变差的性质。
12.根据权利要求11所述的显示基板半成品，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括：栅极图形和栅线图形、有源层图形、源极和漏极图形，所述栅极图形和栅线图形的上方依次设置所述有源层图形、所述源极和漏极图形。
13.根据权利要求11所述的显示基板半成品，其特征在于，所述像素限定层在所述显示区内为网格形状，所述有机电致发光二极管至少包括：设置于所述像素限定层网格内的第一电极层的图形、覆盖在所述像素限定层上方的第二电极层的图形、以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光层的图形，所述第一电极层与所述薄膜晶体管电连接。
14.根据权利要求11所述的显示基板半成品，其特征在于，所述吸热性材料包括吸热性强的金属或者吸热性强的金属氧化物，其中，吸热性强的金属包括黑钛、黑铬、黑钴，吸热性强的金属氧化物包括铝氧化物。
15.根据权利要求11所述的显示基板半成品，其特征在于，所述高分子热塑性材料包括PP、PE、PVC，所述热膨胀性材料包括锌、铅、镁、铝或者以上至少一种金属的合金。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的显示基板的制备方法形成的显示基板。
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