KR20170021428A - 미러 기판의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
미러 기판은 투명 기판의 표면을 따라 연속적으로 연장되는 제1 미러막, 및 제1 미러막 상에 배열되는 복수의 미러 패턴들을 포함한다. 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판에 의하면, 미러 패턴이 형성된 영역 및 미러 패턴이 형성되지 않은 영역 상에 제1 미러막이 존재하기 때문에, 동일한 물질을 갖는 제1 미러막으로 외부 광이 입사되어 미러 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다. 또한, 하나의 하프톤 마스크를 이용하여 제1 미러막 및 미러 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 제조 공정이 단순해지며 생산성이 높아질 수 있다.
Description
본 발명은 미러 기판을 갖는 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 복수의 미러 패턴들을 포함하는 미러 기판의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 유기 발광 표시(Organic Light Emitting Display: OLED) 장치 및 액정 표시 장치(Liquid Display Device: LCD)와 같은 표시 장치에 있어서 화상 표시와 동시에 미러(mirror) 기능을 부여하려는 연구가 지속되고 있다.
상기 미러 기능 구현을 위해, 반사 기능을 갖는 막 구조 또는 패턴들이 표시 장치에 삽입될 수 있다. 따라서, 표시 장치의 제조 공정이 복잡해지거나, 상기 미러 기능 구현에 의해 표시 품질이 상대적으로 저하될 수 있다.
특히, 미러 패턴이 형성된 영역과 형성되지 않은 영역 간의 구조적인 차이에 의하여, 이미지가 흐려지는 표시 품질의 저하가 발생하는 문제가 있다.
본 발명의 일 과제는 표시 품질이 향상된 미러 기판을 갖는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 과제는 표시 품질이 향상된 미러 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
상술한 본 발명의 일 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치는 기판 상에 배치되는 표시부, 및 상기 표시부를 사이에 두고 상기 기판과 대향하며 투명 기판의 표면을 따라 연속적으로 연장되는 제1 미러막 및 상기 제1 미러막 상에 배열되는 복수의 미러 패턴들을 갖는 미러 기판을 포함한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴은 순차적으로 적층되는 복수의 금속막들을 각각 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 미러막의 상기 금속막들은 상기 미러 패턴들의 상기 금속막들과 각각 동일한 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 미러 기판은 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 따라 연속적으로 연장되며, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴들 상에 적층되는 제2 미러막을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 미러막은 순차적으로 적층되는 복수의 금속막들을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 미러막은 상기 제1 미러막에 포함된 물질과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 기판 및 상기 미러 기판 사이에서 상기 표시부를 밀봉하며, 상기 제1 미러막과 접촉하는 실링부를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 표시부는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함할 수 있다. 상기 발광 영역은 이웃하는 상기 미러 패턴들 사이의 영역과 중첩되며, 상기 비발광 영역은 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 포함하는 적층 구조와 중첩될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 발광 영역은 유기 발광층 또는 액정층을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투명 기판은 상기 실링부에 의해 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되며, 상기 제1 영역은 상기 표시부와 중첩될 수 있다. 상기 미러 패턴들 및 상기 제1 미러막은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 배치될 수 있다.
상술한 본 발명의 다른 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판의 제조 방법은 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 투명 기판을 제공한다. 상기 투명 기판 상에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 분포되는 제1 미러막 및 미러 패턴을 형성한다. 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계부에 상기 제2 미러막과 접촉하는 실링부를 형성한다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴들을 형성하는 것은, 상기 투명 기판 상에 제1 금속막 및 제2 금속막을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속막 및 제2 금속막을 하프톤 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 형성하는 것은 복수의 금속막들을 적층하는 단계를 각각 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 미러막의 상기 금속막들은 상기 미러 패턴들의 상기 금속막들과 각각 동일한 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴들을 형성하는 것은, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 따라 연속적으로 연장되는 제2 미러막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 및 제2 미러막들의 두께는 상기 미러 패턴의 두께보다 얇게 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 제2 미러막은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 연속적으로 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 미러막을 형성하는 것은 복수의 금속막들을 순차적으로 적층하는 것을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 미러막은 상기 제1 미러막에 포함된 물질과 동일한 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 미러막은 상기 미러 패턴들에 포함된 물질과 동일한 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르는 표시 장치는 투명 기판의 전면 상에 제1 미러막이 형성되며, 상기 제1 미러막 상에 미러 패턴을 형성된다.
이로 인해, 상기 미러 패턴이 형성된 영역 및 상기 미러 패턴이 형성되지 않은 영역 상에 상기 제1 미러막이 존재하기 때문에, 동일한 물질을 갖는 제1 미러막으로 외부 광이 입사되어 표시 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
또한, 하나의 하프톤 마스크를 이용하여 제1 미러막 및 미러 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 제조 공정이 단순해지며 생산성이 높아질 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판을 나타내는 단면도이다.
도 2 내지 도 9는 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판을 나타내는 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14는 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 15는 도 14의 A 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 16은 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 17은 도 16의 B 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 2 내지 도 9는 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 10은 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판을 나타내는 단면도이다.
도 11 내지 도 13은 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 14는 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 15는 도 14의 A 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 16은 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 17은 도 16의 B 영역을 확대 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 이 때, 도면상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고, 동일한 구성 요소에 대해서는 중복되는 설명을 생략하기로 한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판을 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 미러 기판(100)은 투명 기판(S)의 표면을 따라 연속적으로 연장되는 제1 미러막(110), 및 제1 미러막(110) 상에 배열되는 복수의 미러 패턴들(120)을 포함한다.
투명 기판(S)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분될 수 있다. 제1 영역(I)은, 예를 들면 상기 미러 기판이 표시 장치의 인캡슐레이션(encapsulation) 기판으로 제공되는 경우, 상기 표시 장치의 화소 영역들과 중첩될 수 있다. 제2 영역(II)은 상기 표시 장치의 구동 회로 및/또는 연성 인쇄 회로(flexible printed circuit: FPC)와 연결되기 위한 패드 등이 배치되는 주변 영역과 중첩될 수 있다. 투명 기판(S)은 예를 들면, 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판을 포함할 수 있다.
제1 미러막(110)은 투명 기판(S)의 표면을 따라 연속적으로 연장될 수 있다. 또한, 제1 미러막(110)은 순차적으로 적층되는 복수의 금속막들을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 제1 미러막(110)은 단일막일 수 있다.
예를 들어, 제1 미러막(110)은 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 은(Ag), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.
제1 미러막(110)은 2중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 미러막(110)은 순차적으로 투명 기판(S)에 적층된 제1 및 제2 금속막들을 포함할 수 있다. 상기 제1 금속막은 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 상기 제2 금속막은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함할 수 있다.
이와는 달리, 제1 미러막(110)은 3중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 미러막(110)은 순차적으로 투명 기판(S)에 적층된 제3 내지 제5 금속막들을 포함할 수 있다. 상기 제3 금속막은 ITO를 포함할 수 있다. 상기 제4 금속막은 은(Ag)을 포함할 수 있다. 상기 제5 금속막은 ITO를 포함할 수 있다.
제1 미러막(110)은 투명 기판(S)의 표면을 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 미러막(110)은 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에서 공통으로, 연속적으로 연장될 수 있다.
제1 미러막(110)이 이종의 물질들을 포함하는 막들을 포함함에 따라 내부의 굴절률 변화에 의해 소정의 반사율을 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 미러막(110)의 반사율은 미러 패턴(120)의 반사율보다 낮을 수 있다.
예를 들면, 제1 영역(I) 상에서 이웃하는 미러 패턴들(120) 사이의 영역의 제1 미러막(110) 부분은 상기 표시 장치의 상기 발광 영역과 중첩될 수 있다.
미러 패턴(120)은 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에 걸쳐 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 미러 패턴들(120)이 그리드(grid) 형상, 라인 형상, 메쉬(mesh) 형상, 또는 복수의 섬(island) 형상을 가지며 규칙적인 배열로 배치될 수 있다.
미러 패턴(120)은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 미러 패턴(120)은 예를 들면, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 은(Ag), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 미러 기판이 표시 장치의 인캡슐레이션 기판으로 제공되는 경우, 미러 패턴(120)은 상기 표시 장치의 상기 화소 영역 중 발광 영역을 제외한 영역(예를 들면, 비발광 영역)과 중첩될 수 있다. 이 경우, 상기 미러 기판 중 이웃하는 미러 패턴들(120) 사이의 부분은 상기 표시 장치의 상기 화소 영역 중 발광 영역과 중첩될 수 있다.
미러 패턴(120)은 2중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 미러 패턴(120)은 순차적으로 제1 미러막(110) 상에 적층된 제6 및 제7 금속막들을 포함할 수 있다. 상기 제6 금속막은 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 상기 제7 금속막은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함할 수 있다.
이와는 달리, 미러 패턴(120)은 3중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 미러막(110)은 순차적으로 제1 미러막(110) 상에 적층된 제8 내지 제10 금속막들을 포함할 수 있다. 상기 제8 금속막은 ITO 또는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 상기 제4 금속막은 은(Ag)을 포함할 수 있다. 상기 제5 금속막은 ITO를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 미러막(110)과 미러 패턴들(120)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 미러막(110)은 미러 패턴들(120)보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르는 미러 기판(100)은 투명 기판의 전면 상에 제1 미러막(110)이 형성되며, 제1 미러막(110) 상에 미러 패턴(120)이 형성된다.
이로 인해, 미러 패턴(120)이 형성된 영역 및 미러 패턴(120)이 형성되지 않은 영역 상에 제1 미러막(110)이 존재하기 때문에, 동일한 물질을 갖는 제1 미러막(110)으로 외부 광이 입사되어 상이 번지는 현상(haze)이 줄어들며 미러 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
도 2 내지 도 9는 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 제1 금속막(112), 제2 금속막(122), 및 포토레지스트층(142)이 투명 기판(S) 상에 순차적으로 적층된다.
예를 들어, 제1 및 제2 금속막들(112, 122)이 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 은(Ag), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함하도록 투명 기판(S) 상에 적층될 수 있다.
제1 및 제2 금속막들(112, 122)은 스퍼터링(sputtering) 공정, 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition: PVD) 공정, 원자층 증착(Atomic Layer Deposition: ALD) 공정, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
포토레지스트층(142)은 스핀 코팅 (spin coating) 공정 등을 통하여 제2 금속막(122) 상에 적층될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 하프톤 마스크(M)를 투명 기판(S) 상에 배치하고, 광을 하프톤 마스크(M)를 통하여 포토레지스트층(142)에 입사함으로 제1 포토레지스트패턴(144)을 형성한다.
하프톤 마스크(M)는 비투과영역(M1), 반투과영역(M2), 및 투과영역(M3)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 비투과영역(M1)은 표시 장치의 표시부의 비발광영역에 중첩되며, 반투과영역(M2)은 표시 장치의 표시부의 발광영역에 중첩될 수 있다. 하프톤 마스크(M)는 편광 영역을 포함할 수 있다.
제1 포토레지스트패턴(144)은 상기 비발광영역에 중첩되는 영역의 두께가 상기 발광영역에 중첩되는 영역의 두께보다 더 작을 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(144)을 식각 방지막으로 이용하여 제1 및 제2 금속막들(112, 122)을 식각할 수 있다. 제1 및 제2 금속막들(112, 122)은 식각되어, 투명 기판(S) 상에 제1 미러막(110) 및 예비 미러 패턴(124)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 제1 및 제2 금속막들(112, 122)은 제1 포토레지스트 패턴(144)을 식각 방지막으로 이용하여 습식 식각(wet etching) 또는 건식 식각(dry etching)될 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(144)을 부분적으로 제거하여 제2 포토레지스트 패턴(140)을 형성할 수 있다. 제2 포토레지스트 패턴(140)은 제1 포토레지스트 패턴(144)의 두께 방향으로 부분 제거되어 형성될 수 있다. 제2 포토레지스트 패턴(140)에 의하여 예비 미러 패턴(124)의 상면이 부분적으로 노출될 수 있다. 예를 들어, 상기 표시 장치의 상기 표시부의 발광영역과 중첩되는 예비 미러 패턴(124)의 부분의 상면이 노출될 수 있다.
예를 들어, 애싱(ashing) 공정을 이용하여 제1 포토레지스트 패턴(144)을 일부 제거하여 제2 포토레지스트 패턴(120)을 형성할 수 있다.
도 7을 참조하면, 제2 포토레지스트 패턴(140)을 식각 방지막으로 이용하여 예비 미러 패턴(120)을 식각할 수 있다. 상기 표시부의 발광영역과 중첩되는 예비 미러 패턴(124)의 노출된 일부가 식각됨으로써, 제1 미러막(110) 상에 복수의 미러 패턴들(120)이 형성될 수 있다.
예를 들면, 복수의 미러 패턴들(120)이 그리드 배열, 라인 배열, 메쉬 배열, 복수의 섬들의 배열 등과 같은 규칙적인 배열을 형성하며, 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에 걸쳐 형성될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 애싱(ashing) 공정을 이용하여 제2 포토레지스트 패턴(140)을 제거하고 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)의 경계부에 실링부(130)를 형성하여 미러 기판(100)을 제조할 수 있다.
예를 들면, 실링부(130)는 에폭시 수지, 실리콘(silicone) 수지 등과 같은 접착성을 갖는 수지 물질을 사용하여 프린팅 공정, 코팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 실링부(130)는 제1 미러막(121) 표면 상에 직접 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르는 미러 기판의 제조 방법은 투명 기판(S)의 전면 상에 제1 미러막(110)이 형성되며, 제1 미러막(110) 상에 미러 패턴(120)을 형성된다.
이로 인해, 미러 패턴(120)이 형성된 영역 및 미러 패턴(120)이 형성되지 않은 영역 상에 제1 미러막(110)이 존재하기 때문에, 동일한 물질을 갖는 제1 미러막(110)으로 외부 광이 입사되어 이미지의 번짐(haze)을 줄일 수 있다.
또한, 하나의 하프톤 마스크(M)를 이용하여 제1 미러막(110) 및 미러 패턴(120)을 형성할 수 있기 때문에, 제조 공정이 단순해지며 생산성이 높아질 수 있다.
도 10은 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판을 나타내는 단면도이다. 도 10에 도시된 미러 기판은 제2 미러막을 제외하고는 도 1에 도시된 미러 기판과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 가질 수 있다. 따라서, 중복되는 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도 10을 참조하면, 미러 기판(102)은 투명 기판(S)의 표면을 따라 연속적으로 연장되는 제1 미러막(110), 제1 미러막(110) 상에 배열되는 복수의 미러 패턴들(120), 및 미러 패턴들(120)의 표면들 및 이웃한 미러 패턴들(120) 사이의 제1 미러막(110)의 상면을 따라 연장되는 제2 미러막(150)을 포함할 수 있다.
투명 기판(S)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분될 수 있다. 제1 영역(I)은, 예를 들면 상기 미러 기판이 표시 장치의 인캡슐레이션(encapsulation) 기판으로 제공되는 경우, 상기 표시 장치의 화소 영역들과 중첩될 수 있다. 제2 영역(II)은 상기 표시 장치의 구동 회로 및/또는 연성 인쇄 회로(flexible printed circuit: FPC)와 연결되기 위한 패드 등이 배치되는 주변 영역과 중첩될 수 있다.
제1 미러막(110)은 투명 기판(S)의 표면을 따라 연속적으로 연장될 수 있다. 또한, 제1 미러막(110)은 순차적으로 적층되는 복수의 금속막들을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 제1 미러막(110)은 단일막일 수 있다.
제1 미러막(110)은 투명 기판(S)의 표면을 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 미러막(110)은 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에서 공통으로, 연속적으로 연장될 수 있다.
미러 패턴(120)은 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에 걸쳐 배치될 수 있다. 예를 들면, 복수의 미러 패턴들(120)이 그리드(grid) 형상, 라인 형상, 메쉬(mesh) 형상, 또는 복수의 섬(island) 형상을 가지며 규칙적인 배열로 배치될 수 있다.
미러 패턴(120)은 반사율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 미러 패턴(120)은 예를 들면, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 은(Ag), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.
제2 미러막(150)은 미러 패턴들(120)의 표면들 및 이웃하는 미러 패턴들(120) 사이의 제1 미러막(110)의 상기 상면을 따라 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 상에서 연속적으로 연장될 수 있다.
제2 미러막(150)은 복수의 금속막들을 포함할 수 있다. 이와는 달리, 제2 미러막(150)은 단일층일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 미러막(150)은 예를 들면, 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 은(Ag), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등과 같은 금속을 포함할 수 있다.
또한, 제2 미러막(150)은 2중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 미러막(150)은 순차적으로 적층된 제11 및 제12 금속막들을 포함할 수 있다. 상기 제11 금속막은 은(Ag)을 포함할 수 있으며, 상기 제12 금속막은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함할 수 있다.
이와는 달리, 제2 미러막(150)은 3중층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 미러막(150)은 순차적으로 적층된 제13 내지 제15 금속막들을 포함할 수 있다. 상기 제13 금속막은 ITO 또는 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 상기 제14 금속막은 은(Ag)을 포함할 수 있다. 상기 제15 금속막은 ITO를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 및 제2 미러막들(110, 150) 및 미러 패턴들(120)은 실질적으로 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 미러막들(110, 150)은 미러 패턴들(120)보다 얇은 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따르는 미러 기판(100)은 투명 기판의 전면 상에 제1 미러막(110)이 형성되며, 제1 미러막(110) 상에 미러 패턴(120)이 형성된다.
이로 인해, 미러 패턴(120)이 형성된 영역 및 미러 패턴(120)이 형성되지 않은 영역 상에 제1 미러막(110)이 존재하기 때문에, 동일한 물질을 갖는 제1 미러막(110)으로 외부 광이 입사되어 상이 번지는 현상(haze)이 줄어들며 미러 장치의 표시 품질이 향상될 수 있다.
특히, 제2 미러막(150)으로 인하여, 반사율을 용이하게 조절하며 상기 미러 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
도 11 내지 도 13은 일부 예시적인 실시예들에 따른 미러 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 예를 들면, 도 11 내지 도 13은 도 10에 도시된 미러 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 2 내지 도 9를 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 공정 및 재료들에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도 11을 참조하면, 도 2 내지 도 8을 참조로 설명한 바와 같이 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들에 의해 투명 기판(S) 상에 제1 미러막(110) 및 복수의 미러 패턴들(120)을 형성할 수 있다.
도 12를 참조하면, 미러 패턴들(120) 및 제1 미러막(110) 상에 제2 미러막(150)을 형성할 수 있다.
예를 들어, 미러 패턴들(120)의 표면 및 미러 패턴들(120)에 의해 커버되지 않은 제1 미러막(110)의 부분들 상에 예비 금속막(도시되지 않음)을 형성하고, 상기 예비 금속막을 패터닝하여 제2 미러막(150)을 형성할 수 있다. 상기 예비 금속막은 CVD 공정, PECVD 공정, ALD 공정, 열 증착 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
도 13을 참조하면, 도 9를 참조로 설명한 바와 같이, 투명 기판(S)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)의 경계부에 제2 미러막(150)과 접촉하는 실링부(130)를 형성할 수 있다.
도 14는 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 15는 도 14의 A 영역을 확대 도시한 단면도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 상기 표시 장치는 기판(S) 상에 배치되는 표시부(200), 및 표시부(200)를 사이에 두고 기판(S)과 대향하는 미러 기판(100)을 포함한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 미러 기판(100)은 도 1을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 미러 기판(100)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분되며, 투명 기판(W)의 기판(S)과의 대향면 상에 형성된 제1 미러막(110) 및 미러 패턴들(120)을 포함할 수 있다. 제1 미러막(110)은 투명 기판(W)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에 걸쳐 컨포멀하게 형성될 수 있다.
실링부(130)는 투명 기판(W) 및 기판(S) 사이에 배치되어 표시부(200)를 인캡슐레이션 할 수 있다. 따라서, 미러 기판(100)은 실질적으로 인캡슐레이션 기판으로 제공될 수 있다. 실링부(130)는 미러 기판(100)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 사이에서 제1 미러막(110)과 접촉하며, 표시부(200)를 보호할 수 있다. 표시부(200)는 미러 기판(100)의 제1 영역(I)과 중첩되며, 제2 영역(II)과 중첩되는 기판(S) 부분 상에는 구동 회로, FPC 연결 패드와 같은 주변 회로들이 배치될 수 있다.
표시부(200)는 기판(S) 상에 형성된 스위칭 소자, 및 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 표시 구조물을 포함할 수 있다.
상기 스위칭 소자는 예를 들면, 액티브 패턴(215), 게이트 절연막(220), 게이트 전극(225), 소스 전극(243) 및 드레인 전극(245)을 포함하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)를 포함할 수 있다. 상기 표시 구조물은 예를 들면, 제1 전극(260), 발광층(280) 및 제2 전극(290)을 포함할 수 있다.
기판(S)은 예를 들면, 유리 기판, 투명 플라스틱 기판, 플렉시블 플라스틱 기판 등을 포함할 수 있다.
기판(S)의 상면 상에는 배리어막(210)이 형성될 수 있다. 배리어막(210)에 의해 기판(S)을 통해 침투하는 수분이 차단될 수 있으며, 기판(S) 및 기판(S) 상에 형성된 구조물 사이의 불순물 확산이 차단될 수 있다.
예를 들면, 배리어막(210)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 배리어막(210)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다.
액티브 패턴(215)은 폴리실리콘과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 액티브 패턴(215)은 인듐-갈륨-아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO), 아연-주석 산화물(Zinc Tin Oxide: ZTO), 또는 인듐-주석-아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO)과 같은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다. 액티브 패턴(215)은 상기 실리콘 화합물 또는 산화물 반도체를 포함하는 액티브 막을 예를 들면, 스퍼터링 공정을 통해 증착한 후, 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 형성될 수 있다.
게이트 절연막(220)은 배리어막(210) 상에 형성되어 액티브 패턴(215)을 커버할 수 있다. 게이트 절연막(220)은 예를 들면, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함하도록 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다.
게이트 전극(225)은 게이트 절연막(220) 상에 형성되어 액티브 패턴(215)과 중첩될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(220) 상에 제1 도전막을 형성하고, 상기 제1 도전막을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 게이트 전극(225)이 형성될 수 있다. 상기 제1 도전막은 Al, Ag, W, Cu, Mo, Ti, Ta, Cr 등과 같은 금속, 상기 금속들의 합금 또는 상기 금속의 질화물을 사용하여 스퍼터링 공정, ALD 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 상기 제1 도전막은 Al/Mo 또는 Ti/Cu 구조와 같은 복층 구조로 형성될 수도 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제1 도전막으로부터 스캔 라인이 함께 형성될 수 있다. 게이트 전극(225)은 상기 스캔 라인으로부터 분기될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 게이트 전극(225)을 이온 주입 마스크로 사용하는 불순물 주입 공정을 통해, 액티브 패턴(215)의 양 단부에 소스 영역 및 드레인 영역을 형성할 수 있다. 게이트 전극(225)과 중첩되며, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 액티브 패턴(215) 부분은 전하가 이동되는 채널 영역으로 정의될 수 있다.
층간 절연막(230)은 게이트 절연막(220) 상에 형성되어, 게이트 전극(225)을 커버할 수 있다. 층간 절연막(230)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 포함하도록 형성될 수 있다. 층간 절연막(230)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다
소스 전극(243) 및 드레인 전극(245)은 층간 절연막(230) 및 게이트 절연막(220)을 관통하여 액티브 패턴(215)과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(243) 및 드레인 전극(245)은 각각 액티브 패턴(215)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉할 수 있다.
예를 들면, 층간 절연막(230) 및 게이트 절연막(220)을 부분적으로 식각하여 액티브 패턴(215)을 노출시키는 콘택 홀들을 형성할 수 있다. 상기 콘택 홀들을 채우는 제2 도전막을 층간 절연막(230) 상에 형성한 후, 상기 제2 도전막을 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 소스 전극(243) 및 드레인 전극(245)을 형성할 수 있다. 상기 제2 도전막은 상기 제1 도전막과 실질적으로 동일하거나 유사한 재료 및 공정을 통해 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 도전막으로부터 데이터 라인이 함께 형성될 수 있다. 이 경우, 소스 전극(243)은 상기 데이터 라인으로부터 분기될 수 있다.
상술한 공정에 의해, 상기 TFT가 표시부(200)의 각 화소마다 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 2 이상의 TFT 및 커패시터가 상기 각 화소마다 함께 형성될 수도 있다.
층간 절연막(230) 상에는 소스 전극(243) 및 드레인 전극(245)을 커버하는 비아 절연막(250)이 형성될 수 있다. 비아 절연막(250)은 예를 들면, 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르와 같은 유기 물질을 사용하여 스핀 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다. 비아 절연막(250)은 실질적으로 표시부(300)의 평탄화막으로 제공될 수 있다.
비아 절연막(250) 상에는 상기 표시구조물이 형성될 수 있다.
제1 전극(260)은 비아 절연막(250)을 관통하여 예를 들면, 드레인 전극(245)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 비아 절연막(250)을 부분적으로 식각하여 드레인 전극(245) 상면을 노출시키는 비아 홀을 형성할 수 있다. 비아 절연막(250) 상에 상기 비아 홀을 채우는 제3 도전막을 형성한 후, 사진 식각 공정을 통해 패터닝하여 제1 전극(260)을 형성할 수 있다.
제1 전극(260)은 예를 들면, 표시부(200)의 양극(anode) 또는 화소 전극으로 제공되며, 표시부(300)에 포함되는 상기 각 화소마다 독립적으로 형성될 수 있다.
상기 제3 도전막은 상기 제1 도전막과 실질적으로 동일하거나 유사한 금속을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제3 도전막은 인듐 주석 화합물(Indium Tin Oxide: ITO), 인듐 아연 화합물(Indium Zinc Oxide: IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물과 같은 투명 도전성 물질을 사용하여 형성될 수도 있다.
화소 정의막(270)은 비아 절연막(250) 상에 형성되어 제1 전극(260)의 주변부를 일부 커버할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(270)은 감광성 유기 물질을 사용하여 현상 및 노광 공정을 통해 형성될 수 있다. 이와는 달리, 화소 정의막(270)은 실리콘 계열의 무기 물질을 사용하여 사진 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 화소 정의막(270)에 의해 노출된 제1 전극(260) 면적이 실질적으로 상기 각 화소의 발광 영역의 면적에 해당할 수 있다.
표시층(280)은 제1 전극(260) 및 화소 정의막(270) 상에 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 표시층(280)은 유기 발광 물질을 포함하며, 상기 표시 장치는 유기 발광 표시(Organic Light Emitting Display: OLED) 장치로 제공될 수 있다. 이 경우, 표시층(280)의 하부 및 상부에 각각 정공 수송층(Hole Transport Layer: HTL) 및 전자 수송층(Electron Transport Layer: ETL)이 더 형성될 수 있다.
표시층(280)은 각 화소 마다 상기 유기 발광 물질을 개별적으로 프린팅함으로써 형성될 수 있다. 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 상기 각 화소마다 형성되거나, 복수의 화소들에 공통적으로 형성될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 표시층(280)으로서 액정 물질이 사용될 수 있으며, 이 경우 상기 표시 장치는 액정 표시(Liquid Crystal Display: LCD) 장치로 제공될 수 있다.
화소 정의막(270) 및 표시층(280) 상에는 제2 전극(290)이 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 전극(290)은 복수의 화소들에 공통적으로 제공되는 공통 전극으로 제공될 수 있다. 또한, 제2 전극(290)은 표시부(300)의 음극(cathode)으로 제공될 수 있다.
제2 전극(290)은 예를 들면, 오픈 마스크(open mask)를 사용하여 금속 또는 상술한 투명 도전성 물질을 증착함으로써 형성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 기판(S) 상에 표시부(200)를 형성한 후, 실링부(130)를 통해 미러 기판(100)과 기판(S)을 서로 마주보도록 배치시킬 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 영역(II)에 형성된 미러 패턴(120)이 미러 기판(100)의 정렬을 위한 키(key)로 제공될 수 있다.
미러 기판(100) 중 인접하는 미러 패턴들(120) 사이의 부분은 표시부(200)의 상기 발광 영역과 중첩될 수 있다. 상기 발광 영역 상에는 미러 패턴(120) 보다 반사율이 낮은 제1 미러막(110)이 중첩되므로, 실질적으로 표시 기능이 구현될 수 있다.
표시부(200)의 상기 발광 영역을 제외한 비발광 영역은 미러 기판(100) 중 제1 미러막(110) 및 미러 패턴(120)의 적층 구조와 중첩될 수 있다. 반사율이 상대적으로 높은 미러 패턴(120)에 의해 상기 비발광 영역에서는 실질적으로 미러 기능이 구현될 수 있다.
도 16은 예시적인 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 17은 도 16의 B 영역을 확대 도시한 단면도이다. 도 16 및 도 17에 도시된 표시 장치는 도 14 및 도 15를 참조로 설명한 표시 장치와 미러 기판에 포함된 제2 미러막을 제외하고는 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 가질 수 있다. 따라서, 중복되는 구성에 대한 상세한 설명은 생략된다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 상기 표시 장치는 기판(S) 상에 배치되는 표시부(200), 및 표시부(200)를 사이에 두고 기판(S)과 대향하는 미러 기판(102)을 포함한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 미러 기판(102)은 도 10을 참조로 설명한 바와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 포함할 수 있다. 상술한 바와 같이, 미러 기판(102)은 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)으로 구분되며, 투명 기판(W)의 기판(S)과의 대향면 상에 형성된 제1 미러막(110), 미러 패턴들(120), 및 미러 패턴들(120) 및 제1 미러막(110)을 커버하는 제2 미러막(150)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 미러막들(110, 150)은 투명 기판(W)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II)에 걸쳐 컨포멀하게 형성될 수 있다.
실링부(130)는 투명 기판(W) 및 기판(S) 사이에 배치되어 표시부(200)를 인캡슐레이션 할 수 있다. 따라서, 미러 기판(102)은 실질적으로 인캡슐레이션 기판으로 제공될 수 있다. 실링부(130)는 미러 기판(102)의 제1 영역(I) 및 제2 영역(II) 사이에서 제1 미러막(110)과 접촉하며, 표시부(200)를 보호할 수 있다. 표시부(200)는 미러 기판(102)의 제1 영역(I)과 중첩되며, 제2 영역(II)과 중첩되는 기판(S) 부분 상에는 구동 회로, FPC 연결 패드와 같은 주변 회로들이 배치될 수 있다.
표시부(200)는 기판(S) 상에 형성된 스위칭 소자, 및 상기 스위칭 소자와 전기적으로 연결되는 표시 구조물을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 기판(S) 상에 표시부(200)를 형성한 후, 실링부(130)를 통해 미러 기판(102)과 기판(S)을 서로 마주보도록 배치시킬 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 영역(II)에 형성된 미러 패턴(120)이 미러 기판(102)의 정렬을 위한 키(key)로 제공될 수 있다.
미러 기판(102) 중 인접하는 미러 패턴들(120) 사이의 부분은 표시부(200)의 상기 발광 영역과 중첩될 수 있다. 상기 발광 영역 상에는 미러 패턴(120) 보다 반사율이 낮은 제1 미러막(110) 및 제2 미러막(150)의 적층 구조와 중첩되므로, 실질적으로 표시 기능이 구현될 수 있다.
표시부(200)의 상기 발광 영역을 제외한 비발광 영역은 미러 기판(102) 중 제1 미러막(110), 미러 패턴(120) 및 제2 미러막(150)의 적층 구조와 중첩될 수 있다. 반사율이 상대적으로 높은 미러 패턴(120)에 의해 상기 비발광 영역에서는 실질적으로 미러 기능이 구현될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 102: 미러 기판
S: 투명기판
W: 기판 110: 제1 미러막
120: 미러 패턴 130: 실링부
150: 제2 미러막 200: 표시부
210: 배리어막 215: 액티브 패턴
220: 게이트 절연막 225: 게이트 전극
230: 층간 절연막 243: 소스 전극
245: 드레인 전극 250: 비아 절연막
260: 제1 전극 270: 화소 정의막
280: 표시층 290: 제2 전극
W: 기판 110: 제1 미러막
120: 미러 패턴 130: 실링부
150: 제2 미러막 200: 표시부
210: 배리어막 215: 액티브 패턴
220: 게이트 절연막 225: 게이트 전극
230: 층간 절연막 243: 소스 전극
245: 드레인 전극 250: 비아 절연막
260: 제1 전극 270: 화소 정의막
280: 표시층 290: 제2 전극
Claims (20)
- 기판 상에 배치되는 표시부; 및
상기 표시부를 사이에 두고 상기 기판과 대향하며, 투명 기판의 표면을 따라 연속적으로 연장되는 제1 미러막, 및 상기 제1 미러막 상에 배열되는 복수의 미러 패턴들을 갖는 미러 기판을 포함하는 표시 장치. - 제 1 항에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴은 순차적으로 적층되는 복수의 금속막들을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 2 항에 있어서, 상기 제1 미러막의 상기 금속막들은 상기 미러 패턴들의 상기 금속막들과 각각 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 미러 기판은 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 따라 연속적으로 연장되며, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴들 상에 적층되는 제2 미러막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 4 항에 있어서, 상기 제2 미러막은 순차적으로 적층되는 복수의 금속막들을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제2 미러막은 상기 제1 미러막에 포함된 물질과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 미러 기판 사이에서 상기 표시부를 밀봉하며, 상기 제1 미러막과 접촉하는 실링부를 더 포함하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 표시부는 발광 영역 및 비발광 영역을 포함하며,
상기 발광 영역은 이웃하는 상기 미러 패턴들 사이의 영역과 중첩되며, 상기 비발광 영역은 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 포함하는 적층 구조와 중첩되는 표시 장치. - 제 8 항에 있어서, 상기 발광 영역은 유기 발광층 또는 액정층을 포함하는 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 투명 기판은 상기 실링부에 의해 제1 영역 및 제2 영역으로 구분되며, 상기 제1 영역은 상기 표시부와 중첩되고,
상기 미러 패턴들 및 상기 제1 미러막은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 배치되는 표시 장치. - 제1 영역 및 제2 영역을 포함하는 투명 기판을 제공하는 단계;
상기 투명 기판 상에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 분포되는 제1 미러막 및 미러 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 경계부에 상기 제2 미러막과 접촉하는 실링부를 형성하는 단계를 포함하는 미러 기판의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴들을 형성하는 단계는,
상기 투명 기판 상에 제1 금속막 및 제2 금속막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 금속막 및 제2 금속막을 하프톤 마스크를 이용하여 패터닝하는 단계를 포함하는 미러 기판의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 형성하는 단계는 복수의 금속막들을 적층하는 단계를 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 미러 기판의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 제1 미러막의 상기 금속막들은 상기 미러 패턴들의 상기 금속막들과 각각 동일한 물질을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 미러 기판의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴들을 형성하는 단계는,
상기 제1 미러막 및 상기 미러 패턴을 따라 연속적으로 연장되는 제2 미러막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미러 기판의 제조 방법. - 제 15 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 미러막들의 두께는 상기 미러 패턴의 두께보다 얇게 형성되는 것을 특징으로 하는 미러 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제1 미러막 및 상기 제2 미러막은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 걸쳐 연속적으로 형성되는 미러 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제2 미러막을 형성하는 단계는 복수의 금속막들을 순차적으로 적층하는 것을 특징으로 하는 미러 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제2 미러막은 상기 제1 미러막에 포함된 물질과 동일한 물질을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 미러 기판의 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제2 미러막은 상기 미러 패턴들에 포함된 물질과 동일한 물질을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 미러 기판의 제조 방법.
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