CN111933825A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种显示面板及其制备方法。该显示面板的制备方法，通过在透光区形成支撑结构并去除，可以去除形成于透光区的有机发光层和阴极层，从而提升透光区的光透过率。同时，支撑结构仅形成于阵列基板的表面，可以在去除支撑结构的同时避免破坏阵列基板，便于支撑结构的去除。在去除支撑结构前，形成覆盖阴极层的第一封装层，可以在去除支撑结构时保护有机发光层，避免空气中的水氧破坏有机发光层，从而提升显示面板的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及显示面板及其制备方法。
背景技术
在显示技术领域，全面屏显示面板具备较大屏占比和超窄边框的特性，可以大大提高用户的视觉效果，从而受到了广泛的关注。
通常将全面屏显示面板划分为显示区和透光区。将前置摄像头设置于在全面屏显示面板的透光区下方，以提高屏占比。
发明人在实际工艺制备的过程中发现：全面屏显示面板中透光区的透光率较差。
发明内容
基于此，有必要针对传统全面屏显示面板中透光区的透光率较差的问题，提供一种显示面板及其制备方法。
一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和与所述显示区邻接的透光区，所述显示面板的制备方法包括：
提供阵列基板，所述阵列基板位于所述显示区和所述透光区；
在所述阵列基板上形成支撑结构，所述支撑结构位于所述透光区；
在所述阵列基板和所述支撑结构上形成有机发光层，及覆盖所述有机发光层的阴极层；
在所述阴极层上形成第一封装层；
去除所述支撑结构，以去除形成于所述支撑结构上的所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层。
在其中一个实施例中，所述阵列基板包括依次层叠的绝缘层、平坦化层和像素限定层；
所述去除所述支撑结构，以去除形成于所述支撑结构上的所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层之后，还包括：
去除位于所述透光区的所述平坦化层和所述像素限定层。
在其中一个实施例中，所述去除所述支撑结构，以去除形成于所述支撑结构上的所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层之后，还包括：
形成位于所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上的封装结构。
在其中一个实施例中，所述形成位于所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上的封装结构，包括：
形成第二封装层，位于所述透光区的所述阵列基板上；
形成覆盖于所述第一封装层和所述第二封装层上的第三封装层，以及覆盖所述第三封装层的第四封装层。
在其中一个实施例中，所述形成位于所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上的封装结构，包括：
形成第二封装层，覆盖所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上；
形成覆盖所述第二封装层的第三封装层，以及覆盖所述第三封装层的第四封装层。
在其中一个实施例中，所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层在所述支撑结构的边缘断裂，以暴露所述支撑结构的侧面。
在其中一个实施例中，所述去除所述支撑结构，包括：
沿所述支撑结构与所述阵列基板的连接位置，环绕所述支撑结构涂覆剥离溶液，以剥离所述支撑结构。
在其中一个实施例中，所述支撑结构沿所述显示面板的层叠方向的剖面宽度自靠近所述阵列基板的一侧向远离所述阵列基板的一侧递增；
沿所述显示面板的层叠方向，所述支撑结构在所述阵列基板上的高度大于所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层的厚度之和。
一种显示面板，所述显示面板包括显示区和与所述显示区邻接的透光区，所述显示面板包括：
阵列基板，位于所述显示区和所述透光区；
有机发光层，设置于所述显示区的所述阵列基板上并避位所述透光区；
阴极层，设置于所述有机发光层上并避位所述透光区；
第一封装层，设置于所述阴极层上并避位所述透光区。
在其中一个实施例中，所述显示面板还包括：
第二封装层，至少覆盖所述透光区的所述阵列基板的表面。
上述显示面板的制备方法，用于制备包括显示区和透光区的显示面板。该制备方法包括：提供阵列基板，阵列基板位于显示区和透光区；在透光区的阵列基板上形成支撑结构；在阵列基板和支撑结构上形成有机发光层，以及覆盖有机发光层的阴极层；在阴极层上形成第一封装层；去除支撑结构，从而去除位于支撑结构上的有机发光层、阴极层和第一封装层。该显示面板的制备方法，通过在透光区形成支撑结构并去除，可以去除形成于透光区的有机发光层和阴极层，从而提升透光区的光透过率。同时，支撑结构仅形成于阵列基板的表面，可以在去除支撑结构的同时避免破坏阵列基板，便于支撑结构的去除。在去除支撑结构前，形成覆盖阴极层的第一封装层，可以在去除支撑结构时保护有机发光层，避免空气中的水氧破坏有机发光层，从而提升显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一个实施例中阵列基板的区域划分示意图；
图2为本申请一个实施例中阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本申请一个实施例中显示面板的制备方法的部分工艺示意图；
图4为本申请另一个实施例中显示面板的制备方法的部分工艺示意图；
图5为本申请又一个实施例中显示面板的制备方法的部分工艺示意图；
图6为本申请一个实施例中显示面板的剖面结构示意图；
图7为本申请另一个实施例中显示面板的剖面结构示意图；
图8为本申请又一个实施例中显示面板的剖面结构示意图；
图9为本申请又一个实施例中显示面板的剖面结构示意图；
图10为本申请又一个实施例中显示面板的剖面结构示意图。
其中，各附图标号所代表的含义分别为：
10、显示面板；
12、显示区；
14、透光区；
100、阵列基板；
110、驱动电路；
120、衬底；
130、绝缘层；
132、第一绝缘层；
134、第二绝缘层；
136、第三绝缘层；
140、平坦化层；
150、像素限定层；
160、阳极；
210、支撑结构；
220、有机发光层；
230、阴极层；
240、第一封装层；
250、封装结构；
252、第二封装层；
254、第三封装层；
256、第四封装层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
显示面板包括邻接的显示区和透光区。显示面板中影响透光区的透光率的主要膜层是阴极层。本申请提供一种显示面板及其制备方法，该显示面板的制备方法可以去除位于显示面板的透光区的阴极层，透光区可以是盲孔，从而提升透光区的透光率。下面结合附图对本申请的显示面板及其制备方法进行描述：
在一个实施例中，本申请提供一种显示面板的制备方法。如图1所示，该制备方法所制备的显示面板10包括显示区12和透光区14。显示区12和透光区14邻接。其中显示区12是指显示面板10工作时用于显示图像的区域。透光区14是指可在显示面板10的非显示面集成感光器件，如摄像头等，感光器件可接收自透光区透过的外部光线，实现感光的功能，如摄像头即可显示拍照的功能。本申请的显示面板的制备方法包括如下步骤：
S100，提供阵列基板100，阵列基板100位于显示区12和透光区14。
具体的，显示面板10的工作原理是：通过驱动电路110驱动像素单元，使像素单元电致发光，多个发光的像素单元进行组合即可形成图像。阵列基板100是指形成有驱动电路110的基板。
由上述描述已知，显示面板10包括邻接的显示区12和透光区14。对应于显示面板10的区域划分，如图2所示，阵列基板100包括位于显示区12的部分和位于透光区14的部分。可以理解，阵列基板100工作时，阵列基板100在显示区12的部分需要提供电信号以驱动位于阵列基板100上的像素单元发光，而阵列基板100在透光区14的部分不需要提供电信号。换句话说，阵列基板100在显示区12的部分需要设有驱动电路110，而在透光区14的部分不需设有驱动电路110。在本申请的实施例中，阵列基板100在透光区14的部分不设有驱动电路110，以避免驱动电路110对穿透透光区14的光线的折射和阻挡作用。
图2为阵列基板100的纵向剖面示意图，即阵列基板100的层级结构示意图。阵列基板100包括衬底120及位于衬底120上的驱动电路110。衬底120用于承载驱动电路110。衬底120可以是柔性衬底或刚性衬底的任意一种。柔性衬底可以柔性聚酰亚胺膜层，刚性衬底可以是刚性玻璃衬底。驱动电路110一般由两个以上的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和一个以上的电容组成。
在图2所述的实施例中，仅示例性的画出了组成驱动电路110的一个薄膜晶体管和一个电容。一个薄膜晶体管由栅极、源极、漏极，以及与源极和漏极连接的多晶硅组成。驱动电路110还可以与阳极160电性连接。像素单元(图中未示出)可以设置于阳极160上。驱动电路110可以通过阳极160向设置于阳极160上的像素单元提供驱动电流，从而使得像素单元发光。
如图2所示，阵列基板100还包括第一绝缘层132、第二绝缘层134、第三绝缘层136、平坦化层140和像素限定层150。
第一绝缘层132，形成于薄膜晶体管的栅极与多晶硅之间，用于隔离栅极与多晶硅。第二绝缘层134，形成于薄膜晶体管的栅极与薄膜晶体管的源极和漏极之间，用于隔离栅极和源极与漏极。第二绝缘层134还形成于电容的两个极板之间。第三绝缘层136，形成于源极和漏极远离衬底120的一侧。平坦化层140，形成于第三绝缘层136远离衬底120的一侧，用于提供一个远离衬底120的平坦的表面。阳极160形成于平坦化层140上，从而便于后续像素单元的沉积。形成于平坦化层140上的阳极160还与薄膜晶体管电连接。像素限定层150形成于平坦化层140远离衬底120的平坦表面，像素限定层150一般具有多个暴露阳极160的像素开口。该像素开口用于容纳像素单元。
在下述实施例中，为便于描述，会将第一绝缘层132、第二绝缘层134和第三绝缘层136统称为绝缘层130。在图2所示的实施例中，阵列基板100在透光区14的部分不具有驱动电路110，但是具有绝缘层130、平坦化层140和像素限定层150。绝缘层130位于透光区14的厚度和位于显示区12的厚度可能不同。平坦化层140远离衬底120的表面可以是平坦的。平坦化层140远离层衬底120的表面在显示区12和透光区14可以位于同一水平面。
S200，在阵列基板100上形成支撑结构210，支撑结构210位于透光区14。
在本实施例中，阵列基板100在透光区14的部分包括依次层叠的衬底120、绝缘层130、平坦化层140和像素限定层150。本步骤中，在阵列基板100的像素限定层150远离衬底120的表面上形成支撑结构210。如图3所示，可以在阵列基板100位于透光区14的表面上形成支撑结构210。
S300，在阵列基板100和支撑结构210上形成有机发光层220，及覆盖有机发光层220的阴极层230。
具体的，在显示面板10的制备过程中，可以通过掩膜版进行蒸镀从而形成显示面板10的各膜层结构。掩膜版一般包括精密掩膜版和公共掩膜版两种。精密掩膜版是形成精密图形所需要的掩膜版，通过精密掩膜版可以形成图案化的膜层。例如像素单元的制备即可通过精密掩膜版蒸镀形成。公共掩膜版是用于形成覆盖范围等于显示面板10范围的整面膜层的掩膜版。在此，阴极层230即可通过公共掩膜版蒸镀形成。
在上述步骤S200中，已经在阵列基板100位于透光区14的表面形成了支撑结构210。如图4所示。在图4所示的实施例中，阵列基板100仅示出了平坦化层140以上的部分。形成有机发光层220后，即可通过公共掩膜版蒸镀形成阴极层230。阴极层230覆盖有机发光层220。
有机发光层220的定义，以及有机发光层220和像素单元的关系描述如下。有机发光层220可以包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、有机像素层、电子传输层和电子注入层(图中未示出)。空穴注入层和空穴传输层用于传输空穴。电子传输层和电子注入层用于传输电子。阴极层230覆盖于电子注入层远离阳极160的表面。当驱动电路110工作时，空穴注入层和空穴传输层中的空穴向有机像素层移动，电子传输层和电子注入层中的电子向有机像素层移动。电子和空穴在有机像素层内结合，即可发光。
由此可见，发光是由有机像素层实现的。由上述描述已知，显示面板10需要具有若干个像素单元，每个像素单元独立发光，多个发光的像素单元组合形成图像显示。一般来说，位于每一个阳极160上的像素单元均包括空穴注入层、空穴传输层、有机像素层、电子传输层和电子注入层。因此，为便于制备，可以用公共掩膜版制备整层的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。而为了实现每个像素单元的独立发光，因此，需要通过精密掩膜版制备对应每一个阳极160的有机像素层。换句话说，有机发光层220包括整面的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层，以及位于空穴传输层和电子传输层之间的若干个独立的有机像素层。若干个有机像素层位于同一水平面，且每个有机像素层在纵向位置上对应一个阳极160。一个阳极160上方的空穴注入层、空穴传输层、有机像素层、电子传输层和电子注入层构成一个像素单元。在本申请的各实施例中，有机发光层220覆盖支撑结构210的部分，仅包括有机发光层220中的空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。
S400，在阴极层230上形成第一封装层240。
形成覆盖有机发光层220的阴极层230后，即可形成覆盖阴极层230的第一封装层240。可以通过公共掩膜版蒸镀无机材料，形成覆盖阴极层230的第一封装层240。此时，第一封装层240包括对应于阵列基板100位于显示区12的部分，以及对应于支撑结构210的部分，如图5所示。在图5所示的实施例中，同样仅示出了阵列基板100位于平坦化层140以上的部分。
S500，去除支撑结构210，以去除形成于支撑结构210上的有机发光层220、阴极层230和第一封装层240。
由图4及图5可以看出，由于支撑结构210的存在，在形成有机发光层220、阴极层230和第一封装层240时，支撑结构210将有机发光层220划分为对应显示面板10的显示区12和对应显示面板10的透光区14两部分。同样的，支撑结构210也将阴极层230划分为对应显示面板10的显示区12和对应显示面板10的透光区14两部分。支撑结构210也将第一封装层240划分为对应显示面板10的显示区12和对应显示面板10的透光区14两部分。由此可见，去除支撑结构210，即可同时将位于支撑结构210上的有机发光层220、阴极层230和第一封装层240去除。去除支撑结构210后的示意图如图6所示。此时，显示面板10的透光区14不具有有机发光层220、阴极层230和第一封装层240。为便于理解本申请，图7示出了步骤S500之后，本申请的显示面板的制备方法所制备的显示面板10的完整示意图。
上述显示面板的制备方法，通过在透光区14形成支撑结构210并去除，可以去除形成于透光区14的有机发光层220和阴极层230，从而提升透光区14的光透过率。同时，支撑结构210仅形成于阵列基板100的表面，可以在去除支撑结构210的同时避免破坏阵列基板100，便于支撑结构210的去除。在去除支撑结构210前，形成覆盖阴极层230的第一封装层240，可以在去除支撑结构210时保护有机发光层220，避免空气中的水氧破坏有机发光层220，从而提升显示面板10的显示效果。该显示面板的制备方法，不需要对制备阴极层230的掩膜版进行图形化即可去除位于透光区14的阴极层230，提升了制备工艺的可行性。在透光区14仅去除阴极层230形成盲孔，可以减小显示区12和透光区14的高度差，从而避免显示区12和透光区14的高度差过大影响显示面板10的使用效果。
在一个实施例中，如上所述，阵列基板100在透光区14包括依次层叠的绝缘层130、平坦化层140和像素限定层150。此时，步骤S500之后，还可以包括：
S600，去除位于透光区14的平坦化层140和像素限定层150。
如图8所示，在去除支撑结构210后，若想进一步提升显示面板10在透光区14的透光率，可以去除平坦化层140位于透光区14的部分和像素限定层150位于透光区14的部分。一般来说，阵列基板100位于透光区14的绝缘层130也可以去除，从而提高显示面板10的透光率。然而去除绝缘层130后，阵列基板100在显示区12和透光区14的高度差较大，不利于显示面板10的正常工作，且去除绝缘层130的工艺难度较大。因此在一个优选的实施例中，本申请的显示面板的制备方法，仅去除透光区14的平坦化层140和像素限定层150。去除透光区14的平坦化层140和像素限定层150后，即在显示面板10上形成了位于透光区14的盲孔。
在一个实施例中，本申请的显示面板的制备方法，步骤S500之后还可以包括：
S700，形成位于第一封装层240和透光区14的阵列基板100上的封装结构250。
具体的，如图7所示，在阵列基板100上依次形成整面的有机发光层220、阴极层230和第一封装层240，并去除支撑结构210后，所得的显示面板10远离衬底120的表面包括：第一封装层240，及阵列基板100位于透光区14的表面。其中，阵列基板100位于透光区14的表面即为像素限定层150位于透光区14的表面。在本实施例中，可以进一步对显示面板10进行封装，从而避免空气中的水氧侵入显示面板10，破坏发光像素。由此，可以形成覆盖第一封装层240和阵列基板100位于透光区14的表面的封装结构250。即形成覆盖第一封装层240和透光区14的像素限定层150的表面的封装结构250。形成封装结构250后，显示面板10的剖面结构示意图可以如图9或图10所示。在图9和图10所示的实施例中，同样仅示出了阵列基板100位于平坦化层140以上的部分。
下面结合形成封装结构250的不同方法，对本申请的显示面板的制备方法进行解释说明。
在一个实施例中，步骤S700具体可以包括：
S712，形成第二封装层252，位于透光区14的阵列基板100上。
即仅在阵列基板100位于透光区14的部分上形成第二封装层252。该第二封装层252用于填补步骤S500之后，第一封装层240形成的空缺。一般来说，该第二封装层252可以和第一封装层240采用同种材质制备。例如，第一封装层240为无机层，第二封装层252也可以是无机层，且具有高的透光率。。
S714，形成覆盖于第一封装层240和第二封装层252上的第三封装层254，以及覆盖第三封装层254的第四封装层256。
具体的，在步骤S712中，所形成的第二封装层252仅覆盖阵列基板100在透光区14的表面。而由上述描述可知，第一封装层240仅覆盖阵列基板100在显示区12的表面。由此，在形成第二封装层252后，第二封装层252和第一封装层240即可组成覆盖范围等于显示面板10范围的封装层。为进一步对显示面板10进行封装，可以在第一封装层240和第二封装层252上形成覆盖第一封装层240和第二封装层252的第三封装层254，再在第三封装层254上形成覆盖第三封装层254的第四封装层256。这里的第三封装层254可以是有机层。第四封装层256可以是无机层。
此时，步骤S700形成封装结构250后，显示面板10的剖面结构示意图如图9所示。
在另一个实施例中，步骤S700具体还可以包括：
S722，形成第二封装层252，第二封装层252覆盖于第一封装层240和透光区14的阵列基板100上。
具体的，由上述描述可知，第一封装层240仅覆盖阵列基板100位于显示区12的表面。此时，仅具有第一封装层240的显示面板10在远离衬底120的一侧所裸露的表面包括：第一封装层240的表面，以及阵列基板100位于透光区14的表面。在本步骤中，可以形成第二封装层252。第二封装层252的覆盖范围等于显示面板10的范围。即第二封装层252覆盖第一封装层240和阵列基板100位于透光区14的表面。一般来说，该第二封装层252可以和第一封装层240采用同种材质制备。例如，第一封装层240为无机层，第二封装层252也可以是无机层。
S724，形成覆盖第二封装层252的第三封装层254，以及覆盖第三封装层254的第四封装层256。
为进一步对显示面板10进行封装，可以在第二封装层252上形成整面的覆盖第二封装层252的第三封装层254，再在第三封装层254上形成覆盖第三封装层254的第四封装层256。这里的第三封装层254可以是有机层。第四封装层256可以是无机层。
此时，步骤S700形成封装结构250后，显示面板10的剖面结构示意图如图10所示。
上述描述仅从两个具体的实施例对形成封装结构250的过程进行说明。在其他实施例中，也可以不制备为无机层的第二封装层252，直接在步骤S500后制备整面的为有机层的第三封装层254和为无机层的第四封装层256。不再赘述。
在一个实施例中，如图5所示，有机发光层220、阴极层230和第一封装层240在支撑结构210的边缘断裂，以暴露支撑结构210的侧面。
具体的，在步骤S500中，需要去除支撑结构210。在此，为便于步骤S500的进行，在步骤S300及步骤S400中，即在形成有机发光层220、阴极层230和第一封装层240时，可以使有机发光层220、阴极层230和第一封装层240在支撑结构210的边缘断裂，从而暴露支撑结构210的侧面。以此，即可便于从支撑结构210的侧面去除支撑结构210。
此时，步骤S500中的去除支撑结构210，具体可以是：
沿支撑结构210与阵列基板100的连接位置，环绕支撑结构210涂覆剥离溶液，以剥离支撑结构210。
具体的，采用局部剥离技术剥离支撑结构210。剥离支撑结构210时，可以沿支撑结构210与阵列基板100的连接处，即支撑结构210与像素限定层150的连接处环绕支撑结构210涂覆剥离溶液，从而剥离支撑结构210。在本实施例中，采用局部剥离技术剥离支撑结构210，可以使剥离溶液仅涂覆于支撑结构210与阵列基板100的连接处，从而避免剥离溶液影响显示区12的正常工作。
在一个实施例中，为使有机发光层220、阴极层230和第一封装层240在支撑结构210的边缘断裂，支撑结构210的形状可以如图5所示。
具体来说，支撑结构210沿显示面板10的层叠方向的剖面宽度自靠近阵列基板的一侧向远离阵列基板的一侧逐渐递增。此时，支撑结构210的纵向剖面可以呈上宽下窄的梯形。同时，支撑结构210在阵列基板100上的高度大于有机发光层220、阴极层230和第一封装层240的厚度之和。
沿显示面板10的层叠方向，支撑结构210的剖面指支撑结构210垂直于阵列基板100的剖面。上宽下窄中的“上”指显示面板10的发光面，即支撑结构210远离衬底120的一侧；“下”指显示面板10的背光面，即支撑结构210靠近衬底120的一侧。在此，支撑结构210的纵向剖面呈上宽下窄的梯形，即指支撑结构210可以呈倒立的圆台或棱台。支撑结构210在阵列基板100上的高度指支撑结构210从“下”到“上”的高度。即沿阵列基板100的层叠方向，支撑结构210的高度。在本实施例中，支撑结构210的高度大于有机发光层220、阴极层230和第一封装层240的厚度之和，可以使有机发光层220、阴极层230和第一封装层240在支撑结构210的边缘断裂。
进一步的，上述显示面板的制备方法，其步骤S200具体可以包括：
在阵列基板100远离衬底120的表面涂覆光刻胶，对光刻胶进行曝光，形成位于透光区14的支撑结构210。
具体的，可以在阵列基板100远离衬底120的表面涂覆负性光刻胶。负性光刻胶的特性是：对负性光刻胶进行曝光时，负性光刻胶被曝光的区域得以保留，负性光刻胶未曝光的区域去除。由于对光刻胶进行曝光时，曝光的光束宽度在光刻胶内部会逐渐减小。因此，可以采用负性光刻胶制备支撑结构210。负性光刻胶曝光后，保留下来的部分形成如图5所示的支撑结构。
在一个实施例中，本申请还提供一种显示面板10，由上述任意一个实施例中的显示面板的制备方法制备得到。如图7所示，该显示面板10包括：阵列基板100、有机发光层220、阴极层230和第一封装层240。
具体的，显示面板10包括显示区12和透光区14。显示区12和透光区14邻接。阵列基板100包括位于显示区12的部分和位于透光区14的部分。有机发光层220覆盖于阵列基板100的显示区12。阴极层230覆盖于有机发光层220远离阵列基板100的一侧。第一封装层240覆盖于阴极层230远离有机发光层220的一侧。在本实施例中，有机发光层220、阴极层230和第一封装层240均设有暴露透光区14的开口，以提升透光区14的透光率。
该显示面板10在透光区14的位置去除了阴极层230和有机发光层220，从而形成盲孔，可以提升显示面板10在透光区14的透光率。
在一个实施例中，如图9或图10所示，本申请的显示面板10，还包括第二封装层252。
具体的，第二封装层252至少覆盖透光区14的阵列基板100在表面。
在一个具体的实施例中，如图9所示，第二封装层252仅覆盖于阵列基板100位于透光区14的表面。此时，显示面板10还可以包括第三封装层254和第四封装层256。其中，第三封装层254覆盖第一封装层240和第二封装层252。第四封装层256覆盖第三封装层254。
在另一个具体的实施例中，如图10所示，第二封装层252覆盖第一封装层240和阵列基板100位于透光区14的表面。此时，显示面板10还可以包括第三封装层254和第四封装层256。其中，第三封装层254覆盖第二封装层252。第四封装层256覆盖第三封装层254。
在一个实施例中，如图8所示，阵列基板100包括层叠的绝缘层130、平坦化层140和像素限定层150。其中平坦化层140和像素限定层150在透光区14形成镂空区域。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和与所述显示区邻接的透光区，其特征在于，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板位于所述显示区和所述透光区；
在所述阵列基板上形成支撑结构，所述支撑结构位于所述透光区；
在所述阵列基板和所述支撑结构上形成有机发光层，及覆盖所述有机发光层的阴极层；
在所述阴极层上形成第一封装层；
去除所述支撑结构，以去除形成于所述支撑结构上的所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括依次层叠的绝缘层、平坦化层和像素限定层；
所述去除所述支撑结构，以去除形成于所述支撑结构上的所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层之后，还包括：
去除位于所述透光区的所述平坦化层和所述像素限定层。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述去除所述支撑结构，以去除形成于所述支撑结构上的所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层之后，还包括：
形成位于所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上的封装结构。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上的封装结构，包括：
形成第二封装层，位于所述透光区的所述阵列基板上；
形成覆盖于所述第一封装层和所述第二封装层上的第三封装层，以及覆盖所述第三封装层的第四封装层。
5.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上的封装结构，包括：
形成第二封装层，覆盖于所述第一封装层和所述透光区的所述阵列基板上；
形成覆盖所述第二封装层的第三封装层，以及覆盖所述第三封装层的第四封装层。
6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层在所述支撑结构的边缘断裂，以暴露所述支撑结构的侧面。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述去除所述支撑结构，包括：
沿所述支撑结构与所述阵列基板的连接位置，环绕所述支撑结构涂覆剥离溶液，以剥离所述支撑结构。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述支撑结构沿所述显示面板的层叠方向的剖面宽度自靠近所述阵列基板的一侧向远离所述阵列基板的一侧递增；
沿所述显示面板的层叠方向，所述支撑结构在所述阵列基板上的高度大于所述有机发光层、所述阴极层和所述第一封装层的厚度之和。
9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和与所述显示区邻接的透光区，包括：
阵列基板，位于所述显示区和所述透光区；
有机发光层，设置于所述显示区的所述阵列基板上并避位所述透光区；
阴极层，设置于所述有机发光层上并避位所述透光区；
第一封装层，设置于所述阴极层上并避位所述透光区。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第二封装层，至少覆盖所述透光区的所述阵列基板的表面。
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