CN110767846A - 显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板及其制备方法显示面板、显示装置，该显示面板制备方法包括：在制备像素界定层后，在透明区制备一层与像素界定层具有一定间隙的辅助层，然后在像素界定层和辅助层上形成发光功能层和阴极层，最后剥离辅助层，即可将透明区的发光功能层和阴极层同时剥离掉。该方法减少了透明区中的发光功能层和阴极层，减少了膜层的数量，尤其去除了对光线透过率影响较大的阴极层，大大提高了透明区的光线透过率，提高了透明显示的效果。

Description

显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板及其制备方法，还涉及包括该显示面板的显示装置。

背景技术

目前，车载、智能家居、商店橱窗等多种领域对透明显示的需求日增，透明有机电致发光显示面板的开发得到越来越多的重视。

透明有机电致发光显示面板的子像素区域包括第一区域和第二区域，但在制备透明有机电致发光显示面板时，由于工艺限制，发光功能层和阴极层等膜层都只能做成一整张膜层，也就是说第二区域也存在这些膜层，但这些膜层对透光度有很大影响，在一定程度上降低了面板的透光度，影响了面板的透明显示效果。

需要说明的是，在上述背景技术部分发明的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请的目的在于提供一种显示面板及其制备方法，以及包括该显示面板的显示装置，解决现有显示面板透光度不高的问题。

根据本申请的一个方面，提供一种显示面板的制备方法，包括：

提供一透明基板，所述透明基板划分有多个子像素区域，所述子像素区域具有第一区域和第二区域；

在所述透明基板上形成位于所述第一区域的像素界定层和位于所述第二区域的辅助层，所述辅助层与所述像素界定层之间具有间隙；

形成发光功能层，所述发光功能层包括覆盖所述像素界定层的第一发光功能层和覆盖所述辅助层的第二发光功能层；

在所述发光功能层上形成电极层，所述阴极层包括覆盖所述像素界定层的第一电极层和覆盖所述辅助层的第二电极层；

剥离所述辅助层、第二发光功能层和第二电极层。

在本申请的一种示例性实施例中，所述在透明基板上形成位于所述第一区域的像素界定层和位于所述第二区域的辅助层，包括：

在所述透明基板上形成图案化的第一光刻胶，并在第一温度下固化所述第一光刻胶，以形成所述像素界定层，所述第一温度不低于所述第一光刻胶的固化温度；

在所述透明基板上形成图案化的第二光刻胶，并在第二温度下固化所述第二光刻胶，以形成所述辅助层；其中，所述第二光刻胶的固化温度高于所述第一光刻胶的固化温度，所述第二温度高于所述第一光刻胶的固化温度且低于所述第二光刻胶的固化温度。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第一光刻胶的固化温度为85-100℃，所述第一温度为85-100℃，所述第二光刻胶的固化温度为200-250℃，所述第二温度为100-200℃。

在本申请的一种示例性实施例中，所述第二光刻胶为负性光刻胶。

在本申请的一种示例性实施例中，所述像素界定层的厚度为1-2μm，所述辅助层的厚度为3.5μm-4.0μm。

在本申请的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：在所述电极层上形成封装层，所述封装层包括覆盖所述像素界定层的第一封装层和覆盖所述辅助层的第二封装层；其中，剥离所述辅助层、第二发光功能层和第二电极层的同时，还剥离所述第二封装层。

根据本申请的一个方面，提供一种显示面板，包括多个子像素区域，所述子像素区域具有第一区域和第二区域，所述显示面板包括：

透明基板；

像素界定层，设于所述透明基板的所述第一区域；

发光功能层，所述发光功能层在所述透明基板的投影位于所述第一区域内且不与所述第二区域重叠；

电极层，覆盖所述发光功能层，所述电极层在所述透明基板的投影位于所述第一区域内且不与所述第二区域重叠。

在本申请的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：封装层，覆盖所述电极层，所述封装层在所述透明基板的投影位于所述第一区域内且不与所述第二区域重叠。

在本申请的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：电容，由透明材料制成，且至少部分所述电容位于所述第二区域。

根据本申请的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。

本申请在制备透明显示面板的像素界定层后，在透明区制备一层与像素界定层具有一定间隙的辅助层，然后在形成发光功能层和阴极层时，会在辅助层与像素界定层之间的间隙处断开，最后剥离辅助层，即可将透明区的发光功能层和阴极层同时剥离掉。该方法减少了透明区中的发光功能层和阴极层，减少了膜层的数量，尤其去除了对光线透过率影响较大的阴极层，大大提高了透明区的光线透过率，提高了透明显示的效果。同时，该方法实现了对发光功能层和阴极层的图案化，尤其适合用于较大尺寸的显示面板制备，突破了大尺寸面板发光功能层和阴极层无法在透明区图案化的技术难点。并且，该方法在减少透明区膜层数量的同时，不影响发光区的膜层结构，保证了良好的发光效率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有透明显示面板的发光区和透明区的结构示意图；

图2为本申请实施方式的显示面板制备方法流程图；

图3为本申请实施方式的显示面板制备薄膜晶体管的示意图；

图4为本申请实施方式的显示面板制备阳极层的示意图；

图5为本申请实施方式的显示面板制备像素界定层的示意图；

图6为本申请实施方式的显示面板制备辅助层的示意图；

图7为本申请实施方式的显示面板制备发光功能层、阴极层和封装层的示意图；

图8为本申请实施方式的剥离辅助层后的结构示意图。

图中：1、透明基板；100、发光区；110、薄膜晶体管；120、阳极层；121、Mo/AlNd层；122、ITO层；130、像素界定层；140、发光功能层；141、第一发光功能层；142、第二发光功能层；150、阴极层；151、第一阴极层；152、第二阴极层；160、封装层；161、第一封装层；162、第二封装层；200、透明区；210、缓冲层；220、钝化层；240、有源层；250、辅助层。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本申请将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

相关技术中，如图1所示，在制备透明有机电致发光显示面板时，现在透明基板1上依次形成薄膜晶体管110、阳极层120，再在阳极层120上利用像素界定层130定义出发光区100和透明区200，然后在发光区100上形成发光功能层140、阴极层150和封装层160等。由于工艺限制，目前制备的发光功能层140、阴极层150和封装层160无法图案化，都只能做成一整张膜层，即同时覆盖发光区100和透明区200。而膜层数量越多，对透明区200的透光度影响越大。尤其是阴极层的材料通常为不透光的金属材料，对于顶发射器件来说，为了降低对光线的遮挡，只能尽可能做的非常薄，对工艺是很大的考验，而且仍然对透光度有很大影响。

基于此，本申请实施方式中提供了一种显示面板的制备方法，可以减少透明区200的膜层，以提高透光度。以顶发射型透明有机电致发光显示面板为例，如图2-图8所示，该顶发射型显示面板的制备方法包括：

步骤S100，提供一透明基板1，基板划分有多个子像素区域，子像素区域具有发光区100(第一区域)和透明区200(第二区域)。

步骤S200，在透明基板1上形成位于定义发光区100的像素界定层130和位于透明区200的辅助层250，辅助层250与像素界定层130之间具有间隙。

步骤S300，形成发光功能层，发光功能层包括覆盖像素界定层130的第一发光功能层141和覆盖辅助层250的第二发光功能层142上。

步骤S400，在发光功能层上形成阴极层，阴极层包括覆盖像素界定层130的第一阴极层151和覆盖辅助层250的第二阴极层152。

步骤S500，剥离辅助层250、第二发光功能层142和第二阴极层152。

本实施方式在制备用于定义子像素区域发光区100和透明区200的像素界定层130后，在透明区200制备一层辅助层250，并使辅助层250与像素界定层130之间具有一定间隙，然后在两个像素界定层130上形成发光功能层和阴极层时，发光功能层和阴极层材料延展性和爬坡性不佳，会在辅助层250与像素界定层130之间的间隙处断开，即在发光区100和透明区200之间断开，最后，剥离位于透明区200的辅助层250，即可将辅助层250上的第二发光功能层142和第二阴极层152同时剥离掉。

该方法减少了透明区中的发光功能层和阴极层，减少了膜层的数量，尤其去除了对光线透过率影响较大的阴极层，大大提高了透明区的光线透过率，提高了透明显示的效果。同时，该方法实现了对发光功能层和阴极层的图案化，尤其适合用于较大尺寸的显示面板制备，突破了大尺寸面板发光功能层和阴极层无法在透明区图案化的技术难点。并且，该方法在减少透明区膜层数量的同时，不影响发光区的膜层结构，保证了良好的发光效率。

下面对本申请实施方式的显示面板制备方法进行详细说明：

步骤S100中，透明衬底可以为任意呈透明的基板，例如玻璃基板、石英基板、塑胶基板或其他透明的硬质或者可挠式基板等。

本领域技术人员可以理解的是，如图3所示，在形成发光器件之前，需要先在透明基板1上形成薄膜晶体管110。具体方法根据薄膜晶体管110的结构而定，例如薄膜晶体管110可以包括，依次形成于透明基板1上的保护层、缓冲层、有源层、栅绝缘层(GI)、栅极层、栅介质层(ILD)、源极和漏极、钝化层等，此处不再一一列举。由于上述大部分膜层均为非透明膜层，因此通常薄膜晶体管110位于发光区100中。其中，制备缓冲层210时，可以采用高透过率材料将其制备成透明膜层，并使其同时覆盖发光区100和透明区200，从而可以保护透明基板1位于透明区200的部分免受损伤。

形成薄膜晶体管110后，如图4所示，在薄膜晶体管110上方形成发光器件的阳极层120，并使阳极层120与薄膜晶体管110电连接。形成阳极层120的方法可以为，先在薄膜晶体管110膜层上溅射阳极材料，使其沉积为阳极层120，然后采用传统的光刻工艺实现阳极层120图案化，具体包括涂覆光刻胶，曝光，显影，后烘，刻蚀、剥离，最终形成图案化的阳极层120。为了实现透明显示，阳极层120的材料可以是透明导电氧化如氧化铟锡(ITO)、掺铝的氧化锌(AZO)等，也可以是金属和透明导电氧化物形成的堆栈结构，例如Mo/AlNd/ITO、ITO/Ag/ITO等，具体根据器件类型进行选择，此处不进行特殊限定。同时，阳极层120包含高透过率的透明材料时，也可以使该透明材料同时覆盖发光区100和透明区200，阳极材料位于透明区200的部分就可以进一步作为其他器件如透明电容元件的结构。以顶发射结构为例，阳极层120的材料采用Mo/AlNd/ITO时，其制备方法可以为：先溅射沉积400埃的Mo(钼)，再溅射沉积3000埃的AlNd(铝钕合金)，通过光刻工艺图案化Mo/AlNd层121，使其仅存在于发光区100，作为反射阳极；然后，再在Mo/AlNd层上溅射沉积1300埃的ITO层，再经光刻工艺图案化ITO层122。

步骤S200中，形成像素界定层130和辅助层250时，像素界定层130的材料和辅助层250的材料均可以采用光刻胶，区别在于二者所适用的光刻胶材料不同，进而二者固化温度和形成的结构不同，由此可以使像素界定层130和辅助层250之间可以分隔开来，剥离辅助层250时不影响像素界定层130。

具体的，如图5所示，先形成像素界定层130，像素界定层130的材料可以采用第一光刻胶，可采用光刻工艺制作。其具体制备方法为，先在制作好阳极层的透明基板上涂布第一光刻胶，再在第一光刻胶上覆盖掩膜版，然后经紫外光曝光后，再将基板处于显影液中进行显影，从而实现图案化。然后，在第一温度下对第一光刻胶进行后烘，以去除第一光刻胶中的水分，使其结构更加坚固。需要注意的是，第一温度不能低于第一光刻胶的固化温度，使第一光刻胶完全固化并紧密结合在透明基板1上。第一光刻可以为正性光刻胶或负性光刻胶，此处不做限定。

再形成辅助层250，如图6所示，辅助层250的方法与像素界定层130相同，区别在于材料不同，第二光刻胶的固化温度高于第一光刻胶的固化温度。具体制备方法为：在制作好阳极层的透明基板上涂布第二光刻胶，再在第二光刻胶上覆盖掩膜版，然后经紫外光曝光后，再将基板处于显影液中进行显影，从而实现图案化。图案化辅助层250后，在第二温度下对第二光刻胶进行后烘，以使辅助层250固化。需要注意的是，对第二光刻胶进行后烘的时候，第二温度应当高于第一光刻胶的固化温度且低于第二光刻胶的固化温度，以使第二光刻胶达到半固化的目的，即第二光刻胶已经具有固定形态，但与透明基板1结合的不紧密。只有这样，才能较容易剥离第二光刻胶而不影响第一光刻胶。

优选地，第一光刻胶可选用低温光刻胶，其固化温度可以为85-100℃，第一温度为85-100℃，该低温光刻胶可以形成理想的像素界定层，也不影响后续膜层质量。第二光刻胶可选用常温光刻胶，其固化温度为200-250℃，对其进行固化时的第二温度为100-200℃，在该范围内，第一光刻胶已完全固化，第二光刻胶虽未完全固化，但已可以形成较稳定的辅助层结构，后续也较容易的剥离出来。

在本实施方式中，第二光刻胶优选负性光刻胶。原因在于负性光刻胶掩膜在紫外光照射下产生光化反应，使高分子化合物交联成不溶于碱性显影液的分子结构，而不被光照射的部分溶于显影液而显影，在其掩膜曝光区上层由于光化反应强于下层，因此在显影后留在基片上光刻胶剖面开口处区域自然形成如图所示的倒梯形，由此使得辅助层250底部与透明基板1的接触面较小，更容易被剥离。同时，该结构使得辅助层250与像素界定层130之间的间隙变大，在蒸镀发光功能层和阴极层时，发光功能层材料和阴极层材料很容易在倒梯形的边缘位置处发生断裂，由此，在剥离辅助层250时，便可以完整的剥离掉位于透明区200的发光功能层和阴极层。

另外，像素界定层130和辅助层250的厚度会影响本实施方式的实施。若二者厚度差异过小，则不易在两个膜层之间形成明显的间隙，制备发光功能层和阴极层，两部分区域容易连成一整片，不利于剥离。若二者厚度差异过大，像素界定层130太厚会增加面板厚度，辅助层250太厚则难以剥离干净。在本示例性实施方式中，辅助层250厚度大于像素界定层130厚度，由于辅助层250后续会被剥离，因此可以制作的较厚。具体的，像素界定层130的厚度优选为1-2μm，在该范围内，即可以清晰的定义出发光区100和透明区200，同时可以避免显示面板厚度增加。辅助层250的厚度优选为3.5μm-4.0μm，在该范围内，可以与像素界定层130之间形成较明显的断层，有利于发光功能层材料和阴极层材料在断层处断裂，同时也可以较容易的实现剥离。

需要注意的是，当透明区包括缓冲层210、阳极层120等其他透光膜层时，辅助层250需形成在这些透光膜层之上，以保证在剥离辅助层250后，透明区仍然保留这些透光膜层。

步骤S300中，发光功能层可以包括发光层、空穴传输层和电子传输层等。进一步的，发光功能层还可包括空穴注入层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层等，本申请不对此进行特殊限定。在像素界定层130上和辅助层250上形成发光功能层，可通过开口掩模板蒸镀形成，这样，在透明基板1的整个发光区100和透明区200都会形成有发光功能层。但由于发光功能层的材料延展性不佳，蒸镀过程中，在位于辅助层250和像素界定层130之间的间隙位置处容易发生断裂，从而使得发光功能层在发光区100和透明区200之间分离，形成如图7所示的位于发光区100的第一发光功能层141和位于透明区200的第二发光功能层142，由此，在剥离辅助层250时，便可以随辅助层250同时剥离掉位于透明区200的第二发光功能层142。由于在本申请中，透明区200不再含有第二发光功能层142，因此，发光功能层的材料及厚度等将不再受透光率的限制。

同理，如图7所示，步骤S400中，阴极层也可通过开口掩模板蒸镀形成于整个发光区100和透明区200，但由于阴极层的材料爬坡性较差，蒸镀过程中，也会在位于辅助层250和像素界定层130之间的间隙位置处发生断裂，从而使得阴极层在发光区100和透明区200之间分离，形成第一阴极层151和第二阴极层152。由此，在剥离辅助层250时，便可以随辅助层250同时剥离掉位于透明区200的第二阴极层152。阴极层的材料可以是常用的金属材料，如银(Ag)，铜(Cu)，铝(Al)，钼(Mo)等，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)、钼铌合金(MoNb)等，或多层金属如MoNb/Cu/MoNb等，此处不做具体限定。由于在本申请中，透明区200不再含有第二阴极层152，因此，阴极层的材料及厚度等将不再受透光率的限制。

在本示例性实施方式中，还可以在阴极层上形成封装层，如图7所示，封装层包括覆盖像素界定层130的第一封装层161和覆盖辅助层250的第二封装层162；然后再剥离透明区200的第二封装层162，留下用于保护发光器件的第一封装层161。具体的，封装层可以为薄膜封装，通过化学气相沉积法形成于整个发光区100和透明区200，在沉积过程中，会在在像素界定层130和辅助层250之间断裂，在剥离辅助层250、第二发光功能层142和第二阴极层152的同时，连同第二封装层162一起剥离，由此使得透明区200的膜层进一步减少，消除了封装层对透明区200透光率的影响，使得透明显示效果更好。

步骤S500中，剥离辅助层250时，可以采用干法剥离或湿法剥离，此处不进行特殊限定。需要注意的是，由于光刻胶的固化是不可逆的，因此剥离辅助层、第二发光功能层和第二阴极层时的温度可以为第二温度，也可以低于第二温度。剥离完辅助层250后，即可得到如图8所示的结构。

本申请实施方式还提供一种显示面板，采用上述制备方法制作而成，具体的，如图8所示，该显示面板包括多个子像素区域，子像素区域具有发光区100(第一区域)和透明区200(第二区域)，子像素区域包括透明基板、设于发光区100的像素界定层130、发光功能层和阴极层。发光功能层在透明基板1的投影位于发光区100内且不与透明区200重叠，阴极层在透明基板1的投影也位于发光区100内且不与透明区200重叠。

由于显示面板的透明区200不含发光功能层和阴极层，大大提高了透明区200的光线透光率，进而提升了显示面板的透明显示效果。

同理，本实施方式显示面板的子像素区域还可以包括仅位于发光区100的封装层，封装层覆盖阴极层，用于保护发光器件。封装层在透明基板1的投影也位于发光区100内且不与透明区200重叠。透明区200不含封装层，也起到了提升了显示面板的透明显示效果的作用。封装层具体可以为薄膜封装等封装形式，此处不做特殊限定。

本领域技术人员可以理解的是，本实施方式显示面板还包括薄膜晶体管110、阳极层120等结构，此处不再赘述。

本实施方式中，透明区200还可以包括一缓冲层210，用于保护透明基板免受损伤，该缓冲层210可以与发光区100薄膜晶体管110的缓冲层一起采用透光率较高的材料制作，对透明区影响很小。同理，透明区200还可以包括一钝化层220，用于防止透明基板氧化腐蚀，该钝化层220也可以与发光区薄膜晶体管110的钝化层一起采用透光率较高的材料制作，对透明区影响很小。本领域技术人员可以理解的是，透明区200也还可以包括其他透光膜层，只要对透光率影响较小即可。

本实施方式中，子像素区域还包括一电容，该电容采用透明材料制作而成，因此，该透明电容的至少一部分可以位于透明区200，由此可以增大透明区200的面积，以确保较大的电容面积，该结构实现了高开口率和高透过率的设计。当透明电容全部位于透明区200时，可最大程度提高开口率，尤其适用于高像素密度(PPI)的显示面板制备。为了便于制作该电容，可以在制作发光区100相关膜层时，将其延伸至透明区以形成电容结构。举例而言，该电容可以以由发光区100延伸至透明区200的有源层240作为电容的其中一个电极，以由发光区100延伸至透明区200的阳极层120作为电容的另一个电极，两电极之间还设置有绝缘层，绝缘层可以为由发光区100延伸至透明区200的钝化层220，图中虽未示出薄膜晶体管的具体结构，但本领域技术人员可以理解其中的有源层、钝化层等结构。上述膜层均可以采用透光材料，不影响透明区200的透光率。在其他实施方式中，该电容还可以由其他膜层或其他结构形成，此处不再赘述。虽然图中未进行示意，但本领域技术人员可以理解的是，不管电容以及TFT驱动电路如何设置，二者都应当相连接。

本申请还提供了一种显示装置，包括以上显示面板。本申请对于显示装置的适用不做具体限制，该显示装置可以用于车载、智能家居、商店橱窗等任何透明显示的产品，可以提高透明显示效果。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供一透明基板，所述透明基板划分有多个子像素区域，所述子像素区域具有第一区域和第二区域；

在所述透明基板上形成位于所述第一区域的像素界定层和位于所述第二区域的辅助层，所述辅助层与所述像素界定层之间具有间隙；

形成发光功能层，所述发光功能层包括覆盖所述像素界定层的第一发光功能层和覆盖所述辅助层的第二发光功能层；

在所述发光功能层上形成电极层，所述电极层包括覆盖所述像素界定层的第一电极层和覆盖所述辅助层的第二电极层；

剥离所述辅助层、第二发光功能层和第二电极层。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在透明基板上形成位于所述第一区域的像素界定层和位于所述第二区域的辅助层，包括：

在所述透明基板上形成图案化的第一光刻胶，并在第一温度下固化所述第一光刻胶，以形成所述像素界定层，所述第一温度不低于所述第一光刻胶的固化温度；

在所述透明基板上形成图案化的第二光刻胶，并在第二温度下固化所述第二光刻胶，以形成所述辅助层；其中，所述第二光刻胶的固化温度高于所述第一光刻胶的固化温度，所述第二温度高于所述第一光刻胶的固化温度且低于所述第二光刻胶的固化温度。

3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶的固化温度为85-100℃，所述第一温度为85-100℃，所述第二光刻胶的固化温度为200-250℃，所述第二温度为100-200℃。

4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶为负性光刻胶。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述像素界定层的厚度为1-2μm，所述辅助层的厚度为3.5μm-4.0μm。

6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

在所述电极层上形成封装层，所述封装层包括覆盖所述像素界定层的第一封装层和覆盖所述辅助层的第二封装层；

其中，剥离所述辅助层、第二发光功能层和第二电极层的同时，还剥离所述第二封装层。

7.一种显示面板，包括多个子像素区域，所述子像素区域具有第一区域和第二区域，其特征在于，所述显示面板包括：

透明基板；

像素界定层，设于所述透明基板的所述第一区域；

发光功能层，所述发光功能层在所述透明基板的投影位于所述第一区域内且不与所述第二区域重叠；

电极层，覆盖所述发光功能层，所述电极层在所述透明基板的投影位于所述第一区域内且不与所述第二区域重叠。

8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

封装层，覆盖所述电极层，所述封装层在所述透明基板的投影位于所述第一区域内且不与所述第二区域重叠。

9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

电容，由透明材料制成，且至少部分所述电容位于所述第二区域。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-9中任一项所述的显示面板。

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