CN113078197A - 显示面板制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板制造方法。显示面板包括显示区、孔区、以及位于显示区和孔区之间的过渡区，显示面板制造方法包括以下步骤：提供显示面板半成品，显示面板半成品包括基底和设置于基底的表面且位于过渡区的隔断环，隔断环围绕孔区设置；在基底的表面且位于孔区形成脱附层，脱附层采用升华温度≤200℃的材料；在脱附层背向基底的一侧且位于显示区、孔区和过渡区形成发光结构层，发光结构层的位于孔区的部分被隔断环隔断；使脱附层的材料升华，从而除去发光结构层的位于孔区的部分。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板制造方法。
背景技术
随着电子设备的快速发展，用户对屏占比提出了更高的要求。将前置摄像头、听筒或红外感应元件等集成在屏幕下方的盲孔屏由于能实现更高屏占比而受到了显示面板研发者的重视。
但是，由于受限于现有开孔工艺的限制，很难在有机发光膜层的蒸镀制程中利用掩膜版(Mask)进行盲孔区域的遮挡，因此通常在有机发光膜层的制程后切割除去盲孔区域的膜层。然而，切割盲孔区有机发光膜层的难度大且成本高，不利于盲孔屏的商业化推广应用。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种显示面板制造方法，显示面板包括显示区、孔区、以及位于显示区和孔区之间的过渡区，方法包括以下步骤：
提供显示面板半成品，显示面板半成品包括基底和设置于基底的表面且位于过渡区的隔断环，隔断环围绕孔区设置；
在基底的表面且位于孔区形成脱附层，脱附层采用升华温度≤200℃的材料；
在脱附层背向基底的一侧且位于显示区、孔区和过渡区形成发光结构层，发光结构层的位于孔区的部分被隔断环隔断；
使脱附层的材料升华，从而除去发光结构层的位于孔区的部分。
在本发明的任一实施方式中，脱附层的材料的升华温度为40℃～200℃。
在本发明的任一实施方式中，脱附层的材料选自碘单质、萘、三氧化二砷、五氯化磷、丙烯酰胺、三氯化铝、三氯化铁中的一种或多种。
在本发明的任一实施方式中，提供显示面板半成品，包括：
在基底的表面依次形成像素电路层、平坦化层、第一电极层和像素限定层，并在孔区形成由像素限定层的背向基底的表面朝向基底延伸的盲孔；
在像素限定层的背离基底的表面形成位于过渡区的隔断环、以及位于显示区的支撑柱。
在本发明的任一实施方式中，在基底的表面且位于孔区形成脱附层，包括：
使掩膜版遮挡显示区和过渡区；
将脱附层的材料蒸镀于基底的位于孔区的表面，形成脱附层。
在本发明的任一实施方式中，隔断环的在显示面板的膜层堆叠方向的截面由远离基底的边缘至靠近基底的边缘呈减少的宽度梯度。在一些实施例中，隔断环的截面呈倒梯形、或T形。
在本发明的任一实施方式中，在由孔区至显示区的方向上，过渡区间隔设置有多个隔断环。
在本发明的任一实施方式中，隔断环的远离基底的表面与支撑柱的远离基底的表面位于同一水平面上。
在本发明的任一实施方式中，在使脱附层的材料升华的步骤之后，还包括：在发光结构层的背向基底的表面形成封装层。在一些实施例中，封装层至少位于孔区的部分包含依次层叠的第一子封装层、光调制层和第二子封装层，光调制层被配置为能提高封装层的光线透过率。
在本发明的任一实施方式中，在使脱附层的材料升华的步骤之前，还包括：在发光结构层的背向基底的表面形成薄膜封装层，薄膜封装层的位于孔区的部分被隔断环隔断。
在本发明的任一实施方式中，使脱附层的材料升华，包括：
将形成有发光结构层的显示面板半成品置于真空腔室，且使显示面板半成品的发光结构层侧朝下；
加热使脱附层的材料升华，升华材料随抽真空排出腔室，发光结构层受重力作用脱落。
根据本发明提供的显示面板制造方法，使发光结构层位于孔区的部分与基底之间被易升华材料形成的脱附层相隔开，并且由于隔断环的设置，能够将发光结构层的位于孔区的部分与位于显示区的部分断开；之后使脱附层的材料升华，发光结构层的位于孔区的部分则能方便地剥离除去。本发明去除孔区发光结构层的方案简单，且成本低。由于避免了孔区发光结构层对光线透过率的影响，因而能提高孔区的透光率。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。
图1是根据本发明实施例的显示面板制造方法的流程图。
图2是根据本发明实施例的显示面板制造方法中显示面板的平面示意图。
图3是根据本发明实施例的显示面板半成品的部分区域截面示意图。
图4是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成脱附层的步骤图。
图5是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成发光结构层的步骤图。
图6是根据本发明实施例的显示面板制造方法中去除发光结构层的位于孔区的部分的步骤图。
图7是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成封装层的步骤图。
图8是根据本发明另一实施例的显示面板制造方法中形成封装层的步骤图。
图9是根据本发明实施例的显示面板制造方法中去除孔区膜层的步骤图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
显示面板是显示装置实现显示功能的关键结构。通过在显示区设计开孔，便于集成摄像头、听筒及红外传感器等功能器件，有助于窄化边框，实现高屏占比。而采用盲孔的方案，将摄像头、听筒及红外传感器等功能器件集成在屏下，有利于进一步减小开孔区的面积，从而进一步提高屏占比。
在盲孔式显示面板中，孔区膜层会导致入射光在孔区的透过率低的问题，因此需要将孔区的膜层去除。为了提供一种简单、有效的孔区膜层去除方案，并且降低显示面板制造成本，发明人开发了一种能实现孔区膜层自动剥离、脱落的显示面板制造方法。
图1示出根据本发明的一种显示面板制造方法的流程图。参照图1，本发明实施例的显示面板制造方法包括提供显示面板半成品的步骤S10，形成脱附层的步骤S20，形成发光结构层的步骤S30，以及去除孔区发光结构层的步骤S40。
图2示出作为一个示例的显示面板的平面示意图。图3是图2所示显示面板的显示面板半成品的部分区域截面示意图，其中显示面板半成品的截取位置对应于图2中显示面板的o-o位置。参照图2，显示面板包括显示区AA和孔区HA。显示区AA为显示面板进行显示图像信息的有效显示区域(Active area)。孔区HA可以限定在显示区AA内。在本示例中，显示区AA完全包围孔区HA。在另一些示例中，孔区HA也可以位于显示区AA的边缘。例如，显示区AA部分地包围孔区HA。对孔区HA的形状没有特别的限制，可以根据实际需求进行选择。在一些实施例中，孔区HA可以为方形、圆形、类圆形、或者其组合。在显示区AA和孔区HA之间设有过渡区TA。
参照图3，在提供显示面板半成品的步骤S10中，显示面板半成品包括基底100，在基底100的一侧表面设置有隔断环SR。隔断环SR位于过渡区TA，且围绕孔区HA设置。
基底100可采用本领域已知的材料形成。在一些实施例中，基底100可采用刚性基底，例如玻璃基底、硬质塑料基底等。基底100也可以采用柔性基底，例如采用例如聚酰亚胺(PI)等柔性塑料形成的基底。
隔断环SR为围绕孔区HA的闭合环状。隔断环SR的形状可以与孔区HA的形状相同或不同。在一些实施例中，隔断环SR的形状与孔区HA的形状相同。隔断环SR可以采用例如铝、钛、银、镍、铜等金属材料，例如硅氧化物、硅氮化物、硅、氧化铟锡等非金属无机材料，例如光刻胶等有机材料。
隔断环SR可以在显示面板半成品的膜层制程中同步形成，以简化制程。在一些实施例中，隔断环SR与支撑柱SPC在同一制程中形成。作为具体的示例，提供显示面板半成品的步骤S10包括：在基底100的表面依次形成像素电路层200、平坦化层300、第一电极层510和像素限定层400，并在孔区HA形成由像素限定层400的背向基底100的表面朝向基底100延伸的盲孔；在像素限定层500的背离基底100的表面形成位于过渡区TA的隔断环SR、以及位于显示区AA的支撑柱SPC。在满足孔区HA光透过率需求的情况下，盲孔由像素限定层400的背向基底100的表面朝向基底100延伸的深度可以根据实际需求进行选择。为了进一步提高孔区HA的光透过率，位于孔区HA的基底100表面上的膜层可采用透光材料。在一些实施例中，盲孔可贯穿像素电路层200、平坦化层300、第一电极层510和像素限定层400，以暴露出基底100的位于孔区HA的表面。这样能使孔区HA获得更高的光透过率。
像素电路层200包括阵列排布的像素电路。像素电路可包括薄膜晶体管TFT和存储电容Cst。TFT可以为顶栅极型TFT或底栅极型TFT。
像素电路层200包括依次层叠设置的半导体层210、栅极层220和源漏极层230，且半导体层210、栅极层220和源漏极层230之间分别通过绝缘层240相间隔。
半导体层210包括源极区、漏极区和位于源极区和漏极区之间的沟道区。可选地，半导体层210可采用非晶硅、单晶硅、多晶硅(例如低温多晶硅LTPS等)、铟镓锌氧化物中的一种以上。在一些实施例中，可将半导体层210的材料沉积形成膜层；对膜层图案化处理形成图案化膜层，图案化膜层还具有位于孔区HA的开孔；对图案化膜层进行掺杂，形成包括源极区、漏极区和沟道区的半导体层210。图案化处理可采用本领域已知的方法进行，例如干法刻蚀。
栅极层220包括栅极G，栅极G与半导体层210的沟道区对应设置。可选地，栅极层220可采用钛、钼、金、铂、铝、镍、铜中的一种以上。在一些实施例中，可将栅极层220的材料沉积形成膜层；对膜层图案化处理形成图案化的栅极层220。图案化的栅极层220还具有位于孔区HA的开孔。图案化处理可采用本领域已知的方法进行，例如干法刻蚀或湿法刻蚀。
在一些实施例中，栅极层220还可选地包括存储电容Cst的第一电极。存储电容Cst的第二电极位于第一电极的背离基底100的一侧，且与第一电极之间通过电容介质层相间隔。第二电极可采用钛、钼、金、铂、铝、镍、铜中的一种以上。
源漏极层230包括源极S和漏极D。源极S经过贯穿源漏极层230和半导体层210之间的绝缘层240的过孔而与源极区电连接。漏极D经过贯穿源漏极层230和半导体层210之间的绝缘层240的过孔而与漏极区电连接。源漏极层230可采用本领域已知的材料，例如钛、钼、金、铂、铝、镍、铜中的一种以上。作为示例，源漏极层230为Ti-Al-Ti的复合层。在一些实施例中，可将源漏极层230的材料沉积形成膜层；对膜层图案化处理形成图案化的源漏极层230。图案化的源漏极层230还具有位于孔区HA的开孔。图案化处理可采用本领域已知的方法进行，例如干法刻蚀或湿法刻蚀。
在一些实施例中，半导体层210、栅极层220和源漏极层230的相邻膜层之间的绝缘层240可采用本领域已知的材料，例如硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一种以上。进一步地，绝缘层240还可以延伸至过渡区TA。这样能为后续制备隔断环SR提供支撑。绝缘层240可采用本领域已知的方法形成。在绝缘层240的制程中，可采用本领域已知的方法使绝缘层240形成位于孔区HA的开孔。例如，干法刻蚀或湿法刻蚀。
在一些实施例中，在基底100和半导体层210之间还可以形成缓冲层600。缓冲层600可以是硅氧化物层、硅氮化物层、或者硅氧化物层和硅氮化物层的复合层。进一步地，缓冲层600可延伸至过渡区TA。这样能为后续制备隔断环SR提供支撑。缓冲层600可采用本领域已知的方法形成。在缓冲层600的制程中，可采用本领域已知的方法使缓冲层600形成位于孔区HA的开孔。例如，干法刻蚀或湿法刻蚀。
平坦化层300位于像素电路层200背离基底100的一侧。平坦化层300覆盖像素电路层200。并且，平坦化层300具有贯通孔以露出像素电路层200的连接电极。在一些示例中，该连接电极可以是源级S。在另一示例中，该连接电极可以是漏极D。
平坦化层300可采用本领域已知的材料。作为示例，平坦化层300可采用有机材料，例如选自聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂等中的一种以上。平坦化层300还可以采用无机材料，例如选自硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一种以上。平坦化层300可采用本领域已知的方法形成。在平坦化层300的制程中，可采用本领域已知的方法使平坦化层300形成位于孔区HA的开孔。例如，干法刻蚀或湿法刻蚀。
第一电极层510包括多个第一电极，第一电极可以为OLED的阳极或阴极。作为示例，第一电极为OLED的阳极。第一电极可采用本领域已知的材料，例如银；再例如氧化铟锡/银/氧化铟锡的复合层。在一些实施例中，可将第一电极的材料沉积形成膜层；对膜层图案化处理形成图案化的第一电极层510。图案化的第一电极层510还具有位于孔区HA的开孔。图案化处理可采用本领域已知的方法进行，例如干法刻蚀或湿法刻蚀。
像素限定层400位于第一电极层510背向基底100的表面。像素限定层400具有对应第一电极的像素开口，并且还具有位于孔区HA的开孔。像素限定层400可采用本领域已知的材料。例如，聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂等中的一种以上。像素限定层400可采用本领域已知的方法形成。在像素限定层400的制程中，可采用本领域已知的方法使像素限定层400形成像素开口和位于孔区HA的开孔。例如，干法刻蚀或湿法刻蚀。
接下来在像素限定层400背向基底100的表面形成支撑层；支撑层经图案化处理，形成支撑柱SPC和隔断环SR。支撑层可采用本领域已知的材料，例如负性光刻胶。在一些实施例中，支撑层采用负性光刻胶，支撑层的位于过渡区TA的部分经曝光、显影后，可形成呈倒梯形或T形截面结构的隔断环SR。
参照图4，在形成脱附层的步骤S20，在基底100的表面且位于孔区HA形成脱附层700，脱附层700采用升华温度≤200℃的材料。
在一些实施例中，脱附层700的材料的升华温度为40℃～200℃，优选地为45℃～100℃。
作为脱附层700的材料的示例，可包括碘单质、萘、三氧化二砷、五氯化磷、丙烯酰胺、三氯化铝、三氯化铁中的一种或多种，但并不限于此。在一些实施例中，脱附层700的材料选自碘单质和三氯化铁中的一种或多种。优选地，脱附层700的材料具有较高的纯度。例如纯度为95％以上，97％以上，98％以上，99％以上，99.5％以上，99.9％以上，或99.99％以上。脱附层700的材料纯度较高，能够减小杂质对发光结构层520的影响。
脱附层700的厚度满足将基底100与发光结构层520相隔开即可，可以根据实际需求进行选择。例如，脱附层700的厚度可以为20nm～100nm，30nm～70nm，40nm～60nm等。
可采用本领域已知的方法将脱附层700的材料附着于基底100的孔区HA，以形成脱附层700。例如物理气相沉积法等。在一些实施例中，S20可包括：使用掩膜版(Mask)遮挡显示区AA和过渡区TA，将脱附层700的材料蒸镀于基底100的位于孔区HA的表面，形成脱附层700。可以将掩膜版支撑于隔断环SR和支撑柱SPC上，来遮挡显示区AA和过渡区TA。掩膜版的围绕孔区HA的边沿搭接于隔断环SR上。若隔断环SR为多个，掩膜版的围绕孔区HA的边沿可搭接于靠近孔区HA的隔断环SR上。脱附层700的材料经过掩膜版的开口，沉积于隔断环SR所环绕的区域内。
在一些实施例中，隔断环SR的远离基底100的表面与支撑柱SPC的远离基底100的表面位于同一水平面上。这样能够方便隔断环SR和支撑柱SPC支撑掩膜版，以便于形成脱附层的步骤S20的操作。特别地，隔断环SR与支撑柱SPC在同一水平面上，还能够提高孔区HA的盖板支撑强度，从而提高显示面板的整体强度，同时避免孔区HA的盖板发生较大变形而产生的显示不良。
参照图5，在形成发光结构层的步骤S30，在脱附层700背向基底100的一侧形成发光结构层520。发光结构层520位于显示区AA、孔区HA和过渡区TA，且发光结构层520的位于孔区AA的部分被隔断环SR隔断。此处，发光结构层520的位于孔区AA的部分与位于显示区AA的部分可以是完全断开或部分断开的，优选地为完全断开，以便能更容易地除去发光结构层520的位于孔区AA的部分。
发光结构层520包括层叠设置于第一电极层510背向基底100的一侧的有机发光层521和共用有机材料层522。有机发光层521可以位于共用有机材料层522的在层叠方向上的任意一侧，也可以夹于共用有机材料层522之间。
有机发光层521通常位于像素限定层400的像素开口内。有机发光层521可包含本领域已知的有机发光材料，例如蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料等。有机发光层521可采用精细掩膜版蒸镀成膜，由此能方便地形成位于每一像素开口内且独立的发光单元。
共用有机材料层522可包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)、电子阻挡层(EBL)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)中的一种以上。这些膜层均可采用本领域已知的相关材料。共用有机材料层522通常是连续成膜，以便被多个发光单元共用。因此，共用有机材料层522可采用通用掩模版蒸镀成膜。
如图5所示，在发光结构层520成膜制程中，过渡区TA的隔断环SR能够有效地隔断位于孔区HA的膜层。
参照图6，在去除孔区发光结构层的步骤S40，使脱附层700的材料升华，从而除去发光结构层520的位于孔区HA的部分。可以通过加热使脱附层700的材料升华，断开发光结构层520与基底100之间的连接，从而方便地移除发光结构层520的位于孔区HA的部分。
S40可以在真空腔室中进行。作为示例，将形成有发光结构层520的显示面板半成品置于真空腔室，且使显示面板半成品的发光结构层520侧朝下；加热使脱附层700的材料升华，升华材料随抽真空排出腔室，发光结构层520的位于孔区HA的部分能够受重力作用而自动剥离、脱落。
在一些实施例中，隔断环SR的在显示面板的膜层堆叠方向的截面由远离基底100的边缘至靠近基底100的边缘呈减少的宽度梯度。例如，隔断环SR的截面呈倒梯形、或T形。这样的隔断环SR能更好地隔断发光结构层520的位于孔区HA的部分与位于显示区AA的部分的连接，从而能在去除孔区发光结构层的步骤S40更方便地除去发光结构层520的位于孔区HA的部分。
在一些实施例中，在由孔区HA至显示区AA的方向上，过渡区TA可以设置多个隔断环SR，相邻隔断环SR之间彼此相间隔。多个可以是两个以上，例如2～500个，5～100个，10～400个，50～300个，或100～350个等。通过在过渡区TA设置多个隔断环SR，能更好地隔断发光结构层520，从而有利于在去除孔区发光结构层的步骤S40更方便地除去发光结构层520的位于孔区HA的部分。另外，隔断环SR对发光结构层520的隔断效果较好，还能隔断水汽、氧等经孔区HA进入显示区AA的侵入路径，加强阻隔水氧的效果，从而使孔区HA形成更好的封装效果。
在位于发光结构层520背向基底100的一侧还形成第二电极层530。第一电极层510、发光结构层520和第二电极层530形成OLED发光结构。第二电极层530可以为阴极层。第二电极层530可选自铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)或它们的合金等。
第二电极层530可以在去除孔区发光结构层的步骤S40之前或之后形成。在一些实施例中，第二电极层530可以在去除孔区发光结构层的步骤S40之前形成。这样能在去除孔区HA的有机发光层的同时，一并除去孔区HA的第二电极层530，简化工艺制程。在另一实施例中，也可以在去除孔区发光结构层的步骤S40之后形成第二电极层530。可以采用刻蚀法除去孔区HA的第二电极层530，以提高孔区HA的透过率。
在另一些实施例中，隔断环SR还可以与显示面板半成品的其他任意膜层在同一制程中形成。并且可以采用本领域已知的方法使隔断环SR获得目标截面形状。作为一个示例，隔断环SR与源漏极层230在同一制程中形成。具体示例可包括：可将源漏极层230的材料沉积形成膜层；对膜层图案化处理形成图案化的源漏极层230。图案化的源漏极层230具有源级S、漏极D、以及环绕孔区HA的环形部；对环形部进行侧向刻蚀，形成呈梯形或工形截面的隔断环SR。在隔断环SR制程之后形成的膜层的位于孔区HA的部分能够被隔断环SR隔断，同时还被位于孔区HA的脱附层700隔开，从而在使脱附层700的材料升华后，能方便地除去膜层的位于孔区HA的部分。
在另一些实施例中，隔断环SR还可以在单独制程中形成。例如，在基底100或显示面板半成品的其他任意膜层的表面，采用本领域已知的方法形成环绕孔区HA的隔断环SR。在隔断环SR制程之后形成的膜层的位于孔区HA的部分能够被隔断环SR隔断，同时还被位于孔区HA的脱附层700隔开，从而在使脱附层700的材料升华后，能方便地除去膜层的位于孔区HA的部分。
参照图7，在一些实施例中，在去除孔区发光结构层的步骤S40之后，方法还包括：在发光结构层的背向基底100的表面形成封装层800。封装层800层叠于第二电极层530的背向基底100的一侧。在一个示例中，封装层800可以是玻璃。在另一示例中，封装层800可包括有机层、无机层、或其组合。有机层可包括聚烯烃、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂等中的一种以上。无机层可包括硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一种以上。可选地，封装层800为无机层、或无机层与有机层的复合层。
封装层800还可以覆盖过渡区TA和孔区HA，以加强封装效果。封装层800还能填充变宽式隔断环SR的凹部，与隔断环SR形成嵌合连接。这样既能提高封装稳定性。
在一些实施例中，封装层800至少位于孔区HA的部分包含依次层叠的第一子封装层810、光调制层820和第二子封装层830，光调制层820被配置为能提高封装层800的光线透过率。第一子封装层810、光调制层820和第二子封装层830可采用本领域已知的材料。作为示例，第一子封装层810和第二子封装层830选自氮化硅或氧化硅，且第一子封装层810和第二子封装层830的材料不同。光调制层820可选自硅的氮氧化物，或者氮化硅和氧化硅的组合。
参照图8和图9，在一些实施例中，在去除孔区发光结构层的步骤S40之前，还包括：在发光结构层的背向基底100的表面形成薄膜封装层800，薄膜封装层800的位于孔区HA的部分被隔断环SR隔断。之后在S40，可以同步去除封装层800的位于孔区HA的部分，提高透过率的同时，简化工艺制程。薄膜封装层800可采用本领域已知的薄膜封装材料。作为示例，薄膜封装层800可为无机层、或无机层与有机层的复合层。无机层可包含硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一种以上。有机层可包括聚烯烃、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂等中的一种以上。
本发明提供一种显示面板。显示面板根据本发明的制造方法得到，因而能获得较高的屏占比。另外，位于过渡区TA的隔断环SR能够起到支撑盖板的作用，提高显示面板的整体强度，同时避免孔区HA的盖板发生较大变形而产生的显示不良。
本发明提供一种显示装置，其包括根据本发明的显示面板。本发明的显示装置由于采用根据本发明的显示面板，因而能获得较高的屏占比。进一步地，显示装置还能具有较好的显示效果。
显示装置的实施例可以是诸如手机、平板电脑、智能学习机、可摄像式穿戴产品等。
依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板制造方法，所述显示面板包括显示区、孔区、以及位于所述显示区和所述孔区之间的过渡区，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供显示面板半成品，所述显示面板半成品包括基底和设置于所述基底的表面且位于所述过渡区的隔断环，所述隔断环围绕所述孔区设置；
在所述基底的表面且位于所述孔区形成脱附层，所述脱附层采用升华温度≤200℃的材料；
在所述脱附层背向所述基底的一侧且位于所述显示区、孔区和过渡区形成发光结构层，所述发光结构层的位于所述孔区的部分被所述隔断环隔断；
使所述脱附层的材料升华，从而除去所述发光结构层的位于所述孔区的部分。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述脱附层的材料的升华温度为40℃～200℃。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述脱附层的材料选自碘单质、萘、三氧化二砷、五氯化磷、丙烯酰胺、三氯化铝、三氯化铁中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供显示面板半成品，包括：
在基底的表面依次形成像素电路层、平坦化层、第一电极层和像素限定层，并在所述孔区形成由所述像素限定层的背向所述基底的表面朝向所述基底延伸的盲孔；
在所述像素限定层的背离所述基底的表面形成位于所述过渡区的所述隔断环、以及位于所述显示区的支撑柱。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述基底的表面且位于所述孔区形成脱附层，包括：
使掩膜版遮挡所述显示区和所述过渡区；
将所述脱附层的材料蒸镀于所述基底的位于所述孔区的表面，形成所述脱附层。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制造方法，其特征在于，所述隔断环的在所述显示面板的膜层堆叠方向的截面由远离所述基底的边缘至靠近所述基底的边缘呈减少的宽度梯度；
优选地，所述隔断环的所述截面呈倒梯形、或T形。
7.根据权利要求1-5任一项所述的制造方法，其特征在于，在由所述孔区至所述显示区的方向上，所述过渡区间隔设置有多个所述隔断环。
8.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述隔断环的远离所述基底的表面与所述支撑柱的远离所述基底的表面位于同一水平面上。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在使所述脱附层的材料升华的步骤之后，还包括：在所述发光结构层的背向所述基底的表面形成封装层；
优选地，所述封装层至少位于所述孔区的部分包含依次层叠的第一子封装层、光调制层和第二子封装层，所述光调制层被配置为能提高所述封装层的光线透过率；
或者，在使所述脱附层的材料升华的步骤之前，还包括：在所述发光结构层的背向所述基底的表面形成薄膜封装层，所述薄膜封装层的位于所述孔区的部分被所述隔断环隔断。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，使所述脱附层的材料升华，包括：
将形成有发光结构层的所述显示面板半成品置于真空腔室，且使所述显示面板半成品的所述发光结构层侧朝下；
加热使所述脱附层的材料升华，升华材料随抽真空排出所述腔室，所述发光结构层受重力作用脱落。
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